Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Брук В.А. Производство полупроводниковых приборов учебник для подготовки рабочих на пр-ве

.pdf
Скачиваний:
73
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
15.79 Mб
Скачать

150 жег), предназначенный в основном для микромодульного офор­ мления приборов. Поэтому выводы корпуса имеют двухзвенную конструкцию, которая позволяет при монтаже на микромодульные

платы

без опасности повреждения спаев ножки изгибать выводы в

 

 

 

непосредственной

близости

от

 

 

 

места

 

металлостеклянного

 

 

 

спая. Ножка

корпуса

представ­

 

 

 

ляет собой

металлостеклянные

 

 

 

спаи фланца /, выводов 2 и

 

 

 

стеклобус

7.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для

обеспечения

 

согласо­

 

 

 

ванного

металлостеклянного

 

 

 

спая фланец и выводы изготов­

 

 

 

ляют из сплава 29НК, а стекло-

 

 

 

бусы— из

стекла

С49-2.

Фла­

 

 

 

нец

изготовляется

штамповкой

 

 

 

из

листового

 

ковара

и

имеет

 

 

 

разгрузочную

 

канавку

для

ог­

 

 

 

раничения

деформации

при

 

 

 

окончательной

 

герметизации

 

 

 

приборов

холодной

 

сваркой.

 

 

 

Ограничение

 

района

деформа­

 

 

 

ции

зоной,

 

непосредственно

 

 

 

примыкающей

к месту

сварки,

 

 

 

имеет целью в первую очередь

 

 

 

защитить от разрушения

метал­

 

 

 

лостеклянные

 

спаи

ножки,

а

 

 

 

также

не

допустить

деформа­

 

 

 

ции кристалла

полупроводника.

 

 

 

 

Базовый

вывод

6

корпуса

 

 

 

приваривают к фланцу 1 удар­

 

 

 

ной

конденсаторной

 

сваркой

Рис.

108. Металлостеклянные корпуса

перед сборкой ножки с изоли­

рованными выводами. Базовый

для

герметизации

маломощных мало­

 

габаритных

транзисторов:

вывод

может

 

быть

изготовлен

а — т и п а Е - 1 , б — т и п а Е-2: / — ф л а н е ц , 2 —

из

сплава

29НК

или

никеля.

в ы в о д ы , 3 — к о н т а к т , 4 — п о л у п р о в о д н и к о ­

Баллон

5 корпуса

изготовляют

вый

к р и с т а л л , 5 — б а л л о н , 6 — б а з о в ы й в ы ­

вод, 7 — с т е к л о б у с а ( с т е к л о т а б л е т к а )

из

стали

Ст.

10

или

никеля.

 

 

 

Кристалл 4 с р — «-переходами и токоведущими контактами 3 напаивают на кристаллодержатель. Токоведущие контакты присоединяют к внешним выводам 2 кон­ тактной сваркой. При подготовке к холодной сварке ножку и бал­

лон никелируют.

 

 

 

 

 

Корпус Е-2 маломощного (до 300 мет без специального

теплоот-

вода) транзистора, герметизируемый

электроконтактной

сваркой,

показан

на рис. 108, б. Ножка выполнена спаиванием

стеклотаблет-

ки 7 из

стекла С48-2 с отверстиями для выводов

и

фланца

/ ча­

шечной

конструкции из тонкостенного

листового

ковара.

В

зави­

симости от конкретных условий применения ножка может иметь от

двух до четырех выводов 2. При этом один из выводов 6 может быть базовым. В некоторых случаях все четыре вывода могут быть изолированными. Корпуса с двумя выводами используют для герметизации стабилитронов, генераторов шума и варикапов с мощ­ ностью рассеивания до 300—500 мет, стремя выводами — транзи­ сторов и тиристоров, а с четырьмя — высокочастотных транзисто­ ров и полупроводниковых источников света. Стеклотаблетку изго­ товляют с двумя — четырьмя отверстиями для выводов.

Металлические детали корпуса в зависимости от типа прибора могут иметь никелевое или золотое покрытие. Наружные концы выводов для удобства монтажа в аппаратуре облуживают. Ножка удобна для монтажа кристаллов с различными типами переходов: контакты от кристалла могут быть присоединены к выводам ножки электроконтактной сваркой, пайкой или термокомпрессией.

Для уменьшения емкости коллектор — база ножка может иметь выборку во фланце, заполненную стеклоизолятором. Кристалл при­ бора при этом напаивают на один из изолированных выводов нож­ ки, конец которого расплющен и находится на стекле изолятора в месте выборки. Так как металлостеклянный спай имеет большой объем стекломассы, ножка обладает высокой механической прочно­ стью и надежностью. Если необходимо, кристалл может быть элек­ трически изолирован от фланца с сохранением-хорошего теплового контакта. Для этого между кристаллом и фланцем устанавливают

прокладку из бериллиевой керамики

«Брокерит-9»,

являющейся

отличным проводником тепла.

 

 

 

 

 

Баллон представляет собой полый

цилиндр

из стали

Ст.

10

или никеля. Ножка и баллон плотно сопрягаются

по

цилиндриче­

ской поверхности, что, во-первых, защищает р— n-переход

от

вы­

плесков металла при электроконтактной сварке, а, во-вторых, улуч­ шает теплоотвод от фланца к баллону. Цилиндрическая форма бал­ лона позволяет в необходимых случаях увеличивать теплоотвод, по­ мещая корпус в специальный радиатор.

Корпус предназначен для герметизации большинства маломощ­ ных транзисторов, ГТ322, ГТ109, ГТ310, ГТ309, ГТ108, ГТ111, КТ312, П47, П418 и др. При использовании специального теплоотвода мощность приборов может быть повышена до 1 вт.

Корпус Е-3 для герметизации приборов с мощностью рассеива­ ния 10—15 вт показан на рис. 109. Приборы в этом корпусе монти­ руют стальными переходными фланцами на теплоотводящий ради­ атор. Фланец имеет три отверстия для винтов и надевается на кор­ пус со стороны баллона 11.

Для обеспечения нормального теплового режима работы при­ боров фланец / ножки изготовляют из рафинированной или бески­ слородной меди. Для создания соединений фланца ножки с вывода­ ми 3 применяют предварительно изготовленные узлы типа проход­ ного изолятора, которые представляют собой металлостеклянный спай коваровой втулки 2, стеклобусы 4 из стекла С49-2 и вывода 3 из коваровой проволоки. Это сочетание материалов обеспечивает получение ненапряженного металлостеклянного спая.

В зависимости от метода соединения узлов проходных изолято­ ров с фланцем ножки конструкция втулки 2 может меняться. Так можно присоединять втулку 2 к фланцу 1 электроконтактной свар­ кой через промежуточное кольцо 6 из никеля для облегчения свар­ ки. В этом случае используют тонкостенную штампованную втулку из листового ковара, которую помещают с зазором в соответствую­

щее отверстие фланца ножки. Чтобы обеспечить жесткость и механическую прочность соединения вы­ водов с фланцем, зазор между узлом вывода и фланцем заполняют эпок­ сидным компаундом 5.

 

Существует

также

ме­

 

тод соединения узла выво­

 

да с фланцем пайкой при­

 

поем ПСР-72. В этом слу­

 

чае

для

 

предохранения

 

спая

металла

со

стеклом

 

от деформации

втулку 2

 

изготовляют

толстостен­

 

ной. Впаивают

 

узел

изо­

 

лятора в медный фланец 1

 

в конвейерной

печи

одно­

 

временно с базовым

выво­

 

дом

12 припоем

ПСР-72.

 

Базовый

вывод

12

из­

 

готовляют

из

 

никеля

и

 

припаивают

в

 

конвейер­

 

ной печи к ножке одновре­

 

менно с никелевыми

коль­

Рис. 109. Металлостеклянный корпус Е-3 для

цами

6 припоем

ПСР-72.

герметизации мощных транзисторов:.

Нижнюю

часть

выводов

1 — ф л а н е ц , 2 — в т у л к а , 3— в ы в о д , 4 — с т е к л о б у с а ,

для удобства присоедине­

5 — к о м п а у н д , 6 к о л ь ц о , 7 — л а к , 8 — п л е т е н к а , 9,

13 и 14 — т р у б к и , 10 — п о л у п р о в о д н и к о в ы й к р и с т а л л .

ния

изготовляют

в

виде

11 — б а л л о н , 12 — б а з о в ы й в ы в о д , 15 — ж г у т

медного

плетеного

 

жгута

 

 

15 и соединяют с жесткими выводами ножки через никелевую труб­ ку 13 стыковой сваркой.

Кристалл соединяют с выводом медной плетенкой 5, используя никелевую или коваровую плющенную трубку 9 в качестве проме­ жуточного элемента.

Перед герметизацией холодной сваркой кристалл 10 герметизи­ руют лаком 7 или компаундом. Для изоляции токоведущих выво­ дов ножки от теплоотводящей платы на них надевают трубку 14 из полихлорвинила. Высоковольтные приборы герметизируют в кор­ пусах с винтом и выводами вверх. Такой корпус кроме гибких вы­ водов может иметь прямые жесткие выводы или лепестковые нако­ нечники. Для удобства электрического монтажа в аппаратуре кон-

цы выводов облуживают припоем олово — висмут или ПОС-61. Корпуса Е-3 используют для герметизации полупроводниковых

приборов П213, П215, П217, ГТ701, П210, Д238 и др. Металлокерамический корпус Е-4 с тремя изолированными вы­

водами вверху для герметизации мощных транзисторов и тиристо­ ров показан на рис. 110. Корпус предназначен для приборов с рас­ сеиваемой мощностью до 50 вт и частотой до 400 мгц и состоит из медного кристаллодержателя 1 с резьбовым хвостовиком и шести­ гранником, к верхнему торцу кото­ рого припаивается никелевое коль­ цо 2 с рельефом под электросварку и прокладка 3 из бериллиевой кера­ мики.

Прокладка 3 служит для монта­

 

 

 

 

жа кристалла 4 с р—• «-переходами

 

 

 

 

и жестких никелевых выводов 5.

 

 

 

 

Нижняя

поверхность

керамической

 

 

 

 

прокладки

имеет

сплошную

молиб-

 

 

 

 

дено-марганцевую

 

металлизацию

 

 

 

 

для припайки на медный кристалло-

 

 

 

 

держатель

1.

На

верхнюю

поверх­

 

 

 

 

ность

керамической

прокладки

3

 

 

 

 

также

нанесена

молибдено-марган-

 

 

 

 

цевая металлизация в виде трех изо­

 

 

 

 

лированных друг от друга участков

 

 

 

 

определенного рисунка, которые слу­

 

 

 

 

жат основанием для контактов эмит­

 

 

 

 

тера, коллектора и базы. На

каждом

 

 

 

 

из этих участков серебром

припаяны

 

 

 

 

никелевые выводы 5.

 

 

 

 

 

 

 

 

При сборке приборов в корпус на

 

 

 

 

один

из

участков

металлизации

ке­

Рис.

110.

Металлокерамический

рамической

 

прокладки

напаивают

 

корпус Е-4 для герметизации мощ­

кристалл

с

р — «-переходами. Кол­

ных

транзисторов и

тиристоров:

лекторный

и

эмиттерный

контакты

/ — к р н с т а л л о д е р ж а т е л ь ,

2 к о л ь ц о .

соединяют

термокомпрессией

с дву­

3 — п р о к л а д к а ,

4 п о л у п р о в о д н и к о в ы й

к р и с т а л л , 5 — в ы в о д , Є — к о н т а к т . 7 —

мя другими

участками

металлиза­

к о р п у с , 8 к е р а м и ч е с к а я в т у л к а , 9 —

ции. Для припайки кристалла к про­

 

 

т р у б к а

 

 

 

 

 

кладке эвтектикой золото — кремний

и термокомпрессии

контактов

все металлические и

металлизированные

поверхности

кристалло­

держателя гальванически покрывают слоем золота с подслоем ни­ келя. Прокладка электрически изолирует кристалл от держателя, обеспечивает монтаж коллекторного и эмиттерного выводов и хоро­ ший тепловой контакт. .

Баллон состоит из штампованного никелевого корпуса 7, втул­ ки 8 из керамики 22ХС или КВФ-IV и трех никелевых трубок 9, на­ ружные концы которых перед сборкой и пайкой баллона завальцовывают. При окончательной герметизации прибора припоем ПСР-72

14»

203

никелевые трубки с выводами кристаллодержателя

пережимают

для обеспечения надежного электрического контакта.

 

При использовании корпуса Е-4 для герметизации низкочастот­ ных транзисторов электрической изоляции кристалла от корпуса не

требуется. В этом случае кристалл

может быть припаян к кристал-

 

 

 

 

 

лодержателю

непосредственно

или

 

 

 

 

 

через

компенсирующую

прокладку

 

 

 

 

 

из молибдена. Для изоляции выво­

 

 

 

 

 

дов эмиттера и коллектора от корпу­

 

 

 

 

 

са используют прокладки из высоко­

 

 

 

 

 

глиноземистой

или

 

форстеритовой

 

 

 

 

 

керамики,

которые

 

значительно де­

 

 

 

 

 

шевле

бериллиевых.

Если

 

баллон

 

 

 

 

 

корпуса 7 и трубки 9 изготовлены из

 

 

 

 

 

ковара, в качестве

изолятора

может

 

 

 

 

 

быть применено стекло, чтов

упро­

 

 

 

 

 

щает

и

удешевляет

производство

 

 

 

 

 

приборов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Корпуса Е-4 особенно

 

удобны

 

 

 

 

 

для

монтажа

на

 

теплоотводящие

 

 

 

 

 

шасси

и

платы. В

них

выпускают

 

 

 

 

 

приборы

КТ904,

КТ9-КТ13,

 

КТ17

 

 

 

 

 

и др.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

На

рис.

111

показан

корпус Е-5

 

 

 

 

 

для

герметизации

тиристоров

сред­

 

 

 

 

 

ней мощности. Корпус состоит из

 

 

 

 

 

баллона и медного

 

кристаллодержа­

 

 

 

 

 

теля

/

с шестигранником

и

 

резьбо­

 

 

 

 

 

вым хвостовиком. Для

герметизации

 

 

 

 

 

холодной

сваркой

 

кристаллодержа­

 

 

 

 

 

тель

имеет

фланец,

выступающий

Рис.

111.

Металлостеклянный

над

шестигранником.

 

 

 

 

 

корпус Е-5 для герметизации

Баллон

выполнен

в виде

метал-

тиристоров

средней

мощности:

лостеклянного

спая

корпуса

4,

стек-

1 — к р и с т а л л о д е р ж а т е л ь ,

2 — полу ­

лотаблетки 5 и коваровых трубок 6.

п р о в о д н и к о в ы й к р и с т а л л ,

3

т е р м о -

к о м п е н с и р у г о щ а я п р о к л а д к а ,

4 —

Корпус 4 изготовлен холодной штам­

к о р п у с ,

5 — с т е к л о т а б л е т к а ,

6 —

 

 

т р у б к а

 

 

повкой из листового ковара. Стекло-

 

 

 

 

 

таблетка

из стекла

С49-2

изготов­

лена методом прессования или горячего литья под давлением с по­ следующим спеканием. Для улучшения условий смачивания метал­ ла стеклом при изготовлении баллона в таблетку добавляют окислы кобальта, марганца, хрома и некоторых других металлов.

Кристалл 2 с р— /г-переходами напаивают на кристаллодержа­ тель непосредственно или через компенсирующую прокладку 3 из молибдена; молибденовую прокладку припаивают к кристаллодержателю припоем ПСР-72. Кристаллодержатель изготовляют из медного прутка последовательной объемной штамповкой. Посколь­ ку при штамповке происходят значительные объемные деформа­ ции материала с потерей пластичности, заготовки отжигают на

воздухе. При использовании бескислородной меди заготовки отжи­ гают в водородных печах, причем снимать окисную пленку не нужно.

Для тиристоров с диаметром кристалла больше 7,5 мм преду­ смотрен аналогичный вариант конструкции корпуса с шестигранни­

ком, размеры которого обеспечивают размещение

кристаллов

диа­

метром до 10 мм.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Основные данные корпусов Е-1 —Е-5 приведены в табл.

32.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 32

 

Основные. данные

корпусов

транзисторов и

тиристоров

 

 

 

 

 

 

Р а з м е р ы ,

ш ( р и с .

108—111)

 

 

 

Э л е к т р и ч е с к и е

 

 

 

 

 

 

 

п а р а м е т р ы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тип

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к о р п у с а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А

D

 

 

ь

1

F

р

N

Л',

Е

w

•9-

ГО

Е

 

 

 

с;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

О

•4

 

Е-1 . . .

2,6

7,6

5,9

0,3

16

0,4

 

 

 

 

 

0,8

0,4

600

Е-2 . . .

5,3

5,8

4,7

0,4

30

0,7

 

 

 

 

 

0,5

0,4

350

Е-3 . . .

14,6

32

22,6

25,6

3

80

2,8

 

 

 

 

 

1,5

0,2

3

Е-4 . . .

7,5

8,6

12,7

1

— — 11,5

11,5

2

11

М5

2

0,6

4

Е-5 . . .

13

21,5

14,5

16,5

— — — 29

11

2

14

Мб

1

0,5

3

§ 73.

КОРПУСА

ДЛЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

 

 

ИСТОЧНИКОВ

 

СВЕТА

Полупроводниковые источники света — молодой бурно развива­ ющийся класс приборов, получающий все более широкое распрост­ ранение в устройствах оптической связи, точечной и цифровой ин­ дикации, счетно-решающих устройствах. Приборы, работающие в инфракрасной области спектра, используют для передачи и записи информации на светочувствительные пленки. В зависимости от кон­ струкции и конкретных условий применения прибора различают единичные и многоэлементные источники излучения для видимой и инфракрасной областей спектра. Для герметизации одноэлемент­ ных и многоэлементных источников света используют корпуса со­ ответствующих конструкций.

Корпус Ж-1 для герметизации одноэлементных полупроводни­ ковых источников света, показанный на рис. 112, состоит из двухвыводной ножки и баллона с оптическим окном. К кристаллодержателю /, изготовленному штамповкой из листового сплава 29НК, конденсаторной сваркой приварен базовый вывод 9 из никелевой проволоки. Второй вывод 6 из сплава 29НК впаен в кристаллодер­ жатель через стеклобусу 7 из стекла С49-2. Ножка имеет гальвани­ ческое никелевое покрытие для защиты от коррозии и улучшения смачивания припоем при напайке полупроводникового кристалла. На кристаллодержатель 1 напаивают полупроводниковый кри­ сталл 4 через компенсирующую прокладку 8 из молибдена или вольфрама или без нее. Верхний вывод кристалла никелевой

плющенкой 5 соединяют с изолированным выводом 6. Плющенка может иметь золотое покрытие.

Окончательно герметизируют прибор электросваркой. Для улуч­ шения процесса электросварки и повышения надежности сварного шва кристаллодержатель / имеет рельеф в виде зуба, представляю­ щего в сечении трапецию. Для герметизации прибора используют

Рис. 112. Корпус Ж-1 для герметиза­

Рис. 113. Корпус Ж-2

Д Л Я

ции одноэлементных

полупроводнико­

герметизации

многоэлемент­

вых источников света:

ных полупроводниковых

ис­

/ — к р и с т а л л о д е р ж а т е л ь ,

2 — б а л л о н , 3 —

точников света:

 

л и н з а , 4 — п о л у п р о в о д н и к о в ы м

к р и с т а л л ,

/ — л и н з а , 2 — п о л у п р о в о д н и к о ­

5 — п л ю щ е н к а , 6 и 9 — в ы в о д ы ,

7 — с т е к л о -

вый к р и с т а л л ,

3 — к о м п а у н д ,

4 —

б у с а , 8 — п р о к л а д к а

 

д е р ж а т е л ь , 5 — к о н т а к т , 6 — вы­

в о д , 7 — п л а с т м а с с а

баллон с окном в виде линзы для вывода излучения. Линза 3 из­ готовлена из стекла С49-2 и образует герметичный металлостеклян­ ный спай с баллоном 2 из сплава 29НК. Корпус разработан для герметизации индикаторов света с большим (свыше 70°) углом об­ зора.

Наряду с единичными источниками света все более широкое развитие получают многоэлементные излучатели с числом элемен­ тов от семи до сорока и больше. Многоэлементные приборы могут иметь линзу для фокусировки излучения и увеличения изображения или выполняться в виде платы с плоским выводом излучения. Пло­ ские конструкции особенно удобны при передаче информации для записи на фотопленку или применении излучателя с непосредствен­ ным контактом с приемником излучения.

Корпус Ж-2 для герметизации многоэлементных источников с полусферической линзой показан на рис. 113. Корпус разработан для использования в девятиштырьковой ламповой панели и герме­ тизируется пластмассой. В процессе сборки прибора линза / из стекла С49-2 служит технологическим основанием для монтажа по­ лупроводникового кристалла 2 с излучающими элементами. Кри-

сталл приклеивают к линзе специальным оптическим клеем для об­ разования надежного оптического контакта. После приклейки кристалл покрывают специальным эластичным компаундом 3 для защиты от деформации и разрушения в процессе заливки твердым герметикой при окончательной герметизации.' Для облегчения гер­ метизации кристалл с линзой крепят на держатель 4 из пластмас­ сы , который является технологическим основанием. Конструкция имеет восемь никелевых штырьковых выводов 6 диаметром 1 мм один из которых является базовым. Электрический контакт 5 кри­ сталла с выводами осуществляется проволочными выводами из меди или никеля, которые термокомпрессией привариваются к кри­ сталлу и припаиваются к выводам.

Окончательно герметизируют прибор пластмассой 7 в единичных или многоместных формах из силиконовой резины, в которых име­ ются отверстия для заливки. Формы заливают шприцеванием и по­ мещают в термостат для полимеризации пластмассы.

Основные данные корпусов для полупроводниковых источников света приведены в табл. 33.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

33

 

Основные

данные

корпусов

дли

полупроводниковых источников

света

 

 

 

 

 

Р а з м е р ы ,

мм ( р и с .

112

Э л е к т р и ч е с к и е

параметры

 

 

 

 

 

 

и

113)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т и п к о р п у с а

 

 

 

ь

л

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

і

С. пф

 

L , нгн

'Clem

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ж-1

 

 

5,2

15

0,4

3,5

0,9

 

1,5

 

450

 

 

Ж-2

 

 

18

7

1

15

3

 

8

 

1500

 

 

§ 74. КОРПУСА ДЛЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

 

 

 

 

 

 

ИНТЕГРАЛЬНЫХ

СХЕМ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для герметизации полупроводниковых интегральных схем при-

<

меняются корпуса

специальных конструкций.

 

 

 

 

 

 

На рис. 114 показан плоский корпус 3-1 для герметизации

 

интегральных схем. Основанием корпуса служит металлостеклян­

 

ный спай таблетки 2 из порошкового стекла

С48-2,

коваровой

 

ленты толщиной 0,15 мм, штампованного фланца / и ленточных

 

коваровых выводов 3, 4, 5, 6,

7, 8, 9, 10, 11, 12,

13,

17,

18, 19,

20,

 

21, 22 и 23,

которые

предварительно вырубают

в

виде

общего

 

блока. Фланец и выводы соединяют со стеклоизолятором

методом

 

горячего литья под давлением на машинах для литья керамиче­

 

ских изделий. Полученную отливку отжигают для удаления связ­

 

ки, а затем нагревают до образования металлостеклянного спая.

 

После получения металлостеклянного спая на основание наносят

 

гальваническое покрытие из никеля или золота в зависимости от

 

метода сборки и герметизации

прибора.

 

 

 

 

 

 

 

Четыре вывода

3,

4, 12

и

13 корпуса,

расположенные

перпен-

 

дикулярно четырнадцати основным, соединены соответственно с 23, 5, 11 и 17 выводами и являются вспомогательными. Они, как правило, срезаны и используются только при специальной комму­ тации в радиотехнических устройствах. Полупроводниковый кри­

сталл

14 с р — «-переходами

наклеивают

на

стеклянное дно

 

осно­

 

 

 

 

 

 

 

 

I-

 

 

вания и соединяют с вывода-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

ми

корпуса

тонкой

золотой

 

 

ф

ф

У

^

х

^ ч

!

 

проволокой

 

15

термоком­

 

/6 7^

 

прессией. Окончательно

гер­

 

 

 

 

21

22

23

 

 

метизируют

прибор

пайкой

 

/7

/5

/5

Ж

 

 

низкотемпературными

 

при­

 

 

ffl

мі

}\

}]

fd

Id

 

 

поями корпуса с крышкой 16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

из ковара

или

никеля.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Наиболее

 

распространен­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ный в

серийном

производст­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ве круглый корпус 3-2

для

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

герметизации

интегральных

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

схем, показанный на рис. 115,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

имеет восемь или двенадцать

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

выводов. Один вывод

может

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

быть

базовым, однако

нахо­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дят применение конструкции,

 

1 ,| Ігї г Ї/1 1

 

 

все

выводы

которых

изоли­

 

 

 

рованы от корпуса. Техноло­

 

 

 

гия изготовления такого кор­

 

I II

10

9

8

7

6

 

5

 

 

пуса является типовой и ана­

 

L

 

 

С

 

 

 

 

 

 

логична

технологии

 

 

изго­

Рис. 114. Плоский корпус 3-1 для герметиза­

товления корпусов для

тран­

зисторов и тиристоров

малой

 

ции

интегральных

схем:

 

 

/ — ф л а н е ц , 1

с т е к л о т а б л е т к а ,

3 - / 3

и

17—23 —

и

средней

мощности.

 

Для

в ы в о д ы .

14 — п о л у п р о в о д н и к о в ы й

к р и с т а л л , 15 —

удобства

напайки

кристалла

 

п р о в о л о ч н ы й к о н т а к т , 16 — к р ы ш к а

на

ножку, термокомпрессии

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

выводов

кристалла

к

выво­

дам ножки и окончательной герметизации приборов

электросваркой

ножка и баллон корпуса имеют золотое покрытие. Фланец 1, стеклотаблетка 2 и выводы 3 образуют герметичный металлостеклянный спай. Окончательно герметизируют прибор в баллоне 4.

Фланец 1 изготовлен из тонколистового ковара, а выводы — из коваровой проволоки. Стеклотаблетка изготовлена из стекла С48-2 литьем под давлением или прессованием. На ножку напаи­ вают кристалл 5 эвтектикой золото — кремний, а кристалл с вы­ водами соединяют золотой проволокой 6 термокомпрессией на стандартном оборудовании. Конструкция обладает значительным тепловым сопротивлением при отсутствии специального теплоотвода. Применение квадратных или прямоугольных фланцев позво­ ляет уменьшить габариты корпуса и сохранить. значительную полезную площадь кристалла.

Наряду с корпусной герметизацией интегральных схем, начи­ нают широко применять герметизацию пластмассой, которая по-

зволяет

 

резко

сократить

затраты

 

 

 

 

 

 

 

на изготовление

приборов,

упрос­

 

 

 

 

 

 

 

тить оснастку и увеличить произ­

 

 

 

 

 

 

 

водительность

труда.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пластмассовый корпус 3-3,

 

 

 

 

 

 

 

предназначенный

для

герметиза­

 

 

 

 

 

 

 

ции

интегральных схем,

показан

 

 

 

 

 

 

 

на рис. 116. Выводы 1 из никеля,

 

 

 

 

 

 

 

сплава

 

29НК

или

трехслойных

 

 

 

 

 

 

 

композиций

ковар — медь — ко-

 

 

 

 

 

 

 

вар,

 

никель —

ковар

никель

 

 

 

 

 

 

 

штампуют

в

виде

непрерывной

 

 

 

 

 

 

 

ленты. При этом в ленте имеются

 

 

 

 

 

 

 

технологические

перемычки,

по­

 

 

 

 

 

 

 

этому измерять параметры

прибо­

 

 

 

 

 

 

 

ра в процессе производства невоз­

 

 

 

 

 

 

 

можно. На выводы нанесено золо­

 

 

 

 

 

 

 

то для напайки кристаллов 2 эв­

 

 

 

 

 

 

 

тектикой золото — кремний и тер­

 

 

 

 

 

 

 

мокомпрессии

проволочных выво­

 

 

 

 

 

 

 

дов

3

золотой

проволокой.

Для

 

 

 

 

 

 

 

увеличения

механической

 

прочно­

 

 

 

 

 

 

 

сти кристалла

и проволочных

вы­

 

[, '

'м*

 

 

Ф G

^|

водов

структуру

предварительно

 

 

 

 

 

 

 

защищают

эластичным

 

компаун­

Рис. 115. Металлостеклянный круглый

дом

4.

Окончательно

герметизи­

корпус

3-2

для

герметизации инте­

руют

прибор

 

пластмассой

5.

 

 

 

гральных

схем:

Затем

непрерывную

ленту

разре­

/ — ф л а н е ц ,

2— с т е к л о т а б л е т к а , 3— в ы в о ­

зают

 

на

 

отдельные

приборы. Чи­

д ы ,

4 — б я л л о н ,

5 — п о л у п р о в о д н и к о в ы й

 

 

 

к р и с т а л л ,

 

6 — п р о в о л о ч н ы й к о н т а к т

сло

выводов

в

зависимости

от

 

 

 

 

 

 

 

типа прибора может быть от трех до четырнадцати.

 

Основные

данные

корпусов

для

герметизации

интегральных

схем приведены в табл.

34.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

,

і

2

 

 

 

 

\_

 

 

 

)

 

\

)

\

J

^< і

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

4

 

 

 

 

• м ^ 1

 

 

I

 

1

 

 

 

 

 

 

 

і

 

 

 

 

 

 

 

 

G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 116. Пластмассовый корпус 3-3 для герметизации интеграль­ ных схем:

/ — в ы в о д , 2 — п о л у п р о в о д н и к о в ы й к р и с т а л л , 3 — п р о в о л о ч н ы й в ы в о д , 4 / к о м п а у н д , 5 — п л а с т м а с с а

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ