Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Учебник механика военно-воздушных сил. Радиооборудование самолетов

.pdf
Скачиваний:
60
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
14.11 Mб
Скачать

 

 

 

 

Т а б л и ц а

III.I

 

 

 

 

 

Предель­

Транзистор

Характер

П олу­

Основное

Коэффициент

ная

перехода

провод­

назначение

усиления

частота

 

 

ник

 

по току а

усиления

 

 

 

 

 

/а,

м ц

П8— П11

Пло­

 

скост­

 

ной

 

(п-р-п)

П13— П15

Пло­

 

скост­

 

ной

 

(р-п-р)

П16— П18

То же

П22— П23

«

П25— П26

п

П207— П208

*)

П401— П403

и

П19. П410—

»

П411А

 

П101— П103

Пло­

 

скост­

 

ной

П501—

(п-р-п)

То же

П503А

 

П 104— П 106

Пло­

 

скост­

 

ной

 

(р-п-р)

Г ер-

Усиление

в

0,9—0,95

1 600

маний

двухтактных

 

 

 

 

схемах

(сов­

 

 

 

местно с

 

 

 

 

 

П13— П15)

 

 

 

*

Г енерирова-

0,92—0,97

2 000

 

ние и усиление

 

 

п

Работа в им­

0,9—0,98

1000

 

пульсных и пе­

 

 

 

реключающих

 

 

 

схемах

 

 

 

 

 

п

Г енерирова-

0,9—0,98

3 000

 

ние колебаний

 

 

 

специальной

 

 

 

 

формы

 

 

 

 

 

г

Усиление

и

0,9—0,97

200

 

работа

в

схе­

 

 

 

мах

переклю­

 

 

 

чения

 

 

 

 

 

«

Усиление

и

0,94

Звуко­

 

мощности

 

 

вые

 

переключение

 

частоты

Г енерирова-

0,94—0,97

120 000

 

ниеи усиление

 

 

Усиление

и

0,96—0,99

400 000

 

работа

в-

им­

 

 

 

пульсных

ма­

 

 

 

логабаритных

 

 

 

схемах

 

 

 

 

 

Крем­

Г енерирова-

0,9—0,93

1000

ний

ние

и

усиле­

 

 

 

ние

 

 

 

 

 

 

Л

Усиление

и

0,9—0,93

60 000

 

работа

в

им­

 

 

 

пульсных схе­

 

 

 

мах

 

 

 

 

 

 

Генерирова­

0,9

465

 

ние

и

усиле­

 

 

ние

160

Существующая в настоящее время система обозна­ чения типов транзисторов предусматривает обозначе­ ние транзистора, содержащее два или три элемента.

Первый элемент

обозначения транзисторов — буквен­

ный: точечных — С, плоскостных — П;

второй элемент

обозначения — цифровой, указывающий

порядковый но­

мер транзистора;

третий элемент обозначения — буквен­

ный, указывающий на разновидность типа транзистора. Например: СІЕ, П201А. Цифровой элемент обозначе­

ния, как и у

диодов, устанавливается в соответствии

С' их мощностью и температурным

режимом работы.

Параметры

некоторых типов

полупроводниковых

триодов и их назначение приведены в табл. III.1. Внешний вид некоторых типов транзисторов пред­

ставлен на рис. III.16.

§4. ПОЛУПРОВОДНИКИ И МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ

Непрерывное усложнение и увеличение числа эле­ ментов радиоэлектронной аппаратуры при одновремен­ ном требовании уменьшения ее габаритов, веса, потреб­ ляемой энергии и повышения надежности, экономично­ сти и быстродействия привели к созданию новых на­ правлений в конструировании и технологии производ­ ства электронной аппаратуры, получивших название микроминиатюризации.

Одним из основных факторов, определивших воз­ можность микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры, было появление полупроводниковых при­ боров.

Микроминиатюризация — это не чисто техническая проблема. Она охватывает большое число научных про­ блем и исследований в области физики твердого тела, радиоэлектроники, химии, металлургии и машинострое­ ния.

В настоящее время существуют следующие способы микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры. • Уплотненный монтаж, который основывается на при­ менении миниатюрных элементов радиоэлектронной аппаратуры обычной конструкции, плотно смонтирован­ ных в отдельные функциональные узлы — модули.

6—846

161

6,35 мм

0,79 мм

0,5мм - Л Л П П П

ilL ,0 .0 5 м м

U U и IIU 1

У

іо

 

г

Рис. ІИ.17. Общий вид раз­ личных узлов радиоаппара­ туры в миниатюрном и ми­ кроминиатюрном исполне­ нии:

а — печатная

схема: / — навес­

ные детали

(транзисторы, кон­

денсаторы, сопротивления и др.); 2 — печатная плата; 3 — сопро­ тивление типа МЛТ (для срав­ нения); б микромодуль: / — конденсатор; 2 — сопротивление;

3 — транзистор;

4 — индуктив­

ность;

5 — соединительные про­

вода;

6 — место пайки;

— гер­

метизированный

микромодуль;

8 — сопротивление

типа 7

МЛТ

(для

сравнения);

в — микросхе­

ма: / — конденсатор; 2 — сопро­ тивления; 3 — микродиод; 4 — микротранзистор; 5 — сопротив­ ление типа МЛТ (для сравне­ ния); г — герметизированный

узел твердой схемы

162

Уплотненный монтаж позволяет уменьшить вес и габа­ риты аппаратуры в несколько раз.

Печатные схемы — системы печатных проводников и печатных элементов, нанесенных на общее основание из диэлектрика, к которым припаиваются навесные

элементы (рис. III.17, а).

Использование печатных

схем

позволяет уменьшить вес

и габариты аппаратуры

при­

мерно в 10 раз.

радиоэлектронной аппаратуры,

Микромодули — узлы

собранные из микроэлементов, которые обычно соби­

раются в

столбики

и

соединяются проводниками

(рис. III.17, б). Использование микромодулей позволяет

уменьшить

вес

и

габариты аппаратуры

примерно

в 100 раз.

 

(плоские

тонкопленочные

микромо­

Микросхемы

дули) — группы деталей, соединенные друг с другом на общем конструктивном основании. Микросхемы обычно выполняются в виде плоской мозаики из тонких пленок различных материалов (проводящих, полупроводнико­ вых, диэлектрических, магнитных и т. д.), нанесенных на общее диэлектрическое основание (рис. III. 17, в). Использование микросхем позволяет уменьшить вес

аппаратуры в несколько сот раз.

микроминиатюрные

Твердые

схемы — монолитные

блоки

из

полупроводниковых материалов,

каждый из

которых выполняет определенную

функцию

узла (мо­

дуля)

радиоэлектронной аппаратуры. Цель

разработки

и применения твердых схем — замена ими применяемых ныне навесных, печатных, микромодульных и микро­ схемных элементов, соединительных проводников и узлов радиоэлектронной аппаратуры.

На пути к этой цели имеется много трудностей, свя­ занных с получением исходных материалов, необходи­ мостью соблюдать с большой точностью технологиче­ ские режимы и высокую чистоту полупроводникового производства. Применение твердых схем дает возмож­

ность уменьшить габариты аппаратуры в десятки

тысяч

раз. Твердую схему можно получить путем многократ­

ной обработки монокристалла полупроводника.

Роль

элементов такой схемы могут выполнять: сопротивле­

ний — сопротивления полупроводникового материала

между двумя

контактами; емкостей — напыленные

пленки или р-п

переходы; индуктивностей — задержки

6*

163

во времени инжектированных носителей при распро­ странении их через зону с высоким сопротивлением;

диодов и

триодов — электронно-дырочные

переходы.

Примером твердой схемы может

служить схема, изго­

товленная

на

базе

кристалла

кремния

(размера­

ми

4,5X 2X0,3

мм),

эквивалентная

схеме,

содержа­

щей

30—40

деталей

(сопротивлений,

конденсаторов,

диодов и транзисторов). Герметизированный узел твер­ дой схемы представлен на рис. III. 17, г.

Твердые схемы являются переходными от радио­ технических устройств с сосредоточенными параметра­ ми к устройствам с распределенными параметрами. Создание твердых схем — это первый шаг в технику будущего — молекулярную электронику (молектронику).

Молекулярная электроника — это прикладная на­ ука, изучающая способы создания, изменения и отра­ ботки материалов для наделения их способностью вы­ полнять определенные электрические функции на основе использования свойств твердого, тела и эффектов взаи­ модействия молекул, атомов и электронов с электро­ магнитным полем. Молекулярное устройство представ­ ляет собой полупроводниковый монокристалл с пере­ строенной кристаллической структурой (размером в несколько миллиметров), который может заменить целые узлы радиоэлектронной аппаратуры, собранные на лампах или обычных полупроводниковых приборах.

Микроэлектроника и молекулярная электроника, развиваясь на базе открытий в области физики твердого тела и полупроводниковой электроники, являются пер­ спективой развития радиоэлектроники.

I

Г Л А В А IV

РАДИОПЕРЕДАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА

§ 1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Радиопередающее устройство предназначено для создания модулированных высокочастотных колебаний, питающих антенну радиостанции. Современные радио­ передающие устройства отличаются большим много­ образием. Их конструкция изменяется в зависимости от мощности, диапазона волн, в котором они работают, вида передаваемого сигнала и условий, в которых они предназначены работать.

По назначению радиопередающие устройства под­ разделяются на связные, радиовещательные, радиоло­ кационные, радионавигационные, передатчики помех и др. Кроме того, передающие устройства различают по мощности (маломощные, средней мощности, мощные), по диапазону частот (длинноволновые, средневолновые, коротковолновые, ультракоротковолновые), по виду мо­ дуляции (с амплитудной, частотной и фазовой модуля­ циями) .

К радиопередающим устройствам предъявляются определенные тактические и технические требования, важнейшими из которых являются следующие:

1.Обеспечение требуемой дальности действия.

2.Обеспечение высокой надежности работы.

3.Обеспечение высокого качества передачи сообще­

ний.

4.Обеспечение быстрой и бесподстроечной смены

волн.

5. Допустимые вес и габариты.

1 6 5

Важнейшими характеристиками

-радиопередающих

устройств являются:

Самолетные ра­

— рабочий д и а п а з о н час тот .

диопередающие устройства работают в диапазонах средних, коротких и ультракоротких волн;

— с т а б и л ь н о с т ь ч а с т о т ы и точность ее ус­ тановки. При работе радиопередающего устройства его частота не остается постоянной, она изменяется в неко­ торых пределах. Максимальный уход частоты характе­ ризует абсолютную ее нестабильность. Отношение этого ухода частоты к ее установленному значению харак­ теризует ее относительную нестабильность. К современ­ ным радиопередающим устройствам предъявляется тре­ бование, чтобы их нестабильность частоты была не хуже тысячных долей процента. Точность установки ча­ стоты передающего устройства зависит от точности гра­ дуировки его шкалы и от ошибки, допускаемой опера­ тором при установке частоты. Уход частоты во время работы передающего устройства может привести к на­ рушению радиосвязи из-за необходимости подстройки приемника. Подстройка же приемника в условиях полета затруднена, а в некоторых случаях и невозможна. Кро­ ме того, неточная установка частоты и ее нестабиль­ ность приведут к увеличению взаимных помех работа­ ющих станций. Поскольку точность установки и ста­ бильность частоты определяются работой задающего генератора, то применяются специальные меры по ста­ билизации частоты этого генератора;

— м о щ н о с т ь передающего устройства. Мощность определяется требуемой дальностью действия, условия­ ми распространения радиоволн, чувствительностью при­ емника и рядом других факторов;

— к о э ф ф и ц и е н т п о л е з н о г о д е й с т в и я (от­ ношение полезной колебательной мощности к мощно­ сти, потребляемой от источника питания). Повышение коэффициента полезного действия особенно важно для самолетных передающих устройств как с точки зрения ограниченности мощности источников электрической энергии на самолете, так и с точки зрения возможности уменьшения веса и габаритов передающего устройства;

— н а д е ж н о с т ь работы в различных условиях [(при изменении окружающей температуры и атмосфер­ ного давления, тряске и вибрации, повышенной влаж­

-166

носТи и др.). Эта характеристика является одной из важнейших, так как замена какого-либо вышедшего из строя элемента передающего устройства на самолете в полете очень затруднена или совсем невозможна.

1. БЛОК-СХЕМА ПЕРЕДАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Упрощенная блок-схема передающего устройства

приведена на рис. IV. 1. Она состоит из следующих кас­ кадов:

Рис. IV.1. Упрощенная блок-схема передающего устройства

1. Задающего генератора (генератора с самовоз­ буждением), создающего колебания высокой частоты.

2. Буферного каскада, предназначенного для устра­ нения влияния последующих каскадов на стабильность частоты задающего генератора.

, 3. Умножителя частоты, предназначенного для уве­ личения частоты задающего генератора.

4.Модуляционного устройства, в котором осущест­ вляется изменение одного из параметров высокочастот­ ного колебания (амплитуды, частоты или фазы) в соот­ ветствии с передаваемым сигналом.

5.Выходного усилителя мощности (генератора с внешним возбуждением), обеспечивающего получение

167

на выходе передающего устройства требуемой мощ­ ности.

6.Управляющего устройства, которое при радио­ телеграфной работе называется манипуляром, а при радиотелефонной — модулятором.

7.Источников питания, обеспечивающих энергией передающее устройство.

Вблок-схему передающего устройства не обяза­ тельно должны входить все указанные каскады. На­ пример, схема передающего устройства может не со­

держать буферный каскад или умножитель частоты. В управляющее устройство могут входить модулятор и подмодулятор, предназначенные для усиления управля­ ющих сигналов.

§ 2. ЛАМПОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ

Ламповые генераторы высокой частоты преобразуют, энергию источников питания в энергию электромагнит­ ных колебаний высокой частоты. Их можно подразде­ лить на генераторы с внешним возбуждением и гене­ раторы с самовозбуждением.

1. ГЕНЕРАТОРЫ С ВНЕШНИМ ВОЗБУЖДЕНИЕМ

Ламповый

генератор

с внешним возбуждением

(рис. IV.2, а)

представляет

собой ламповый усилитель,

у которого в качестве нагрузки в анодной цепи вклю­ чен колебательный контур. На сетку лампы подается напряжение высокой частоты от внешнего источника, называемое напряжением возбуждения. При отсутствии переменного напряжения на сетке под влиянием анод­ ного напряжения Еа через лампу протекает постоянный ток IаоВследствие малого сопротивления катушки по­ стоянному току почти все напряжение источника Еа оказывается приложенным к аноду лампы. Следова­ тельно, вся мощность источника Ро расходуется на ра­ зогрев анода, т. е. Р0 = ЕаІа0■При подаче на сетку пере­ менного напряжения ис анодный ток іа становится пульсирующим, так как за время положительного полу­

168

периода напряжения на сетке анодный ток увеличи­ вается, а за время отрицательного полупериода — уменьшается (рис. IV.2, б). Пульсирующий анодный ток содержит постоянную и переменную составляющие. Переменная составляющая тока будет создавать на контуре переменное падение напряжения ик.

Рис. IV.2. Схема лампового генератора с внешним воз­ буждением (а) и временные диаграммы токов и напря­ жений (б)

Переменная составляющая анодного тока іа и на­ пряжение на контуре ик изменяются в фазе с напряже­ нием на сетке. Вследствие падения напряжения на контуре напряжение на аноде лампы «а в положитель­ ный полупериод напряжения на сетке будет меньше напряжения источника Е&, а в отрицательный полупе­ риод— больше. Следовательно, напряжение на аноде противоположно по фазе напряжению на сетке.

Колебания первого и второго рода

Ламповые генераторы высокой частоты могут рабо­

тать

в режимах

колебаний первого и

второго рода.

В

р е ж и м е

к о л е б а н и й

п е р в о г о

р о д а

(рис.

ІѴ.З, а) рабочую

точку

выбирают

на

середине

прямолинейного

участка

характеристики.

При

подаче

переменного напряжения ис на сетку с амплитудой UmB через лампу потечет ток, состоящий из переменной Іта и постоянной /ао составляющих.

169

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ