Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Слабкий Л.И. Методы и приборы предельных измерений в экспериментальной физике

.pdf
Скачиваний:
28
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
12.68 Mб
Скачать

§4. Работа ФЭУ

врежиме корреляционного счетчика фотонов

Как известно, длительность импульса иа выходе ФЭУ в случае «одноэлектронного» режима определяется степенью «размытости» сгустка вторичных (дннодных) электронов, попадающих на анод, и зависит, таким образом, от конструктивных особенностей динодной системы ФЭУ. Поэтому, если на фотокатод ФЭУ падает пуас­ соновский поток фотонов, которые не коррелнрованы и действуют на фотокатод независимо друг от друга, то в результате на выходе ФЭУ будет зарегистрирована серия последовательных импульсов, имеющих одну и ту же ширину (длительность). В случае же нали­ чия корреляции в фотонном потоке с временем корреляции тт1п, большим, чем ширина импульса, длительность выходных импуль­ сов ФЭУ будет больше, причем степень уширения будет характери­ зоваться автокорреляционной функцией для данного потока фотонов.

Рис.

114. Электрическая схема-

*

включения ФЭУ в режиме счет­

 

чика

фотонов

 

Рис. 115. Блок-схема счетчика фотонов

221

Используя это явление, молено исследовать автокорреляцион­ ные характеристики потока при помощи высокочувствительного ФЭУ, работающего в режиме счетчика фотонов (рис. 114, 115). В работе [47 ] для этой цели была использована следующая методика.

Импульсы с ФЭУ-30 поступали на спиральную линию задерж­ ки с обеих сторон, так что в ней возникала «стоячая волна» с макси­ мальной амплитудой в середине линии ЛЗ (рис. 114). Сканирующее устройство (двигатель) обеспечивало периодическое перемещение движка — контакта для съема информации (сигнала) с этой линии, давая тем самым контур импульса, усредненный по большому числу отдельных импульсов, поступающих на линию с ФЭУ. При дли­ тельности импульса т = 1 -4-2 нс скорость сканирования (и последую­ щей записи на самописце) составляла примерно 1 нс/мин.

В качестве усилителя импульсов в схеме использовался усили­ тель типа УШ-2 с пересчетным устройством типа ПС-10000. Дискри­ минатор, собранный на туннельном диоде 3 И 301 В, имел минималь­ ный порог дискриминации в 0,1 В (рабочий режим при измерениях — 1 В) при длительности дискриминации 40 нс.

Ширина импульса от пуассоновского потока фотонов при ско­

рости счета на полувысоте контура N — 300 имя!с (при комнатной температуре) составляла 1,24 нс, а ее изменение (или сдвиг) на 0,11 нс вызывал изменение средней скорости счета на ПО имп/с, что давало возможность различать сдвиг точек контура на 0,06 нс.

При сравнении ширины контура для отермошумов и подсветки от ртутной лампы ДРШ-250 (X = 5460,9 А) было обнаружено уширение контура для фотонмпульсов на 0,16 нс (на уровне V4 высоты), что указывает на временную корреляцию (когерентность) потока

Экран

Рис. 116. Схема делителя для питания ФЭУ-30

для данной спектральной линии. Наличие такой когерентности

можно объяснить, исходя из следующих соображений.

= 0,07 А

В силу допплеровского уширения линии (ширина

для данной линии ртути) имеет место временная корреляция фото­ нов с эффективным временем корреляции тгаШ, равным12

12 В пределах этого интервала времени невозможно различить двух отдельных фотонов.

222

1

T ' m l n д . ,

 

AVmax

 

Поэтому автокорреляционная функция такой спектральной

линии заметно отличается от нуля для

1,2 нс, что дает возмож­

ность зарегистрировать эффект корреляции фотонов с помощью данной аппаратуры.

Использованный в этой установке фотоумножитель ФЭУ-30 имеет систему эмиттеров (динодов) тороидального типа, содержащую 14 умножительных каскадов. По данным работы [48 ] ниже приведены некоторые параметры ФЭУ-30, а на рис. 116—схема делителей на­

пряжения

питания

его

электродов:

 

 

 

 

с /ф э у .

к В

ДХ. А К у с

ФЭУ

S , мкА/лм

т ,ІМП, нс

Дтп р , нс

т и р . нс

/ т . мкА

3—3,5

3500—6000

10я

65

2,5

0,5

40

ІО“ 2—0,7

Описанные выше схемы для регистрации очень слабых световых потоков могут найти широкое применение в самых различных об­ ластях физического эксперимента, например, в экспериментах по проверке основных положений квантовой теории, в экспериментах по обнаружению нелинейных эффектов типа рассеяния фотона фо­ тоном и т. д.

Г л а в а 3

КРИОГЕННЫЕ ПРИБОРЫ И АППАРАТЫ

Применение низкотемпературной измерительной техники в пре­ дельных измерениях имеет целый ряд очевидных преимуществ по сравнению с использованием любых других типов приборов. В первую очередь, это — более низкий уровень тепловых (найквистовских) шумов, мощность которых пропорциональна температуре: W = kTAf. Этим, однако, не исчерпываются возможности низко­ температурных устройств. Так, используя явление сверхпроводи­ мости (и сопровождающий его диамагнетизм сверхпроводников), можно создать электромагнитные экраны с весьма высоким коэф­ фициентом экранирования, вплоть до достижения абсолютного экранирования при использовании эффекта квантования магнит­ ного потока. Кроме того, применение сверхпроводников позволяет по существу изготовить целый ряд новых типов измерительных приборов с очень высокой чувствительностью как по току, так и по напряжению (вплоть до ІО-17 В), а использование такого свойства жидкого гелия II = 3,18° К), как сверхтеплопроводность, дает возможность осуществить весьма эффективную температурную ста-

223

билпзацию. Все эти далеко не полностью перечисленные преиму­ щества криогенных приборов делают их применение очень перспек­ тивным даже несмотря на некоторое усложнение аппаратуры и ус­ тановок, связанное с необходимостью иметь дыоары и другое до­ полнительное оборудование.

Вэтой главе будут рассмотрены некоторые методы измерений

иприборы, работающие при криогенных (гелиевых) температурах с использованием эффекта сверхпроводимости и ее квантовых свойств. Описываемые здесь приборы, как правило, служат для измерения малых токов и напряжений в низкоомных цепях.

§ 1. Сверхпроводящий гальванометр постоянного тока

Как уже отмечалось нами выше (см. разд. 2, § 5), предельная чувствительность гальванометра зависит от температуры Т его де­ талей (в частности, рамки и нити системы подвеса) и определяется формулой

где

Ах — смещение

подвижной системы при ее флуктуационных

крутильных колебаниях;

k — постоянная

Больцмана, %— жест­

кость системы подвеса с

учетом действия

всех восстанавливаю­

щих

сил.

 

 

 

С другой стороны, отклонение подвижной части системы подвеса

Ах пропорционально

внешней силе F = рудЯ и обратно пропор­

ционально жесткости

к (здесь руд — удельный (на единицу длины)

магнитный момент системы подвеса, Я — напряженность магнит­ ного поля, создаваемого измеряемым током /).

В предельном случае получим

Я т 1п ~ (К у д ) 1 ( к к Т ) ^ .

(5.40)

(5.41)

Понижение рабочей температуры Т от 300 до 4,2° К уменьшает предельно обнаружимый ток / т1п примерно в 8,5 раза. Дальней­ шее увеличение чувствительности гальванометра может быть достиг­ нуто уменьшением суммарной жесткости к, которая определяется жесткостью нити подвеса и силой взаимодействия магнита подвеса с остаточным внешним полем Я 0 (в частности, с полем Земли).

Используя сверхпроводящие экраны, можно с помощью доволь­ но простой методики достичь уменьшения внешнего геомагнитного поля в объеме прибора примерно на 2 порядка, причем такой сверх­ проводящий экран будет одновременно служить защитой от внеш­ них наводок и медленно изменяющихся магнитных полей. Это дает возможность применять систему подвеса с постоянным магнитом, которая не требует наличия токоподводящих проводов к подвиж­ ной рамке, что способствует повышению аппаратурной (т. е. тех-

224

нически реализуемой) чувствительности прибора. Если теперь в качестве катушки, создающей поле Я ~ / изМ, взять несколько вит­ ков сверхпроводящей проволоки, то ее сопротивление постоянному току будет определяться главным образом подводящими проводами.

Ниже приводится описание одного из возможных типов таких гальванометров с подвижным магнитом [49], имеющего следующие параметры: Ѵш1п = К)-12 В при Яобмотк» = Ю~7 Ом, / шіп-

==ІО-5 А, Я0Ст сь: 0,01 гс.

Подвижная система подвеса с одним постоянным магнитом

(длина магнита 2 мм, материал — альнико, магнитный момент р, = 0,2 абс. электромагнитных ед.), укрепленным на кварцевой нити диаметром 5 мкм и длиной 12 см с помощью шеллака, подве­ шена в трубке, соединенной с массивной медной полостью-. Эта по­ лость служит для демпфирования колебаний магнита за счет инду­ цируемых в ней электрических токов.

Отклоняющие одновитковые кадушки (г ВНтка = 1,2 см) нахо­ дятся в пазах медного блока. Он-я'йзготовлены из омедненной свин­

цовой проволоки, полученной заливкой расплавленного

свинца

в медную трубку м последующим волочением.

50 см при Т =

4,2° К

Сопротивление такого проводника длиной

не превышало 10~10 Ом, а критический ток был более 0,75 А. Соеди­ нение витков с подводящими проводами осуществлялось при помощи пайки сплавом Вуда. Для уменьшения внешнего поля Я„ служит система катушек Гельмгольца (55 витков медного провода), которая позволяет частично скомпенсировать поле Я 0 в объеме магнита до появления сверхпроводимости. Снаружи вся система закрыта свин­ цовым сверхпроводящим экраном толщиной 0,4 мм.

После заполнения прибора жидким гелием происходит вмора­ живание поля, примерно равного земному, в экран. Затем экран поворачивается с помощью шлифа таким образом, чтобы вморожен­ ное поле было примерно перпендикулярно оси отклоняющих кату­ шек. Пропуская небольшой ток через компенсирующие катушки, мож­ но добиться практически полной компенсации поля в области, где расположен магнит. Поскольку величина компенсирующего тока невелика, то его нетрудно поддерживать с нужной степенью ста­ бильности.

Чувствительность системы подвеса составляет для такого галь­ ванометра 6 - 1 0 Н-см/рад при периоде колебаний т 0 = 12 с, что соответствует чувствительности по току и напряжению, равной соответственно 15 см!мА и 1,5 ммі 10~12 В.

Минимальная мощность сигнала, обнаружимая таким гальвано­

метром за время Д т~ т0, равна примерно 10-17

Вт, что намного пре­

вышает предельно обнаружимую мощность

при Т =

4,2° К

и

Af =

0,1 гц, которая равна ~ 10 -23 Вт, однако она на

1—2

по­

рядка ниже, чем мощность, регистрируемая обычными

зеркаль­

ными

гальванометрами.

 

 

 

Применение такого прибора, очевидно, целесообразно только для очень низкоомных источников э.д.с.

8 Л. И. Слабкнй

225

§ 2. Криогенный джозефсоновский потенциометр с чувствительностью І Ю “ 15 В

Для проведения измерений в цепях с очень низким сопротив­ лением (порядка ІО-5 —10 -8 Ом) в качестве высокочувствитель­ ного нуль-индикатора можно использовать туннельный переход Джозефсона, имеющий достаточно крутую вольт-амперную харак­

теристику

U — U (/)

при

І > І С,

где

Іс — критический

ток для

данного

перехода, при

котором

на

нем

возникает

напряже­

ние [50,

51].

 

 

 

 

 

 

Измеряя напряжение на переходе, можно по вольт-амперной

характеристике найти ток через переход.

 

 

Здесь,

однако, нас

будет интересовать

другая зависимость,

а именно, зависимость напряжения

U на переходе от тока / и через

«индикаторную» цепь (ниобиевая проволока), магнитное поле ко­ торой влияет на величину U при воздействии этого поля на джозеф­

соновский переход. Тогда, измерив U и

определив тем самым /„

по U — / н характеристике, полученной

заранее

при достаточно

больших изменениях /„ (рис. 117), можно найти

падение

напря­

жения U0 в измерительной цепи (мост), если известно сопротивле­

ние этой цепи.

измерений очень малых

На рис. 118 [51] приведена схема для

сопротивлений Rs по известным значениям / s, RF, IF и

причем

/ н служит «индикатором нуля». Сначала путем регулировки «тока смещения» / через переход выбирается подходящая рабочая точка на вольт-амперной кривой, при которой изменение 6£//б/н макси­ мально, причем это проводится при / 8 = 0.

При разомкнутом сверхпроводящем ключе изменяют ток через ниобиевую проволоку до тех пор, пока ток обратной связи IF не станет равным нулю. Это значение тока /и и будет «нулевым», т. е. будет служить мерой баланса нуль-индикатора. Затем, замыкая сверхпроводящий ключ, включают одновременно ток Is через со­ противление Rs и увеличивают его до тех пор, пока / я не достигнет своего «балансного» значения, отвечающего нулевому току обрат­ ной связи Ір.

Измерив и / 5, можно найти Rs = RF (IFIIS). При

сопротив­

лении измерительной цепи

(Rs — ключ —• RF), равной

ІО-8

Ом,

и токовой чувствительности

/ н в точке

баланса, равной' ІО-7

А,.

чувствительность

джозефсоновского

индикатора

составляет

1 • ІО-15 В при постоянной времени «вторичной» индикаторной цепи 1 с13. Применение обратной связи дает возможность получить столь малую постоянную времени потому, что в этом случае суммарная постоянная времени системы в | раз меньше ее собственной постоян­ ной времени (£ — коэффициент усиления в цепи обратной связи)*

13 Как известно, постоянная времени для цепи с R и L равна L!R и может й— ве­

лика при

0.

Рис. 117. Зависимость напряжения на туннель­ ных контактах от величи­ ны «подмагничивающего»

тока

Ін для двухбарьер­

ного

 

джозефсоновского

интерферометра

при

Т =

= 4,22°

К (а) и

при

Т =

= 2,22°

К (б)

 

 

Ток Ін,нА

Рис. 118. Блок-схема вы­ сокочувствительного криогенного потенцио­ метра

Туннельные джозефсоновские переходы, применяемые в этой схеме, могут быть сравнительно просто изготовлены следующим

способом [50].

Участок изолированной ниобиевой проволоки диаметром 0,05 мм зачищается с одной стороны на длине около 2 мм и затем быстро погружается в каплю расплавленного припоя ПОС-50, покрытую снаружи хлористым цинком.

227

8 *

Ток перехода I, нА

Рис. 119. Вольт-амперные характерис­ тики туннельного джозефсоновского перехода при 7'=4,22 и 2,22° К

В результате между каплей и проволокой возникает пара джозефсоновских туннельных переходов, сопротивление которых ле­ жит в пределах 0,05—0,2 Ом при комнатной температуре.

На рис. 119 приведены вольт-амперные характеристики тун­ нельного перехода при Т = 4,22 и 2,22° К. Хотя для различных переходов эти кривые несколько отличаются друг от друга, причем их вид может зависеть также и от предшествующего воздействия магнитного поля и температуры на образец, тем не менее в неизмен­ ных условиях работы, когда переход защищен от электрических переходных процессов и внешних полей и стабилизирован по тем­ пературе, то его U I характеристики являются очень стабиль­ ными. Типичная токовая чувствительность переходов (по магнит­ ному действию тока / н) составляет обычно около 0,1 мВІмА при Т = 4,2° К и рабочей точке, выбранной на достаточно длинном крутом участке функции U = U (/).

Особо следует остановиться на изготовлении РЬ — Nb-контак- тов, поскольку ниобий практически чрезвычайно плохо поддается лужению (он окисляется даже при нагреве паяльником, и его по­ верхность приобретает синевато-фиолетовый цвет за счет возник­ новения окисла ниобия. Эта пленка обладает изоляционными свой­ ствами и является достаточно прочной).

Для изготовления контактов РЬ — Nb может быть использован следующий прием.

Свинцовый стержень вставляется в цилиндр из ниобия, затем этот узел погружается в СС14 и подвергается всестороннему (по по­ верхности цилиндра) обжатию до тех пор, пока диаметр ниобиевой трубки со свинцовым стержнем не уменьшается в 2 раза. При таком

способе

соединения контактное сопротивление не превышает

~ 1 0 -12

Ом [51].

ру

Для подсоединения свинцовой проволоки к свинцовому цилинд- .

используется обычная пайка припоем РЬ — Sn с содержанием

РЬ

не менее 60%, а контакт РЬ — Nb (проволоки и цилиндра) осу-

228

ществляется с помощью точечной сварки. Таким же путем к ниобию можно приваривать некоторые другие металлы, например пла­ тину.

Предельная чувствительность джозефсоновского «нуль-индика­ тора» определяется главным образом термическими «шумами», которые обусловлены нестабильностью температуры отдельных узлов измерительной схемы. Так, выше A-точки жидкого гелия вследствие температурных градиентов происходит дрейф напря­ жения порядка ІО-13 В/мин. Эти шумы могут быть полностью исключены при использовании жидкого Не ниже A-точки, когда в силу очень большой его теплопроводности всякие температурные градиенты исчезают. При этом шумы имеют порядок ~(10_15-=- Ч-10~1е) В. Природа этих шумов может быть различной — это мо­ гут быть различные наведенные паразитные напряжения, помехи от переходных процессов, нестабильность поддержания темпера­

туры гелиевой ванны, дрейф тока

смещения и обычные тепловые

(найквистовские) шумы, которые в

полосе частот Д/ = 1

гц при

Т = 3° К дают на сопротивлении

R — ІО-8 Ом среднеквадрати­

ческую флуктуацию напряжения (ДU2)1/* = 0,63-О-15 В.

переходов

Описанный здесь способ изготовления туннельных

можно применить для изготовления различных приборов и датчи­ ков, использующих эффект Джозефсона. Так, например, могут быть сравнительно просто сделаны очень чувствительные магни­ тометрические датчики [53, 54], где в качестве туннельных пере­ ходов используются либо точечные контакты Nb — Nb, Pb — Nb [53], либо «вплавленные» контакты, которые дают очень стабильные характеристики и практически не изменяются в течение длительного времени в отличие, например, от структур металл — изолятор — металл — / — М) типа «слоеного пирога», которые требуют хранения при низких температурах ввиду неустойчивости слоя по отношению к термодиффузии.

Величина тока / н, а также и величина сопротивления R для джозефсоновского контакта должны лежать в определенных интер­ валах, поскольку наблюдение интерференционных эффектов в джозефсоновских барьерах возможно только при выполнении опреде­ ленных условий.

Так, если энергия связи

(5.42)

(А — эффективная энергетическая щель для сверхпроводников, R — сопротивление барьера, qe — заряд электрона) мала по срав­ нению с тепловым шумом источника тока (находящегося при ком­ натной температуре), равным —^10—30 R Дж, то этот токовый шум может привести к нарушению фазовых корреляций и подавлению интерференционной картины, что имеет место для R > (10 Ч- -Ч-20) Ом [53].

229

С другой стороны, энергия связи джозефсоновского барьера может быть записана в виде [53]

где / с — критический ток перехода.

 

kT при

Т =

Эта величина становится соизмеримой с энергией

= 300° К для

значений тока

/ с = 10-5 А,

т. е. для

превышения

энергии связи

над энергией

тепловых флуктуаций источника

тока

величина Іс должна быть порядка 10~5Л

или больше. Это

усло­

вие, однако, не вполне точно, поскольку при измерениях на об­ разцах с двумя джозефсоновскими барьерами (типа двухконтакт­

ного кольца) энергия связи может быть записана в виде Ѵ8 (CDQ/L), где Ф 0 есть квант магнитного потока. В частности, при L ~10-8 Г эта энергия соизмерима с kT уже при Т = 4,2° К, что и дает воз­

можность наблюдать интерференционные явления

в таких структу­

рах даже при токах ~ 10 -7 Л, в то время как для

одиночных барь­

еров дифракционные джозефсоновские полосы

не наблюдаются

при таких токах.

 

§ 3. Сверхпроводящие модуляторы и усилители

Используя такие свойства сверхпроводников, как идеальный диамагнетизм и возможность перехода из нормального состояния в сверхпроводящее и обратно при изменении магнитного поля или температуры в небольших пределах, можно сконструировать моду­ ляторы магнитного потока или электрического тока [55—57], на основе которых могут быть построены высокочувствительные уси­ лители постоянного тока с собственным шумом порядка 10-11 В или менее.

В [56]

приведена схема усилителя со

сверхпроводящим моду­

лятором,

эффективное напряжение шума

которого составляет

~ 2 ІО-11 В при входном импедансе около

 

10-3 Ом.

В этом усилителе используется магнитная модуляция сопротив­ ления танталовой проволоки, которая соединена последовательно с низкоомным источником исследуемого напряжения и первичной обмоткой миниатюрного низкочастотного трансформатора, который также находится в ванне с жидким гелием.

Таким образом, малая

разность потенциалов, приложенная

к обмотке трансформатора,

периодически прерывается и резуль­

тирующий низкочастотный сигнал поступает на вход усилителя переменного тока. Такая схема позволяет исключить влияние пара­ зитных термо-э. д. с. в проводах, идущих к усилителю, и делает работу всей схемы весьма стабильной.

В качестве модулируемого звена входной цепи используется танталовая проволока диаметром 0,0008 см, критическое поле Нс кото­ рой при Т = 4,2° К равно 60 гс, а сопротивление в нормальном со­ стоянии составляет около 0,1 Ом. Проволока покрыта слоем лака

230

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ