Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Мазин П.Н. Основы ядерной электроники учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
21
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
12.34 Mб
Скачать

относительная амплитуда второй гармоники

Тогда

х - х 0 + sCjCosp* + t*s cos2<fJ.

С учетом вышеприведенных выражений можно произвес­ ти сравнительную оценку влияния гармоник на сигнал.

Возьмем отношение

Анализируя это выражение, можно сказать, что при малых амплитудах первая гармоника имеет болывой удельный вес, т .е . при малых амплитудах напряжения на вариконде можно не принимать специальных мер по ликвидации второй гар­ моники.

Обратимся к зависимости мгновенной частоты от амп­ литуды. Из выражения для фазы несложно получить зависи­ мость

из которой видно, что при больших амплитудах ( а =►/ ) влияние нелинейной зависимости может быть очень значи­ тельным.

Пример 2 . Для иллюстрации этого же метода в нес­ колько иной форме рассмотрим колебания в контуре, уп-

310

равнение в котором производится с помощью управляемой емкости р - п - перехода.

Для решения задачи применим алалогичную методику. Составим на первом этапе дифференциальное уравнение не­ линейного контура. Известно, что дифференциальная ем­ кость перехода зависит от напряжения, приложенного к р - п -переходу, следующим образом:

где и

-

переменное напряжение на р - п -переходе;

<ро

-

потенциальный барьер перехода;

С1п -

емкость перехода в отсутствии напряжения на

г П

 

нем;

 

 

^- заряд на емкости перехода;

£- смещение на переходе, запирающее его. Установим связь меаду переменным напряжением на ем­

кости перехода и зарядом на ней же. Дифференциал заряда, очевидно, равен

Интегрируя это выражение, получим

откуда переменное напряжение будет

311

Обозначив через Г -

I rf~'

дифференциальную

я

0

0

1е +%

 

Е , НОЛУЧЮ1

емкость р - п - перехода при смещении

и ~с0 +T c fiU f)

'

 

С другой стороны для колебательного контура, изоб­ раженного на рис. 5.19, справедлива следующая зависи­ мость:

+ и - О .

Осуществляя переход к заряду, получим

Ж—г, + и = О d t

или

Ж^!s. + i -

+ ___ i

= о .

 

d

t *

 

С ,

 

 

Произведем замену переменной:

 

 

х

=

?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2С0(Е + %)

 

 

Тогда уравнение примет вид

 

 

 

 

 

 

СО2X s

 

~di*

+ 00s-X +

О

 

 

 

 

 

 

 

 

,2 2

 

 

 

 

СО

X

 

 

 

определяющая

где J?(jc) - ---------- часть уравнения,

'

*

 

влияние

нелинейности.

312

Разделим уравнение на две части: линейную и нели­ нейную, представляя последнюю в виде зависимости от ма лого параметра

Ы3х

- £ f < * h

По выбранному нами методу решение уравнения имеет

еид

х = %(аН + <?)= г (Р),

где 2((/)) - периодическая функция с периодом 2 ;

У^(cot-hf) _ фаза колебания;

оо- мгновенная частота колебания.

Решение будет удовлетворять уравнению в том случае если справедливо равенство

Ы3 %

<х>г + cosz = 6f(z) .

Решение уравнения и выражение для частоты со в соответствии с методом ищутся в виде разложений:

во

п-о

«о

п-о

коэффициенты которых определяются подстановкой г(^) и £о в исходное уравнение и приравниванием коэффи­ циентов при одинаковых степенях малого параметра. Пос­ ле подстановки получаются следующие уравнения:

313

/ d 2 *

a

 

 

oLn -■

+a /z =£>;

 

 

/

+ o)sXj =

t/2Z„

 

d f*

'

°dVz

 

 

dsK

dsl{

O '

_ ^

- v A

_ v

.

z d<j>z

z d f*

 

i d fz

Из первого уравнения системы получим:

l0(¥)= cicosy ;

«^ = со2 ;

.

оогагcosZ(p

/ ( % )

------------5------

'

Из второго уравнения системы в соответствии с уче­ том нулевого решения имеем первое приближение:

^ а = 0 ;

~ ~ T +fs.cos2<?'

Из третьего уравнения системы получим второе при­ ближение:

оС„ = — -5г согаг

314

Ограничимся двумя приближениями. Тогда искомые ве­

личины будут равны

г

х = \ б Пгп № + у);

п=о

£

СО'

п*о

Подставляя значения, получим закон изменения мгно­ венного относительного заряда на емкости р - п -пере­ хода и зависимость мгновенно! частоты колебаний от амп­ литуды первой гармоники:

 

 

 

/ а& а*

I

х —л CCS?+ С { -- + — cosSn ~ м

0*003 3У;

2

£

,

s

£ 2

 

 

лЛ

'J

 

 

со —со* -

с

со а .

 

 

 

 

 

ёч

 

 

 

Для анализа этих зависимостей перейдем в первой

формуле к налряхенив на емкости р - п

-перехода, раз­

делив на

Е ■+У0

обе части равенства:

 

 

г

 

 

 

 

 

 

и - — +

 

 

 

 

Со

 

К ( Е + % )

 

 

т.е.

иг . ___ г*_

(е + %)

с0(Е + %) Чс*(Е+Уо?

Обозначим через

и

П Т ? 1 '

315

относительное напряжение на емкости р - п

-перехода,

к которому приложено обратное вмещение £

. Тогда , учи-

тывая

х =

имеем

= 2х + x i

 

 

 

2С0(Е + %) ........

*

 

 

 

Подставляя решение вместо

х , получим

 

 

 

 

7

 

 

y = -^-a4+ka-—а3+ )cosV+(^-а*-—cAosBp+l~-^-\cos8f.

%

288

Г

12 2ЮЧГ Г \3

Г

т 42 М !

 

Для определения влияния нелинейности емкости конту­

ра,

очевидно,

необходимо сравнить коэффициенты при раз­

личных гармониках, которые являются относительными ам­

плитудами гармонических составляющих.

Так как они зави­

сят от амплитуды основной гармоники колебаний в эквива­ лентном линейном контуре, то предварительно определим максимальное значение величины а , чтобы оценить мак­ симальные отклонения от линейности. Пределы изменения величины а можно определить из уравнения при нулевых начальных условиях, т.е. при фазе, равной

нулю. В этом случае мгновенное напряжение на емкости р- п- перехода будет состоять из амплитуд отдельных

гармонических составляющих. Найдя пределы изменения амп­

литуды колебаний

а

в момент времени

t

= 0, можно

найти и величину

а

. Из выражения

у -

-~ -п видно,

что величина амплитуды напряжения

и

Е

То

сигнала не может быть

больше £ + .В противном случае р - п -переход от­ кроется, т.е. выйдет из рабочей области. В этом случае величина мгновенного относительного напряжения равна двум. Нижний предел получается из другого крайнего слу­ чая, когда смещение равно нулю, а амплитуда сигнала равна по абсолютной величине потенциальному барьеру. Тогда у о = - У.

316

Из выражения ^ у) теперь можно определить величину а и величины амплитуд составляющих гармоник.

Окончательно

гу - 0,036 + i^ e c o s f + 0,56cos2 .0 ,0 5 2 cos3P•

Из решения видно, что включение в контур генератора емкости р - п - перехода для управления его колебаниями приводит к появлению достаточно большой второй гармони­ ки спектра выходного сигнала. В наихудшем случае доля второй гармоники составляет около 40#.

Обратимся ко второй части решения. Извлекая квад­ ратный корень из обеих частей равенства и преобразуя подкоренное выражение, получаем приближенное соотноше­ ние для мгновенной частоты колебаний на выходе генерато­ ра

Как видим, и частота колебаний зависит от амплитуды а. Основное влияние оказывает второй член. Из сравнения зависимостей для мгновенной частоты колебаний в конту­ ре, управляемом с помощью р - п -перехода, и в контуре, управляемом с помощью вариконда, можно заключить, что в последнем случае зависимость от квадрата амплитуды мень­ ше. Зато наблюдается обратное соотношение для четвер­ той степени. Таким образом, при малых амплитудах а предпочтительнее с точки зрения применение вариконда. Однако с увеличением амплитуды картина резко меняется.

Ппимео 3. На вход четырехполюсника (рис. 5.20) воз­ действует линейно нарастающее напряжение. Четырехполюс­ ник состоит из полупроводникового кремниевого диода и

317

нагрузочного резистора. Произвести анализ влияния диф­ фузионной емкости на выходной сигнал четырехполюсника.

НС

*-

H r Т ‘

 

f-

 

Как известно, диффузионная емкость кремниевого ди­ ода определяется по одной из следующих формул:

с

7

к Т 2. кт ’

- l i s * ' ,

1 кТ ’

318

где с

~ диффузионная емкость р - п -перехода;

1^'

-

время жизни неосновных носителей в базе ;

и

-

напряжение, приложенное к р - п -переходу4

7

-

ток через р - п -переход;

-

постоянная Больцмана.

к*

Последняя формула применяется при условии

/. к Т

и^ (2 - 3 ) —

Из нее также следует, что диффузионная емкость пропор­ циональна первой степени тока, протекающего через диод в прямом направлении.

Как видно из рисунка, схема замещения состоит из ге­

нератора линейно нарастающего

напряжения

Er (i)

крем­

ниевого диода

, резистора

нагрузки

,

а экви­

валентная ей схема с учетом емкости диода содержит вме­ сто диода параллельное соединение сопротивления диода в прямом направлении г и диффузионной емкости Cg .

На основании законов Кирхгофа для нее можно написать:

г = i + и I

ЕГН) * i Rl + и + ь RH ;

и .

ci

Приведем эти выражения к току через диод путем ди­ фференцирования третьего уравнения и подстановки значе­ ния тока i . Тогда

£Г Н)

U .

 

319

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ