
книги из ГПНТБ / Локальные методы анализа материалов
..pdfгиях, которые имеют нейтральные атомы и ноны микропробы при разлете из зоны взаимодействия, может иметь место десорбция газов или поверхностных загрязнении со стенок измерительной камеры. Эти эффекты нетрудно оценить при анализе образцов с предварительно введен ной в объем мнкропримесью. Осциллограммы на рис. 35 иллюстрируют анализ образцов циркония, насыщенных дейтерием D 2 до 0,01 %.
6
.AJL |
-ТТТ*" J |
ftjL |
М,абс.ед. массы
Рис. 35. Увеличение парциального давления дейтерия в камере ана лизатора после взаимодействия лазерного излучения с поверхностью
циркония:
а — фон остаточных газов в камере; б — после взаимодействия с излучением лазера
Кадры, отснятые кинокамерой с промежутком 1/32 сек, иллюстрируют, как после взаимодействия излу чения лазера с поверхностью циркония быстро увеличи вается парциальное давление дейтерия, появляется пик с массовым числом 2. Одновременно зарегистрированы пики с массовыми числами 4 и 3, соответствующие, повидимому, 2 D 2 и Нз, полученным в результате взаимодей ствия с излучением лазера (рис. 35). Со временем в ре зультате откачки давление дейтерия понижается до пер воначального уровня фона остаточных газов в камере. Факт появления предварительно вводимой в образец примеси свидетельствует о том, что анализируется имен но эта примесь, а не десорбция со стенок камеры в ре зультате разлета паров микропробы. Анализируя осцил лограммы рис. 35, можно отметить наряду с повышением парциального давления дейтерия и одновременное воз никновение групп масс 18, 32, 44. Эти массы соответ ствуют адсорбированным на поверхности образца сое динениям кислорода и углеводородов. При вторичном облучении лазером той же зоны спектр указанных групп
не наблюдался. Это еще раз подтверждает, что массспектрометром регистрируются только те ионы, которые образовались в момент взаимодействия излучения лазера с анализируемой зоной.
Количество десорбироваиных из микрообъема частиц можно рассчитать следующим образом. Предварительно изготовляют образец, равномерно насыщенный эталон ной примесью известной концентрации. Анализируемые образцы помещают в пространство ионизации ионного источника. Затем после анализа образца с неизвестным содержанием примеси и эталона оценивают соотношение величин пиков масс анализируемой примеси и эталонной.
Ионный |
ток, соответствующий величине |
массового |
||
пика, равен |
i=Qioplie. |
|
|
|
Тогда отношение ионных пиков определится как |
||||
|
^ = |
^ - |
^ . |
(17) |
|
' э т |
QfJ |
Рэт |
4 |
|
|
|
|
Эффективные сечения ионизации рассчитывают или бе рут из справочника для одной и той же энергии элек тронов:
0][
Рх =•• Рэ
|
Qfo |
|
|
или, переходя к концентрации молекул в 1 см3 |
в прост |
||
ранстве ионизации: |
|
|
|
Nx = |
• — |
• — . |
. (18) |
где N3T— известная |
концентрация |
эталонной |
примеси |
в 1 см3 в пространстве ионизации; |
|
||
Тэти Тх—температуры |
ионов, выходящих из |
источни |
|
ка, эталонной примеси |
и анализируемой. |
При одинаковой плотности мощности лазерного излу чения на анализируемом и эталонном образцах и оди наковых объемах микропробы формула концентрации примеси в 1 см3 имеет следующий вид:
Ы'Х = Л^ |
. - ^ - . |
^ L . |
(19) |
U |
«эт |
Q?Q |
|
Для устранения импульсного характера регистрации ионных токов иногда применяют эффузионпый метод. [69]. Эффузнонный метод приближенный, однако по сравнению с методом испарения микрообъемов с откры того образца обладает некоторыми преимуществами.
Газ, выделяемый из зондированного образца, насы щает объем эффузиопной камеры (рис. 36) и принимает
о-:
Рис. 36. Эффузнонный метод:
а — момент зондирования образца; |
б — к а л и б р о в к а масс-спектрометра; |
/ — л а |
зер; 2 — трубка дрейфа; 3 — ионный |
источник; 4 — эффузиониая камера; |
5 — об |
разец; 6, 7 — вентили; 8—манометр; |
9 — объем с эталонным газом; 10 — иллю |
|
минатор; / / — измерительная камера |
|
ее температуру, поэтому не требуется рассчитывать тем пературу газов и вводить допущения относительно веро ятности попадания в область ионизации молекул, разле тающихся из области взаимодействия и отраженных от стенок камеры.
Калибровку масс-спектрометра по давлению (напол нение камеры анализируемым газом или газовой смесью) газа в эффузионной камере проще осуществить, чем из готовить однородные образцы, насыщенные газом, по-
скольку в последнем случае необходим предварительный газовый анализ.
Кроме того, эффузиопный метод является более чув ствительным по сравнению с методом испарения микро объема с открытого образца, поскольку весь газ прохо дит через область ионизации, и давление в эффузионной камере за счет накопления может быть на несколько по
рядков "выше, чем |
давление за |
капилляром |
в измери |
|||||||
тельной камере. |
|
|
|
|
|
|
|
|||
Рис. 36 иллюстрирует эффузионный метод анализа и |
||||||||||
схему калибровки |
при |
разделении |
масс время-пролет |
|||||||
ным способом. Баллон с эталонным |
газом 9 |
присоеди |
||||||||
няется |
к |
дозирующей |
системе |
при закрытом |
кра |
|||||
не |
7. |
Систему |
откачивают |
|
до |
давления |
ниже |
|||
Ю - 3 |
мм |
рт. ст. Затем |
вентиль |
6 закрывают, |
а' кран 7 |
|||||
открывают. |
Проба |
поступает |
в |
калибровочный |
объем |
6—7. Давление измеряется манометром. Затем вентиль 7 закрывают и, открывая кран 6, дают возможность отме ренному количеству пробы расшириться в объем эффу
зионной камеры и начать натекать в ионный |
источник. |
||||||
По появившимся пикам на экране |
осциллографа |
опре |
|||||
деляют постоянную |
калибровку К, мм |
рт. ст./деление: |
|||||
|
|
К = - ^ - . |
|
|
|
|
|
где Ар— разность |
конечного |
рч и начального |
р\ |
давле |
|||
ния в эффузионной камере; |
|
|
|
||||
2Д/г,-— сумма величин всех пиков масс за вычетом дав |
|||||||
ления остаточных газов. |
|
|
|
|
|||
При зондировании исследуемого образца в |
измери |
||||||
тельном объеме находится только |
одна эффузионная ка |
||||||
мера (рис. 36, а), не соединенная |
с напускной |
системой. |
|||||
Из найденных при анализе зондируемого образца за |
|||||||
висимостей величин ионных пиков от времени i(t) |
можно |
||||||
определить основные |
характеристики |
газовыделения: |
|||||
скорость газовыделения |
dQ/dt |
(мм рт. ст./сек) для любого |
момента времени t; количество dQ каждого компонента
газа, выделившееся |
за время t. При большой скорости |
||
откачки из объема |
измерительной |
камеры можно |
счи |
тать, что |
|
|
|
dQ/dt = |
ki (t) и Q (t) = |
k j і (t) dt, |
(20) |
т. е. количество выделившегося газа пропорционально площади, ограниченной кривой.
В работе [62] общее число частиц, десорбироваиных с поверхности образца при воздействии лазерного излу
чения, |
рассчитывается |
по |
изменению |
давления |
Арг |
||||||
в ионизационной камере и скорости |
откачки. |
|
|
||||||||
Число десорбироваиных частиц как функции |
Др2 вы |
||||||||||
ражается |
следующей |
формулой: |
|
|
|
|
|||||
N{t) |
= |
3,5-10" |
І З _ |
З* + |
У" + |
4 (Si)2 V 2 |
X |
|
|||
|
|
|
X |
|
Vx VaAp2 |
(0 |
|
|
|
(21) |
|
|
|
|
S l ( e < " + i _ e » i - i ) |
J |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
171± |
IIS, |
, s x |
+ |
s. |
|
|
|
A ± i a _ y + |
|||
2 |
V V, |
v. |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
72. |
|
|
|
|
5 Ь |
5 2 — скорости откачки, |
л/сек; |
|
|
|
|
|||||
V1 и У2 — объемы измерительной н ионизационной |
ка |
||||||||||
|
|
мер соответственно, л; |
|
|
|
|
|||||
Др2 (0— изменение давления |
в ионизационной |
камере |
|||||||||
|
|
масс-спектрометра |
во время |
действия |
лазер |
ного импульса.
Зная постоянную калибровки, можно определить чис ло частиц, соответствующее каждой из компонент испа ренной микропробы. В этой же работе показано, как из меняется число десорбироваиных частиц с поверхности вольфрама в зависимости от плотности мощности лазер ного излучения [62]. Каждый газ характеризуется своей температурой десорбции, ниже которой он не выделяет ся. Эта температура соответствует температуре, опре деленной из опытов по обычному термическому испа рению.
Приведенные выше примеры для расчета числа де сорбироваиных частиц использовали в работах [68, 69] при микрозондировании поликристаллов и монокристал лов теллурида кадмия масс-спектрометром с лазерным источником нагрева.
В работе [68] исследовали границы блоков поликри сталла и плоскости двойникования в предположении, что они являются центрами сорбции газовых примесей. Было проведено микрозондирование по точкам, расположен ным вдоль и поперек замеченных неоднородиостей.
Анализ показал, что повышенная сорбция наблюдает ся в местах двойникования в монокристаллическом бло ке, а также во всех точках вдоль замеченной неоднород ности.
Сравнение уровней десорбции газовых примесей на участках кристалла без неоднородиостей и на участках кристалла с неоднородиостями показывает, что наличие неоднородиостей в монокристалле определяет и повы шенное содержание микропримесей в нем.
В работе [69] изучено взаимодействие теллурида кад мия с кислородом. Исследованию подвергались окислен ные образцы р-типа, вырезанные из монокристаллов и не имевшие двойниковых границ.
Микрозондирование шлифов теллурида кадмия лу чом лазера начиная от участков, прилегающих к окисной
пленке, и далее в глубь |
образца, |
показало |
присутствие |
||
в них кислорода. |
|
|
|
|
|
Анализ |
кривых распределения кислорода |
показал, |
|||
что диффузия кислорода |
в глубь |
кристаллов |
подчиняет |
||
ся закону Фика. |
|
|
|
|
|
Одним из интересных |
применений масс-спектрометра |
||||
с лазерным |
источником |
нагрева |
является |
зондирование |
пор в непроводящих тугоплавких материалах, например керамике [50, 51].
В настоящее время известно немного работ, посвя щенных применению лазерных масс-спектрометров. Однако это направление развивается. И можно твер до сказать, что этот метод найдет широкое применение при исследовании' аномалий в структуре решетки и по верхностных явлений. Свойство лазерного луча испарять любые материалы открывает широкие возможности для исследования тугоплавких и непроводящих материалов. А незначительные разрушения, производимые лучом ла зера, работающего в режиме с модуляцией добротности, позволяют анализировать монослои газов, адсорбиро ванных на поверхности, и диффузию примесей в глубину материала методом послойного анализа.
Лазерные масс-спектрометры с успехом дополнят су ществующие методы микроанализа.
|
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ |
|
||
1. |
Д и т ц б е р и Р. Физическая оптика. Перев. с |
англ. под ред. |
||
И. А. Яковлева. Изд-во «Наука», 1965. |
|
|||
2. |
Ф о к с А., Ли. В сб. «Лазеры». Под ред. М. Е. Жаботиихко- |
|||
го и Т. А. Шмаонова. ИЛ, 1963, с. 325. |
|
|||
3. J o h n s o n R Е„ |
М с М a h а и W. Н., О h а г е k F. J. Ргос. |
|||
IRE, 1961, v. 48, р. 1942. |
|
|
|
|
4. |
К о р о б к и н В. В. ЖЭТФ, |
1965, т. 48, № 78, с. 127. |
||
5. |
Б о н ч - ' Б р у е в и ч |
А. М. |
и др. ЖТФ, 1966, |
т. 36, № 12, |
с.2175.
6.К а т ы с Г. П. и др. Модуляция и отклонение оптического из лучения. Изд-во «Наука», 1967.
7. А ф а н а с ь е в В. А. Оптические измерения. Изд-во «Недра», 1968.
8.Б е т е Г. и др. Электронная теория металлов. Гостехтеоретиздат, 1933.
9.Б о и ч - Б р у е в и ч А. М. ЖТФ, 1968, т. 38, № 4, с. 677.
10. |
R e a d y |
I . F. J. Appl. Phys., |
1965. v. 36,. № |
2, p. 402. |
||||||||
11. |
Б о H ч - Б p у e в и ч A. M . и |
др. Физика |
и химия обработки |
|||||||||
материалов, 1967, № 5, с. 3. |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
12. |
К р ы л о в |
Ю. К. Труды ЛИТМО, |
Изд. Ленинграде», ин-та |
|||||||||
точной |
механики |
и |
оптики, вып. 61, 1967, с. 36. |
|
|
|
|
|||||
13. |
К о р у н ч и к о в |
А. И. н др. Журнал |
прикладной |
спектро |
||||||||
скопии, |
1966, т. 5, № 5, с. 587. |
|
|
|
|
|
|
|
||||
14. |
К а п о р с к и и |
Л . Н. Физика |
и химия обработки |
материалов, |
||||||||
1968, № |
1, с. 3. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
15. |
D a v i d |
С. а. о. IEEE J. of |
Quantum Electronics, 1966, v. 2, |
|||||||||
№ 9, p. 493. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
16. |
E h 1 e r A. \V. J. Appl. Phys., |
1966, v. 37, № |
13, p. 4962. |
|||||||||
17. |
L i n l o r |
W. I . , Phys. Rev. Lett.., |
1964, |
v. |
12. № 14, p. 383. |
|||||||
18. |
К о к о р а |
A. H. и др. Физика |
и химия |
обработки |
материа |
|||||||
лов, 1968, № 5, с. 16. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
19. |
N e u m a n |
F., Appl. Phys. Lett., 1964, v. 4, |
p. 167. |
|
||||||||
20. |
D a v i d |
W. J. of. Appl. Phys., |
1966, v. 37, № |
12, |
p. 4313. |
|||||||
21. |
А н и с и м о в |
С. IT. и др. ЖТФ, 1966, т. 36, с. |
1273. |
|||||||||
22. |
Г л и к м а н |
Л. А. и др. Труды |
ЛИТМО. Изд. Ленинградско |
|||||||||
го ин-та точной механики |
и оптики, вып. 61, с. 58, 1967. |
|
|
|||||||||
23. |
А к и м о в |
А. И. и др. Физика |
и химия |
обработки |
материа |
|||||||
лов, 1969, № 1, с. 7. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
24. |
Г и т л е в н ч |
А. Е. и др. Физика |
и химия |
обработки мате |
||||||||
риалов, |
1968, № 1, с. 20. |
|
|
|
|
|
|
|
|
25.В о д о в а т о в Ф. Ф. и др. Физика и химия обработки ма териалов, 1969, № 1, с. 148.
26.А к и м о в А. И. и др. Физика и химия обработки материалов, 1969, № 2 , с. 11. .
27. |
G і о г і |
F. a. M a c k e n s i e L. Appl. Phys. Lett., 1963, v. 3, |
|
№ 3, p. 25. |
|
|
|
28. |
H o n i g |
R. E. Appl. Phys. Letters, 1963, v. 2, № 7, p. 138. |
|
29. |
H o n i g |
R. E. Appl. Phys. Letters, 1963, v. 2, № 7, p. 138. |
|
30. |
В о д о в а т о в |
Ф. Ф. и др. Труды МИЭМ, вып. 9. Изд. Мос |
|
ковского ин-та |
электронного машиностроения, 1970, с. 89. |
||
31. |
R e a d y |
J. Е. Phys. Rev., 1965, v. 137, № 2А, p. A620. |
|
32. |
Д о б р е ц о в |
Л . Н. и др. Эмиссионная электроника. Изд-во |
«Наука», 1966.
33. К а ы и и с к и й |
М. |
Атомные |
п |
ионные столкновения |
на по |
|||||||||||||||||||
верхности металла. Изд-во «Мир», 1967. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
34. B e r n a l |
Е. |
а. |
о. |
IEEE, |
J. |
of |
|
Quantum |
Electronics, |
1966, |
||||||||||||||
v. 2, № 9, p. 480. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
35. |
С т и в е |
и с о н Д. ТИ И ЭР, |
1967, № 10, с. 272. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
36. |
L a n g e r |
P. |
IEEE |
J. |
of |
Quantum |
Electronics, |
1966, |
v. |
2, |
||||||||||||||
p. 499. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
37. |
Б ы к о в с к и й |
10. А. и др. ЖТФ , 1968, т. 38, |
№ |
7, с. |
1194. |
|||||||||||||||||||
38. |
К у з н е ц о в |
А. Е. Физика |
и химия |
обработки |
материалов, |
|||||||||||||||||||
1968, № 3, с. 3. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
39. М е н к е |
|
Г., |
М е н к е |
Л . Введение в лазерный |
эмиссионный |
|||||||||||||||||||
микроспектральный анализ. Изд-во «Мир», 1968. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
40. |
К1 s f а 1 и о h G. |
Circ. |
inform, |
|
techn. Centre |
docum. |
sider., |
|||||||||||||||||
1968, v.-25, № 7—8, p. 1799. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
41. |
Ж у к о в |
А. А. и |
др. Журнал |
|
прикладной |
спектроскопии, |
||||||||||||||||||
1967, т. 6, № 5, с. 590. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
42. |
Ж у к о в |
А. А. и |
др. |
В |
сб. «Термодинамика |
и |
физическая |
|||||||||||||||||
кинетика структурообразоваиия в стали и |
чугуне», |
вып. 2. |
Приок- |
|||||||||||||||||||||
ское книжное изд-во, |
1967, с. 291. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
43. Ж у к о в |
А. А. Металловедение |
и |
термическая |
обработка |
||||||||||||||||||||
металлов, 1968, № 5, с. 54. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
44. |
R a s b e r r y |
|
S. |
D., |
S с г і b п е г |
В. |
F., |
|
М а г g о s h е s |
М., |
||||||||||||||
Applied |
Optics, |
1967, v. 6, № |
1, p. 81, 87. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
45. M a c C o r m a c k |
J. |
Metals |
Rev., |
1965, v. 38, № |
3, |
6. |
|
|
||||||||||||||||
46. |
К о р о л е в |
H. В., |
Р ю х и її В. В., |
Р а у т и |
а н Л . П. В |
сб. |
||||||||||||||||||
«Применение спектрального анализа в народном |
|
хозяйстве^ и |
науч |
|||||||||||||||||||||
ных исследованиях», |
Минск, |
Изд. ИНТИП |
Госплана |
БССР, |
1967, |
|||||||||||||||||||
с. 27. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
47. |
К а с а т к и н |
В. И. и |
др. Прикладная'спектроскопия, |
1968, |
||||||||||||||||||||
т. 9, № 6, с. 1047. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
48. |
П а н т е л е е в |
В. |
В., |
Я н к о в с к и й |
А. |
А. |
Прикладная |
|||||||||||||||||
спектроскопия, |
1965, т. 3, № |
1, с. 96. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
49. |
А г с h b о I d |
Е. а. о. British |
Journal |
of Applied |
Physics, |
1964, |
||||||||||||||||||
v. 15, № 11, p. 1321. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
50. В о д о в а т о в |
Ф. Ф. и др. Электронная |
техника, |
1970, |
серия |
||||||||||||||||||||
14, вып. 5, с. 140. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
51. |
В о д о в а т о в |
Ф. Ф. и |
др. Электронная |
техника, |
1971, се |
|||||||||||||||||||
рия 14, вып. 1, с. 149. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
52. |
Ж у к о в |
А. А. Литейное |
|
производство, |
|
1965, |
№ |
11, с. |
28. |
|||||||||||||||
53. |
В о д о в а т о в |
Ф. ф . |
и |
др. |
|
Электронная |
техника, |
1967, |
||||||||||||||||
серия 14, вып. 1, с. 106. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
54. |
K n o x |
|
В., |
V a s t o l a |
F. |
|
Laser Focus. |
|
1967', |
№ |
Ц, |
s . |
15. |
|||||||||||
55. |
W i l e y |
|
W. С , |
M c L a r e n |
J. H. Rev. Sci. Instr., |
1955, |
v. 26, |
|||||||||||||||||
p. 1150. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
56. А г и ш е в |
E. И. и др. ЖТФ , 1956, т. 28, № |
і, c . |
203. |
|
|
|
||||||||||||||||||
57. А г и ш е в |
E. И. и др. ЖТФ , 1958, т. 28, № |
8, |
с. |
1775. |
|
|
||||||||||||||||||
58. П а в л е и к о В. А. и др. ЖТФ , 1968, т. 38, № |
4, с. 581. |
|
||||||||||||||||||||||
59. |
Р а ф а л ь с о и |
А. Е. и |
др. Масс-спектрометрические |
прибо |
||||||||||||||||||||
ры. Атомиздат, |
|
1968. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
60. |
P a u l |
W., |
|
S t e i n |
w e d |
e l |
H . |
|
Z. |
Naturforsch., |
1953, |
№ 8, |
||||||||||||
S. 448. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
61. |
P a u l |
W., R a e t h e r |
H.. Z. Physik, |
1955, v. 140, p. 262. |
|
|||||||||||||||||||
62. |
P a u l |
W., |
R e i n h a r d |
H . Z. |
Physik, 1958, Bd |
152, |
S. |
143. |
||||||||||||||||
63. |
L e v і n e L., R e a d y |
J. |
a. B e r n a l |
G. J. Appl. |
Phys., |
v. 38, |
№ 1, p. 331, 1967.
64. |
М а к - Л а х л а н. Теория и применения функций |
Матье. ИЛ, |
||||||||
1953. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
65. |
К о л ь ц о в |
I I . А. |
Электрические явлення |
в |
газах и |
в ваку |
||||
уме. Гостехтеоретиздат, |
1950. |
|
|
|
|
|
||||
66. |
Г р а н о в с к и й |
В. Л. Электрический ток в |
газах |
Г. I . М., |
||||||
Гостехтеоретиздат, |
1952. |
|
|
|
|
|
|
|||
67. |
В е г n а 1 |
Е. а. о. RSI, |
v. 37, № 7, р. 938, |
1966. |
|
|
||||
68. |
В о д о в а т о в |
Ф. Ф. и |
др. «Электронная |
техника», |
1968, се |
|||||
рия 14, № 6, с. 256. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
69. |
В о д о в а т о в Ф. Ф. ФТТ, 1970, т. 12, № 1, с. |
22. |
|
|
||||||
70. Ж у к о в |
А. А. и др. В сб. «Машины и приборы |
для |
испыта |
|||||||
ния материалов». |
|
Нзд-во |
«Металлургия», 1971, с. |
113. |
|
|
Раздел
Рентгеновский
микроанализ
Г л а в а |
1 |
Физические |
основы |
количественного рентгеноспектрального локального анализа
Основные сведения по физике рентгеновских лучей
Рентгеновское излучение представляет собой электро магнитные колебания, спектр которых занимает широкий
о
диапазон длин волн от 1,4-10~5 см (1400 А) до Ю - 1 1 см о-
(0,001 А). В зависимости от характера взаимодействия заряженных частиц — электронов, протонов, мезонов или фотонов с атомами вещества возникают характеристиче ские рентгеновские спектры испускания и поглощения или непрерывный (тормозной) рентгеновский спектр.
Характеристический рентгеновский спектр испуска ния является линейчатым. Основные параметры спек тральных линий: положение по шкале частот (длин волн) и интенсивность линий определяются зарядом яд ра — атомным номером элемента Z и электронной струк турой атома. Характеристические рентгеновские спектры испускания, возникающие в результате удаления одного из внутренних электронов атома при ионизации заряжен ными частицами, называются первичными, а при иониза ции атомов рентгеновскими или гамма-фотонами— вто ричными или флуоресцентными.
Характеристический рентгеновский спектр Поглощения
возникает при резонансном |
поглощении |
энергии |
излу |
чения идущей на удаление |
электрона с q — электронно |
||
го уровня.-При анализе спектрального |
состава |
непре |
рывного рентгеновского излучения, после прохождения
через поглощающий |
слой |
элемента А, при |
частоте .v* |
будет зафиксировано |
резкое скачкообразное |
уменьшение |
|
интенсивности. При v > v g |
интенсивность |
прошедшего |