Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Локальные методы анализа материалов

..pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
13.21 Mб
Скачать

При достаточно больших значениях Л^о, когда пер­ вый член выражения (146) достигает практически по­ стоянного значения, а во втором Y(0) —>-1, зависимость N от No (т. е. вторичного ионного тока от первичного) становится линейной, т. е. вторичный ионный ток будет пропорционален объемной концентрации анализируемых частиц в твердом теле. •

Г л а в а 2

Аппаратура для локального анализа

Общие принципы и классификация приборов

Для осуществления локальных измерений вторичного ионного тока в отдельных участках изучаемой поверх­ ности мишени применяют три принципиально различных способа измерении. В первом способе осуществляется фокусировка и ускорение вторичных ионов при помощи эмиссионной линзы, формирующей ионное изображение бомбардируемой поверхности. Полученное ионное изоб­ ражение образовано ионами всех элементов, присутст­ вующих в поверхности, и для определения топографии распределения анализируемых примесей это изображе­ ние сепарируют при помощи масс-спектралыюго анали­ затора, имеющего достаточно хорошие оптические свой­ ства. Выделенное элементарное ионное изображение, состоящее из ионов определенных элементов, наблюда­ ют при помощи специальных преобразователей, конвер­ тирующих ионное изображение в электронное, а послед­ нее проектируют на флюоресцирующий экран или на фотопленку для регистрации. Для устройств, выполнен­ ных в соответствии с этими принципами, лучше всего подходит название «ионный масс-спектральный микро­ скоп» или «ионно-эмиссионный микроанализатор» (ИМА).

Во втором способе первичный ионный пучок форми­ руют таким образом, чтобы облучать па поверхности мишени участок минимальной площади. Диаметр облу­ чаемого участка определяет достигаемую локальность анализа. Выбитые из этого участка вторичные ионы ана­ лизируют при помощи масс-спектрометра. Применение

техники телевизионного сканирования первичного пучка позволяет получать изображение поверхности мишени в ионах выбранного элемента. Кроме вторичных ионов, можно определять спектральный состав люминесценции, возникающей при бомбардировке, и также получать сведения о локальном составе. Для таких устройств под­ ходит название «ионный микрозонд».

В третьем способе получают увеличенное ионное изображение бомбардируемой поверхности при помощи эмиссионной линзы, а затем пропускают это изображе­ ние путем сканирования через диафрагму небольшого диаметра. Каждый элемент изображения, прошедший че­ рез диафрагму, подвергают масс-спектральной сепара­ ции, а сигнал с выхода масс-спектрометра используют для модуляции яркости телевизионной трубки, развертка которой синхронизирована с разверткой ионного изобра­ жения относительно диафрагмы.

Устройство этого типа может быть названо растро­ вым ионно-эмиссионным микроанализатором (РИЭМА).

Масс-спектральные микроскопы

Первый масс-спектральный микроскоп — микроана­ лизатор был создан Кастэном и Слодзианом и впервые

демонстрировался иа выставке общества физики в

Па­

риже в 1962 г. [1]. Схема

этого

прибора

показана

на

рис. 93.

Сфокусированный

до

диаметра ~

1 мм пучок

ионов Аг +

с энергией 10 кэв падает на поверхность

ми­

шени-образца. Пучок вторичных ионов, выбитых из об­ разца, ускоряется до 3,5—4,0 кэв и фокусируется эмис­ сионной линзой. В кроссовере этой линзы установлена апертурная диафрагма. Назначение этой диафрагмы—. отфильтровать ионы с большой составляющей скорости, перпендикулярной к оси пучка. Магнитная призма слу­ жит для выделения из пучка сфокусированных вторич­ ных ионов компоненты с определенной массой. Углы вхо­ да пучка в магнитное поле и выхода из него подобраны таким образом, что имеет место фокусировка краевым магнитным полем по двум направлениям — в направле­ нии напряженности магнитного поля и в направлении, ему перпендикулярном. Такая фокусировка называется стигматичной. Остаточный астигматизм магнитной приз­ мы, возникающий от того, что фокальные точки этих двух направлений не совпадают, исправляют при помо-

щи электростатического

стигматора,

расположенного

в выходном фокусе призмы в непосредственной

близости

от селекторной щели.

 

 

 

Пучок ионов определенной массы, прошедший через

щель,

дополнительно ускоряется линзой

после

ускоре­

ния до энергии 20 кэв и проектируется

проекционной

линзой

на полированную

поверхность

катода

понно-

Рис. 93. Схема масс-

спектрального

микроско­

па

Кастэна—Слодзиа-

 

на:

 

 

1 — первичный пучок; 2

об­

разец;

3 — эмиссионная

лин­

за; 4— апертурная диафраг ­

ма; 5 — магнитная

прнзма;

6 — стнгматор;

7 — селектор­

ная

диафрагма;

S — линза

послеускорения;

9 — проекци­

онная

линза;

10

флуорес ­

цирующий экран; / / — преоб­

разователь изображения

электронного преобразователя. Электростатическая им­

мерсионная

линза

преобразователя создает при помо­

щи электронов, выбитых из катода, изображение поверх­ ности мишени на флуоресцирующем экране.

Несколько позже также во Франции был предложен другой вариант масс-спектрального микроскопа [17, 60]. В этом микроскопе (рис. 94) в качестве первичных ис­ пользуют положительные ионы щелочных металлов из источника с термоионизацией, падающие на образец под углом 15°. Вторичные ионы ускоряются и фокусируются иммерсионным объективом: Оригинальным элементом этого микроскопа является примененный в нем массспектральный анализатор. Сепарация ионов по массам

осуществляется

при

 

помощи

сочетания

электрического

и магнитного

полей

 

(так

называемого

 

фильтра

Вина).

Отфильтрованное

элементарное

изображение,

образуе­

мое

ионами

выбранного

вида,

попадает

в

преобразова­

тель

изображения,

где

кон­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вертируется

 

в

электронное

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и

проектируется

на

флуо­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ресцирующий

экран.

Уско­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ряющее

 

напряжение

вто­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ричных

 

ионов

составляет

 

 

 

 

 

 

 

 

 

. 35

кв,

а все

устройство поз­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

воляет

.осуществлять

 

на­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

блюдение

как

в

 

положи­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тельных, так и в отрица­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тельных

вторичных

ионах.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В

этом устройстве

уда­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лось

 

получить

оптическое

 

 

 

 

 

 

 

 

 

разрешение

 

1 мкм,

 

общее

 

 

 

 

 

 

 

 

 

увеличение 300, а масс-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

спектралыюе

 

разрешение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

порядка

 

30. Микроскоп

 

 

 

 

 

 

 

 

 

снабжен

 

устройством

 

для

 

 

 

 

 

 

 

 

 

регулирования

и

контроля

 

 

 

 

 

 

 

 

 

атмосферы'в

 

области

образ­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ца,

а

также

 

нагреватель­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ным

устройством.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Как

показала

практика,

Рис. 94. Схема

масс-спектраль­

для создания

 

приборов,'спо­

собных

определять

 

все

эле­

ного

микроскопа'

с

фильтром

менты

 

Периодической

 

си­

 

 

 

 

Вина:

 

 

 

 

 

1

источник

положительных

ионов;

стемы

от

водорода

до

ура­

2 — образец;

3—иммерсионный

объ ­

на,

 

требуется

 

серьезное

ектив;

4 — отрицательные

вторичные

 

 

ионы;

5 — ф и л ь т р

Вина;

6 — экран;

усовершенствование

 

 

масс-

7 — электронное

 

изображение;

спектрального

анализатора

8 — линза

преобразователя

изобра­

жения;

в

9—направление

 

полей

с

целью

получения

 

разре­

 

 

фильтре Вина .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ш е н и я ^ - ^ - j

порядка

300—350. Трудность решения

этой

задачи обусловлена тем, что вторичные ионы имеют зна­ чительный разброс начальных энергий, поэтому повы­ шение масс-спектрального разрешения может быть до­ стигнуто лишь в результате применения двойной филь­ трации— по массам и по энергиям.

Масс-спектральный микроскоп с двойной фильтра-

цпеїі

был построен

Кастэном

ir Слодзианом и

впервые

был

представлен на

конгрессе

по микроанализу

в Орсэ

в 1965 г.

 

 

 

 

В этом микроскопе, схема которого

приведена на

рис. 95, ионный источник и оптика для получения

началь­

ного

ионного изображения

аналогичны

примененным

в первой модели микроскопа,

однако масс-аиализатор

 

SO «в

 

Окв

 

 

Рис. 95. Схема масс-спектрального микроскопа с двойной фильтра­ цией по массам и энергиям:

а — включение

для

измерений

с использованием

положительных

ионов;

б — включение

для измерений с

использованием

отрицательных ионов;

/ — ис­

точник ионов;

2 — конденсорная

линза; 3 — образец;

4— эмиссионная

линза;

5 — магнитная

призма;

6 — электростатическое зеркало;

7 — линза

послеускоре-

ния; S — проекционная

линза; 9—преобразователь

изображения:

£ 8

источ­

 

 

 

ники питания

 

 

 

 

и преобразователь изображения подверглись существен­ ным изменениям.

Двойная фильтрация по массам и энергиям осущест­ вляется магнитной призмой с двумя ветвями и электро­

статическим -зеркалом,

расположенным

так, что на вы­

ходе

всей

системы получают

мнимое

отфильтрованное

по массам

изображение.

Фильтрация по энергиям

осу­

ществляется зеркалом,

катод

которого

поддерживается

под

потенциалом

Vo+AV'

(Vo — потенциал

образца,

AV — небольшая

разность потенциалов, определяющая

ширину энергетического

«окна», в пределах

которого

пропускаются ионы).

Ионы,

имеющие

энергию,

мень-

шую, чем е (Уо+ЛУ), испытывают отражение в зеркале и участвуют в формировании изображения. Ионы с энер­ гией, большей, чем е (Vo+AV), проникают до поверхнос­ ти катода и нейтрализуются на нем. Катод нагревают до 300°С для удаления адсорбированных нейтральных час­ тиц.

Отфильтрованное

мнимое

изображение

превращают

в действительное при

помощи

линзы

послеускорения и

проекционной линзы,

и проектируют

это

изображение

на катод преобразователя изображения.

В непосредственной близости от линзы преобразова­ теля расположена небольшая магнитная призма на пово­ ротной платформе. Слабое магнитное поле призмы не влияет на траектории ионов, однако траектории выби­ тых из катода электронов существенно изменяются в результате чего представляется возможным вывести электронное изображение в сторону от оси преобразо­ вателя и спроектировать его на флуоресцирующий экран для наблюдения, или на поверхность фотопленки для регистрации.

Экран может быть удалей и электронный пучок че­ рез специальную диафрагму направляют на сцинтиллятор, свечение которого через оптическую систему направ­ ляют на фотоумножитель. Диаметры сменных диафрагм могут соответствовать площади, ограниченной окруж­ ностью диаметром 125 или 5 мкм на поверхности образ­ ца, в результате чего можно производить количествен­ ные измерения локальных ионных токов, что важно для построения концентрационных сечений и решения других задач. Примененная система регистрации локальных ионных токов аналогична системе, предложенной в рабо­ те [27], отличается высокой стабильностью и чувстви­ тельностью (до 1СН8 а) и, кроме того, позволяет регист­ рировать как положительные, так и отрицательные ионы.

На основе этой разработки был создан первый про­ мышленный ионный масс-спектральный микроскоп AI-86,

выпущенный фирмой «Камека» [4].

 

На рис. 96 показан разрез камеры образца,

магнита

и преобразователя изображения и даны все

основные

конструктивные элементы, в частности показан шлюз, через который вводят образец.

Общее увеличение прибора составляет около 150, предельное оптическое разрешение равно 1 мкм в центре изображения. Разрешение по глубине при послойном

 

 

 

Рис. 96. Устройство масс-спектрального

микроскопа с двойной

фильтрацией [4]:

/ — образец;

г — ц и л и н д р

Фарадея:

3 - эмиссионная

линза;

4 — ионныП источник;

5 -

отклоняющие электроды юстнтюп-

кн пучка;

6 - э л е к т р о м а г н и т ;

7 . - з а с л о н к а ;

8 - цилиндр

Фарадея; S - ф о т о у м н о ж н т е л ь ;

W - ад . нтиллято^^

/ / - ф л у о р ё с ц н -

рующиП

экран;

12 - у п р а в л е н и е магнитной

призмой

преобразователя; « - м е х а н и ч е с к а я фокусировка

преобразователя

изображения;

14

призма

преобразователя

изображения;

15 -

электронный пучок;

/ f f - б и н о к у л я р / 7 - п р о е к ц и о н н а я л и н "

за; 18 - л и н з а

послеускорения;

19 -

стнгматор; 20- затвор;

21 - электростатическое

з е р к а л о ; 2 2 - с е л е к т о р н а я диафрагма -

 

 

 

 

 

 

 

23—. бинокулярный

микроскоп; 24 — шлюз

 

 

анализе составляет 50 и 100 А. Чувствительность при­ бора достаточно высока. В некоторых случаях, например для ионов А1+, можно получить изображение поверхнос­ ти, распылив лишь часть атомного монослоя. Масс-спек- тральное разрешение прибора составляет 350.

Основные элементы оптики масс-спектральных микроскопов

Иммерсионный объектив

Объектив является одним из важнейших оптических элементов любого масс-спектрального микроскопа неза­ висимо от методов масс-сепарации изображений. Каче­ ство объектива в основном определяет полезное увели­ чение и оптическое разрешение системы, поскольку абер­ рации иммерсионного объектива обычно доминируют по сравнению с аберрациями других оптических элементов.

Электронная микроскопия дает многочисленные при­ меры устройств, позволяющих изучать поверхности мас­ сивных образцов путем измерения эмиссии электронов с этой поверхности [61; 62]. Использование ионов вме­ сто электронов вынуждает выбирать среди применяе­ мых устройств только чисто электростатические оптичес­ кие элементы. В принципе все эти оптические элементы содержат ускоряющую и фокусирующую части, причем они могут быть либо совмещены, либо разделены. В ион­ ной микроскопии более пригодным является сложный объектив, в котором функции ускорения и фокусировки ионов разделены [3].

Рассмотрим устройство такого объектива и определим его основные характеристики. Если поверхность мишени М бомбардируется пучком положительных ионов в на­ правлении XXі, то вторичный ион вырывается с началь­ ной энергией есро и выходит из мишени под углом СХп с нормалью К к поверхности. Этот вторичный ион ускоря­ ется равномерным электрическим полем Е0, которое со­ здается между мишенью с положительным потенциа­ лом V и электродом А, паралельным М, имеющим по­ тенциал земли и находящимся на расстоянии Д от ми­ шени (рис. 97).

Рассмотрение для одного значения начальной кине­ тической энергии иона (еф0 ) всех траекторий выходя-

щих из точки Р, позволяет оценить предельное разреше­ ние такой системы б. Для этого рассчитывают луч фи­ гуры аберраций, охватывающей гауссовское изображе­ ние точки Р, — точку Р'0 [3] . Расчеты показывают что

б ^ ; ^2-sina0 (l cosa0 ).

(147)

Улучшение разрешения может быть достигнуто воз­ действием либо на cposinaoU—cosao), либо иа ускоря-

Г* 1

1 '

Р'о '

Z

"'о

м"A

Рис. 97. Траектории ионов в иммерсионном объективе

ющее поле Е0. Начальная энергия ионов бф0 — это фи­ зическая величина, управлять которой практически не­ возможно. На улучшение разрешения может влиять только угол осо, т. е. следует принимать меры к отфильтровыванию быстрых частиц, выходящих под большими углами, что осуществляется при помощи апертурной диафрагмы. Введение апертурной диафрагмы приводит к понижению яркости изображения, тем не менее этот спо­ соб повышения разрешения является наиболее приемле­ мым. Возможность регулирования, разрешения путем повышения Е0 имеет ряд ограничений, основными из которых являются необходимость обеспечения достаточ­ ной электрической прочности иммерсионной линзы, а также стремление, сохранить конструктивно приемлемый

радиус средней траектории ионов в магнитном анализа­ торе прибора.

Следует учитывать также влияние поля Е0 на пер­ вичный пучок ионов, которые «освещают» объект.

Обычно первичный пучок вводят в линзу под углом 45°. Положительно заряженный объект отклоняет пер­ вичные положительные ионы, которые в результате дви­

жутся по параболической

траектории:

 

z = -^(r +

r0Y-(r

+ r0) + A,

(148)

где е Ф 0 — энергия падающих ионов;

в по­

/"о— расстояние от осп z

до точки входа пучка

ле Е0.

Чрезмерное увеличение Е0 приводит к уменьшению угла бомбардировки поверхности, что вызывает снижение плотности ионного тока, т. е. снижение скорости распы­ ления.

Если необходимо сохранить оптимальный угол бом­ бардировки при увеличении .En, то требуется увеличи-

вать

ускоряющие

потенциалы

V

и

Фо так,

ч т о б ыуо с .

тавалось постоянным.

 

 

 

 

Фо

 

 

 

 

 

Можно было бы увеличить Е0,

уменьшая

геометриче­

ские размеры (г0

и А), и сохранить

тот же угол

между

пучком и объектом, однако здесь имеются

конструктив­

ные ограничения,

которые трудно преодолеть. В связи с

этим

на практике

применяют

ускоряющие

напряжения

порядка 4—5 кв

при энергии

первичного пучка

10—12

кэв,

что позволяет обеспечить

угол

бомбардировки по­

верхности не менее 30°. В результате получают удовлет­ ворительную плотность первичного ионного тока на по­ верхности образца. Это позволяет использовать анализа­ торы со средним радиусом ионной траектории ~ 100 мм.

Предложены также конструкции, в которых высокое оптическое разрешение получают при увеличении уско­ ряющего напряжения, а затем на стадии масс-фильтра- ции снижают энергию ионов до необходимого уровня.

Реальные иммерсионные объекты, применяющиеся в ионных микроанализаторах, имеют следующие разме­ ры и параметры: диаметр отверстия в первом электро­ де 0,5; во втором 5, в третьем 2 мм; расстояние между электродами 5 мм. Апертурная диафрагма имеет диа­ метр отверстия 0,3—0,5 мм и расположена на расстоя­ нии 15 мм от третьего электрода. Теоретическое и экспе-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ