Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Немошкаленко В.В. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии

.pdf
Скачиваний:
14
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
13.63 Mб
Скачать

wo Глава 2. Расчет энергетических вон в твердых телах

и (210) по сферическим волнам:

Г и М ^ к (г)

и (гп, к„) ехр (г'к„ •г) = V

а'к'Ц

ck

\ - (2 2 ° )

"

h ( k nr)W K (г)

к.н

\

*п + - Г *

 

 

 

 

 

c k n

■ U ( W k

 

 

 

 

 

w„ + -y

*

v (m, k„) exp г'к„ •r = V а^к.Д

(221)

 

К,1.1

\/j ()1пГ)

 

Определяем rv — вектор

положения электрона по отношению к

центру v-й атомной сферы в элементарной ячейке:

rv = г — rv.

Считаем, что в формуле (208) вектор г находится внутри v-й атомной сферы, а г' — внутри v'-й сферы. Для ясности вместо G (г, г')

записываем G

' (rv,

rv):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^(v.v')

,

' ' \ _

1

v

v

l

ы (т, k„)«+(m,

k„)

+

u

i r v, r vV —

q — / j

 

 

W„ -

W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ °

 

 

kn>

!exp ikn' ^rv ~

exp /k" '

— rv'^‘

Подставляем (220) и (221) в это уравнение:

 

 

 

G(v,v,) (rv, г v') =

-----j j -

У]

£

 

2

exp ikn • (rv — rv)

X

 

 

 

 

0

К , д

K'.p.'

n,s

 

 

 

 

X

w„ — w

 

 

ck n

 

h

 

 

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(V v) l-K {rv)

 

 

 

 

 

^

+ ~

c2

 

 

 

 

 

X (/V {k~w) Гк .+ (Г;,), _

 

jp {k ~rv )

(;;.)) +

 

 

 

 

 

ckn

 

 

il {knrv)

(rv)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

, „ n s

„.ns

,

^ + — c2

 

 

 

X

 

+ a _кцЦ-к'и'1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\Jt {^nrv)

к {rv)

 

 

 

 

X (—

Ckn

 

 

 

 

 

 

 

 

/U' +

(r'v.)

(222)

^

— ir {kaw ) x £ + Ov), iT. (V v )«

^ + i - c2

Методы расчета энергетических вон е кристаллах

191

Таким образом, функция Грина выражена через сферические волны. Однако это выражение трудно вычислить. Поэтому делим функцию Грина на две части:

G v'v (*"v, r'v) = <5ViV'G0 (rv, r;) + D v,v ’ (rv, r;,).

При помощи уравнения (219) первую часть, удовлетворяющую [71 неоднородному уравнению (207), записываем в виде

 

G0 (r’v, r'v) =

— (со •р +

 

Pc2 +

W

cos (p |rv — rv I )

 

 

 

 

4лс2 (rv — r v

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

P\W + ' T CJ v / h ^

 

W

 

 

X

 

 

 

C2

 

f t

 

 

if (prv) %-K (rv)

 

 

 

 

 

 

 

 

x

 

{r'v),

 

------ ------nT (pr'v) 7!Г|< (rv)) при rv <

/•;,

Go (rvi rv) —

 

c2

 

JLi

I

 

 

 

(rv)

I ^

 

 

 

 

 

K.ix 1 ---------------- n . (pr j

 

x (is {pr'v)

(r)

 

 

cp

k

J \vM-H"

(r'v)

при rv>

r’v.

(223)

 

« 7 + - С 2

(Prv)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вторая часть — D (v,v,) (rv, r',)

удовлетворяет

однородному уравне­

нию,

соответствующему

уравнению (207):

 

 

 

 

о 1”

'1 (?„>;,)

= £

£

в

- , '

 

/'((р*Ч) х)< (rv)

 

 

X

 

 

ср

 

 

 

 

 

K.U К’,IX"

 

 

 

 

(Prv) К-к (rv)

 

 

 

 

W + .-Y *

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

х (/V (РА' ) Х'к-+ (г’ ) ,

 

ср

ip ip r ^ y ^ ' K - ) ) .

(224)

 

 

 

Сравнивая выражения (223) и (224) с (222),

получаем

 

 

 

 

 

ц

 

1

V

{ ^к,цак^иг

 

 

192 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

n,ts л*"4

c'4tl

U <V v ) it■ (V v -)

 

 

X

 

w'n + -i-c*J

i,iprv)h'(pr*)

 

P [W + ^l-c*

 

X exp tk„ •(rv — rv<)--------— -5--------------—l V— 6v.v'6/v.kA uvl',

 

 

it (p r v )

где rv < rv при v = v'. Правая часть этого выражения фактически

не зависит от rv и rv. Как и в релятивистском методе ППВ,

можно

пренебречь членами порядка

В этом случае

 

M &'xV =

У] С -i-/;

 

(.i — m, nij

X

 

 

 

 

171—±

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

C [/'

 

 

ji' — m, m ) ,

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^(v.v')

_

(4л)2

 

 

 

v

exP n K n + k )- (rv — r v,)

X

S ilm .l'n f

о------------- =--------- ^

 

 

Тй----Г Т Т ГТ Т 2--------

 

 

 

""

i i( p r v ) i i ’ i p r V') k

 

(К,i + k)2 + P-

 

 

 

 

 

 

 

x

ii( I к +

k \~rv) /,. ( I Кя + k I ~f,) Y*,m(K„ + k) YD (K„ + k) -

 

 

 

 

 

 

 

П1(prv)

 

 

 

 

 

 

p6v,v'S;j'6mim'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i , i p r v )

 

 

Можно показать, что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

yt(v,v')

_ a

Vi

Dim

wm./'m',

 

 

 

 

Ti-lmJ'nV — ‘ТЯ

 

 

где

 

 

 

 

 

LM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tiZ-m- =

il~L~1'J Y]mYLMYt.m.dQ.

 

Если

m =

M -f m’,

\lV |<

L < / +

/'

и l + /'+ L — четное

число,

коэффициенты С отличаются от нуля.

Коэффициенты D часто

называют структурными константами, так как они зависят о т £ и к и не зависят от потенциала. Следуя методу, предложенному в работе 163 J, можно записать

ПГлГ> =

(1) + Я Й Г (2) + 6ViV-6,06m(.D00 (3),

 

где

 

 

 

‘LeXp(^ V j у

| K *+ 4 Lexp! - (K" ^

X

М .У ’>(1) =

pL

(К„ + к)2 — р2

«о

 

Методы расчета энергетических зон в кристаллах

193

X ехр [г (Кя +

к) ■(rv — iy)] Y'lm (К„ + к),

 

Dlm ] (2) =

2-

L

2 ' |R„ -

rv +

rv- \L exp tk ■R„ X

 

 

V Tip

 

n

 

 

 

Y1m (Rfl- r v +

rv.)

J

 

£2L exp Г— |2 (R,, — rv -f- rv-)2 -j-

P ‘

 

4g2

 

 

i t

 

 

 

(225)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

_ >/ri V

1

■ f r

 

 

A , o ( 3 )

 

2 я

(2/1 — 1) nl

 

 

 

 

 

л = 0

 

 

(r] — произвольная положительная константа, определяющая схо­ димость рядов, в (225) член с R„ = 0 опускается при v = v').

Метод ортогоналпзованных плоских волн

Метод ортогонализованных плоских волн (ОПВ) [72] широко применяется при расчете зонной структуры полупроводников и диэлектриков. Преимущество его перед методами ППВ и функции Грина состоит в том, что он не связан с ограничениями, накладывае­ мыми на вид потенциала. Отклонение потенциала от сферически симметричного в элементарной ячейке учитывается автоматически, что важно при расчете зонной структуры кристаллов с резко ани­ зотропным распределением электронной плотности. Метод ОПВ сравнительно просто формулируется и удобен для вычислений на ЭВМ даже среднего быстродействия. Недостатком метода является сравнительно низкая сходимость. Для точек к общего положения в зоне Бриллюэна при расчете зонной структуры диэлектриков необ­ ходимо использовать порядка 150 базисных функций (но заметно меньшее количество, порядка 50, при расчете зонной структуры ме­ таллов).

Рассмотрим метод ОПВ на примере применения его к кристаллам, элементарная ячейка которых содержит два атома, в формулировке Херринга [72], а также известные его модификации. Для описания основных состояний кристалла в методе ОПВ используют волновые функции в виде блоховских комбинаций атомных орбиталей

tfnim (к, г) = 2 y ^ e x p tk •RVi« 'im— RVl),

где ulnim (г — RV(.) — атомные функции, центрированные на узле решетки RVj.. Такое описание возможно в том случае, если атомные

73 - 2 0 2 3

194 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

волновые функции, центрированные на разных узлах решетки, практически не перекрываются. Последнее характерно для глубоколежащих состояний. Однако для получения более точных результа­ тов вместо атомных волновых функций следует использовать ло­ кализованные функции, найденные для потенциала кристалла. Для описания валентных состояний Херринг предложил использовать функции ОПВ в виде

Ф/ (к, г) =

Ф (к/,

г) =

1 v ■■exp i (к + К/) •г —

 

 

 

(/Vййд)

 

-

2 2

B " L

(к + К,) ул/т (к, г).

(226)

 

nlrn I

 

 

 

 

Функции ср£ ( к, г)

ортогональны

ко всем состояниям

фп/ш( к, г),

находящимся ниже валентной зоны. В соответствии с требованием

ортогональности

определяются

коэффициенты

B lnim (к +

К/):

B'nim (к + К/) =

=- ехр г'К/ • j ulnlm (г) exp г (k + К/) •

гdV, (227)

 

У “О

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ИЛИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вп‘ ,т+ К/) =

exp iKj d

A , X

( I к +

К , I ),

(228)

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Л'/(|к + К/|) =

4 л ( 2 / +

1)

 

 

 

 

 

 

 

O n

2

/

' J ^

d k

+

K/IO^dr,

Rni (0 — радиальная часть

функции

ип‘ [т (г),

(г) — цилиндриче­

ская функция Бесселя.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Из формул (227) и (228) видно, что в системе координат, ось z которой направлена вдоль к + К;, коэффициент ортогональности

Ani (| к + К,-|) исчезает при всех значениях т,

кроме т =

0. По­

этому функцию Unim (г)

при т — 0, если ось

z направлена

вдоль

к + К;, можно обозначить

и1,им+Kj (г). Теперь

функцию ф

(к^, г)

записываем в виде

 

 

ехрИ Щ Лщ г _

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'

v NQ„

 

 

------]=- 2

2

2

ехр гк R v, exp iК/

X

 

у N nl

i

Rv .

 

 

X Ala (| к + К/1) ы^к+к, (г - Rvi).

(229)

В формулах (226) и (229) индексом г обозначены атомы разного сорта в кристалле и атомы, находящиеся в неэквивалентных положениях в элементарной ячейке монокристалла.

Волновая функция валентных электронов имеет вид

Ф (г) = 2 С/ (к)ф/ (к, г).

(230)

Методы расчета энергетических зон в кристаллах

195

Коэффициенты с} (к)

вычисляем вариационным методом, используя

функционал энергии

 

 

 

f \\>* (г) Hib(r)dV

 

 

£ = Ч \--------------------------Ф* (г) гр (г) dV

 

Подставляя в это выражение функцию (230) и варьируя коэффициен­ ты Cj (к), получаем систему линейных однородных уравнений

2 {(Фг IН 1Ф/) — Е (ф< I Ф/)1 Cj (к) = 0.

Находим значения матричных элементов (срг |Н |фу) и (срг |фу) для двухкомпонентного кристалла. Каждая из срг состоит из трех частей:

фt = (р(П + фt2) + фг(3),

плоской волны

Ф/(1> = exp I (к + К/) •г,

членов ортогональности, связанных с атомами первого рода,—

ф/2) = 2 2 ехр г'к •Rv, exp /К, •da •Л % $ к+к, — Rv,),

ш rVj

членов ортогональности, связанных с атомами второго рода,—

ф/3) =

2

2

ехр г'к Rv, ехр г'К< d2 A $uni,k+K. (r — RVJ ,

 

n l

RVj

 

где Rv. =

Rv +

d;, d* — векторы, определяющие положение ато­

мов в элементарной ячейке. Секулярное уравнение можно записать в виде

2 I (ф;1’ + ф)2> + ф(-3) |Н ] ф)11 + cpf1 + Ф/3)) —

/

 

 

Е (ф!0 +

ер'2’ + ф|3) |ф)и + ф/2) +

ф/3’)) С/= 0.

Члены (Ф,(2) |Я |ф^3’),

(ф|3) |Н |Ф'-2)), (фг(2)|ф/3)),

(фг(3) |Ф/2)) малы, так

как атомные функции глубоколежащих состояний на разных центрах перекрываются незначительно. Для преобразования осталь­ ных членов используем соотношения

Hulni'k = E‘niuni'k,

(231)

Lr- f u'ni'k-exp г'к,- •rdV = Alni (k() Pt (cos 0,/),

(232)

У Q0 J

 

j u'ni.k.Uni.kdV = Pt (cos 0t/),

(233)

где cos 0£/- — косинус угла между векторами кг и к;-. В выражении (231) ulnt'k — атомные или локализованные функции, найденные

7

196 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

для кристаллического потенциала г'-го атома. Равенства (232) и (233) доказываются при помощи выражений

ооI

 

expikt • г = 2

2

(4 л ) Y lm (drk.,

<рлк.) X

 

 

 

/=0 m = —l

 

I

1

 

 

X

Y lm

(0 к £ку,

фк,ку) t ji (^i'0>

 

 

У/0

4it

2 ■К/т(0/,к.>

флк.) Y hn (0k.к.-,

фк.к.-)-

27+7

 

m=—i

I

1

1 '

‘ '

Дополнительный индекс к/ в аргументах сферической функции озна­ чает, что векторы г, к, рассматриваются в системе координат, ось г которой направлена вдоль к/.

Вычислим два характерных члена секулярного уравнения:

(ф1пIН I ф}'») =

+

Кi f б,у + V ( K у-

КО,

где V (Ку — Кг) — Фурье-компонента потенциала

V (г),

V (К) =

j V

(г) ехр r d V ;

 

 

V

 

 

(I к + К/1) X

X Ап(1 ( I к + Ку |) Р; (cos 0,-у).

Последнее равенство доказывается при помощи соотношения (231), при этом интегралами

J «"/.k(. (г - RVl) V 1 (г - RV(.) un!Mi (г - Rv0 d V ,

в которых один центр отличается от двух других, можно пренебречь. Аналогично вычисляются остальные члены этого уравнения. В ре­ зультате получаем систему уравнений

 

 

2 су (к) [((к + КО2 -

Е )

б,у + V

(КуКО +

 

 

/

 

 

 

 

 

+

2

exp i (Ку -

КО •dx ( Е -

Е%) 4 V ( |к + Ку j ) X

 

п.1

 

 

 

 

 

 

X А 7 ] (1 к +

Кг 1) Pt (cos 0t7) +

2 expi (Ку—КО •d2 X

 

 

 

 

 

 

til

 

X ( Е

-

£ $ ) А

Т

(I к + К, |) А

%

(1к +

К/1) Р , (cos 0,у)] = о.

Самое простое приближение к кристаллическому потенциалу, даю» щее возможность представить его в виде суммы атомных потенциалов

^(г) = 2 М г — Rv),

(234)

RV

Методы расчета энергетических зон в кристаллах

197

можно получить при условии, что достаточно точно выполняется соотношение

 

1

( 2 Р (г — Rv £) ) 3

2 (р (<■— Rv,))3 .

« V ,

«v,

Это соотношение справедливо, если атомные плотности, центрирован­ ные на разных узлах решетки, перекрываются незначительно. При помощи (234) нетрудно получить следующие выражения Фурьекомпоненты потенциала:

V (К) = ехр гК • ( |К |) + ехр г'К •d2F(2) ( |К |),

где члены, зависящие от модуля вектора К, определяются по форму­ ле

Z{ — 4зт I" pa S1” ^ r г2dr

+

V‘ (|K|)

 

О

 

+ ~

^ VaoL (г) ^ ^ - г Ч г .

(235)

Непосредственное использование выражения (235) для расчета нулевой Фурье-компоненты V (0) невозможно, так как при К = 0

^^ р = оо. При учете электронейтральности элементарной ячей­

ки особенности, обусловленные ядром, компенсируются особеннос­ тями, вносимыми электронной плотностью, и

 

оо

оо

V(0) =

16

r2Va0Ldr.

з

 

 

Отсюда видно, что Фурье-компонента

V (0) определяется со значи­

тельной ошибкой, так как она зависит от изменения плотности ра на больших расстояних, где ра отличается от кристаллической плот­ ности ркр. Выражение (235) неточно еще и потому, что при определе­ нии Фурье-компонент потенциала необходимо налагать ограничения на распределение внешних электронов по состояниям.

Зависимость решений секулярных уравнений от неточно опре­ деляемой величины V (0) — недостаток метода ОПВ. Однако ошибка при вычислении величины V (0), составляющая примерно 1 рид, мало сказывается на энергетическом спектре и волновых функциях. Величину нулевой Фурье-компоненты следует рассматривать как эмпирический параметр, который можно изменять для получения наилучшего согласия с экспериментальными результатами. При расчете энергии и волновых функций необходимо учитывать, что атомные волновые функции, часто использующиеся при определении

Рис. 27. Кристаллический потен­ циал, построенный в виде прост­ ранственной суперпозиции потен­ циалов свободных атомов.

198 Глава 2. Расчет энергетических вон в твердых телах

кристаллического потенциала и коэффициентов ортогональности, не удовлетворяют уравнению (231) по двум причинам. Во-первых, кристаллический потенциал вычисляется в приближении по Слей­ теру или в другом локальном приближении к обменному потенциалу, а волновые функции определяются в более точном приближении из системы уравнений Хартри — Фока. Во-вторых, даже при выборе одинакового обменного потенциала необходимо учитывать вклад атомов-соседей в потенциал данного центра и лучшее приближение

к (231) можно получить при помо­ щи атомных функций

Hu.ni = (Бы + А Е'ы) u‘ni,

где АЕ‘П1 — сдвиг остовного состоя­ ния атома i-ro сорта. У многоком­ понентных кристаллов эта величи­ на неодинакова для атомов разного сорта. Поэтому вместо атомных следует определять функции, ло­ кализованные в поле кристалли­ ческого потенциала. Это имеет

важное значение, так как неточность в задании волновых функций глубоколежащих состояний может отразиться на получаемых зна­ чениях энергии и волновых функциях кристалла. Херринг [721 показал, что

£ к — £ к < 2 [ 1 — |(фк/, фк/) |2] (£к/ — £ к /),

где фк — точные собственные функции кристаллического гамильто­

ниана, Е к — соответствующие им значения энергии,фк и £ к — соот­ ветственно приближенные значения, а суммирование проводится по всем остовным состояниям. Так как величины разности энергии

£к/— Е'к,- составляют 10—50 рид, то для существенного отклонения

ввеличинах разности £ к — £к не обязательно, чтобы скалярное

произведение (фк/, фк/) заметно отличалось от единицы.

Метод ОПВ применяется для расчета зонной структуры полупро­ водников. В работе [731 предложена модель кристаллического по­ тенциала, построенного в виде пространственной суперпозиции по­ тенциалов свободных атомов (рис. 27). Так как сумма перекрытий

атомных потенциалов Vna в остовной области почти постоянна, кри­ сталлические остовные собственные функции почти равны волновым функциям свободных атомов, а кристаллические остовные энерге­ тические уровни сдвинуты по отношению к свободным атомам на величину, равную сумме атомных перекрытий (остовный сдвиг Д £с).

Более надежные результаты можно получить при самосогласо­ ванных расчетах. В работе [731, например, для этого строится куло­

Методы расчета энергетических зон в кристаллах

199

новский потенциал, в котором первая часть учитывает быстро изме­ няющуюся компоненту и представляет собой суперпозицию атомно­ подобных потенциалов, вторая часть учитывает медленно изменяю­ щуюся компоненту, а третья часть — потенциал типа Маделунга. К такой структуре потенциала можно прийти, рассматривая для простоты распределение заряда в моноатомном кристалле. Ядерный

заряд г,

локализованный

на неко­

*

I

<

тором узле решетки, делится

173]

на две части: остовную гОСт, рав­

 

 

 

ную числу остовных электронов, и

 

 

 

валентную гвал, равную числу ва­

 

 

 

лентных

электронов,

связанных

 

 

 

сданным узлом решетки. Анало­

 

 

 

гично делится и электронный заряд

 

 

 

кристалла: р =

р0Ст

+

рВал-

Сово­

 

 

 

купность

точечных

положитель­

 

 

 

ных зарядов гост и остовной

части

 

 

 

электронного

заряда

р0Ст мож­

 

 

 

но

рассматривать

одновременно

 

 

 

(рис. 28, а). Так как величина перек­

 

 

 

рытия остовных волновых функций

 

 

 

на различных узлах решетки не

 

 

 

существенна и гостточно

экраниру­

 

 

 

ются остовной

частью электронно­

 

 

 

го заряда р0Ст в атомной

ячейке,

 

 

 

кристаллический кулоновский по­

Рис. 28.

Разложение кристалличес­

тенциал, связанный с остовом,

мож­

кой электронной и ядернон плот­

но представить

в виде

суперпози­

ностей на

а — остовную и

б, в, г,

д — валентную части.

ции

неперекрывающихся

атомных

 

 

 

потенциалов, которая не зависит от их перекрытия и остовного сдвига.

На рис. 28, б изображена совокупность положительных точечных зарядов гвал и компенсирующего заряда рвал. Компенсирующий за­ ряд Рвал можно вычислить при помощи валентных волновых функ­ ций, выраженных через ортогонализованные плоские волны:

рвал =

фк.о (к, 0 фк.о (к, г) =

 

 

к,и

 

 

 

 

к.о

N

exp i (К/ К „ г)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

Кг,

г) £ B nim +

К/)

фы(к,

г)

exp i +

1

 

nlm

 

 

 

 

г) Yi В nim (к +

 

 

 

VNQa exp i +

К /,

Кг)

фыш (к,

г) +

 

 

nlm

 

 

 

. v

 

 

 

г) ф „ ^ т (к,г) J ,

_ Е д nlm (к + Кг) В пЧ.т. (к + К/) фп/m (к,

nlm n'l'm

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ