Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Дроздов Е.А. Многопрограммные цифровые вычислительные машины

.pdf
Скачиваний:
22
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
15.96 Mб
Скачать

СО

1 а

о о

а

d а

о

9.8

И

 

у .

— —

0.45

л л л л л л л

Is

У V V V V V i г

и

6

Рис. 4.5. Варианты плоских прямоугольных корпусов интегральных схем:

а — металлокерамическнй; б — полимерный

укрепленными на ней в определенном порядке разъемами и на­ правляющими для ТЭЗ (рис. 4.6, в). Блок панели с разъемами, на­ правляющими и коммутационной печатной платой представляет собой законченную конструктивно-монтажную часть конструкции машины. Габариты блока зависят от размеров ТЭЗ, разъемов, с по­ мощью которых ТЭЗ соединяются с панелями, допустимых длин печатных проводников, которыми соединяются максимально уда­ ленные в блоке интегральные схемы, требований к температурным режимам работы схем, возможных способов охлаждения машины и т. п.

Блоки панелей крепятся в рамах. Обычно это прямоугольные каркасы сварного типа из нормализованных профилей с перемыч­ ками и направляющими для установки блоков. В рамах крепятся также блоки питания.

Рамы помещаются в защитные кожухи. Если машины предна­ значаются для эксплуатации в стационарных условиях в закрытых, хорошо вентилируемых, отапливаемых и защищенных от пыли по­ мещениях, то в конструкциях кожухов не предусматриваются спе­ циальные меры защиты от внешних воздействий. Рама с кожухом в зависимости от размеров и назначения устройства или машины в целом оформляются в виде шкафа, тумбы или стола.

Для повышения плотности компоновки электронного оборудо­ вания цифровой машины в шкафу (стойке) может быть размещено несколько рам. Рамы могут быть откидные, выдвижные или пово­ ротные. На рис. 4.6 показан пример компоновки стойки с тремя ра­ мами: двумя поворотными (Л и С) и неподвижной (В). Жесткость конструкции стойки, оформляемой в виде шкафа (рис. 4.6, д), обес­ печивается с помощью неподвижной средней рамы.

Электрические соединения между панелями в раме и между ра­ мами выполняются навесными проводами и кабелями. Соединения между далеко удаленными панелями в раме и межрамные соедине­ ния монтируются в виде жгутов.Внешние, в том числе и межрам­ ные, кабели соединяются с внутрирамным монтажом через разъемы, устанавливаемые в нижних частях рам.

Рассмотренные выше составляющие части конструкций ЭЦВМ обладают конструктивной завершенностью и могут изготавливаться независимо друг от друга. Это дает возможность унифицировать составляющие части — элементы конструкции, снабженные сред­ ствами механического и электрического сопряжения с другими эле­

ментами.

Такие элементы называют к о н с т р у к т и в н ы м и мо ­

д у л я м и

того или иного уровня. Уровень модуля определяется

количеством типов объединенных в его составе более простых мо­ дулей. Например, рассмотренные выше конструктивные модули в порядке возрастания старшинства можно расположить по уровням так, как дано в табл. 4.1.

Унификация конструктивных модулей различных уровней спо­ собствует созданию лучших условий для организации их серийного производства на основе применения прогрессивных технологиче­ ских процессов. Широкое распространение хорошо отработанных

101

Рис. 4.6. Вариант конструкции типовой стоики ЦВМ?

а — модуль

интегральной схемы; б — типовой элемент

замены (ТЭЗ); в —.

блок

панели; г — рамы; д — стойка, выполненная

в виде шкафа

Уровень

конструктивного

модуля

1

2

3

4

5

Т а б л и ц а 4.1

Тип модуля

Интегральная схема (корпус интегральной схемы), электрорадиодеталь

Типовой элемент замены (ТЭЗ) Блок панели Рама

Стойка (шкаф), тумба, пульт

стандартных унифицированных конструкций желательно с точки зрения удобства наладки при изготовлении и технического обслу­ живания в процессе эксплуатации аппаратуры цифровых вычисли­ тельных машин.

§4.3. Основные характеристики и параметры элементов

Вобщем случае логические устройства цифровых машин можно рассматривать состоящими из множества элементарных цепей, по­ добных изображенной на рис. 4.7. Элементарная цепь содержит запоминающую схему, на вход которой информация поступает по­

сле прохождения одной или нескольких ступеней логического пре-

Вх

■Вых.

Рис. 4.7. Составляющие элементарной цепи логического преобразования и запоминания информации в ЦВМ

образования. Такими ступенями могут быть либо просто схемы совпадения, собирательные схемы, инверторы и т. п., либо один или несколько последовательно включенных более сложных эле­ ментов типа И—НЕ, ИЛИ—НЕ, И—ИЛИ—НЕ и т. д., реализую­ щих универсальные логические функции. Информация, принятая запоминающей схемой, в необходимый момент времени выдается в следующие каскады логического преобразования.

Необходимым условием физической реализации схем преобра­ зования цифровой информации является надежное распознавание передаваемых сигналов принимающими элементами. Для этого вхо­ ды и выходы элементов должны быть согласованы. Согласование должно выполняться таким образом, чтобы в сложных схемах эле­ менты можно было соединять в различных комбинациях без инди­ видуальных подборов и регулировок. Это достигается построением элементов с надлежащими характеристиками.

103

Влияние параметров входных сигналов и нагрузки на работу элементов, возможность совместной работы различных элементов без специальных согласующих цепей оцениваются по их пусковым и нагрузочным характеристикам. К пусковым характеристикам от­ носятся: зависимость выходного напряжения £УВЫХ от амплитуды входного Uих и зависимость длительности фронта (спада) выходно­ го сигнала от фронта (спада) входного сигнала. В качестве нагру­ зочных характеристик обычно рассматривают зависимость длитель­

ности фронта (спада)

и задержки распространения сигнала

в эле­

менте от возможного

количества элементовходов нагрузки, а также

 

зависимость длительности фронта

 

(опада) и задержки распростра­

 

нения сигнала в элементе от ве­

 

личины его

емкостной нагрузки.

 

Пусковая

характеристика

 

UBblx = f(Uвх) >получившяя назва­

 

ние амплитудной

передаточной

 

характеристики, в

общем

виде

 

представлена на рис. 4.8. По этой

 

характеристике

определяются

 

возможные

уровни

сигналов U|

у

-

и Uо, соответствующие

кодам 1

ч? Щмак^Р мин У]

Ugx

и 0 на входе и выходе элемента.

'

 

Точка

расхождения р,

находя-

Рис. 4.8. Амплитудная передаточная

щаяся

на

пересечении прямой

характеристика

 

UBUX=UBX

с

характеристикой

 

 

Uвых== / ( й вх))

условно

разграни­

чивает две области. Одна из них, ближайшая к началу коор­ динат, соответствует уровням сигналов U<UP, которые при

подаче на вход цепи элементов затухают

(стремятся к нуле­

вому уровню

Uо), а в другой области сигналы

U>UP нарастают

(стремятся к

единичному уровню U\). Однако практически переда­

ваемые сигналы кодов 1 и 0 разграничивают не по уровню Up, а по некоторым значениям U lmm и 0 0макс- Между этими значениями располагается зона переключения элемента, а вне их будут поме­ хоустойчивые зоны соответственно сигналов кода 1 и 0.

Уровни U0 и U1 соответствуют номинальным значениям сигна­ лов кодов 0 и 1. Зоны, соответствующие разностям UmaKCU0 и 0 \ —t/lMnF) определяют з а п а с п о м е х о у с т о й ч и в о с т и эле­ мента. Номинальные значения сигналов кодов 0 и 1, а также допу­ стимые значения максимального сигнала «0» и минимального сиг­ нала «1» находят по реальным передаточным характеристикам, по­ строенным с учетом разбросов параметров компонентов схем, пи­ тающих напряжений, нагрузки, температуры окружающей среды.

Аналогично передаточной формируются остальные перечислен­ ные выше характеристики, и по ним определяются допустимые вре­ менные параметры и пределы изменения нагрузки. В соответствии

сэтими характеристиками испытывают и контролируют элементы

впроцессе производства.

104

При построении схем машин логические возможности элементов и возможность их совместной работы удобно оценивать по техниче­ ским и электрическим параметрам, к которым относятся:

— тип схемы элемента; ■— особенности конструкции и технологии производства;

быстродействие;

рассеиваемая мощность;

логические возможности;

напряжения источников питания;

уровни сигналов кодов 0 и 1;

помехоустойчивость.

Эти параметры приводятся в справочных данных. Они обобща­ ются для комплексов элементов однотипных по используемым ак­ тивным и пассивным компонентам, способу построения их принци­ пиальных схем и технологии изготовления. На основе таких ком­ плексов формируются системы элементов.

Основными параметрами, в значительной степени отражающими особенности принципиальных схем элементов и возможности их применения, являются: быстродействие и средняя рассеиваемая мощность. Если первое определяет в принципе возможность реали­ зации на основе тех или иных элементов схем машины с требуемым быстродействием, т. е. возможность решения поставленной задачи, то вторая позволяет судить, насколько экономичен по потребляемой мощности выбранный путь решения.

Быстродействие характеризуется средним временем t3_ср за­ держки распространения сигнала в элементе.

,

_ 'зФ+ 'з

 

* з . с р —

2

*

где ^ — время задержки

фронта,

а ^ — время задержки спада

выходного сигнала соответственно относительно спада или фронта входного сигнала (рис. 4.9).

Этот параметр удобен для оценки суммарных показателей вре­ мени распространения сигналов в сложных логических схемах.

Рассеиваемая мощность зависит от того, в каком состоянии на­ ходится схема. Закрытому состоянию может соответствовать мощ­ ность Р3, а открытому — Р0. Если Р3 и Р0 близки или схема прибли­ зительно половину времени находится в закрытом состоянии, а остальное время — в открытом, то пользуются средней мощностью

Рср = -Рз £ Р° 'Рассеиваемая схемой мощность может зависеть как

от нагрузки, так и от схем, включенных на входе. Если эта зависи­ мость существенна, то в справочных данных указываются условия, которым соответствует, например, средняя рассеиваемая мощность.

Логические возможности элемента характеризуются допустимы­ ми количествами аналогичных или каких-либо других элементов, которые могут быть подключены к входам и выходу элемента без нарушения устойчивости его работы и ухудшения скорости пере-

105

ключеняя выше допустимого предела. На входах элемента входные сигналы могут объединяться по схемам И и ИЛИ. Эти возможно­ сти указывают в технических данных элемента числами: т — коэф­ фициентом объединения по входам И и / — коэффициентом объ­ единения по входам ИЛИ.

Сигналы с выхода элемента могут подаваться одновременно на входы нескольких других элементов. При этом суммарная актив­ ная и реактивная (обычно емкостная) нагрузки также не должны превосходить определенных пределов. Это ограничение указывают

Рис. 4.9. Эпюры напряжении, иллюстрирующие задержку распространения сигналов в элементах

допустимым коэффициентом разветвления по выходу п. Для удоб­ ства пользования этим коэффициентом определяют, сколько и ка­ ких входов можно подключить к данному выходу.

Допустимые значения уровней сигналов, соответствующих ко­ дам 0 и 1, определяются по амплитудным передаточным характе­ ристикам. Эти значения в технических данных указываются для определенной температуры и диапазона колебания напряжений источников питания. При этом учитываются требования обеспече­ ния помехоустойчивости.

Помехоустойчивость обычно характеризуют допустимыми ампли­ тудами напряжений помех при единичном и нулевом уровнях вход­ ных сигналов. Эти напряжения для обоих уровней могут быть оди­ наковыми. Они определяются возможными зонами запаса ампли­ тудных передаточных характеристик, как было рассмотрено на рис. 4.8. Запас по амплитуде, а следовательно, и помехоустойчи­

106

вость

тем выше, чем ближе допустимые входные напряжения

Ломакс

и UiMBn к напряжению Up и, следовательно,

чем больше раз­

ности Тощаке— U0 И U\f/iMira-

 

 

§ 4.4. Диодные логические элементы

На полупроводниковых диодах, обладающих

односторонней

проводимостью, строятся логические схемы, реализующие опера­ ции И, ИЛИ и их комбинации. В качестве дополнительных нагру­ зочных компонентов в диодных логических схемах могут использо­ ваться как активные, так и реактивные сопротивления. Соответст­ венно этому диодные логические схемы делятся на диодно-рези­ сторные, диодно-резисторно-конденсаторные и диодно-трансформа­ торные. По характеру выходных сигналой последние два типа отно­ сятся к импульсным схемам. Диодно-резисторные элементы могут работать как в статическом, так и в импульсном режимах. Рас­ смотрим принципы построения и работы, а также особенности рас­ чета диодно-резисторных элементов.

Диодно-резисторная схема элемента ИЛИ на два входа, приве­ денная на рис. 4.10, а, реализует логическую операцию Р = хiV * 2> где логическими переменными Х\ и х% обозначены соответственно входные сигналы их\ и их2 положительной полярности относительно некоторого уровня U0. Временная диаграмма работы элемента по­ казана на рис. 4.10,6, где напряжение уровня UQ соответствует коду 0, a U\ — коду 1. Аналогично можно построить схему на п входов.

На выходе схемы напряжение высокого уровня, соответствую­ щее коду 1, устанавливается с приходом хотя бы на один из вхо­ дов напряжения U\. Это соответствует открытому состоянию схемы. По отношению к сигналам, поступающим на входы, схема ИЛИ яв­ ляется собирательной. По отношению же к цепям, по которым по­ ступают входные сигналы, вследствие односторонней проводимо­ сти диодов схему ИЛИ часто называют разделительной.

В схемах рассматриваемого типа обычно не только U\, но и f/0> —Е. В частном случае напряжение Е может быть просто рав­ но 0, как показано на рис. 4.10, в. При увеличении на одном или на всех входах напряжения до Ui возрастает ток через прямое со­ противление Гд пр одного диода (или всех диодов) и резистор R.

Чтобы коэффициент передачи схемы был близок к единице, сопро­ тивление резистора R должно во много раз превосходить прямые сопротивления /*д пр диодов. Обычно у диодов, используемых в

подобного рода схемах, Гд пр составляет 100—300 ом, а величи­

на R — более 103 ом и может доходить до 100 ком и более. При та­ ких соотношениях сопротивлений практически все напряжение Е падает на резисторе R, и на выходе устанавливается напряжение, близкое к уровню входного сигнала.

При закрывании схемы, когда на обоих входах напряжение по­ нижается до уровня UQ, выходное напряжение также уменьшается

107

и устанавливается на уровне U0UR пр ^ U 0 при малом падении напряжения UR пр на прямых сопротивлениях диодов.

Быстродействие элемента ИЛИ определяется временем пере­ ключения выходного напряжения, которое, в свою очередь, зависит от времени перезаряда паразитных емкостей монтажа и нагрузки. Эти емкости в сумме обычно на один—два порядка превышают проходные емкости диодов.

о[7

Д1

J6blX

Рис. 4.10. Диодно-резисторные логические элементы:

а, в — схемы элементов

И Л И ; б

временная диаграмма,

поясняющая ра­

боту элементов И Л И ;

г — принципиальная

схема элемента

И ; д — времен­

ная

диаграмма

работы

элемента И

 

Как показано на осциллограмме к рис. 4.10,6, длительности фронта /ф и спада t0 выходного напряжения различны. Так как

при

открывании

схемы

заряд суммарной емкости нагрузки Сн

(рис.

4.10, а) происходит

через прямые сопротивления

диодов

( й з а р =

3/*д_пр Сн),

а при

закрывании схемы разряд через

рези­

стор R (^Разр = 3RCn), то длительность спада выходного сигнала примерно в Я/гД пр раз больше времени фронта. Это обстоятель­

ство следует учитывать при расчете схем ИЛИ на заданное бы­ стродействие.

Во многих случаях при малых сопротивлениях нагрузки схемы ИЛИ строятся без резисторов R, роль которых выполняют сами

нагрузочные сопротивления. Пример такой

схемы показан

на

рис. 4.10,s.

изображенная

на

Диодно-резисторная схема элемента И,

рис. 4.10,г, реализует логическую операцию Р —х^Хо над входными сигналим их1 и их 2 положительной полярности по отношению к не­ которому уровню потенциала U0. Входные положительные сиг­ налы уровня U\ соответствуют коду 1.

Принцип работы схемы И поясняется временной диаграммой на

рис.

4.10, д.

Только при подаче сигналов кода

1 одновременно

на

оба

входа

потенциал на выходе схемы возрастает

до уровня

U,

(выдается сигнал кода 1), что соответствует

открытому

состоя­

нию схемы.

Подобного рода схемы, у которых

на

выходе

появ­

ляется сигнал кода 1 только при совпадении сигналов на входах, называются схемами совпадения.

Высокий потенциал удерживается на выходе схемы до момента прекращения действия хотя бы одного из входных сигналов кода 1. При этом, поскольку в делителе напряжения, состоящем из рези­ стора R и прямого сопротивления гД ( как правило, R ^ > r n

потенциал на выходе схемы резко падает до U0 (схема закрывает­ ся), что соответствует выдаче кода 0.

Аналогично собирательной схеме быстродействие схемы совпа­ дения определяется скоростью переключения выходного напряже­ ния. Эта скорость в основном зависит от времени заряда и разряда емкости Сн, состоящей из паразитной емкости монтажа и входной емкости нагрузки. В отличие от собирательной схемы в схеме совпадения длительность фронта выходного сигнала намного превышает длительность спада tc (см. осциллограмму к рис. 4.10, д). При открывании схемы емкость Ся заряжается через резистор/?^» ^> гд п0 и разряжается при спаде выходного напряжения через ма­

лое прямое сопротивление диода гд Разумеется, что внутрен­

ние сопротивления источников входных сигналов должны быть много меньше R. Только в этом случае tc выходного сигнала будет в основном определяться временем спада входного.

Сравнивая схемы рис. 4.10, а и г, нетрудно установить, что схе­ ма ИЛИ для высоких уровней напряжения является схемой И для низких и наоборот схема И для высоких уровней является схемой ИЛИ для низких. Формально это соответствует двойственным ло­ гическим соотношениям

х х \/ х 2 = х :х 2 и х гх 2 = -т, V х 2.

Особенности расчета диодно-резисторных элементов. В сложных логических схемах машин элементы И и ИЛИ передают информа­ цию либо непосредственно подобным себе элементам, либо через транзисторные усилители, Поэтому при расчетах обычно ставится условие, чтобы диодно-резисторные элементы обеспечивали пере-*

ЮЗ

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ