Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Локальные методы анализа материалов

..pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
13.21 Mб
Скачать

П о к а з а т е ли

США ( A M R - 3 ) США ( М А С - 4 0 0 ) Франция (MS—46)

Англия (Cambri-

Англия (АЄІ,

ge Geoscan)

SEM—Р)

Типы кристаллов

LiF, SiOa , ADP,

LiF, ADP, Si0 2

LiF, Si02 , ADP;

LiF,

слюда,

LiF,

слюда, LS

 

 

КАР, слюда, LS

 

 

КАР,

LS

Si0 2

 

(стеарат

свин­

Анализируемые

элементы

 

 

 

 

 

 

 

 

ца)

 

 

5 B - 9 2 U

14Si-92U

5B—92U

11 Na—92 U

5В— 92 U

о

 

1,4—68,0

 

0,5—10

'0,9—70

 

1—10

 

 

1-93

 

Длины волн, А

 

Пропорцио­

 

 

Проточный

Пропорцио­

Сцинтилляци-

Рентгеновский

детектор

нальный счет­

 

 

и

отпаянный

нальный

счет­

оииый

 

 

 

чик

 

 

пропорцио­

чик

 

 

и

проточный

 

 

 

 

 

нальный счет­

 

 

 

пропорцио­

 

 

 

 

 

чики

 

 

 

 

нальный

счет­

Ширина щели

перед детекто­

 

 

 

 

3—4

 

 

 

чики

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ром, мм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Растровая электронно-оптическая система

 

 

 

 

 

 

Отклоняющая

система

 

Электростати­

Электронная.

Электронная

 

 

 

 

 

ческая-!- элек-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тромеханиче-

 

 

 

 

 

 

Анализируемая

площадь

 

 

 

ская

мкм2

 

 

 

 

мкм2

 

'

450

1,5

мм2

при

300

nprf

 

 

 

 

 

(400

мкм2)

20

кв

 

30 кв

 

Увеличение

 

 

200—400

40—1300

при

100—10000

 

 

 

 

 

 

 

10

кв

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20—2300

при

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

кв

 

 

 

 

Число катодных трубок

6 различных соединениях, это позволяет расширить об­ ласть исследования. Возможность определять не только количественное содержание элемента, но и степень окис­ ления, валентное состояние атомов в соединениях, зани­ мающих микрообъемы, представляет исключительно большой интерес для решения многих вопросов перера­ ботки минерального сырья, металлургии выплавки ста­ ли и сплавов, катализа,.структуры минералов и т. д.

Температура анода при микронном пучке

После изложения идеи метода локального рентгено­ спектрального анализа практическое осуществление элементного анализа в микрообъемах вещества по пер­ вичным спектрам кажется очевидным и очень простым. Надо создать пучок электронов диаметром ~ 1 мкм, обладающих энергией, в интервале от 50 до 2 кэв, до­ статочной для возбуждения первичного характеристиче­ ского излучения изучаемых элементов.

- Как показывает расчет, для того чтобы получить ли­ нии характеристического спектра достаточной интенсив­ ности, необходимо, чтобы удельная нагрузка анода в фо­

кусе площадью порядка

1 мкм2'

и меньше

была

бы от 1

до

10 кет!мм2. Это значит, что при диаметре электронно­

го

пучка

(зонда)

~

1 мкм сила

токадолжна быть по­

рядка

1 0 _ 6 — Ю - 7 ,

при ускоряющем напряжении

~10—

50

кв.

В

обычных — не

микрофокусных

рентгеновских

трубках

допускается

удельная

нагрузка

— 1

квт/мм2

(при таких удельных нагрузках температура анода до­

стигает,

например, для железа,

температуры рекристал­

лизации

и массивный анод дает

микротрещины).

При

точечном фокусе положение существенно ме­

няется. Это происходит вследствие того, что теплоотда­ ча идет не только в направлении падения электронов, но и в радиальном.

Если образец гомогенный и глубина проникновения электронов значительно меньше толщины образца, то изотермы представляют собой сферы, а тепловой поток определится по формуле:

 

• Е = iV = 2лсТ'~Т*

,

где Тг

—температура

на расстоянии г от центра

Тц

пучка;

 

 

—температура

образца-держателя.

Температуры

в центре

'зонда для массивного

анода

Ттах

можно оценить

по выражениям, полученным

в ра­

боте

[35]. Для массивного

анода:

 

 

 

 

 

 

Ттах

=

 

= Т - ^ -

(±—L),.

 

(44)

для тонкого

анода:

 

 

 

 

 

 

где Е0

—энергия, поступающая на анод-шлиф;

 

 

 

г0

— радиус

зонда;

 

 

 

 

 

 

X — теплопроводность;

 

 

 

 

 

R—радиус

круга,

где температура

равна

 

 

( / ? « о о ) ;

 

 

 

 

 

 

 

t—толщина

шлифа;

 

 

 

 

 

 

Е —энергия, поглощенная в шлифе;

 

 

 

 

ар—линейный

коэффициент

поглощения

элек­

 

 

тронов*.

см, R= оо ; £ 0 = 4 , 5 - 1 0 - 3

вт; %са

=

Пусть г « 5 - 1 0 - 5

= 0,9; Лнт =0,03; получим

(Tmas)Ca

= 5 , 7 ° С ;

( 7 ' т а

х ) Н т

=

=177 С ( Н т — н и м о н и к )!

Подставляя численные значения в выражение (45)

О

при *«100А, получим для тах) С и = 1 4 ° С , ( 7 , m a x ) H m =

=19° С.

Вслучае непроводящего материала температура бу­ дет расти до установления равновесия между поступаю­

щей энергией и энергией, идущей на излучение. Но если на образец с плохой теплопроводностью нанести тонкий

слой хорошо проводящего металла,

например

меди

тол-

 

 

о

 

 

 

щиной

100—200 А, и считать, что вся энергия, за исклю­

чением

идущей на ионизацию атомов образца,

затрачи­

вается на нагревание металла топкого слоя, то

для

приведенных

выше параметров (полагая / ? « 1 0 - 1

см)

получим тах)Са

« 7 7 0 ° С. Таким

образом,

в данном

случае

надо хотя бы на порядок

уменьшить

мощность

~0,6 квт/мм2,

что даст Г т а х ~ 7 7 ° С .

 

 

Следовательно, работа с точечным зондом при удель­

ных нагрузках в пределах от 10 квт/мм2 до 1 квт/мм2

яв­

ляется вполне допустимой (даже для образцов с низкой теплопроводностью).

* В выражении (44) Е/Е0 берется для максимального значения ар, если / пренебрежимо мало.

Максимальный ток электронного зонда

Предельный ток зонда определяется параметрами электронной пушки микроанализатора: плотностью тока в единицу телесного угла пушки и сферической аберра­ цией объектной линзы.

Первый параметр определяется эмиссионной способ­

ностью

нити

накала (плотность

тока

для нити из воль­

фрама

/ о = 2

а/см2,

из LaB 6 /=1 0

а/см2)

и

расположени­

ем наименьшего сечения пучка-кроссовера

относительно

анода

электронной

пушки. Обычно электронные пушки

микроанализаторов

имеют автоматическое

напряжение

смещения, подаваемое на венельтов цилиндр. Величина его определяется падением напряжения создаваемым током зонда на вспомогательном сопротивлении. По ме­ ре повышения температуры нити накала ток растет, до­ стигает максимальной величины, после чего остается по­ стоянным при дальнейшем повышении температур. Та­ кая «обратная связь» обеспечивает относительную ста­ бильность тока при флуктуациях напряжения; уровень тока насыщения можно регулировать, меняя сопротивле­ ние смещения. Яркость пушки растет (плотность тока на единицу телесного угла) с температурой. Но повышение температуры (для вольфрамовой нити температура вы­ ше 2700° К) резко сокращает срок ее службы. Эмиссион­ ную способность нити можно увеличить, придавая концу нити форму иглы с толщиной острия ~0,1 мкм *) или ис­ пользуя монокристаллики вольфрама таким образом, чтобы грань (100) с минимальной работой выхода [45] являлась бы острием, эмитирующим электроны. Послед­ ний прием позволяет повысить эффективную температу­ ру нагрева на 400—800° С, но требует улучшения ва­ куума в трубке до Ю - 8 мм рт. ст.

Наименьший диаметр электронного зонда удалось получить, когда в качестве катода использовали моно­ кристалл торированного вольфрама [46].

Электроннооптические системы большинства микро­ анализаторов позволяют получать электронный зонд диаметром 0,1 — 1 мкм. Рекордный размер электронного

* Острие с толщиной кончика ~0,1 мкм получается при электро­ литическом растворении цилиндрической вольфрамовой проволоки в капле электролита. Травление нити продолжается до того момента, пока незакрепленная половина проволоки сама не «оторвется» от закрепленной.

зонда последней модели растрового трансмиссионного

о

электронного'микроскопа [47] составляет всего 5—10 А. Распределение плотности тока по сечению пучка со­ ответствует гауссову; это же распределение передается электроннооптической системой на поверхность шлифа. Любая электроинооптическая система не является иде­ альной. Отклонение от идеальности происходит вследст-

I

-2С(с(3

I

к расчету сферической

аберра-

L.

5 s Н

 

а

«"и

 

 

вне различного

рода

аберраций

(сферической,

хромати­

ческой, «кома»). Интенсивность

и диаметр

электронного

зонда

ограничиваются главным

образом

сферической

аберрацией третьего порядка [48].

Уширение электронного зонда вследствие хромати­ ческой аберрации, аберрации кома, астигматизма можно снизить до желательного предела расположением в со­ ответствующих местах электроннооптической системы стигматоров, введением в схемы питания линз тонкой ре­

гулировки, прецизионной

центрировкой нити накала

и т. д. [49].

 

Сферическая аберрация

объектной (уменьшающей)

линзы определяется ее конструктивными параметрами (сферическая аберрация обязана зависимости силы лин­ зы от расстояния от оптической оси системы). Линейный коэффициент сферической аберрации Cs для каждой линзы имеет фиксированное значение и считается вели-

чиной, ограничивающей диаметр зонда. Укажем, что в современных уста­ новках абсолютные зна­ чения Cs меняются в пре­ делах от 0,3 до 20 см.

Схема, приведенная на рис. 50, показывает, как сферическая аберра­ ция «размазывает» каж­ дую точку идеального гауссова изображения зонда диаметром do в диск диаметром ds—2az Cs. Минимальное сечение, из­ вестное под названием кружка наименьшего рас­ сеяния, определится со­ отношением dsm— Уга'Ся. Следовательно, размер зонда d определяется вы­ ражением

Рис. 51. Пояснительная схема к расчету яркости изображения

d = d0 + 1/2 а3 С3; dQ = d0 Му

(46)

где d'0 — диаметр источника (апертурной диафрагмы) в

кроссовере; . М—общее уменьшение.

Для системы с аберрацией аксиональная плотность тока в кроссовере связана с плотностью тока катода /о соотношением Ленгмюра:

 

Sin2

Р :

(47)

/ = / о 1- + eVe

 

 

где eVe — наиболее

вероятная

энергия

электронов, ис­

пускаемых катодом

~ 0 , З е У , а энергия

электронов зон­

да eVo имеет величину — 10 кэв.

 

Величина, характеризующая

качество пушки как ис­

точника электронного пучка, называется яркостью. Ве­ личина яркости источника в кроссовере В определяется отношением тока через него к току на единичный угол изображения. Из рис. 51 следует, что

В

iS'

А . еУ

9

(48)

na2S

 

 

kT

 

10—693

 

 

 

1 45

Таким образом, зонд диаметром d0, формируемый пуч­ ком с раствором а, переносит ток

Вя а . = J ^ / e i £ L a " .

4

4 1 0 kT _

При учете аберрации реальной линзы имеем:

(49)

К

 

 

i

= ^ ( d - l ; 2 ^ C s Y i o ~ ^ .

 

(50)

Выражение

(50)

будет иметь

максимум

при

а =

/ d \

і/з

,

т. е. когда диаметр

й

 

диска

— |—— I

 

аберрационного

будет равен

! Д действительного

диаметра зонда,

тогда

W

=

^тг- ^ Л

~ Л У °

d~J

. (51)

m a x

 

64

1 0 kT

(2Cs)v "

(2Cs) / s

 

*

Выражение (51) показывает, что величина максималь­ ного тока пропорциональна кубу диаметра зонда. При­ няв для Cs значения 0,03 см и 3,6 см, 7"=2700°К и / 0 = = 2 а/см2, выразив V0 в кв, d — в мкм, формулу (51) пе­ репишем в следующем виде:

t m a x = 0,535 V0 d*/.; t m a x = 0,0158Kocf/..

(52)

Геометрическая оптика изогнутого кристалла при микрофокусном источнике

Кинематическая и динамическая теория отражения рентгеновских лучей изогнутыми кристаллами развита достаточно полно. Однако при работе на микроанализа­ торах есть ряд специфических особенностей, связанных с точечным характером источника и изучением топогра­ фии поверхности сканированием зонда. При проведениях количественных анализов в точке и при сканировании на­ до знать условия, при которых излучение, отраженное от кристалла, остается неизменным при перемещении зонда, или, если изменения и происходят вследствие на­ рушения оптимальных геометрических условий, то надо знать величину этих изменений.

Рассмотрим условия отражения луча, падающего из точечного источника, который расположен на круге ра­ диусом R/2 (круг Роуланда), в произвольную точку иде­ ального кристалла, изогнутого по цилиндрической по­ верхности радиуса R (метод Капицы—Иоганна). Прос-

той расчет показывает [50], что геометрическое место то­ чек одинакового угла отражения Вульфа—Брэгга 8 лу-

.чей на поверхности кристалла определяется выраже­ нием:

/cos Во.

(53)

где 2h и 21 — полная ширина и длина

монокристалли­

ческой пластинки. Условие (53) разделяет поверхность кристалла на области, в которых углы скольжения бу­ дут больше или меньше 0q, соответственно эти области отразят длины волн, большие или меньшие Яо- В дейст­

вительности,

поскольку

диаметр

источника

излучения

имеет

конечную

величи­

 

 

 

ну, а

кривая

отражения

.

А-Ло *'л<>

реального

кристалла име­

 

 

 

ет определенную

ширину

 

 

 

(вследствие

многократ­

 

 

 

ных

отражений,

мозаич-

 

 

 

ности и т. д.), то

область

 

 

 

отражения

для реального

 

 

 

и идеального

кристаллов

Рис. 52. Форма отражающих участ­

будет различна. При

рас­

смотрении

условий

отра­

ков поверхности

кристалла

жения для

интервала ДЯ

 

 

 

получится аналогичная картина. Таким образом, при точечном источнике и изогнутом, по Капице — Иоганну, кристалле линия рентгеновского спектра отражается частью поверхности кристалла сложной конфигурации, форма отражающих участков поверхности кристалла при изгибе его, по Иоганссону, при точечном источнике показана на рис. 52. Рассмотрение условий отражения, формы отражающей поверхности при изменении поло­ жения точечного источника относительно круга фокуси­ ровки в направлении радиуса изгиба и перпендикуляр­ но к нему выполнено в работе [51].

Расчеты и эксперимент показывали, что при смеще­ ниях первого типа около центра кристалла всегда суще­ ствуют точки, для которых выполняются условия отра­ жения излучения с выбранной ЯоПри незначительных смещениях второго типа линии геометрического места точек одинаковых углов отражения для Яо уходят за пре­ делы рабочей поверхности кристалла, существенно ог­ раничивая область источника. Для источника диаметром 10 мкм ширина кривой отражения составляет 10", a pa­

in*

147

бочеи поверхности кристалла 8X8 мм соответствует п0+

верхность отражения 100X100 мкм

(рис. 53).

 

 

Из приведенного рассмотрения геометрической опти­

ки

точечных рентгеновских спектрометров с изогнуты­

ми

кристаллами

следует важный

практический

вывод

для проведения

количественных локальных анализов.

 

Максимальная

интенсивность

отраженного

от кри­

сталла излучения может быть получена при размещении точечного источника на круге Роуланда кристалла с

Рис. 53. Сечения области микроисточника и картина отражения излу­ чения от кристалла

точностью до 1—5 мкм. Это предъявляет высокие требо­ вания к точности юстировки рентгеновских спектромет­ ров, которая зависит от типа спектрометра и используе­ мого кристалла.

При проведении усреднения состава по некоторой об­ ласти 50—200 мкм (что является достаточно часто встре­ чающимся случаем) лучше всего сканировать образец.

Наконец, при массовых однотипных количественных определениях к меньшим случайным ошибкам приведет использование кристаллов, изогнутых пластически по ци­ линдрической поверхности, таких как LiF, КАР, ПЭТ.

Требования к приготовлению образцов для локального анализа

Диаметр электронного зонда составляет ~ 1 мкм,' а объем излучающей области в зависимости от условий эксперимента меняется примерно от 0,3 до сотен мкм3. Отсюда ясно, насколько важную роль при микроанализе играет качество образца и стандарта, а также учет раз-

личных условий анализа для получения надежных ре­ зультатов измерений интенсивности, а следовательно, количественных результатов.

В большинстве промышленных микроанализаторов электроны падают нормально к поверхности шлифа-ано­ да; угол съема возбужденного в образце излучения, по­ падающего па кристалл-анализатор, меняется в преде­

лах 18—75°.

v

е-

е-

Рис. 54. Влияние ямки на поверхность шлифа

Одним из основных требований к приготовлению по­ верхности образцов для количественного анализа явля­ ется отсутствие на поверхности образца-анода ямок (ца­ рапин) размером>0,5 мкм.. Рис. 54 иллюстрирует влия­ ние ямки на поверхность шлифа. Было показано, что при расчете по интенсивности линии Ка с учетом среднего атомного номера Z > 2 0 на глубине ямки —0,5 мкм, дей­ ствительное содержание магния уменьшено на 10% (при угле выхода излучения —20°) [52].

Процедура полировки образцов подробно описана в работе [53]. Один из способов состоит в шлифовке об­ разца (толстого или тонкого), залитого в чистый свинец или сплав Вуда на алмазной пасте крупностью от 6 до 0,25 мкм (примерно через 2 мкм). После полировки по­ верхность шлифа тщательно промывают перед установ­ кой его в держатель микроанализатора. Установка об­ разца для количественного анализа также должна быть выполнена с большой тщательностью, чтобы углы паде­ ния электронов и выхода излучения на кристалл были

равны приборным с

точностью

до 1° при

угле

выхода

~ 2 0 °

и с точностью

2—3°

при

углах выхода

60—75°.

Чём

больше длина

волны,

используемая

при

анализе,

тем выше должна быть точность установки образца. При измерениях интенсивности для определения содержания

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ