![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Немошкаленко В.В. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии
.pdf100 Глава 2. Расчет энергетических вон в твердых телах
имеет вид
|
|
|
Р (г', г) = S Ф? (г') Фг (г). |
||||
|
|
|
|
i=i |
|
|
|
Применяя вариационный принцип |
|
|
|
||||
|
|
|
f Ч* (Н — Е) ЧrdV |
0 |
|||
|
|
|
|
|
|
= |
|
и учитывая все условия ортонормированности функций q>{ (г) |
|||||||
|
|
|
j |
фeV/dV = |
0, |
|
|
получаем для |
ф,- (г) |
систему |
уравнений Хартри — Фока [19, 20] |
||||
|
|
F Ф< (г ) = |
1Фе< (г ) + |
2 |
е « Ф * ( г) ‘ |
||
|
|
|
|
|
|
кф1 |
|
Оператор Фока F определяется равенством |
|
||||||
|
Fq>i (г) = |
Н0 + |
2 j р (|Гг’^ | ^ |
ф/ (г) — J |
Ф, (г ') d / ' , |
||
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Яо |
V2 |
V |
г« |
|
|
|
|
2 |
t Jl r “ /?«l |
|||
|
|
|
|
||||
2 [ |
P(r-' |
„ С |
p(r', г) q)t-(г') rf/' |
|
соответственно кулоновский |
||
J |
1г — Г ' I |
J |
I г — г' 1 (г) |
|
|
|
и обменный потенциалы.
Рутан [21] показал, что в рассматриваемом случае оператор F инвариантен по отношению к преобразованиям симметрии системы и решения системы (59) образуют базис приводимого представления группы симметрии кристалла. В приведенном представлении базис ными функциями неприводимых представлений являются решения системы уравнений Хартри — Фока, записанные без недиагональ ных параметров е«. в виде
/Чр,- (Г) = 8 ,ф ( (г ). |
(60) |
Величины е,- — одноэлектронных энергий, взятых с обратным зна ком, можно рассматривать (при пренебрежении поляризацией осто ва из-за образующейся дырки) как потенциалы ионизации системы. Это утверждение известно как теорема Купманса [22]. Величина ег соответствует потенциалам ионизации лишь в том случае, если в уравнение Хартри — Фока не входят недиагональные множители Лагранжа, т. е. если одноэлектронные функции являются базисны ми функциями неприводимых представлений группы симметрии. В других случаях потенциалы ионизации выражаются некоторыми комбинациями диагональных и недиагональных множителей. Уни тарное преобразование одноэлектронных функций не изменяет вол-
Построение уравнений кристаллического потенциала |
101 |
новую функцию всей системы, но диагональные множители при этом изменяются. Потенциалы ионизации приближенно равны диаго нальным множителям Лагранжа в том представлении, в котором мат рица E ik диагональна. Поэтому, изучая состояния и энергии отдель ных электронов с физической точки зрения, уравнения Хартри — Фока следует записывать именно в виде (60). Только в этом случае уравнения системы можно приближенно рассматривать как урав нения Шредингера отдельных электронов. В нашем случае группой G системы электронов кристалла является пространственная группа, так как симметрия относительно перестановок электронов
учтена: волновая функция Ч; (хъ |
..., xn) взята в виде (58), условия |
|
S 24r = 0, |
= 0 выполняются. |
Собственные значения энергии |
классифицируются вектором к и символом р, а волновые функции — вектором к и символами р, q. Поскольку волновые функции в (60) являются базисными функциями неприводимых представлений груп пы симметрии кристалла, а следовательно, и базисными функциями группы трансляций Тп, их можно записать в виде
Фр,(к>г) = ехр-г'к •rupq(к, г),
где upq (к, г) — периодические функции,
upq (k, г + Rv) = upq (к, г),
р — тип неприводимого представления, a q — номер функции, пре образующейся по данному неприводимому представлению. Система уравнений (60) принимает вид
F y p q (к, г) = Е р (к) фp q (к, г). |
(61) |
Оператор F инвариантен по отношению к преобразованиям из груп пы G.
Спектр собственных значений уравнений (61) состоит из наборов энергетических уровней, разделенных запрещенными зонами:
е р (k) = J ф*9 (к, г) {я 0 + 2 j |
1 ? ^ ) ФР(7(к, г) dV — |
— J j -|7г=7>| ФU (к, г) ф„ (к, г') dVdV'.
Полная энергия электронов в кристалле описывается выражением
2р (г, Г) р (г', г') — р (г', г) р (г, Гр
где суммирование проводится по заполненным состояниям.
Метод Хартри — Фока применяется для расчета атомных систем. При расчете этим методом кристаллов необходимо учитывать чрез вычайно большое число занятых состояний, что значительно за трудняет вычисления. Трудности связаны также с тем, что обмен ный потенциал является нелокальным оператором.
102 Глава 2. Расчет внергетических зон в твердых телах
Обменный потенцпал
Рассмотрим некоторые важные свойства обменного потенциала. Запишем его в виде
|
[ Ф* (*i) Ф/ (*г) |
1------ -------т ф ; |
(-*1 ) Фг (*г) |
dVtq>i (хх) |
|
|
|
6(0,-, 0/) J________ |
I ri — Га I ___________________ |
— РобмФ; (-П)> |
|||
|
|
|
Ф( (■*!) ф( (■*!) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(62) |
где |
О/ — спиновые |
квантовые |
числа, |
У0бм — потенциальная |
||
энергия электрона, находящегося в точке гь |
при условии, что она |
|||||
создается зарядовым распределением |
|
|
||||
|
X е (<*t. <тс) |
Ф* (*i) фу (*а) Фу (*i) Ф< (ха) |
(63) |
|||
|
Ф(‘ |
(*i) Vi (*i) |
|
|||
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
в точке г2. Так как эта зарядовая плотность связана с обменным чле ном, ее называют обменной зарядовой плотностью [23]. Ее величина равна одному заряду электрона, если ср, — занятая спин-орбиталь, и нулю, если qу — свободная (возбужденная) спин-орбиталь. Это свойство становится очевидным после интегрирования выражения (63) по dVn и учета ортогональности функций ц>{ и ф/. Обменная за рядовая плотность представляет собой заряд электронов, имеющих те же спины, что и искомая спин-орбиталь. Если точка г2 совпадает с точкой Ги обменная зарядовая плотность сводится к величине
(о<, 0/) Ф/ (хх) фу (Xj), являющейся общей зарядовой плотностью
/
всех электронов с теми же спинами, что и у г-го электрона, в точке rj. Эти свойства раскрывают физический смысл обменной зарядовой плотности.
Потенциальная энергия поля, в котором движутся электроны, обусловлена, как это следует из уравнений Хартри — Фока, яд рами, электронной плотностью, создаваемой электронами со спина ми, противоположными спину рассматриваемого электрона, электрон ной плотностью, создаваемой электронами с теми же самыми спина ми, но уменьшенной на величину обменной зарядовой плотности. Поэтому суммарный заряд (электронный и обменный), создавае мый электронами с теми же спинами, что и у рассматриваемого элек трона (занятая спин-орбиталь), по величине на единицу меньше общего числа электронов с этими спинами. Величина обменного за ряда возбужденной спин-орбитали равна нулю. В этом случае сум марный заряд, создаваемый электронами с теми же спинами, что и у рассматриваемого электрона, по величине равен общему числу элек тронов с этими спинами.
Величина зарядовой плотности электронов со спинами, равными спину рассматриваемого электрона, включая обменную плотность,
Построение уравнений кристаллического потенциала |
103 |
стремится к нулю в точке гх, в которой локализован электрон, так как в этой точке обменная зарядовая плотность компенсирует об щую плотность всех электронов с теми же спинами. Рассматривае мую систему электронов можно описать так: электрон, волновая функция которого определяется, принимается окруженным дыркой в точке гх такой, что электронный заряд занятой орбитали, равный единице, удален из непосредственной окрестности гх. Эта дырка является следствием действия принципа Паули: другие электроны с теми же спинами стремятся удалиться от электрона, находящегося в точке гх. Поэтому дырку часто называют Ферми-дыркой. Вид об менной зарядовой плотности (63) зависит от вида волновых функций ср,. Общий обменный заряд всегда равен заряду одного электрона, и их значения, если гх совпадает с г2, также одинаковы. Поэтому размеры Ферми-дырки должны быть почти одинаковыми для всех волновых функций. Можно предположить, что не будет большой ошибки, если заменить Ферми-дырки для каждой ф,- одинаковым для всех ф,- средним значением. Общая величина обменного заряда возбужденных состояний равна нулю. Однако это не означает, что Ферми-дырки нет, так как обменная зарядовая плотность при сов падающих точках гх и г2 продолжает оставаться равной общей заря довой плотности всех занятых орбиталей с теми же спинами, что и ф,. Следовательно, и в этом случае электроны с этими же спинами уда ляются из непосредственной окрестности точки гх. При возбужден ных состояниях эквивалентная зарядовая плотность появляется в других положениях, т. е. увеличение зарядовой плотности проис ходит на некотором расстоянии от рассматриваемого электрона. Таким образом, согласно принципу Паули, электронная плотность уменьшается в окрестности каждого электрона.
Как видим, эффекты обмена можно описать простым способом. В случае занятой орбитали все электроны со спинами, равными спи ну рассматриваемого электрона, удалены из сферической дырки, достаточно большой для того, чтобы в ней содержался заряд, рав
ный заряду одного электрона. Величина -^-я/?3р (р — плотность за
ряда, R — радиус дырки) равна одному заряду электрона, и, сле__i_
довательно, радиус дырки пропорционален величине — р 3 .
Потенциальная энергия постоянно заряженной сферы обратно про-
_i_
порциональна радиусу сферы и составляет величину порядка р 3 . Так как эта поправка, обусловленная зарядом Ферми-дырки, вхо дит в общую потенциальную энергию с отрицательным знаком, то
_i_
обменная поправка пропорциональна величине— р 3 . Эффект по нижения потенциала, связанный с наличием обменной энергии, приводит к большей концентрации волновой функции вблизи ядра. Ввиду .того что при расчетах использовать разный для разных
104 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах
состояний обменный потенциал неудобно, Слейтер [24] предложил усреднить обменный потенциал (62) умножением его на величину
<Рг (*0 фг (*i)
2 Фк (*i) Фк (*i) k
(определяющую вероятность того, что найденный в точке гх электрон находится в состоянии i) и последующим суммированием по i. Полученный обменный потенциал
^ |
^ б ( о * . О/) j ф . (*,) ф * (х2) -1 _ фу (X!) ф ; (х„) dV2 |
Vобм --- |
(64) |
|
>] Ф* (*i) фl (*i) |
|
I |
одинаков для разных состоянии.
Вычислим потенциал (64) для газа свободных электронов, так как эти вычисления вносят ясность в общую проблему эффектов обмена.
faSM |
|
|
Используем |
|
в |
качестве |
|
|
|
функций ср( плоские вол |
|||||
|
|
|
|||||
|
|
|
ны. Прежде всего находим |
||||
|
|
|
значения сумм |
|
|||
|
|
|
|
И <5 К , оу) ф' (*0 X |
|||
|
|
|
|
ч |
|
|
|
|
|
|
|
х Ф/ (*■>) ф/ (Xj) ф, (х2) = |
|||
|
|
|
|
1 |
(N \ 2 |
|
|
Рис. 14. |
Зависимость усредненной обменной |
|
“ т |
( |
У ) |
х |
|
|
|
|
|
|
|||
зарядовой |
плотности |
газа свободных элект- |
X |
sin kp T — |
kpT COS kpT |
||
|
р о н о в |
r |
(*» •r)3 |
|
|||
|
от —р -. |
|
|
||||
|
|
R |
|
|
|
|
|
где k F — импульс Ферми, а г = |г2 — гх|. Определяем усредненную обменную зарядовую плотность на расстоянии г от электрона:
_ |
N |
sin kFr — kpT cos kpT |
Робм — |
2V |
|
N
где -yy — число электронов с одинаковыми спинами. На рис. 14
изображена обменная зарядовая плотность как функция от |
где |
|||
|
ЗУ Уз |
|
2 |
|
R |
2я |
3 \Т |
|
|
2nN Г - |
4я |
|
Потенциальная энергия электрона с центром в этом зарядовом рас пределении равна обменному потенциалу (64). Поэтому его можно
Построение уравнений кристаллического потенциала |
105 |
записать в виде
оо
N |
sin k pr ■ ■kpr COS kpT |
|
Уобм = — { 4j1Г2 '2V |
[kFr? |
dA = - 3 ( w ) 3 - <6 5 ) |
Соотношение (65) можно получить также другим способом. Вы числяем обменный потенциал Хартри — Фока для случая газа сво бодных электронов и затем усредняем его по всем занятым состоя
ниям (из полученного результата мож- |
р. |
||
но видеть также, что потенциалы |
|
||
Хартри — Фока |
электронов разных |
|
|
состояний отличаются). Вычисляем об |
|
||
менную потенциальную энергию двух |
0,5- |
||
электронов в состояниях |
г и у, счи- |
||
тая, что первый |
электрон |
находится |
|
вначале координат:
срГ {хг) ер’ (*2) ф, (x j Ф/ (*2) dV2=
= i 7 r J exP H \ K |
— k i\r cos Q ) ~ d V = |
0 |
0,5 |
1,0 |
1,5 |
2,0 T} |
Рис. |
15. |
Зависимость |
функции |
|||
|
An |
|
состояния F от Г]. |
|||
Р3 |
|kt - к/14 ' • |
|
|
|
|
|
Подставляя это выражение в (64), находим зависящий от рассмат риваемого состояния обменный потенциал газа свободных электро нов (рис. 15)
|
^обм = |
Akp |
|
|
|
----- (66) |
|
|
|
где г| = |
h |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
l |
i —л* |
In- |
+ Л |
|
2 |
1 4г| |
|
1— г) |
Для определения обменного потенциала, не зависящего от со стояния, выражение (66) следует усреднить по всем занятым со стояниям. Так как число состояний между т] и г| + dr\ пропорцио нально величине T\2dr\, то
|
j |
(л) dr\ |
F(r\) - |
1 |
|
|
^ r|3dri |
|
поэтому после усреднения |
|
|
V'Sm= |
— 3 |
•- у |
что согласуется с полученным выше результатом (65).
106 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах
Обменную зарядовую плотность газа свободных электронов мож но использовать, как предположил Слейтер [24], для определения обменного потенциала в кристалле с тем же значением электронной зарядовой плотности. Слейтеровский обменный потенциал можно записать в виде
V $M> = - 3 ( - ! - p ( r ) ) i , |
(67) |
где
Р {г) = 2 ф( Фг,
i
а уравнение Шредингера с этим потенциалом —
— -у - — тг- Ф; (*i) + S \ ф/ (А'г) 7^7 ф/ (Аг) dV. Ф; (Ai) —
- 3 -к г 2 Ф/ (xi) Ф/ (Ai) ф| (Ai) - W t (A'i) |
(68) |
(суммирование проводится по всем занятым орбиталям с одинако выми и разными спинами). Умножая уравнение (68) на два, полу чаем
где Е( = 2е,-. Именно в таком виде уравнение Шредингера исполь зуется для зонных расчетов. Заметим, что при решении уравнения (69) значение Е { получаем в атомных единицах. Это же число в ридбергах и является искомым собственным значением е(.
Предложенный Слейтером способ приближенного учета эффек тов обмена не единственно возможный. Однако он является удачным приближением к обменному потенциалу Хартрн — Фока и поэтому широко используется при зонных вычислениях.
Кон и Шем [25] предложили новый вид выражения обменного потенциала. Они показали, что энергия основного состояния может быть записана в виде функционала
£ (Р) = J а (г) р (г) dV + F [р],
где v (г) — внешний потенциал, F [р ]— функционал, не завися щий от v (г). При замене плотности электронов в основном состоянии любой другой функцией энергия увеличивается. Выведенное ими на основании этих соображений одноэлектронное уравнение
( Ф
Построение уравнений кристаллического потенциала |
107 |
описывает электронную плотность в основном состоянии:
р = 2 1Ф/ Г- Для определения потенциала Гэф необходимо конкретизировать вид функционала F [р]. Если
f l P l - T T p H - H — |
|р]. |
|
то |
|
|
V |
1 Г Р (г') d V ' |
, У |
'Э ф |
^ I J | г г / | |
" г ' обм.-корр |
где Еосм.-кор — обменно-корреляционный потенциал, являющийся функциональной производной от обменно-корреляционной энергии,
Уобм.-кор = -----° g - Kop • При помощи найденных из уравнения
(70) функций фг можно определить плотность электронов, а по плот ности — потенциал. Эту операцию следует повторять до тех пор, пока эффективный потенциал не будет постоянным. Д0бы..кор газа взаимодействующих электронов точно не известна. Для газа электро нов с медленно изменяющейся плотностью применимо приближение
|
^обм.-кор = |
J £обм.-кор (р (г)) р (г) dV, |
|||
где |
е0бмжор — обменно-корреляционная |
энергия, приходящаяся |
|||
на один электрон. В этом приближении |
|
||||
|
Гэф (г) = О (г) + |
^ |
г , | |
+ |
Цобм.-кор (р (г)), |
где |
Робм.-кор (р (г)) = |
(р е 0бм .,кор) |
— |
вклад обмена и корре |
ляций в потенциал в газе электронов плотности р. Если учитывать только эффекты обмена, то в качестве е0бм.-коР можно использо вать выражение Слейтера (67). В этом случае выражение обменного потенциала Кона и Шема принимает вид
^ б-,ш = ■Гоби = — 2
Это выражение получается из уравнения обменного потенциала Хартри — Фока для газа свободных электронов при т] = 1, т. е.
на поверхности Ферми, где F (1) = -Ч .
Для учета эффектов обмена может оказаться полезным также метод разложения физических величин в ряд по степеням V р. Герман [26] использовал следующее выражение для энергии много электронной системы в приближении статистического поля:
ч |
с / 3 + Гр + СаР 3 ф- CPl ■I Vpl |
v2P d V , |
108 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах
где кинетическая, потенциальная и стандартная (однородная) об менные энергии представлены первыми тремя членами, а неоднород ные обменные поправки второго порядка — двумя последними. При помощи соотношения
I |
У3Р |
1ур 1а |
dV |
1 |
4 |
|
он получил выражение для обменного потенциала
Уобм а|3 — [Ot —{—|3G (р)] |
(71) |
где
Vp
Р
и решал одноэлектронное уравнение Шредингера с обменным потен циалом (71) для разных наборов а и |3. Подстановка найденных функ ций в выражение Хартри — Фока для полной энергии приводит к аналогичной зависимости от а и р. Полученное в так называемом приближении Уобма, когда из выражения Кобмар берется только
член, содержащий а , оптимальное значение а немного больше у .
2
В приближении 170бмар а = у , a (3 <^а. Поэтому в (71) можно по-
2
ложить а = — , тогда
Vобмар — |
VобмСл - |
Выражение для обменного потенциала |
предложено также Ли- |
берманом [27]. Если выразить импульс Ферми через локальную плотность kF (г) = (Зл2 р (г))3 и использовать формулу Томаса —
Ферми |
для |
импульса |
электрона |
|
с энергией Еп, k (г) = |
|
= Y 2 т |
(£„ — |
V (г)), то |
_i_ |
|
|
|
|
|
|
у |
2m (Еп — V (г)) |
|
|
|
|
-------4 |
з F |
(72) |
||
|
|
|
|
(Зл3р (г)) 3
Разные электронные состояния имеют разные обменные потенциалы (Еп — под знаком корня).
Учет корреляционных эффектов
Корреляционные эффекты в твердом теле учитываются при помо щи решения одноэлектронного уравнения для волновой амплитуды
(е — h (х) — V (х)) Ф (х) — [ М (х, х', е) Ф (х’) dV' = О,
Построение |
уравнений кристаллического потенциала |
109 |
|
где е — энергия, |
h |
(х) — одноэлектронная часть гамильтониана, |
|
V (х) — потенциал |
Хартри, |
|
р (г') dV' IГ —г' I -
М (х, х', е) — собственно-энергетический оператор, описывающий суммарные эффекты обмена и корреляции.
Влияние эффектов корреляции на энергетический спектр элект ронов в кристаллах почти не изучено. Оценки этих эффектов полу чены лишь в наиболее простых случаях. Так, в работе [28] рассмот рено локальное приближение к М для неона, аргона и криптона:
М (X, х', 8) = {У0бм + Укор} б (х — х')
(зависимость М (х, х' , е) от энергии не учитывалась). Корреляцион ный потенциал ]/кор может быть найден из интерполяционных выражений, описывающих зависимость плотности энергии Екор в газе электронов от rs — объема, приходящегося на один электрон
[29]:
|
V — Е |
1 . |
dEKOP |
|
у кор --- А-'КОр |
3 s |
drs ’ |
гдe r s = |
3 р 3 . Корреляционные поправки к одноэлектронным |
энергиям 2р (Ne), 3р (Аг), 4р (Кг) составляют примерно 0,15 рид. Известно [30], что учет корреляций в газе электронов сводится к замене кулоновского взаимодействия экранированным. При вы
воде формулы экранированного обменного потенциала [31] кулонов
ское взаимодействие —!— заменено выражением —!— ехр (— k r12),
Г 12 |
Г 12 |
где ks — константа экранирования. Фурье-коэффициент взаимодей ствия в этом случае имеет вид
о(4)
V(q) = e(q) '
где е (q) — диэлектрическая проницаемость. Наиболее простое вы ражение для е (q) может быть получено при использовании прибли жения хаотических фаз RPA. При малых q г(д) совпадает с
ZRPA (q, q0 = 0):
8 (q) — i +k2sq 2,
где ks = 0,82 (rs) 2 kF, kF — Ферми-импульс. Таким образом,