Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Слабкий Л.И. Методы и приборы предельных измерений в экспериментальной физике

.pdf
Скачиваний:
28
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
12.68 Mб
Скачать

датчика, который пропорционален смещению центра массы подве­ са относительно некоторого положения равновесия (дна по­ тенциальной ямы) и скорости его изменения. В качестве датчика сигнала ошибки применяется обычно либо индуктивный, либо ем­ костный датчик, являющийся составной частью колебательного контура, питаемого от генератора высокой частоты (1—10 Мгц). Расстройка этого контура при изменении параметров датчика и соз­ дает сигнал ошибки, который усиливается и подается для питания катушки-соленоида. Кроме этого сигнала, пропорционального Дх

(смещению), обычно берется сигнал, пропорциональный Дх, кото­

рый получают путем дифференцирования сигнала U (Дх) на RC- цепочке. Этот сигнал U (Дх), с опережением по фазе, также пода­ ется на сетки ламп, управляющих током соленоида.

На рис. 58—60 приведены некоторые практические схемы маг­ нитных подвесов [4—8].

Отметим, что такого рода схемы обладают довольно узким диа­ пазоном устойчивой работы и требуют тщательной настройки и конт­ роля всех напряжений. Типичные неустойчивости — это либо воз­ никновение вынужденных колебаний объекта подвеса, либо его плавное опускание (подъем). Обычно целесообразно применять ре­

гулировку не только по усилению сигналов U (Дх) и U (Дх), но и изменять частоту генератора, его амплитуду и т. д. В некоторых случаях целесообразно применение добавочных (дифференциальных)

обмоток на соленоидах для прямого получения сигналов U (Ах) и

даже U (Дх). Весьма существенным является также выбор материа­ лов для сердечника соленоида и объекта подвеса; наиболее под­ ходит для этой цели мягкое железо типа АРМКО, либо магнитодиэлектрики с малыми потерями на гистерезис и малой # с.

Система регистрации крутильных колебаний таких весов мо­ жет быть как радиотехнической, так и оптической, причем в каче­ стве «возвращающей пружины» может быть использован заряжен­

ный

дифференциальный конценсатор.

Магнитный подвес может быть осуществлен и без применения

электронной

следящей системы,

а именно, на основе использова­

ния

свойств

сверхпроводников

как идеальных диамагнетиков.

На

рис. 61 показаны различные конфигурации магнитных полей

вблизи сверхпроводящей сферы, создаваемых двумя витками с то­ ком, а на рис. 62 и 63 — конструктивные элементы такого подвеса с использованием постоянных магнитов. На рис. 64 показан сверх­ проводящий шар, висящий в поле двух катушек с током. Вся си­ стема помещена в дьюар с жидким гелием (см. [76] в разд. 5).

6 Л. И. Слабкпй

161

 

0,76см

Рис. 63. Конструкция постоянных магнитов для

криогенного подвеса

а — магнитная система с полюсными наконечниками;

б — система без полюсных нако-

нечннков

 

Рис. 64. Сфера из сверхпроводника, свободно «парящая» в магнитном поле, соз­ данном системой катушек с током

Г л а в а 2

ИЗМЕРЕНИЕ МАЛЫХ ЛИНЕЙНЫХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ

В настоящее время известно довольно много различных ус­ тройств как оптических, так и радиотехнических (например, диф­ ференциальные трансформаторы, потенциометрические датчики и т. д.)> которые позволяют измерять достаточно малые относитель­ ные перемещения каких-либо двух макроскопических тел. Их чув­ ствительность, однако, невелика — предельно регистрируемые та­ кими датчиками смещения составляют единицы или доли микрона.

Однако в целом ряде случаев требуется измерять значительно меньшие величины смещений, например порядка ІО-8 см (1 А) и даже ІО-11 см или еще меньше. Для этих целей могут быть исполь­ зованы либо специальные оптические датчики, либо емкостные дат­ чики, к описанию которых мы перейдем несколько ниже. Покажем, что столь малые смещения, в принципе, также хорошо измеримы, как и большие. Это никак не «противоречит» атомарной струк­ туре поверхностей, смещение которых друг относительно друга подлежит измерению, поскольку интегральная (средняя) геомет­ рическая плоскость практически не испытывает заметных флуктуа­ ций. Покажем это.

Оценка для величины среднеквадратической флуктуации длины жесткого стержня с коэффициентом жесткости % для собственных колебаний в области частот до резонанса может быть найдена по следующей формуле:

(Д І2)7’ = к -1 (F2)7*,

(4.5)

где величина силы F'2 определяется флуктуационной теоремой Найк­ виста

 

Р = 4^Г Я Д /.

(4.6)

Здесь А/ — полоса

пропускания измерительной

системы; Я —

коэффициент трения,

определяемый

как

 

 

Я = - рпез-

-,

(4.7)

 

Ѵмех

 

 

где Шез — собственная (основная)

резонансная

частота стерж­

ня для его продольных колебаний; т* — эффективная масса стерж­

ня; QMex — его механическая добротность.

 

L = 10 см

Для случая тонкого бронзового стержня длиной

(т* = 1 г, Q„ex — 102, Ш ез ~ 5,53-10* рад-с-1,

Я

~

5,53 ДО2)

при температуре Т = 300° К и полосе частот А/ =

1

гц

находим

AL = ('ДГ2)7* ~ 3,15-ІО“ 18 см.

Таким образом, даже при Д/ = 1 гц среднеквадратическая ампли­ туда флуктуации положения торца стержня значительно меньше,

163

6 *

чем ІО“1'2 см, а тем более — характерного атомного размера, рав­ ного ~ 1 0 -8 см.

В следующих параграфах будет дано описание различных ем­ костных датчиков и проведена оценка их влияния на измеритель­ ные системы.

§1. Емкостные датчики

иих предельная чувствительность

На рис. 65 приведена электрическая схема емкостного датчика, в котором для увеличения стабильности его работы применена мо­ стовая схема включения, двух контуров — измерительного L 1C1

.Рис. 65. Мостовая схема для регистрации малых изменений измерительной ем­ кости датчика смещений, подключенного к контуру L2C2

и контура сравнения L 2C2. В качестве источника питания такого моста использован кварцевый генератор, который обеспечивает более высокую стабильность работы всей схемы, чем в случае схе­ мы рис. 56, так как, во-первых, его частотная стабильность весь­ ма высока (Асо/со ~ 10_6 н- ІО-7 ) и, во-вторых, наличие дифферен­ циальной схемы включения контуров обеспечивает почти полную независимость амплитуды выходного напряжения от нестабиль­ ности параметров их катушек. При этом, однако, сохраняются ам­ плитудные флуктуации, что ограничивает реальную чувствитель­ ность такой схемы величиной регистрируемого смещения ALml„ ~

~(10~8 -г- Ю- 9 ) см для А/ ~ 0,1 -f- 1 гц.

Величина выходного сигнала для емкостного датчика при оп­

тимальной настройке на склон резонансной кривой измеритель­ ного контура равна, как известно:

А£Увых = 0,5UoQan -Щ- -= 0,5UoQgj,

,

(4.8)

164

где Uо — фактическое напряжение на контуре; Q3iII — добротность контура; d — расстояние между пластинами емкостного датчика.

Из этой формулы следует, что для уменьшения регистрируемой величины Лd необходимо максимально уменьшать d, С/ВЬ1Х и уве­ личивать Uо и Q3JI. Здесь, однако, есть свои ограничения, которые не позволяют изменять эти параметры неограниченно. Дело в том, что увеличение напряжения U0 на контуре приводит к увеличению силы притяжения между пластинами датчика — конденсатора, что не всегда допустимо. Кроме того, флуктуация величины ІІ0 также может привести к неприятным последствиям.

Условие малости влияния параметра ІІа на измерительную систему типа дифференциальных весов можно записать в виде

(4.9)

где С — емкость датчика; d Q— расстояние между его пластинами. Если же применена система компенсации этой силы электростати­ ческого взаимодействия, то данное условие заменится следующим:

б

с и і

CUl

6U0

(4.10)

2d0

 

Uo « { F L ^ ,

 

 

 

где бU0/U 0— относительная нестабильность высокочастотного на­ пряжения на контуре. Так, если С — 10 пф, d0 ~ 10-2 см, U0 = ■= 3 В и 2 (бU0/U о) = 2 -10_ 5, то б (CU0/2d0) ~ 10~ в Н, в то вре­

мя как величина (Емех)'/г при Т = 300° и. А/ = 1 гц значительно ниже. Таким образом, такой датчик не позволит измерить предель­ ные значения колебаний весов, определяемых флуктуационной

силой (Емех)І/г- Дело, однако, будет обстоять еще хуже, если учесть влияние емкостного датчика на динамические свойства колебатель­ ной системы, амплитуду колебаний которой он измеряет.

Следуя [9], будем различать два типа настройки датчика от­ носительно высокочастотного питающего генератора:

а)

со

генератора >

со 0 =

1/-/LC (правый склон резонансной

кривой

контура);

 

 

__

б)

со

генератора С

со 0 =

1 у

LC (левый склон)

(здесь L и С — индуктивность

и емкость измерительного контура

емкостного датчика).

В случае работы на левом склоне имеет место внесение добавоч­ ного затухания в измерительную систему (например, в случае ве­ сов происходит увеличение декремента затухания механических колебаний при одновременном увеличении их периода), причем затухание тем больше, чем больше величина высокочастотного на­ пряжения Uc на контуре.

При работе на правом склоне, наоборот, наблюдается раскачка механических колебаний системы, в которую включен емкостной датчик, и чем больше величина,0 С, тем сильнее уменьшается ре­ зультирующий декремент затухания. Уже при значении Uc = (2 -ь

165

Ч- 3) В в системе типа крутильных весов (ѵкр ~ 9 -ІО-3 гц, со0 ~ ~ 10_ 5 радje) нарастание амплитуды колебаний происходит даже при очень малых начальных амплитудах.

Причина этого явления заключается в том, что ввиду возникно­ вения между пластинами измерительного конденсатора сил элект­ ростатического взаимодействия в систему вносится некоторая диффе­

ренциальная жесткость Ах, которая

определяется как

 

дРэл

 

(4.11)

dd

'

 

где Fэл — электрическая сила; dd — изменение зазора измеритель­ ного конденсатора в процессе колебаний механической системы.

Поскольку сила F3J1 и напряжение на контуре Uc равны:

 

 

 

 

Fэ

си\

 

oll2.

 

 

 

 

 

(4.12)'

 

 

 

 

2d0

 

Bml0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

О

 

2

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

—‘/я

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(V).ген \ "

+

со

 

(4.13)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

“ 5

/

~ s S ~

J

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

"0<2эл

 

 

 

 

(£/„ — напряжение

генератора)

и

учитывая,

что при

оптималь­

ной

настройке

величина

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

_

I

I

ß

 

 

 

(4.14)

 

 

 

 

 

 

 

CÜg

 

 

 

2<3эл

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и ß ~

1 (при этом Ua ~

0,707 (УтаХ), получим для малых отклоне­

ний у от величины d0 [9]:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Fэл —

 

16яdg

 

 

 

 

 

 

І

~4~

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

4ß3 (ß — 1)

п 3

(_у_

 

 

(4.15)

 

 

 

 

 

 

(1 + ß*)»

Уэл [ d0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

причем знаки +

 

и —

соответствуют

правому и левому

скло-

нам резонансной

кривой.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В линейном приближении величина Ах будет равна:

 

 

 

Ах =

дРэл

 

.—1 дРт

=

+

UIQ

 

 

(4.16)

 

ди

 

ао

дх

 

16ЯС^

 

8яdg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(t/G — значение

амплитуды

 

колебаний

на контуре при ß =

±1),

т.

е. вносимая жесткость будет иметь разный знак (такой же,

как

знак ß) при настройке на правый (ß ~

+1) или на левый (ß ~

 

—1)

склоны

резонансной кривой.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Например, для

механической системы с параметрами т = 4 г,

т 0 =

12

с, хэкв =

1,3-ІО-3 НІсм

при

напряжении

Uc =

6

В,

Qaji =

50, 6 = 4 см2 и d0 =

0,15 см величина Дх = 0,5- ІО-5 НІсм,

т.

е.

соизмерима с хЭкв-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

166

Условие возникновения нарастающих колебаний в механиче­ ской системе с емкостным датчиком можно получить следующим образом. Поскольку установление процесса колебаний в контуре при его расстройке происходит за некоторое конечное время, то внесение добавочной жесткости в систему происходит с задерж­ кой.

Поэтому уравнение крутильных колебаний будет иметь вид

тэкву + Ну + (%экв ± Ахх)и = 0,

(4.17)

причем характерное время запаздывания т равно

т = - ^ - ~ 1 0 - 5 с

(4.18)

(здесь Н — коэффициент трения).

Для правого склона (знак + перед Дх) область, в которой .бу­ дет иметь место самовозбуждение, определяется условием

 

 

Я г /< | Дхтг/|,

 

(4.19)

т. е., с

учетом малости колебаний, можно

написать

для условия

самовозбуждения

 

 

 

 

 

 

Н = Дхт 4 - ^ Д х тт,

 

(4.20)

 

 

 

У

 

 

а минимальное значение напряжения Uc на контуре,

приводящее

к «раскачке», будет

равно

 

V.

 

 

 

Uо, min '

шмехотэкв8^ 0

(4.21)

 

 

ЯмехСГПЗэп

 

 

 

 

 

 

Оценка величины

{УСіт1п Для рассматриваемой системы дает

UCimln

23 В, в то время как экспериментально наблюдается рас­

качка уже при 2-^3 В. Это объясняется тем, что при неоптимальной

настройке (например, для ß ^ 2)

и амплитуде колебаний ~ 1 0 -3

см необходимо учитывать нелинейные члены, так

как при

этих

условиях именно они являются

определяющими;

кроме

того,

вследствие различных флуктуаций всегда имеют место некоторые начальные колебания весов, что способствует их раскачке.

Эффекты, аналогичные рассмотренному, могут иметь место в различных электромеханических системах, в частности в магнит­ ных подвесах, вызывая неустойчивость системы подвеса.

Возвращаясь теперь к чувствительности емкостного датчика, можно сказать, что несмотря на принципиальную возможность измерять радиотехническими средствами весьма малые смещения

(например, для б/вых ~

ІО-8 В, dü = 10_3 см, Uй ~

20 В, Q3n~

~ 103, Admin^lO-14 см),

реальный учет взаимного

влияния дат­

чика и колебательной системы приводит к значительно меньшим величинам допустимой чувствительности. Так, по данным [13, 14],

167

чувствительность емкостного датчика была доведена до ІО-11 см, однако реализация такой чувствительности, с учетом всего сказан­ ного, не является очень простым делом, особенно для систем с ма­ лой жесткостью.

§ 2. Оптические датчики малых смещений

Рассмотрим некоторые типы оптических датчиков для регистра­ ции малых перемещений, основанных на прерывании светового потока

вфокусе линзы, в также растровые и интерференционные датчики

идатчики, в которых используются газовые лазеры.

Рис. 66. Оптическая схема датчика малых смещений

На рис. 66 приведена схема оптического датчика с предельной

чувствительностью ~ 10 -в

см.

~ 1 0 -2

При чувствительности

фотосопротивления, равной

АІлм-В, и напряжении на нем U — ІО2 В величина тока

/ (в А)

равна падающему световому потоку (в лм).

 

Так, для схемы рис.

66 при L= ІО2 см, F = 1 см и лампе в 25 се

на фотосопротивление

(ФС) (без учета потерь в окуляре)

падает

—2,5-10~3 лм, что вызывает ток / = 2,5-10-3 А. Используя галь­ ванометр с чувствительностью 10-10 A/дел (~ 10 - 5 В/дел), можно сравнительно просто заметить изменение потока на 2,5-10- 7 его величины, а поскольку размер изображения нити накала в фокаль­ ной плоскости окуляра равен ~ 1 0 -2 см, то перемещение лезвия — экрана — на 10-2 см полностью перекроет весь световой поток. Таким образом, регистрируя изменение этого потока на 2,5-ІО-7 его величины, можно тем самым измерить смещение лезвия экрана на 2,5-10"9 см.

В действительности, однако, этого не удается достичь по следую­ щим причинам. Во-первых, при квазистатических (медленных) измерениях в сильной степени сказываются собственные шумы и

нестабильности в работе фотосопротивления — дрейф

иногда мо­

жет достигать 10~8 А в минуту и даже больше. Кроме

того, неста­

бильность температурного режима источника света — лампы — также создает значительный шум (эффект «провисания» нити, за­ висящий от ее температуры); температурные шумы фотосопротив­ ления и другие причины приводят к тому, что реальная чувствитель­ ность данной схемы, как правило, не превышает ~ 1 0 -в см (для

168

отдельно взятого измерения) и может быть повышена лишь путем применения статистической обработки большого числа измерений.

Другим возможным вариантом оптического датчика является так называемый оптический рычаг [10—12], схема которого при­ ведена на рис. 67. Измеряя смещение фраунгоферовой дифрак­ ционной картины от решетки Gx на величину, малую по сравнению с шириной главного максимума, можно обнаружить весьма малые угловые смещения зеркала М. Так, при полном исключении всех температурных флуктуаций минимальное значение изменения све-

Рис. 67. Схема оптического датчика угловых смещений с применением растровых ре­ шеток и оптического ры­ чага

5 — источник света; Р — фото­ умножитель; М — зеркало, G Jt G 2 — растровые решетки

тового потока в точке Р определяется исключительно флуктуация­ ми полного числа фотонов в этом потоке. По данным [11] удается различать угловые смещения зеркала на Дер ~ 10-10 рад, что со­ ответствует линейным смещениям ІО-12 см (за счет использова­ ния светового рычага). Такая чувствительность, однако, кажется слишком завышенной. В самом деле, даже если ограничиться толь ко одними фотонными шумами, то при потоке фотонов на приемник

(ФЭУ), равном Ns фотонов в секунду, среднее число вырываемых

ими фотоэлектронов будет составлять за то же время qNs, где q — квантовый выход для данного ФЭУ. Флуктуация этого числа фото­

электронов будет равна (qNs)'/*, а минимально обнаружимая раз­ ница для двух сравниваемых фотоэлектронных токов составит

(qNs)~'/°- за 1 с.

Величина qNs, выраженная через мощность падающего свето­ вого потока W, площадь окна ФЭУ о, длину волны X и квантовый выход q, равна [10]

qNs =

\WWo%*q

(4.22)

 

h24

 

(h -т- постоянная Планка; c0 — скорость света). Поэтому, если пер­ вичный световой поток, падающий на ФЭУ, равен 10-7 в/п (1 лмім3 при X = 0,55 мкм), то при значении q = 0,1 и а = 1 см2величина

qNs равна примерно 2,5 ПО11. Следовательно, минимально обна­ ружимая разница составит {qNß)~'^ = 2 -10~6 относительно пол­

169

ного сигнала, что при коэффициенте оптического рычага К = Ю2,

периоде решетки ~ 1 0 -3 см и размере зеркала

а ~

0,5 см составит

А 1 0 _3-ІО-2 • 10~°

~ 1 0 -11 см.

Учитывая,

что

фактически до­

стижимая точность в измерении ДW/W за счет случайных ошибок

вряд ли превышает 10_і—ІО-5 , найдем,

что предельно обнаружи­

ваемое смещение будет ~

10-9 —10-10

см.

 

 

Для оптических датчиков интерференционного типа, в случае

только фотонного шума, имеется информация о фазе ср лучей.

При начальном

потоке

N квант/с флуктуация фазы ср равна

Дер = ЛГ-Vs

и,

следовательно,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ДІѴ Дер =

1.

 

 

(4.23)

Поэтому

для ФЭУ с квантовым выходом q, работающим в ре­

жиме ничтожно малого темнового тока, флуктуация фазы есть

 

 

 

 

Дер =

NZn'*2— {qN)~'!~,

 

(4.24)

что соответствует разности

хода

лучей, равной

 

 

 

 

д , =

т

г А' Р

- 4 г ^ ѵ'-

 

<4-2б>

Полагая

здесь,

как

и

ранее,

Л/Эл = qN =

1010 электроніе,

получим Дер =

ІО- 5 , т. е. величина

предельно обнаружимого сме­

щения AI будет равна ~ 1 0 ~ в X ~

5- ІО-11 см при затрате времени

на наблюдение

t =

1

с.

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим, наконец, тип оптического датчика, основанного на применении газового лазера (ОКГ).

Оптический резонатор конфокального типа, состоящий из двух зеркал и настроенный на склон своей резонансной кривой от­ носительно линии изучения газового лазера, полностью эквивален­ тен рассмотренному выше емкостному датчику, выходной сигнал которого равен

Д^вых — 0 ,5 (/0<2эл а0

 

(4-26)

Однако здесь величина Q =

^

щ

|_ 2п (%id)*

(# — коэффициент

отражения, /і — порядок интерференции)

[15]

в

области оптиче­

ских частот может составлять (106-^107)

и больше, а значение d0

есть просто XI2. Поэтому

 

 

 

 

 

 

 

ÄdmJn~ 2

Фвых

'

dо

^

Дф

%

 

 

 

Фо

Q

~

ф

Q

 

(Ф — световой поток).

Подставляя

сюда значения

ДФ/Ф = ІО-5 ,

X = 5 -10- 5 см и Q

10 е,

получим

 

 

 

 

Д^тіп = 5- 10_1в СМ.

Эта оценка, однако, сделана в предположении «абсолютной» ста­ бильности частоты ОК.Г, в то время как в действительности ста­

170

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ