
книги из ГПНТБ / Немошкаленко В.В. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии
.pdfwo Глава 2. Расчет энергетических вон в твердых телах
и (210) по сферическим волнам:
Г и М ^ к (г)
и (гп, к„) ехр (г'к„ •г) = V |
а'к'Ц |
ck |
\ - (2 2 ° ) |
" |
h ( k nr)W K (г) |
||
к.н |
\ |
*п + - Г * |
|
|
|
||
|
|
c k n |
■ U ( W k |
|
|
|
|
|
|
w„ + -y |
* |
v (m, k„) exp г'к„ •r = V а^к.Д |
(221) |
||
|
К,1.1 |
\/j ()1пГ) |
|
Определяем rv — вектор |
положения электрона по отношению к |
центру v-й атомной сферы в элементарной ячейке:
rv = г — rv.
Считаем, что в формуле (208) вектор г находится внутри v-й атомной сферы, а г' — внутри v'-й сферы. Для ясности вместо G (г, г')
записываем G |
' (rv, |
rv): |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
^(v.v') |
, |
' ' \ _ |
1 |
v |
v |
l |
ы (т, k„)«+(m, |
k„) |
+ |
|||
u |
i r v, r vV — |
q — / j |
|
|
W„ - |
W |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
+ ° |
|
|
kn> |
!exp ikn' ^rv ~ |
exp /k" ' |
— rv'^‘ |
||||||
Подставляем (220) и (221) в это уравнение: |
|
|
|
|||||||||
G(v,v,) (rv, г v') = |
-----j j - |
У] |
£ |
|
2 |
exp ikn • (rv — rv) |
X |
|||||
|
|
|
|
0 |
К , д |
K'.p.' |
n,s |
|
|
|
|
|
X |
w„ — w |
|
|
ck n |
|
h |
|
|
X |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
(V v) l-K {rv) |
|
|||
|
|
|
|
^ |
+ ~ |
c2 |
|
|
|
|
|
|
X (/V {k~w) Гк .+ (Г;,), _ |
— |
|
— |
jp {k ~rv ) |
(;;.)) + |
|||||||
|
|
|
|
|
ckn |
|
|
il {knrv) |
(rv) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
, „ n s |
„.ns |
, |
^ + — c2 |
|
|
|
X |
|
||||
+ a _кцЦ-к'и'1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
\Jt {^nrv) |
к {rv) |
|
|
|
|
||||
X (— |
Ckn |
|
|
|
|
|
|
|
|
/U' + |
(r'v.) |
(222) |
^ |
— ir {kaw ) x £ + Ov), iT. (V v )« |
^ + i - c2
Методы расчета энергетических вон е кристаллах |
191 |
Таким образом, функция Грина выражена через сферические волны. Однако это выражение трудно вычислить. Поэтому делим функцию Грина на две части:
G v'v (*"v, r'v) = <5ViV'G0 (rv, r;) + D v,v ’ (rv, r;,).
При помощи уравнения (219) первую часть, удовлетворяющую [71 неоднородному уравнению (207), записываем в виде
|
G0 (r’v, r'v) = |
— (со •р + |
|
Pc2 + |
W |
cos (p |rv — rv I ) |
|
|
||||
|
|
4лс2 (rv — r v |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
P\W + ' T CJ v / h ^ |
|
W |
|
|
X |
|
|||||
|
|
C2 |
|
f t |
|
|
’if (prv) %-K (rv) |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||
x |
|
{r'v), |
|
------ —------nT (pr'v) 7!Г|< (rv)) при rv < |
/•;, |
|||||||
Go (rvi rv) — |
|
c2 |
|
JLi |
I |
|
|
|
„ |
(rv) |
I ^ |
|
|
|
|
|
|
K.ix 1 ----------<£------ n . (pr j |
|
||||||
x (is {pr'v) |
(r) |
|
|
cp |
k |
J \vM-H" |
(r'v) |
при rv> |
r’v. |
(223) |
||
|
« 7 + - С 2 |
(Prv) |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Вторая часть — D (v,v,) (rv, r',) |
удовлетворяет |
однородному уравне |
||||||||||
нию, |
соответствующему |
уравнению (207): |
|
|
|
|
||||||
о 1” |
'1 (?„>;,) |
= £ |
£ |
в |
- , ' |
|
/'((р*Ч) х)< (rv) |
|
|
X |
||
|
|
ср |
|
|
|
|||||||
|
|
K.U К’,IX" |
|
|
|
|
■/г (Prv) К-к (rv) |
|||||
|
|
|
|
W + .-Y * |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
х (/V (РА' ) Х'к-+ (г’ ) , |
|
ср |
ip ip r ^ y ^ ' K - ) ) . |
(224) |
|||||||
|
|
|
||||||||||
Сравнивая выражения (223) и (224) с (222), |
получаем |
|
|
|||||||||
|
|
|
• |
ц |
|
1 |
V |
{ ^к,цак^иг |
|
|
192 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах
n,ts л*"4 |
c'4tl |
U <V v ) it■ (V v -) |
|
|
X |
|
w'n + -i-c*J |
i,iprv)h'(pr*) |
|
P [W + ^l-c* |
|
X exp tk„ •(rv — rv<)--------— -5--------------—l V— 6v.v'6/v.kA uvl', |
||
|
|
it (p r v ) |
где rv < rv при v = v'. Правая часть этого выражения фактически
не зависит от rv и rv. Как и в релятивистском методе ППВ, |
можно |
|||||||||
пренебречь членами порядка |
В этом случае |
|
||||||||
M &'xV = |
У] С -i-/; |
|
(.i — m, nij |
X |
|
|||||
|
|
|
171—± |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
X |
C [/' |
|
|
ji' — m, m ) , |
|
||
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
^(v.v') |
_ |
(4л)2 |
|
|
|
v |
exP n K n + k )- (rv — r v,) |
X |
||
S ilm .l'n f |
— |
о------------- =--------- ^ |
|
|
Тй----Г Т Т ГТ Т 2-------- |
|||||
|
|
|
"" |
i i( p r v ) i i ’ i p r V') k„ |
|
(К,i + k)2 + P- |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|||||
x |
ii( I к + |
k \~rv) /,. ( I Кя + k I ~f,) Y*,m(K„ + k) YD (K„ + k) - |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
П1(prv) |
|
|
|
|
|
|
|
p6v,v'S;j'6mim' |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
i , i p r v ) |
|
|
|
Можно показать, что |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
yt(v,v') |
_ a |
Vi |
Dim |
wm./'m', |
|
||
|
|
|
Ti-lmJ'nV — ‘ТЯ |
|
|
|||||
где |
|
|
|
|
|
LM |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tiZ-m- = |
il~L~1'J Y]mYLMYt.m.dQ. |
|
|||||
Если |
m = |
M -f m’, |
\l— V |< |
L < / + |
/' |
и l + /'+ L — четное |
||||
число, |
коэффициенты С отличаются от нуля. |
Коэффициенты D часто |
называют структурными константами, так как они зависят о т £ и к и не зависят от потенциала. Следуя методу, предложенному в работе 163 J, можно записать
ПГлГ> = |
(1) + Я Й Г (2) + 6ViV-6,06m(.D00 (3), |
|
|
где |
|
|
|
4я |
‘LeXp(^ V j у |
| K *+ 4 Lexp! - (K" ^ |
X |
М .У ’>(1) = |
pL |
(К„ + к)2 — р2 |
|
«о |
|
Методы расчета энергетических зон в кристаллах |
193 |
X ехр [г (Кя + |
к) ■(rv — iy)] Y'lm (К„ + к), |
|
|||||
Dlm ] (2) = |
— |
2- |
L |
2 ' |R„ - |
rv + |
rv- \L exp tk ■R„ X |
|
|
|
V Tip |
|
n |
|
|
|
Y1m (Rfl- r v + |
rv.) |
J |
|
£2L exp Г— |2 (R,, — rv -f- rv-)2 -j- |
P ‘ |
||
|
4g2 |
||||||
|
|
i t ™ |
|
|
|
(225) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
_ >/ri V |
1 |
■ f r |
|
|
|
A , o ( 3 ) |
|
2 я |
(2/1 — 1) nl |
|
||
|
|
|
|
л = 0 |
|
|
(r] — произвольная положительная константа, определяющая схо димость рядов, в (225) член с R„ = 0 опускается при v = v').
Метод ортогоналпзованных плоских волн
Метод ортогонализованных плоских волн (ОПВ) [72] широко применяется при расчете зонной структуры полупроводников и диэлектриков. Преимущество его перед методами ППВ и функции Грина состоит в том, что он не связан с ограничениями, накладывае мыми на вид потенциала. Отклонение потенциала от сферически симметричного в элементарной ячейке учитывается автоматически, что важно при расчете зонной структуры кристаллов с резко ани зотропным распределением электронной плотности. Метод ОПВ сравнительно просто формулируется и удобен для вычислений на ЭВМ даже среднего быстродействия. Недостатком метода является сравнительно низкая сходимость. Для точек к общего положения в зоне Бриллюэна при расчете зонной структуры диэлектриков необ ходимо использовать порядка 150 базисных функций (но заметно меньшее количество, порядка 50, при расчете зонной структуры ме таллов).
Рассмотрим метод ОПВ на примере применения его к кристаллам, элементарная ячейка которых содержит два атома, в формулировке Херринга [72], а также известные его модификации. Для описания основных состояний кристалла в методе ОПВ используют волновые функции в виде блоховских комбинаций атомных орбиталей
tfnim (к, г) = 2 y ^ e x p tk •RVi« 'im(г — RVl),
где ulnim (г — RV(.) — атомные функции, центрированные на узле решетки RVj.. Такое описание возможно в том случае, если атомные
73 - 2 0 2 3
194 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах
волновые функции, центрированные на разных узлах решетки, практически не перекрываются. Последнее характерно для глубоколежащих состояний. Однако для получения более точных результа тов вместо атомных волновых функций следует использовать ло кализованные функции, найденные для потенциала кристалла. Для описания валентных состояний Херринг предложил использовать функции ОПВ в виде
Ф/ (к, г) = |
Ф (к/, |
г) = |
■ |
1 v ■■exp i (к + К/) •г — |
|
|
|
|
(/Vййд) |
|
|
- |
2 2 |
B " L |
(к + К,) ул/т (к, г). |
(226) |
|
|
nlrn I |
|
|
|
|
Функции ср£ ( к, г) |
ортогональны |
ко всем состояниям |
фп/ш( к, г), |
находящимся ниже валентной зоны. В соответствии с требованием
ортогональности |
определяются |
коэффициенты |
B lnim (к + |
К/): |
||||||
B'nim (к + К/) = |
=- ехр г'К/ • d£j ulnlm (г) exp г (k + К/) • |
гdV, (227) |
||||||||
|
У “О |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ИЛИ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вп‘ ,т(к + К/) = |
exp iKj ■d |
A , X |
( I к + |
К , I ), |
(228) |
|||||
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Л'/(|к + К/|) = |
4 л ( 2 / + |
1) |
|
|
|
|
|
|
||
|
O n |
2 |
/ |
' J ^ |
d k |
+ |
K/IO^dr, |
|||
Rni (0 — радиальная часть |
функции |
ип‘ [т (г), |
(г) — цилиндриче |
|||||||
ская функция Бесселя. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Из формул (227) и (228) видно, что в системе координат, ось z которой направлена вдоль к + К;, коэффициент ортогональности
Ani (| к + К,-|) исчезает при всех значениях т, |
кроме т = |
0. По |
|||
этому функцию Unim (г) |
при т — 0, если ось |
z направлена |
вдоль |
||
к + К;, можно обозначить |
и1,им+Kj (г). Теперь |
функцию ф |
(к^, г) |
||
записываем в виде |
|
|
ехрИ Щ Лщ г _ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
' |
v NQ„ |
|
|
------]=- 2 |
2 |
2 |
ехр гк •R v, exp iК/ |
•d£ X |
|
у N nl |
i |
Rv . |
|
|
|
X Ala (| к + К/1) ы^к+к, (г - Rvi). |
(229) |
В формулах (226) и (229) индексом г обозначены атомы разного сорта в кристалле и атомы, находящиеся в неэквивалентных положениях в элементарной ячейке монокристалла.
Волновая функция валентных электронов имеет вид
Ф (г) = 2 С/ (к)ф/ (к, г). |
(230) |
Методы расчета энергетических зон в кристаллах |
195 |
|
Коэффициенты с} (к) |
вычисляем вариационным методом, используя |
|
функционал энергии |
|
|
|
f \\>* (г) Hib(r)dV |
|
|
£ = Ч \--------------------------Ф* (г) гр (г) dV • |
|
Подставляя в это выражение функцию (230) и варьируя коэффициен ты Cj (к), получаем систему линейных однородных уравнений
2 {(Фг IН 1Ф/) — Е (ф< I Ф/)1 Cj (к) = 0.
Находим значения матричных элементов (срг |Н |фу) и (срг |фу) для двухкомпонентного кристалла. Каждая из срг состоит из трех частей:
фt = (р(П + фt2) + фг(3),
плоской волны
Ф/(1> = exp I (к + К/) •г,
членов ортогональности, связанных с атомами первого рода,—
ф/2) = 2 2 ехр г'к •Rv, exp /К, •da •Л % $ к+к, (г — Rv,),
ш rVj
членов ортогональности, связанных с атомами второго рода,—
ф/3) = |
2 |
2 |
ехр г'к •Rv, ехр г'К< •d2 •A $uni,k+K. (r — RVJ , |
|
n l |
RVj |
|
где Rv. = |
Rv + |
d;, d* — векторы, определяющие положение ато |
мов в элементарной ячейке. Секулярное уравнение можно записать в виде
2 I (ф;1’ + ф)2> + ф(-3) |Н ] ф)11 + cpf1 + Ф/3)) — |
||
/ |
|
|
— Е (ф!0 + |
ер'2’ + ф|3) |ф)и + ф/2) + |
ф/3’)) С/= 0. |
Члены (Ф,(2) |Я |ф^3’), |
(ф|3) |Н |Ф'-2)), (фг(2)|ф/3)), |
(фг(3) |Ф/2)) малы, так |
как атомные функции глубоколежащих состояний на разных центрах перекрываются незначительно. Для преобразования осталь ных членов используем соотношения
Hulni'k = E‘niuni'k, |
(231) |
Lr- f u'ni'k-exp г'к,- •rdV = Alni (k() Pt (cos 0,/), |
(232) |
У Q0 J |
|
j u'ni.k.Uni.kdV = Pt (cos 0t/), |
(233) |
где cos 0£/- — косинус угла между векторами кг и к;-. В выражении (231) ulnt'k — атомные или локализованные функции, найденные
7
196 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах
для кристаллического потенциала г'-го атома. Равенства (232) и (233) доказываются при помощи выражений
ооI
|
expikt • г = 2 |
2 |
(4 л ) Y lm (drk., |
<рлк.) X |
|
|||
|
|
/=0 m = —l |
|
I |
1 |
|
||
|
X |
Y lm |
(0 к £ку, |
фк,ку) t ji (^i'0> |
|
|
||
У/0 |
4it |
2 ■К/т(0/,к.> |
флк.) Y hn (0k.к.-, |
фк.к.-)- |
||||
27+7 |
||||||||
|
m=—i |
I |
1 |
1 ' |
‘ ' |
Дополнительный индекс к/ в аргументах сферической функции озна чает, что векторы г, к, рассматриваются в системе координат, ось г которой направлена вдоль к/.
Вычислим два характерных члена секулярного уравнения:
(ф1пIН I ф}'») = |
(к + |
Кi f б,у + V ( K у- |
КО, |
где V (Ку — Кг) — Фурье-компонента потенциала |
V (г), |
||
V (К) = |
j V |
(г) ехр /К •r d V ; |
|
|
V |
|
|
(I к + К/1) X
X Ап(1 ( I к + Ку |) Р; (cos 0,-у).
Последнее равенство доказывается при помощи соотношения (231), при этом интегралами
J «"/.k(. (г - RVl) V 1 (г - RV(.) un!Mi (г - Rv0 d V ,
в которых один центр отличается от двух других, можно пренебречь. Аналогично вычисляются остальные члены этого уравнения. В ре зультате получаем систему уравнений
|
|
2 су (к) [((к + КО2 - |
Е ) |
б,у + V |
(КуКО + |
||
|
|
/ |
|
|
|
|
|
+ |
2 |
exp i (Ку - |
КО •dx ( Е - |
Е%) 4 V ( |к + Ку j ) X |
|||
|
п.1 |
|
|
|
|
|
|
X А 7 ] (1 к + |
Кг 1) Pt (cos 0t7) + |
2 expi (Ку—КО •d2 X |
|||||
|
|
|
|
|
|
til |
|
X ( Е |
- |
£ $ ) А |
Т |
(I к + К, |) А |
% |
(1к + |
К/1) Р , (cos 0,у)] = о. |
Самое простое приближение к кристаллическому потенциалу, даю» щее возможность представить его в виде суммы атомных потенциалов
^(г) = 2 М г — Rv), |
(234) |
RV
Методы расчета энергетических зон в кристаллах |
197 |
можно получить при условии, что достаточно точно выполняется соотношение
|
1 |
( 2 Р (г — Rv £) ) 3 |
2 (р (<■— Rv,))3 . |
« V , |
«v, |
Это соотношение справедливо, если атомные плотности, центрирован ные на разных узлах решетки, перекрываются незначительно. При помощи (234) нетрудно получить следующие выражения Фурьекомпоненты потенциала:
V (К) = ехр гК • ( |К |) + ехр г'К •d2F(2) ( |К |),
где члены, зависящие от модуля вектора К, определяются по форму ле
8л |
Z{ — 4зт I" pa S1” ^ r г2dr |
+ |
V‘ (|K|) |
||
|
О |
|
+ ~ |
^ VaoL (г) ^ ^ - г Ч г . |
(235) |
Непосредственное использование выражения (235) для расчета нулевой Фурье-компоненты V (0) невозможно, так как при К = 0
^^ р = оо. При учете электронейтральности элементарной ячей
ки особенности, обусловленные ядром, компенсируются особеннос тями, вносимыми электронной плотностью, и
|
оо |
оо |
|
V(0) = |
16 |
r2Va0Ldr. |
|
з |
|||
|
|
||
Отсюда видно, что Фурье-компонента |
V (0) определяется со значи |
тельной ошибкой, так как она зависит от изменения плотности ра на больших расстояних, где ра отличается от кристаллической плот ности ркр. Выражение (235) неточно еще и потому, что при определе нии Фурье-компонент потенциала необходимо налагать ограничения на распределение внешних электронов по состояниям.
Зависимость решений секулярных уравнений от неточно опре деляемой величины V (0) — недостаток метода ОПВ. Однако ошибка при вычислении величины V (0), составляющая примерно 1 рид, мало сказывается на энергетическом спектре и волновых функциях. Величину нулевой Фурье-компоненты следует рассматривать как эмпирический параметр, который можно изменять для получения наилучшего согласия с экспериментальными результатами. При расчете энергии и волновых функций необходимо учитывать, что атомные волновые функции, часто использующиеся при определении
198 Глава 2. Расчет энергетических вон в твердых телах
кристаллического потенциала и коэффициентов ортогональности, не удовлетворяют уравнению (231) по двум причинам. Во-первых, кристаллический потенциал вычисляется в приближении по Слей теру или в другом локальном приближении к обменному потенциалу, а волновые функции определяются в более точном приближении из системы уравнений Хартри — Фока. Во-вторых, даже при выборе одинакового обменного потенциала необходимо учитывать вклад атомов-соседей в потенциал данного центра и лучшее приближение
к (231) можно получить при помо щи атомных функций
Hu.ni = (Бы + А Е'ы) u‘ni,
где АЕ‘П1 — сдвиг остовного состоя ния атома i-ro сорта. У многоком понентных кристаллов эта величи на неодинакова для атомов разного сорта. Поэтому вместо атомных следует определять функции, ло кализованные в поле кристалли ческого потенциала. Это имеет
важное значение, так как неточность в задании волновых функций глубоколежащих состояний может отразиться на получаемых зна чениях энергии и волновых функциях кристалла. Херринг [721 показал, что
£ к — £ к < 2 [ 1 — |(фк/, фк/) |2] (£к/ — £ к /),
где фк — точные собственные функции кристаллического гамильто
ниана, Е к — соответствующие им значения энергии,фк и £ к — соот ветственно приближенные значения, а суммирование проводится по всем остовным состояниям. Так как величины разности энергии
£к/— Е'к,- составляют 10—50 рид, то для существенного отклонения
ввеличинах разности £ к — £к не обязательно, чтобы скалярное
произведение (фк/, фк/) заметно отличалось от единицы.
Метод ОПВ применяется для расчета зонной структуры полупро водников. В работе [731 предложена модель кристаллического по тенциала, построенного в виде пространственной суперпозиции по тенциалов свободных атомов (рис. 27). Так как сумма перекрытий
атомных потенциалов Vna в остовной области почти постоянна, кри сталлические остовные собственные функции почти равны волновым функциям свободных атомов, а кристаллические остовные энерге тические уровни сдвинуты по отношению к свободным атомам на величину, равную сумме атомных перекрытий (остовный сдвиг Д £с).
Более надежные результаты можно получить при самосогласо ванных расчетах. В работе [731, например, для этого строится куло
Методы расчета энергетических зон в кристаллах |
199 |
новский потенциал, в котором первая часть учитывает быстро изме няющуюся компоненту и представляет собой суперпозицию атомно подобных потенциалов, вторая часть учитывает медленно изменяю щуюся компоненту, а третья часть — потенциал типа Маделунга. К такой структуре потенциала можно прийти, рассматривая для простоты распределение заряда в моноатомном кристалле. Ядерный
заряд г, |
локализованный |
на неко |
* |
I |
< |
||||||
тором узле решетки, делится |
173] |
||||||||||
на две части: остовную гОСт, рав |
|
|
|
||||||||
ную числу остовных электронов, и |
|
|
|
||||||||
валентную гвал, равную числу ва |
|
|
|
||||||||
лентных |
электронов, |
связанных |
|
|
|
||||||
сданным узлом решетки. Анало |
|
|
|
||||||||
гично делится и электронный заряд |
|
|
|
||||||||
кристалла: р = |
р0Ст |
+ |
рВал- |
Сово |
|
|
|
||||
купность |
точечных |
положитель |
|
|
|
||||||
ных зарядов гост и остовной |
части |
|
|
|
|||||||
электронного |
заряда |
р0Ст мож |
|
|
|
||||||
но |
рассматривать |
одновременно |
|
|
|
||||||
(рис. 28, а). Так как величина перек |
|
|
|
||||||||
рытия остовных волновых функций |
|
|
|
||||||||
на различных узлах решетки не |
|
|
|
||||||||
существенна и гостточно |
экраниру |
|
|
|
|||||||
ются остовной |
частью электронно |
|
|
|
|||||||
го заряда р0Ст в атомной |
ячейке, |
|
|
|
|||||||
кристаллический кулоновский по |
Рис. 28. |
Разложение кристалличес |
|||||||||
тенциал, связанный с остовом, |
мож |
кой электронной и ядернон плот |
|||||||||
но представить |
в виде |
суперпози |
ностей на |
а — остовную и |
б, в, г, |
||||||
д — валентную части. |
|||||||||||
ции |
неперекрывающихся |
атомных |
|||||||||
|
|
|
потенциалов, которая не зависит от их перекрытия и остовного сдвига.
На рис. 28, б изображена совокупность положительных точечных зарядов гвал и компенсирующего заряда рвал. Компенсирующий за ряд Рвал можно вычислить при помощи валентных волновых функ ций, выраженных через ортогонализованные плоские волны:
рвал = |
фк.о (к, 0 фк.о (к, г) = |
|
|
||
к,и |
|
|
|
|
|
к.о |
N |
exp i (К/ — К „ г) — |
|
||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
1 |
Кг, |
г) £ B nim (к + |
К/) |
фы™ (к, |
г) — |
exp i (к + |
|||||
1 |
|
nlm |
|
|
|
|
г) Yi В nim (к + |
|
|
|
|
VNQa exp i (к + |
К /, |
Кг) |
фыш (к, |
г) + |
|
|
|
nlm |
|
|
|
. v |
|
|
|
г) ф „ ^ т (к,г) J , |
|
_ Е д nlm (к + Кг) В пЧ.т. (к + К/) фп/m (к, |
nlm n'l'm