Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Немошкаленко В.В. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии

.pdf
Скачиваний:
14
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
13.63 Mб
Скачать

350 Глава 4. Одноэлектронное и многоэлектронное приближения

 

 

 

 

( e t

I, — в . ) in ie n

 

 

k) +

 

 

X

 

 

 

s ^ _ Oe u <L |r|s _

 

 

 

 

B s — к ■

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

(s ■eu ) (L |exp — ik •г |s +

I)J A tbt^ atas,.

(388)

Члены,

описывающие испускание фотона

и возбуждение плазмона

в выражении

(385),

имеют

вид

 

 

 

 

£ * ,

- s

- f *

.

а

т

т ш2toL

7

2m

w + e

j х

 

V

 

 

 

 

 

U

 

 

 

k<kc

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l , ? . , s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

< L 1 e x p

( —

ik • r ) | v">

< v " | e x p il

г ( е 1 Д ■ p ) | s>

 

 

 

 

8s ~

8v----- “ u

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( L 1 e x p il ■ r ( e , x ■ p) | v ' > < v | e x p ( — i k • r) | s ) ]

X

 

(es — eV")„")--------------------1

1----------------------------------}

 

 

 

 

 

e v " + e„ — С0

 

 

X A t b t uxa t a s.

Можно показать, что v" в первом члене этого выражения описывает валентное состояние с моментом s + 1, а во втором — валентное состояние с моментом s — к. Поэтому

 

 

k<k.

 

 

 

 

2соь

 

 

 

X

 

 

 

 

 

 

 

 

2ml.X

 

 

 

U.s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

(es+, — (— e0)) (L |exp (— ik

•r) |s + i)

(e u

• s )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8 s ~

8 s + l — m l , X

 

 

(es

£s—k)

< L | e x p i l • r ( e u

• p ) | s — k > ]

+

,

+

 

 

-

 

I .

 

..

|Ak b-\t%a.Los.

 

 

 

 

e s -

k

т

8 o

“ u

j

 

 

 

 

В силу

закона

сохранения

 

энергии е0 +

es

=

«к + М|д

для

^ э.ф.п окончательно

получаем

выражение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l

2m

 

(eu ■s) i

X

Й э , ф , п =

 

 

 

 

 

2cob

 

 

k<k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\,%,s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X (L I (k •г) I s + I> —

 

 

 

ime0 (L |(eu

•r) |s — k)

x

 

 

 

■ * - k

-

e s

+

“ k

 

 

 

 

 

X A tbti,xatas.

(389)

Плазменные сателлиты в рентгеновских спектрах металлов

351

Из формул (386), 388) и (389) находим выражение для матрич­ ного элемента вероятности перехода

( / I ^Э .ф .п ~Ь И э.ф.п ~Ь ^ э ,ф ,п | 0 —

е I

 

 

(ei.x •к) (L| — гк •r IS) —

~ Л4к —

2со,

лГ Г У

 

° s —к

г7?ге0еи

(L |г |s — к) + i (s •eu ) (L |(к •г) |s + 1) .

Г —

“к + 8s - k

Первым и третьим членами в этом выражении можно пренебречь,

так как они меньше второго на величину порядка

Таким

образом,

 

 

 

 

 

 

(/ |^э,ф,п ~f" ^э,ф ,п

^Э,ф,п I О

 

 

1

1

 

1

 

~УИк —

1

1

&s—к

г'те0е|д X

 

2®к )

\ 2“ 1Л /

) “ к + 8s - k -

 

 

 

 

 

X

(L |r |s — к) .

 

При вычислении вероятности перехода электрон в валентной зоне

можно

охарактеризовать

эффективной

массой

т*

и энергией

2

»

■ Закон дисперсии

плазмона запишем в

виде

о)к = соп +

+

ак 2, где а — постоянная величина.

Предположим,

что матрич­

ный элемент — также постоянная величина, D = (L |(в|д ■ г) |s —

— к ), учитывающая эффекты, связанные с поляризацией. В этом случае интенсивность распределения излучения в плазменной зо­ не записывается в виде

/п (coi) ^ 2яю|

D 2

 

 

1

(2л)в

 

 

2с0| So X

X

° s —k

 

6 Oil + 0ik — s0

2m*

 

 

®k +

es - k -

8

 

 

 

Вычисления формы полосы натрия, выполненные в работе [348], представлены на рис. 159. В расчете использованы значения

эффективной массы т*

= т и т*

=

1,28 т и экспериментальные

[349, 350]

величины

НаП = 5,6

эе,

(5 = —г5— =

0,817

(kl —

= 0,159 am. ед.).

Найдено отношение

kF

сателлитной

интенсивностей

о

полос

при соответствующих значениях энергии

т т,

и основной

и

Рис. 159. Интенсивность излуче­ ния в плазменной полосе натрия:
/ т * = т, 2 т * = 1,28т-

352 Глава 4. Одноэлектронное и многоэлектронное приближения

m ,

СО| +

рина

со„

/п (< )

= 0,023. При

/ (со”' + соп)

 

 

сателлитной

полосы (на 0,7

ш* = 1.28m уменьшается ши-

эв) и изменяется отношение

интенсивностей сателлитной и основной полос

>пЦ")

= 0,015 .

\ 1К Н- «п)

Проведенные вычисления качественно согласуются с эксперимен­ тальными результатами [130, 351]. Несмотря на небольшую интен­ сивность плазменной сателлитной полосы, по сравнению с интен­ сивностью основной полосы, мож­ но считать, что она имеет асиммет­ ричную форму. Асимметрия плаз­ менной полосы наблюдается также у других металлов — алюминия, магния [351] и бериллия ИЗО]. Определяемая по рентгеновским эмиссионным спектрам частота плазменных колебаний согласует­ ся с экспериментальными резуль­ татами, полученными другими методами. В работе [352] методом

функции Грина вычислено распределение интенсивности в плазмен­ ной полосе рентгеновских эмиссионных спектров металлов. Рассчи­ танная форма плазменного сателлита в эмиссионном L-спектре натрия согласуется с результатами, полученными в работе [348].

0ДН0ЭЛЕКТР0НН4Я ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ СИСТЕМЫ ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩИХ ЭЛЕКТРОНОВ

II ЕЕ СВЯЗЬ С РЕНТГЕНОВСКИМИ ЭМИССИОННЫМИ СПЕКТРАМИ

При многоэлектронном рассмотрении интенсивность рентгенов­ ского излучения определяется соотношением

/ (со) ~ со 2

I Н' | Ч() б (со — Ес + Е,),

(390)

I

 

 

Н' = 2 Pk-kOk'flk-

k,к'

Предположим, что время жизни дырки на остовном уровне такое, что электроны зоны проводимости полностью релаксируются. Пре­ небрегая динамической корреляцией между остовными и валент-

Одноэлектронная плотность состояний

353

ными электронами, начальное и конечное состояния системы элек­ тронов можно записать в виде

=

)

т )

\W,) = \Nv- l , s ) \ N c) J

где v, с — соответственно валентные и остовные состояния, индекс «*» означает, что на валентные электроны действует потенциал, связанный с дыркой на остовном уровне. Подставляя выражения (391) в равенство (390), получаем

/ (со) ~ ^

\(Nv — !>

s |(Nc |2 Pk'k^Ou a c|N"v) \Nc)\2 x

 

s

 

 

k ' , k

 

 

X б ((о -£ , +

£ /) = а>2111Рл<^0-

1, s\ak \N'v) |2 б (со +

ec - es),

 

s

k

 

 

(392)

так как

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<a = E l — Ef = E ( N — \,c) — E(N) + E(N) —

 

 

E(N — 1, s) =

— ec + es.

 

Введем в рассмотрение спектральную функцию

 

 

А (х, х’, со)

=

2 / , W /* (*') б (со - es)>

(393)

 

 

 

S

 

 

где х = (г, а),

/5 (х) — сила

осциллятора,

 

f s (x) = ( N - \ ,s \ V ( x ) \ N ) ,

¥(х) — оператор уничтожения электрона в точке х,

¥(X) = 2 - йкфк (*).

к

При определении спектральной функции А {х, х', со) по формуле (393) предполагалось, что со < р (р — химический потенциал). Если со > р, то используются состояния |УУ+ 1, s).

Рассмотрим величину

Л к (со) = | фк (*) А (х, х', со) срк (х') dxdx' =

= V (yv| a+|yv - l ,s ) ( A ^ - l,s | a k|yV)6(co-es) =

S

= ^ \ ( N - \ , s \ a k \N) |26(co — es) = А (к, со).

S

Одноэлектронная плотность состояний системы взаимодействую­ щих электронов записывается в виде

N (со) = Sp А (со) = j А (х, х, со) dx = 2 ^ (к, со).

12 3- 2023

354 Глава 4. Одноэлектронное и многоэлектронное приближения

Выражение для А (к, со) можно записать в виде

Л (к, со) = -^-|ImG(k, а>)|,

где G (к, со) — одноэлектронная функция Грина,

 

G (к, со) =

----------- Цгл— г .

 

' ’

'

со — е к — 2 ( к , со) ’

 

2 (к, со) — собственно-энергетическая

часть.

Таким

образом

Л(к,со) = ^ -

 

1

ш

2

( к , со) |

 

 

(со —

ек — R e 2

( к ,

со))2 -f-

(1ш 2 ( к ,

со))2 '

п

Если собственно-энергетическая часть сводится к инфинитезималь­ ной мнимой части, то

А (к, со) = б (со — ей).

Если пренебречь эффектами релаксации, то в выражениях (391)

и (392)

функцию

|ЛО

можно

заменить

функцией

|Nv).

Соотношение

(392)

принимает вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ (со) ~

со 2 I Рек |2 Л (к, со + ес),

 

 

 

(394)

 

 

 

 

 

к

 

 

 

 

 

 

где А (к, со +

ес) — спектральная функция валентных электронов.

В работах [353, 354] вычислена

собственно-энергетическая

часть

Б (к,

со) в приближении, основанном на

пренебрежении

поправками к вершинным частям. В этом случае

2 (к,

со)

можно

записать

в виде

 

 

 

 

 

 

 

 

У (к,

со) =

^ ехР (*Ш|5) v ОО е~' (к',

со') G0(к +

к', со +

со') dk'du>',

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(395)

 

 

G0(к, со) = (со — е (к) +

/б sign (k — kF))

\

 

 

 

 

 

 

 

о(к) = 4пе2

б— положительная инфинитезимальная величина. Приближению Хартри — Фока соответствует замена величины е (к, со) единицей. В работах [355, 356] величина е (к, со) получена в приближении

в—1(к, со) = 1

—f-

—2------ч а .- ,

' ’

'

 

со2 — со- ( к )

где

 

 

 

/ Пк2

 

 

о

 

 

\2

 

 

 

р ь г

 

co2(k) =

co* +

^

 

[2mI

3

+ /

N

 

 

 

 

 

 

Одноэлектронная

плотность состояний

855

(юр — плазменная частота, vF =

hk

 

----- Ферми-скорость). В этом

случае выражение (395) может быть приведено к виду

у

( k w ) =

_______ ! _ Г

^ q ) ” o ( k + q) . +

 

^

^К > W>

( 2 л ) 3 J

q е ( q , е ( k + q ) — ш) ^

 

^

■^ L f^ jn s L ______ !_____

( 2 л ) 3 J

" 2co (q)

со — e ( k + q) — co (q )

где n0 (k) — функция распределения невзаимодействующих элект­ ронов. Первый член в этом выражении — экранированный обмен­ ный потенциал, а второй — корреляционная дырка вблизи электро­ на. Вычисления показывают, что вещественная часть 2 (к, со) осциллирует при частотах со = е (к) + юр для электронов и со = е (к) — Юр — для дырок. При k = kP в спектральной функции существует только один пик, соответствующий обычной квазича­ стице. При других значениях к существует [355—357] три решения уравнения Дайсона

 

ю = е(к) + Re 2 (к, со).

 

Одно из них

соответствует частоте

ю = е (к) + сор или

ю =

= е (к) — Юр.

При этих частотах

затухание состояний

очень

большое. Из двух других решений одно соответствует обычной квазичастице, т. е. «голой» частице, окруженной облаком вирту­

альных плазмонов и

возбуждений

типа частица — дырка.

Для

дырочных состояний,

т. е. при k <

k F, возможен новый тип

воз­

буждения — возбуждение, энергия которого меньше энергии дыр­ ка + плазмой, т. е. е (к) — юр. Этот пик в спектральной функции соответствует резонансному взаимодействию дырки и плазмонов различных длин волн. Можно считать, что он соответствует дырке, взаимодействующей с реальными плазмонами. Это состояние (плазмарон) и характеризуется большим значением силы осциллятора по отношению к одночастичным возбуждениям. При k > kF в этой энергетической области нет резкого пика, но наблюдается широкий резонанс с максимумом при ю = е (к) + юр. Особенности спектральной функции, вызванные плазменными эффектами, моди­ фицируют плотность состояний. Как видно на рис. 160, при энергии юр ниже уровня Ферми начинается вторая зона, обусловленная плазмаронными состояниями. Для свободных состояний существует дополнительный вклад в плотность состояний при энергии юр выше уровня Ферми.

Таким образом, как видно из соотношения (392), если пренебречь релаксационными явлениями и зависимостью матричного элемента вероятности перехода рси от квазиимпульса электрона, интенсив­ ность рентгеновского излучения, как и в одноэлектронном случае, будет пропорциональна плотности состояний, но с учетом взаимо­ действия между электронами.

12*

356 Глава 4. Одноэлектронное и многоэлектронное приближения

Релаксационные эффекты можно описать, учитывая возбужде­ ния частица — дырка, появление которых обусловлено наличием дырки в остовном состоянии. В работе [358] использовано прибли­ жение

\K) = ( a + ' 2 i a pak t a p)\N0).

(396)

P.k

 

Для определения коэффициента а рассматривалась модельная задача (положительный точечный заряд в электронном газе) и

Рис. 160. Одноэлектронная плотность состояний электрон­ ного газа:

1 — — 2 rs = 3, 3 rs . 4, 4 — rs = 5.

минимизировалась энергия при помощи функции |N'v) ( |Nv) — определитель Слейтера). Уравнения для определения величины а можно записать в виде

ка

“ р “ У ' еь - е

 

2

v

V ( k - P )

е о

У'1

ZJ ек — ер + е„ ’

V i

j

р...

р.к

W; = v (к — р)

+ i r S

 

»wk—p + q

 

Г

q

+

e k - p + q — e q + e o

W *v (q — k) ^

W * v (q — p) ^

 

Ba — e n + e 0

e k — 8 a

 

Hyk - p + g | / ( q

_ p )

 

(397)

(398)

(399)

8 k - p + q — e q + S o

a 2 + 2 I a p I2 = 1 (Условие нормирования),

(400)

 

 

Одноэлектронная плотность состояний

357

где V — общий объем, v (к) =

 

^

, Вк =

-2т

+ К0бм (к) — одно-

электронная

энергия

Хартри — Фока,

е0 — выигрыш

энергии,

связанный с наличием точечного заряда в системе.

 

При к

р основной вклад в уравнение (399) вносит первый

член. Пренебрегая остальными членами,

получаем

 

К = W (к -

 

р)

 

 

 

ц(к — Р)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

п0 (Р +

q) (1 — Пп(к +

q))

 

 

 

i + y(k -

p

^

 

 

 

 

S

8 k + q — e p + q + е о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

я

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициенты а ,

а р можно определить из уравнений (397) и (400).

Уравнение (398) решается самосогласованным способом.

 

Запишем матричный элемент выражения (392) в приближении

(396):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(NB— l , s

 

2

Рек'^к' Nv) =

 

 

 

 

 

 

 

 

к '

 

 

 

 

 

 

= а

Р“ + Т - Ц

Ц + q — Ь 1 + е0

) (N ° ~

1 ■S I I N «} +

 

 

 

 

Pe.l+q^ kk+q

(Nv— 1,

s|aitt-qQkfll+q |N„)

(401)

 

M

ек+а — ek + eo

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k+q

|N0 —

 

 

 

 

 

 

W'p обра­

где импульс состояния

l,s>

равен 1.

Величина

щается в нуль при всех к и р, за исключением тех их значений,

которые удовлетворяют

неравенствам

k 7> k-F, Р <

kp. Если в

соотношении (401) пренебречь вторым

членом, то получим выра­

жение для интенсивности

рентгеновского излучения,

аналогичное

выражению (394), в котором, однако, вместо рси используется неко­ торый эффективный матричный элемент, включающий блоховские состояния выше энергии Ферми. Анализ выражения (401) в более общем случае [358] показал, что оно приближенно может быть представлено в виде

(N0— 1, s 12 Pck-Як' |АС) = а [рс\ + Pcif) + + (®s ®i)Pci ’l (Nv— 1, s\a{\Nv).

В этом случае интенсивность рентгеновского эмиссионного излу­ чения может быть записана также в виде, аналогичном (394):

 

/ (со) ~

со 2 I Рэф Г А (к,

со + ес),

 

где

 

к

 

 

 

Рэф = Рек + Рек"1+ (<й +

— Вк) Рск \

 

Величины р [

pcV определяются коэффициентами а к. В р ^ вхо­

дят блоховские

состояния выше уровня

Ферми, а в р1^

— ниже

уровня Ферми.

Для со,

соответствующей основной зоне,

коэффи­

358 Глава 4. Одноэлектронное и многоэлектронное приближения

циент рС{к мал. В зоне, обусловленной плазменными возбуждениями, компенсация члена с двумя другими членами приводит к умень­ шению интенсивности по сравнению с интенсивностью, определяю­ щейся в основном плотностью состояний. Если квазичастичные со­ стояния характеризуются малым затуханием, величину А (к, со + ес) можно заменить величиной 6 (со + ес — еь). При учете конечного времени затухания состояний появляется дополнительное размы­ тие, как следует из выражения (395), особенностей Ван Хова кри­ вой плотности состояний.

ВЛИЯНИЕ МНОГОЭЛЕКТРОННЫХ ЭФФЕКТОВ НА ФОРМУ РЕНТГЕНОВСКИХ ЭМИССИОННЫХ СПЕКТРОВ

В НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ И ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ОБЛАСТЯХ

Учет многоэлектронных эффекте в позволяет объяснить возник­ новение низкоэнергетических хвостов в рентгеновских эмиссион­ ных спектрах металлов. В работе [359] обсуждается один из воз­ можных механизмов — Оже-эффект в зоне проводимости. При эмиссионном переходе из зоны проводимости на остовный уровень в зоне проводимости возникает дырка. Поскольку внутри полосы основным механизмом заполнения вакансии являются безрадиационные переходы, в результате взаимодействия между электро­ ном, заполняющим вакансию, и остальными электронами один из электронов зоны проводимости выбрасывается выше поверхности Ферми. Таким образом, появление низкоэнергетнческого хвоста можно объяснить заметно меньшим временем жизни состояний у дна зоны, чем у ее вершины. Как отмечалось [294], ограничения, налагаемые законом сохранения энергии на число возможных пере­ ходов в зоне проводимости, в работе [359] учтены не полностью. В работе [294] исследовалось влияние расширения уровней на фор­ му рентгеновских эмиссионных спектров, однако предложенное объяснение существования пика в области уровня Ферми в L-полосе натрия необоснованно, так как нормирование расширенных уров­ ней в зоне проводимости учтено неправильно.

В работе [360] рассмотрен другой эффект, обусловливающий образование низкоэнергетического хвоста в рентгеновском эмисси­ онном спектре металлов. Пусть переход электрона из зоны про­ водимости на остовный уровень сопровождается выбросом второго электрона выше поверхности Ферми (переход Мотта — Скиннера [361]). Энергия фотона при этом будет меньше на величину энер­ гии, передаваемой второму электрону, и, таким образом, в эмис­ сионной полосе появится низкоэнергетический хвост. Поскольку потенциал дырки короткодействующий, рассматривалось только s-рассеяние. При малых значениях волнового вектора к для фазо­

Влияние многоэлектронных эффектов

359

вого сдвига Но (ft) электронов в кристалле натрия использовалось выражение

ft ctg т]0 (ft) = — 0,47 + 0,345ft2 — 0,042ft4.

(402)

По утверждению авторов этой работы, их модель удовлетворяет правилу сумм Фриделя

4 2 (2 / + l){ri,(ftr)-T i,(0 )} = l.

(403)

1=0

Однако из формулы (402) видно, что в таком потенциале может быть только одно связанное состояние, так как длина рассеяния отрицательна. В этом случае по теореме Левинсона [362]

■По(0) = л .

(404)

Подставляя это значение в формулу (403), получаем результат, отличающийся от единицы. Кроме того, формула (402), в основе которой лежит предположение малости 6г (ft), в силу справедливости равенства (404) неверна. Поэтому можно считать, что результаты работы 1360] носят только качественный характер. В работе [363] рассмотрено влияние межэлектронного взаимодействия на форму эмиссионной полосы натрия в предположении, что электроны зоны проводимости образуют газ свободных электронов. Интенсивность излучения связывалась с радиационным уширением остовного ды­ рочного уровня. Так, собственно-энергетическую часть остовных электронов (к, со) можно записать в виде

2 Л к , СО) = 2? (к,ш ) + 2с'ф(к, 00),

где в выражение 2 с (к, со) не входят, а в выражение 2 с Ф (к. ®) входят величины, описывающие эффекты электронно-фотонного

взаимодействия. В теории возмущений

величину Im

(к, со)

во втором порядке можно представить в виде

 

Im 2 с ’Ф (k, Ес) =

4 4 g W (к, Ес, v (q)),

 

где Ес — энергия остовного

уровня,

v (q) — частота

фотона

(v (q) = cq). Так как величину затухания

остовного уровня

Г э,ф (к)

можно записать в виде

 

 

 

Г э,ф (к) =

Z Im У.®’ф(к, Ес),

 

где Z — константа перенормировки, то вероятность перехода дыр­ ки с квазиимпульсом к с остовного уровня в зону проводимости

пропорциональна Zg2 W(к, Ес, v), где g = ( ^ ) * (f 1 п ■Р10 —.

константа электронно-фотонного взаимодействия. Поэтому интенсив­ ность излучения можно записать в виде

/ (со) |(/1п •р |г) |2 J cPkW (к, Ес, со).

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ