книги из ГПНТБ / Слабкий Л.И. Методы и приборы предельных измерений в экспериментальной физике
.pdfжен быть Достаточно прочным, толщиной не менее 10— 12 мк. Рецепт никелевой ванны [4] (в г/л): NiSOj — 140, NaSOj — 50, NaCl — 5, M gS04 ■— 30, кислота борная'— 20.
Никелирование проводится путем электролиза в никелевой ванне. Перед ни келированием поверхность с задубленным изображением кратковременно (30 с — 1 мин) прополаскивают сначала в 10%-ном растворе H N 03, потом в воде, затем протирают венской известью и в течение 1—2 с промывают в растворе персульфа та аммония (300 г/л) с серной кислотой (40 г/л).
Для того чтобы слой никеля ложился только на ту поверхность маски, на которой получено фотоизображение структуры, противоположную сторону по
крывают лаком. |
|
|
|
Процесс никелирования ведется при напряжении на электродах U = 2,5-4- |
|
-т- 3,5 В и плотности тока / = |
0,8 -4- 1 Л/дм2 при комнатной температуре. На |
|
несение слоя никеля толщиной |
в 12 мкм достигается в течение 1 часа при / = |
|
= |
1 А/дм2. |
|
|
Удаление задубленных участков фоторезиста производят в растворе щавеле |
|
вой кислоты (250 г/л) и NaCl |
(30 г/л) при температуре 50—60° С в течение 2— |
|
3 |
мин. |
|
|
Травление маски можно проводить в 30—50%-ной азотной кислоте. |
|
|
Полученные таким путем маски имеют несколько выгнутую форму ввиду од |
|
ностороннего натяжения за счет слоя никеля. В принципе, это не имеет особого значения, поскольку маска при напылении плотно прижимается к подложке по возможности по всей своей площади. Можно получить совершенно ровные маски, если применить двустороннее фотографирование и двустороннее никелевое покры тие, однако это в значительной мере усложнит процесс изготовления масок.
Описанным способом можно делать маски, точность размеров которых выдер живается в пределах 5— 10 мкм.
Для крепления маски целесообразно применять короткие штыри (3—5 мм), которые должны плотно входить в специальные отверстия по краям маски (их можно получить либо травлением по рисунку, либо механическим способом). Для того чтобы элементы крепления не мешали наложению стеклянной подложки, раз мер маски должен выбираться несколько больше, чем размер стеклянной под ложки, по ширине и меньше, чем длина подложки.
72.Б. Н. Есельсон и др. ПТЭ, № 3, 198, 1962.
73.Б. Н. Есельсон, Б. Г. Лазарев, А. Д. Швец. № 5, 161, 1961.
74.Б. Г. Лазарев, М. Ф. Федорова. ЖТФ., 29, 862, 1959; 30, 865, 1960; 31, 864, 1961.
75.Н. Курти и др. УФЫ, 61, вып.-І, 1957.
76.М . V. Hobden, N. Kurd. Philos. Mag., 4, № 45, 1092, 1959.
77.H. С. Борисов., Н. И. Квитков и др. LT-10, 1967.
78.В. П. Пешков. LT-10, 1967.
79.И. Померанчук. ЖЭТФ, 20, 919, 1950.
80.В. К■Игнатович. УФН, 88, вып. 2, 395, 1966.
81. ІО. Д. Ануфриев. Письма ЖЭТФ, 1, (6), 1, 1965.
82.П. Л. Капица. J. Phys. (СССР), 5, 59, 1941.
83.Н. Алексеевский, Л. Мигунов. J. Phys. (СССР), 11, 95, 1947.
84.А. Б. Фрадков. ПТЭ, № 6, 215, 1965.
85.Е. А. Краснощеков, А. С. Сукомел. Задачник по теплопередаче. М . — Л.,
«Госэнергоиздат», |
1963. |
86. 0. П. Анашкин, |
И. Б. Данилов, В. Г. Кривенко. ПТЭ, № 6, 149, 1964. |
|
К п р и л о ж е н и ю II |
1. В. В. Слуцкая. Тонкие пленки в технике СВЧ. М., «Сов. радио», 1967.
2.Интегральные схемы, принципы конструирования и производства. М., «Сов. радио», 1968.
3.R. Moseson, I. Nickerson. Semicond. Prod, and Solid State Technol., 7, № 12, 33, 1964.
4.Г. T. Бахвалов, Л. H. Биркган, В. П. Лабутин. Справочник гальваностега. Изд. 2. М., Металлургиздат, 1954.