Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Немошкаленко В.В. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии

.pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
13.63 Mб
Скачать

100 Глава 2. Расчет энергетических вон в твердых телах

имеет вид

 

 

 

Р (г', г) = S Ф? (г') Фг (г).

 

 

 

 

i=i

 

 

 

Применяя вариационный принцип

 

 

 

 

 

 

f Ч* (Н Е) ЧrdV

0

 

 

 

 

 

 

=

и учитывая все условия ортонормированности функций q>{ (г)

 

 

 

j

фeV/dV =

0,

 

получаем для

ф,- (г)

систему

уравнений Хартри — Фока [19, 20]

 

 

F Ф< (г ) =

1Фе< (г ) +

2

е « Ф * ( г) ‘

 

 

 

 

 

 

кф1

 

Оператор Фока F определяется равенством

 

 

Fq>i (г) =

Н0 +

2 j р (|Гг’^ | ^

ф/ (г) — J

Ф, (г ') d / ' ,

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Яо

V2

V

г«

 

 

 

 

2

t Jl r “ /?«l

 

 

 

 

2 [

P(r-'

С

p(r', г) q)t-(г') rf/'

 

соответственно кулоновский

J

— Г ' I

J

I г — г' 1 (г)

 

 

 

и обменный потенциалы.

Рутан [21] показал, что в рассматриваемом случае оператор F инвариантен по отношению к преобразованиям симметрии системы и решения системы (59) образуют базис приводимого представления группы симметрии кристалла. В приведенном представлении базис­ ными функциями неприводимых представлений являются решения системы уравнений Хартри — Фока, записанные без недиагональ­ ных параметров е«. в виде

/Чр,- (Г) = 8 ,ф ( (г ).

(60)

Величины е,- — одноэлектронных энергий, взятых с обратным зна­ ком, можно рассматривать (при пренебрежении поляризацией осто­ ва из-за образующейся дырки) как потенциалы ионизации системы. Это утверждение известно как теорема Купманса [22]. Величина ег соответствует потенциалам ионизации лишь в том случае, если в уравнение Хартри — Фока не входят недиагональные множители Лагранжа, т. е. если одноэлектронные функции являются базисны­ ми функциями неприводимых представлений группы симметрии. В других случаях потенциалы ионизации выражаются некоторыми комбинациями диагональных и недиагональных множителей. Уни­ тарное преобразование одноэлектронных функций не изменяет вол-

Построение уравнений кристаллического потенциала

101

новую функцию всей системы, но диагональные множители при этом изменяются. Потенциалы ионизации приближенно равны диаго­ нальным множителям Лагранжа в том представлении, в котором мат­ рица E ik диагональна. Поэтому, изучая состояния и энергии отдель­ ных электронов с физической точки зрения, уравнения Хартри — Фока следует записывать именно в виде (60). Только в этом случае уравнения системы можно приближенно рассматривать как урав­ нения Шредингера отдельных электронов. В нашем случае группой G системы электронов кристалла является пространственная группа, так как симметрия относительно перестановок электронов

учтена: волновая функция Ч; (хъ

..., xn) взята в виде (58), условия

S 24r = 0,

= 0 выполняются.

Собственные значения энергии

классифицируются вектором к и символом р, а волновые функции — вектором к и символами р, q. Поскольку волновые функции в (60) являются базисными функциями неприводимых представлений груп­ пы симметрии кристалла, а следовательно, и базисными функциями группы трансляций Тп, их можно записать в виде

Фр,(к>г) = ехр-г'к •rupq(к, г),

где upq (к, г) — периодические функции,

upq (k, г + Rv) = upq (к, г),

р — тип неприводимого представления, a q — номер функции, пре­ образующейся по данному неприводимому представлению. Система уравнений (60) принимает вид

F y p q (к, г) = Е р (к) фp q (к, г).

(61)

Оператор F инвариантен по отношению к преобразованиям из груп­ пы G.

Спектр собственных значений уравнений (61) состоит из наборов энергетических уровней, разделенных запрещенными зонами:

е р (k) = J ф*9 (к, г) {я 0 + 2 j

1 ? ^ ) ФР(7(к, г) dV

J j -|7г=7>| ФU (к, г) ф„ (к, г') dVdV'.

Полная энергия электронов в кристалле описывается выражением

2р (г, Г) р (г', г') — р (г', г) р (г, Гр

где суммирование проводится по заполненным состояниям.

Метод Хартри — Фока применяется для расчета атомных систем. При расчете этим методом кристаллов необходимо учитывать чрез­ вычайно большое число занятых состояний, что значительно за­ трудняет вычисления. Трудности связаны также с тем, что обмен­ ный потенциал является нелокальным оператором.

102 Глава 2. Расчет внергетических зон в твердых телах

Обменный потенцпал

Рассмотрим некоторые важные свойства обменного потенциала. Запишем его в виде

 

[ Ф* (*i) Ф/ (*г)

1------ -------т ф ;

(-*1 ) Фг (*г)

dVtq>i (хх)

 

 

6(0,-, 0/) J________

I ri — Га I ___________________

— РобмФ; (-П)>

 

 

 

Ф( (■*!) ф( (■*!)

 

 

 

 

 

 

 

 

(62)

где

О/ — спиновые

квантовые

числа,

У0бм — потенциальная

энергия электрона, находящегося в точке гь

при условии, что она

создается зарядовым распределением

 

 

 

X е (<*t. <тс)

Ф* (*i) фу (*а) Фу (*i) Ф< (ха)

(63)

 

Ф(‘

(*i) Vi (*i)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в точке г2. Так как эта зарядовая плотность связана с обменным чле­ ном, ее называют обменной зарядовой плотностью [23]. Ее величина равна одному заряду электрона, если ср, — занятая спин-орбиталь, и нулю, если qу — свободная (возбужденная) спин-орбиталь. Это свойство становится очевидным после интегрирования выражения (63) по dVn и учета ортогональности функций ц>{ и ф/. Обменная за­ рядовая плотность представляет собой заряд электронов, имеющих те же спины, что и искомая спин-орбиталь. Если точка г2 совпадает с точкой Ги обменная зарядовая плотность сводится к величине

(о<, 0/) Ф/ (хх) фу (Xj), являющейся общей зарядовой плотностью

/

всех электронов с теми же спинами, что и у г-го электрона, в точке rj. Эти свойства раскрывают физический смысл обменной зарядовой плотности.

Потенциальная энергия поля, в котором движутся электроны, обусловлена, как это следует из уравнений Хартри — Фока, яд­ рами, электронной плотностью, создаваемой электронами со спина­ ми, противоположными спину рассматриваемого электрона, электрон­ ной плотностью, создаваемой электронами с теми же самыми спина­ ми, но уменьшенной на величину обменной зарядовой плотности. Поэтому суммарный заряд (электронный и обменный), создавае­ мый электронами с теми же спинами, что и у рассматриваемого элек­ трона (занятая спин-орбиталь), по величине на единицу меньше общего числа электронов с этими спинами. Величина обменного за­ ряда возбужденной спин-орбитали равна нулю. В этом случае сум­ марный заряд, создаваемый электронами с теми же спинами, что и у рассматриваемого электрона, по величине равен общему числу элек­ тронов с этими спинами.

Величина зарядовой плотности электронов со спинами, равными спину рассматриваемого электрона, включая обменную плотность,

Построение уравнений кристаллического потенциала

103

стремится к нулю в точке гх, в которой локализован электрон, так как в этой точке обменная зарядовая плотность компенсирует об­ щую плотность всех электронов с теми же спинами. Рассматривае­ мую систему электронов можно описать так: электрон, волновая функция которого определяется, принимается окруженным дыркой в точке гх такой, что электронный заряд занятой орбитали, равный единице, удален из непосредственной окрестности гх. Эта дырка является следствием действия принципа Паули: другие электроны с теми же спинами стремятся удалиться от электрона, находящегося в точке гх. Поэтому дырку часто называют Ферми-дыркой. Вид об­ менной зарядовой плотности (63) зависит от вида волновых функций ср,. Общий обменный заряд всегда равен заряду одного электрона, и их значения, если гх совпадает с г2, также одинаковы. Поэтому размеры Ферми-дырки должны быть почти одинаковыми для всех волновых функций. Можно предположить, что не будет большой ошибки, если заменить Ферми-дырки для каждой ф,- одинаковым для всех ф,- средним значением. Общая величина обменного заряда возбужденных состояний равна нулю. Однако это не означает, что Ферми-дырки нет, так как обменная зарядовая плотность при сов­ падающих точках гх и г2 продолжает оставаться равной общей заря­ довой плотности всех занятых орбиталей с теми же спинами, что и ф,. Следовательно, и в этом случае электроны с этими же спинами уда­ ляются из непосредственной окрестности точки гх. При возбужден­ ных состояниях эквивалентная зарядовая плотность появляется в других положениях, т. е. увеличение зарядовой плотности проис­ ходит на некотором расстоянии от рассматриваемого электрона. Таким образом, согласно принципу Паули, электронная плотность уменьшается в окрестности каждого электрона.

Как видим, эффекты обмена можно описать простым способом. В случае занятой орбитали все электроны со спинами, равными спи­ ну рассматриваемого электрона, удалены из сферической дырки, достаточно большой для того, чтобы в ней содержался заряд, рав­

ный заряду одного электрона. Величина -^-я/?3р (р — плотность за­

ряда, R — радиус дырки) равна одному заряду электрона, и, сле__i_

довательно, радиус дырки пропорционален величине — р 3 .

Потенциальная энергия постоянно заряженной сферы обратно про-

_i_

порциональна радиусу сферы и составляет величину порядка р 3 . Так как эта поправка, обусловленная зарядом Ферми-дырки, вхо­ дит в общую потенциальную энергию с отрицательным знаком, то

_i_

обменная поправка пропорциональна величине— р 3 . Эффект по­ нижения потенциала, связанный с наличием обменной энергии, приводит к большей концентрации волновой функции вблизи ядра. Ввиду .того что при расчетах использовать разный для разных

104 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

состояний обменный потенциал неудобно, Слейтер [24] предложил усреднить обменный потенциал (62) умножением его на величину

<Рг (*0 фг (*i)

2 Фк (*i) Фк (*i) k

(определяющую вероятность того, что найденный в точке гх электрон находится в состоянии i) и последующим суммированием по i. Полученный обменный потенциал

^

^ б ( о * . О/) j ф . (*,) ф * (х2) -1 _ фу (X!) ф ; (х„) dV2

Vобм ---

(64)

 

>] Ф* (*i) фl (*i)

 

I

одинаков для разных состоянии.

Вычислим потенциал (64) для газа свободных электронов, так как эти вычисления вносят ясность в общую проблему эффектов обмена.

faSM

 

 

Используем

 

в

качестве

 

 

функций ср( плоские вол­

 

 

 

 

 

 

ны. Прежде всего находим

 

 

 

значения сумм

 

 

 

 

 

И <5 К , оу) ф' (*0 X

 

 

 

 

ч

 

 

 

 

 

 

 

х Ф/ (*■>) ф/ (Xj) ф, (х2) =

 

 

 

 

1

(N \ 2

 

Рис. 14.

Зависимость усредненной обменной

 

“ т

(

У )

х

 

 

 

 

 

зарядовой

плотности

газа свободных элект-

X

sin kp T

kpT COS kpT

 

р о н о в

r

(*» •r)3

 

 

от —р -.

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

где k F — импульс Ферми, а г = |г2 гх|. Определяем усредненную обменную зарядовую плотность на расстоянии г от электрона:

_

N

sin kFr kpT cos kpT

Робм —

2V

 

N

где -yy — число электронов с одинаковыми спинами. На рис. 14

изображена обменная зарядовая плотность как функция от

где

 

ЗУ Уз

 

2

 

R

3

 

2nN Г -

 

Потенциальная энергия электрона с центром в этом зарядовом рас­ пределении равна обменному потенциалу (64). Поэтому его можно

Построение уравнений кристаллического потенциала

105

записать в виде

оо

N

sin k pr ■ ■kpr COS kpT

 

Уобм = — { 4j1Г2 '2V

[kFr?

dA = - 3 ( w ) 3 - <6 5 )

Соотношение (65) можно получить также другим способом. Вы­ числяем обменный потенциал Хартри — Фока для случая газа сво­ бодных электронов и затем усредняем его по всем занятым состоя­

ниям (из полученного результата мож-

р.

но видеть также, что потенциалы

 

Хартри — Фока

электронов разных

 

состояний отличаются). Вычисляем об­

 

менную потенциальную энергию двух

0,5-

электронов в состояниях

г и у, счи-

тая, что первый

электрон

находится

 

вначале координат:

срГ {хг) ер’ (*2) ф, (x j Ф/ (*2) dV2=

= i 7 r J exP H \ K

— k i\r cos Q ) ~ d V =

0

0,5

1,0

1,5

2,0 T}

Рис.

15.

Зависимость

функции

 

An

 

состояния F от Г].

Р3

|kt - к/14 ' •

 

 

 

 

 

Подставляя это выражение в (64), находим зависящий от рассмат­ риваемого состояния обменный потенциал газа свободных электро­ нов (рис. 15)

 

^обм =

Akp

 

 

 

----- (66)

 

 

где г| =

h

 

 

 

 

 

 

 

 

l

i —л*

In-

+ Л

 

2

1 4г|

 

1— г)

Для определения обменного потенциала, не зависящего от со­ стояния, выражение (66) следует усреднить по всем занятым со­ стояниям. Так как число состояний между т] и г| + dr\ пропорцио­ нально величине T\2dr\, то

 

j

(л) dr\

F(r\) -

1

 

 

^ r|3dri

поэтому после усреднения

 

 

V'Sm=

— 3

- у

что согласуется с полученным выше результатом (65).

106 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

Обменную зарядовую плотность газа свободных электронов мож­ но использовать, как предположил Слейтер [24], для определения обменного потенциала в кристалле с тем же значением электронной зарядовой плотности. Слейтеровский обменный потенциал можно записать в виде

V $M> = - 3 ( - ! - p ( r ) ) i ,

(67)

где

Р {г) = 2 ф( Фг,

i

а уравнение Шредингера с этим потенциалом —

— -у - — тг- Ф; (*i) + S \ ф/ (А'г) 7^7 ф/ (Аг) dV. Ф; (Ai) —

- 3 -к г 2 Ф/ (xi) Ф/ (Ai) ф| (Ai) - W t (A'i)

(68)

(суммирование проводится по всем занятым орбиталям с одинако­ выми и разными спинами). Умножая уравнение (68) на два, полу­ чаем

где Е( = 2е,-. Именно в таком виде уравнение Шредингера исполь­ зуется для зонных расчетов. Заметим, что при решении уравнения (69) значение Е { получаем в атомных единицах. Это же число в ридбергах и является искомым собственным значением е(.

Предложенный Слейтером способ приближенного учета эффек­ тов обмена не единственно возможный. Однако он является удачным приближением к обменному потенциалу Хартрн — Фока и поэтому широко используется при зонных вычислениях.

Кон и Шем [25] предложили новый вид выражения обменного потенциала. Они показали, что энергия основного состояния может быть записана в виде функционала

£ (Р) = J а (г) р (г) dV + F [р],

где v (г) — внешний потенциал, F [р ]— функционал, не завися­ щий от v (г). При замене плотности электронов в основном состоянии любой другой функцией энергия увеличивается. Выведенное ими на основании этих соображений одноэлектронное уравнение

( Ф

Построение уравнений кристаллического потенциала

107

описывает электронную плотность в основном состоянии:

р = 2 1Ф/ Г- Для определения потенциала Гэф необходимо конкретизировать вид функционала F [р]. Если

f l P l - T T p H - H —

|р].

то

 

 

V

1 Г Р (г') d V '

, У

'Э ф

^ I J | г г / |

" г ' обм.-корр

где Еосм.-кор — обменно-корреляционный потенциал, являющийся функциональной производной от обменно-корреляционной энергии,

Уобм.-кор = -----° g - Kop • При помощи найденных из уравнения

(70) функций фг можно определить плотность электронов, а по плот­ ности — потенциал. Эту операцию следует повторять до тех пор, пока эффективный потенциал не будет постоянным. Д0бы..кор газа взаимодействующих электронов точно не известна. Для газа электро­ нов с медленно изменяющейся плотностью применимо приближение

 

^обм.-кор =

J £обм.-кор (р (г)) р (г) dV,

где

е0бмжор — обменно-корреляционная

энергия, приходящаяся

на один электрон. В этом приближении

 

 

Гэф (г) = О (г) +

^

г , |

+

Цобм.-кор (р (г)),

где

Робм.-кор (р (г)) =

(р е 0бм .,кор)

вклад обмена и корре­

ляций в потенциал в газе электронов плотности р. Если учитывать только эффекты обмена, то в качестве е0бм.-коР можно использо­ вать выражение Слейтера (67). В этом случае выражение обменного потенциала Кона и Шема принимает вид

^ б-,ш = ■Гоби = — 2

Это выражение получается из уравнения обменного потенциала Хартри — Фока для газа свободных электронов при т] = 1, т. е.

на поверхности Ферми, где F (1) = -Ч .

Для учета эффектов обмена может оказаться полезным также метод разложения физических величин в ряд по степеням V р. Герман [26] использовал следующее выражение для энергии много­ электронной системы в приближении статистического поля:

ч

с / 3 + Гр + СаР 3 ф- CPl ■I Vpl

v2P d V ,

108 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

где кинетическая, потенциальная и стандартная (однородная) об­ менные энергии представлены первыми тремя членами, а неоднород­ ные обменные поправки второго порядка — двумя последними. При помощи соотношения

I

У3Р

1ур

dV

1

4

 

он получил выражение для обменного потенциала

Уобм а|3 — [Ot —{—|3G (р)]

(71)

где

Vp

Р

и решал одноэлектронное уравнение Шредингера с обменным потен­ циалом (71) для разных наборов а и |3. Подстановка найденных функ­ ций в выражение Хартри — Фока для полной энергии приводит к аналогичной зависимости от а и р. Полученное в так называемом приближении Уобма, когда из выражения Кобмар берется только

член, содержащий а , оптимальное значение а немного больше у .

2

В приближении 170бмар а = у , a (3 <^а. Поэтому в (71) можно по-

2

ложить а = — , тогда

Vобмар —

VобмСл -

Выражение для обменного потенциала

предложено также Ли-

берманом [27]. Если выразить импульс Ферми через локальную плотность kF (г) = (Зл2 р (г))3 и использовать формулу Томаса —

Ферми

для

импульса

электрона

 

с энергией Еп, k (г) =

= Y 2 т

(£„ —

V (г)), то

_i_

 

 

 

 

 

 

у

2m (Еп V (г))

 

 

 

-------4

з F

(72)

 

 

 

 

(Зл3р (г)) 3

Разные электронные состояния имеют разные обменные потенциалы (Еп — под знаком корня).

Учет корреляционных эффектов

Корреляционные эффекты в твердом теле учитываются при помо­ щи решения одноэлектронного уравнения для волновой амплитуды

(е — h (х) V (х)) Ф (х) — [ М (х, х', е) Ф (х’) dV' = О,

Построение

уравнений кристаллического потенциала

109

где е — энергия,

h

) — одноэлектронная часть гамильтониана,

V (х) — потенциал

Хартри,

 

р (г') dV' IГ —г' I -

М (х, х', е) — собственно-энергетический оператор, описывающий суммарные эффекты обмена и корреляции.

Влияние эффектов корреляции на энергетический спектр элект­ ронов в кристаллах почти не изучено. Оценки этих эффектов полу­ чены лишь в наиболее простых случаях. Так, в работе [28] рассмот­ рено локальное приближение к М для неона, аргона и криптона:

М (X, х', 8) = {У0бм + Укор} б х')

(зависимость М (х, х' , е) от энергии не учитывалась). Корреляцион­ ный потенциал ]/кор может быть найден из интерполяционных выражений, описывающих зависимость плотности энергии Екор в газе электронов от rs — объема, приходящегося на один электрон

[29]:

 

V — Е

1 .

dEKOP

 

у кор --- А-'КОр

3 s

drs ’

гдe r s =

3 р 3 . Корреляционные поправки к одноэлектронным

энергиям 2р (Ne), 3р (Аг), 4р (Кг) составляют примерно 0,15 рид. Известно [30], что учет корреляций в газе электронов сводится к замене кулоновского взаимодействия экранированным. При вы­

воде формулы экранированного обменного потенциала [31] кулонов­

ское взаимодействие —!— заменено выражением —!— ехр (— k r12),

Г 12

Г 12

где ks — константа экранирования. Фурье-коэффициент взаимодей­ ствия в этом случае имеет вид

о(4)

V(q) = e(q) '

где е (q) — диэлектрическая проницаемость. Наиболее простое вы­ ражение для е (q) может быть получено при использовании прибли­ жения хаотических фаз RPA. При малых q г(д) совпадает с

ZRPA (q, q0 = 0):

8 (q) — i +k2sq 2,

где ks = 0,82 (rs) 2 kF, kF — Ферми-импульс. Таким образом,

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ