Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Локальные методы анализа материалов

..pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
13.21 Mб
Скачать

гиях, которые имеют нейтральные атомы и ноны микропробы при разлете из зоны взаимодействия, может иметь место десорбция газов или поверхностных загрязнении со стенок измерительной камеры. Эти эффекты нетрудно оценить при анализе образцов с предварительно введен­ ной в объем мнкропримесью. Осциллограммы на рис. 35 иллюстрируют анализ образцов циркония, насыщенных дейтерием D 2 до 0,01 %.

6

.AJL

-ТТТ*" J

ftjL

М,абс.ед. массы

Рис. 35. Увеличение парциального давления дейтерия в камере ана­ лизатора после взаимодействия лазерного излучения с поверхностью

циркония:

а — фон остаточных газов в камере; б — после взаимодействия с излучением лазера

Кадры, отснятые кинокамерой с промежутком 1/32 сек, иллюстрируют, как после взаимодействия излу­ чения лазера с поверхностью циркония быстро увеличи­ вается парциальное давление дейтерия, появляется пик с массовым числом 2. Одновременно зарегистрированы пики с массовыми числами 4 и 3, соответствующие, повидимому, 2 D 2 и Нз, полученным в результате взаимодей­ ствия с излучением лазера (рис. 35). Со временем в ре­ зультате откачки давление дейтерия понижается до пер­ воначального уровня фона остаточных газов в камере. Факт появления предварительно вводимой в образец примеси свидетельствует о том, что анализируется имен­ но эта примесь, а не десорбция со стенок камеры в ре­ зультате разлета паров микропробы. Анализируя осцил­ лограммы рис. 35, можно отметить наряду с повышением парциального давления дейтерия и одновременное воз­ никновение групп масс 18, 32, 44. Эти массы соответ­ ствуют адсорбированным на поверхности образца сое­ динениям кислорода и углеводородов. При вторичном облучении лазером той же зоны спектр указанных групп

не наблюдался. Это еще раз подтверждает, что массспектрометром регистрируются только те ионы, которые образовались в момент взаимодействия излучения лазера с анализируемой зоной.

Количество десорбироваиных из микрообъема частиц можно рассчитать следующим образом. Предварительно изготовляют образец, равномерно насыщенный эталон­ ной примесью известной концентрации. Анализируемые образцы помещают в пространство ионизации ионного источника. Затем после анализа образца с неизвестным содержанием примеси и эталона оценивают соотношение величин пиков масс анализируемой примеси и эталонной.

Ионный

ток, соответствующий величине

массового

пика, равен

i=Qioplie.

 

 

 

Тогда отношение ионных пиков определится как

 

^ =

^ -

^ .

(17)

 

' э т

QfJ

Рэт

4

 

 

 

 

Эффективные сечения ионизации рассчитывают или бе­ рут из справочника для одной и той же энергии элек­ тронов:

0][

Рх =•• Рэ

 

Qfo

 

или, переходя к концентрации молекул в 1 см3

в прост­

ранстве ионизации:

 

 

 

Nx =

• —

• — .

. (18)

где N3T— известная

концентрация

эталонной

примеси

в 1 см3 в пространстве ионизации;

 

Тэти Тх—температуры

ионов, выходящих из

источни­

ка, эталонной примеси

и анализируемой.

При одинаковой плотности мощности лазерного излу­ чения на анализируемом и эталонном образцах и оди­ наковых объемах микропробы формула концентрации примеси в 1 см3 имеет следующий вид:

Ы'Х = Л^

. - ^ - .

^ L .

(19)

U

«эт

Q?Q

 

Для устранения импульсного характера регистрации ионных токов иногда применяют эффузионпый метод. [69]. Эффузнонный метод приближенный, однако по сравнению с методом испарения микрообъемов с откры­ того образца обладает некоторыми преимуществами.

Газ, выделяемый из зондированного образца, насы­ щает объем эффузиопной камеры (рис. 36) и принимает

о-:

Рис. 36. Эффузнонный метод:

а — момент зондирования образца;

б — к а л и б р о в к а масс-спектрометра;

/ — л а ­

зер; 2 — трубка дрейфа; 3 — ионный

источник; 4 — эффузиониая камера;

5 — об­

разец; 6, 7 — вентили; 8—манометр;

9 — объем с эталонным газом; 10 — иллю­

минатор; / / — измерительная камера

 

ее температуру, поэтому не требуется рассчитывать тем­ пературу газов и вводить допущения относительно веро­ ятности попадания в область ионизации молекул, разле­ тающихся из области взаимодействия и отраженных от стенок камеры.

Калибровку масс-спектрометра по давлению (напол­ нение камеры анализируемым газом или газовой смесью) газа в эффузионной камере проще осуществить, чем из­ готовить однородные образцы, насыщенные газом, по-

скольку в последнем случае необходим предварительный газовый анализ.

Кроме того, эффузиопный метод является более чув­ ствительным по сравнению с методом испарения микро­ объема с открытого образца, поскольку весь газ прохо­ дит через область ионизации, и давление в эффузионной камере за счет накопления может быть на несколько по­

рядков "выше, чем

давление за

капилляром

в измери­

тельной камере.

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 36 иллюстрирует эффузионный метод анализа и

схему калибровки

при

разделении

масс время-пролет­

ным способом. Баллон с эталонным

газом 9

присоеди­

няется

к

дозирующей

системе

при закрытом

кра­

не

7.

Систему

откачивают

 

до

давления

ниже

Ю - 3

мм

рт. ст. Затем

вентиль

6 закрывают,

а' кран 7

открывают.

Проба

поступает

в

калибровочный

объем

6—7. Давление измеряется манометром. Затем вентиль 7 закрывают и, открывая кран 6, дают возможность отме­ ренному количеству пробы расшириться в объем эффу­

зионной камеры и начать натекать в ионный

источник.

По появившимся пикам на экране

осциллографа

опре­

деляют постоянную

калибровку К, мм

рт. ст./деление:

 

 

К = - ^ - .

 

 

 

 

где Ар— разность

конечного

рч и начального

р\

давле­

ния в эффузионной камере;

 

 

 

2Д/г,-— сумма величин всех пиков масс за вычетом дав­

ления остаточных газов.

 

 

 

 

При зондировании исследуемого образца в

измери­

тельном объеме находится только

одна эффузионная ка­

мера (рис. 36, а), не соединенная

с напускной

системой.

Из найденных при анализе зондируемого образца за­

висимостей величин ионных пиков от времени i(t)

можно

определить основные

характеристики

газовыделения:

скорость газовыделения

dQ/dt

(мм рт. ст./сек) для любого

момента времени t; количество dQ каждого компонента

газа, выделившееся

за время t. При большой скорости

откачки из объема

измерительной

камеры можно

счи­

тать, что

 

 

 

dQ/dt =

ki (t) и Q (t) =

k j і (t) dt,

(20)

т. е. количество выделившегося газа пропорционально площади, ограниченной кривой.

В работе [62] общее число частиц, десорбироваиных с поверхности образца при воздействии лазерного излу­

чения,

рассчитывается

по

изменению

давления

Арг

в ионизационной камере и скорости

откачки.

 

 

Число десорбироваиных частиц как функции

Др2 вы­

ражается

следующей

формулой:

 

 

 

 

N{t)

=

3,5-10"

І З _

З* +

У" +

4 (Si)2 V 2

X

 

 

 

 

X

 

Vx VaAp2

(0

 

 

 

(21)

 

 

 

S l ( e < " + i _ e » i - i )

J

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

171±

IIS,

, s x

+

s.

 

 

 

A ± i a _ y +

2

V V,

v.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

72.

 

 

 

 

5 Ь

5 2 — скорости откачки,

л/сек;

 

 

 

 

V1 и У2 — объемы измерительной н ионизационной

ка­

 

 

мер соответственно, л;

 

 

 

 

Др2 (0— изменение давления

в ионизационной

камере

 

 

масс-спектрометра

во время

действия

лазер­

ного импульса.

Зная постоянную калибровки, можно определить чис­ ло частиц, соответствующее каждой из компонент испа­ ренной микропробы. В этой же работе показано, как из­ меняется число десорбироваиных частиц с поверхности вольфрама в зависимости от плотности мощности лазер­ ного излучения [62]. Каждый газ характеризуется своей температурой десорбции, ниже которой он не выделяет­ ся. Эта температура соответствует температуре, опре­ деленной из опытов по обычному термическому испа­ рению.

Приведенные выше примеры для расчета числа де­ сорбироваиных частиц использовали в работах [68, 69] при микрозондировании поликристаллов и монокристал­ лов теллурида кадмия масс-спектрометром с лазерным источником нагрева.

В работе [68] исследовали границы блоков поликри­ сталла и плоскости двойникования в предположении, что они являются центрами сорбции газовых примесей. Было проведено микрозондирование по точкам, расположен­ ным вдоль и поперек замеченных неоднородиостей.

Анализ показал, что повышенная сорбция наблюдает­ ся в местах двойникования в монокристаллическом бло­ ке, а также во всех точках вдоль замеченной неоднород­ ности.

Сравнение уровней десорбции газовых примесей на участках кристалла без неоднородиостей и на участках кристалла с неоднородиостями показывает, что наличие неоднородиостей в монокристалле определяет и повы­ шенное содержание микропримесей в нем.

В работе [69] изучено взаимодействие теллурида кад­ мия с кислородом. Исследованию подвергались окислен­ ные образцы р-типа, вырезанные из монокристаллов и не имевшие двойниковых границ.

Микрозондирование шлифов теллурида кадмия лу­ чом лазера начиная от участков, прилегающих к окисной

пленке, и далее в глубь

образца,

показало

присутствие

в них кислорода.

 

 

 

 

Анализ

кривых распределения кислорода

показал,

что диффузия кислорода

в глубь

кристаллов

подчиняет­

ся закону Фика.

 

 

 

 

Одним из интересных

применений масс-спектрометра

с лазерным

источником

нагрева

является

зондирование

пор в непроводящих тугоплавких материалах, например керамике [50, 51].

В настоящее время известно немного работ, посвя­ щенных применению лазерных масс-спектрометров. Однако это направление развивается. И можно твер­ до сказать, что этот метод найдет широкое применение при исследовании' аномалий в структуре решетки и по­ верхностных явлений. Свойство лазерного луча испарять любые материалы открывает широкие возможности для исследования тугоплавких и непроводящих материалов. А незначительные разрушения, производимые лучом ла­ зера, работающего в режиме с модуляцией добротности, позволяют анализировать монослои газов, адсорбиро­ ванных на поверхности, и диффузию примесей в глубину материала методом послойного анализа.

Лазерные масс-спектрометры с успехом дополнят су­ ществующие методы микроанализа.

 

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

 

1.

Д и т ц б е р и Р. Физическая оптика. Перев. с

англ. под ред.

И. А. Яковлева. Изд-во «Наука», 1965.

 

2.

Ф о к с А., Ли. В сб. «Лазеры». Под ред. М. Е. Жаботиихко-

го и Т. А. Шмаонова. ИЛ, 1963, с. 325.

 

3. J o h n s o n R Е„

М с М a h а и W. Н., О h а г е k F. J. Ргос.

IRE, 1961, v. 48, р. 1942.

 

 

 

4.

К о р о б к и н В. В. ЖЭТФ,

1965, т. 48, № 78, с. 127.

5.

Б о н ч - ' Б р у е в и ч

А. М.

и др. ЖТФ, 1966,

т. 36, № 12,

с.2175.

6.К а т ы с Г. П. и др. Модуляция и отклонение оптического из­ лучения. Изд-во «Наука», 1967.

7. А ф а н а с ь е в В. А. Оптические измерения. Изд-во «Недра», 1968.

8.Б е т е Г. и др. Электронная теория металлов. Гостехтеоретиздат, 1933.

9.Б о и ч - Б р у е в и ч А. М. ЖТФ, 1968, т. 38, № 4, с. 677.

10.

R e a d y

I . F. J. Appl. Phys.,

1965. v. 36,. №

2, p. 402.

11.

Б о H ч - Б p у e в и ч A. M . и

др. Физика

и химия обработки

материалов, 1967, № 5, с. 3.

 

 

 

 

 

 

 

12.

К р ы л о в

Ю. К. Труды ЛИТМО,

Изд. Ленинграде», ин-та

точной

механики

и

оптики, вып. 61, 1967, с. 36.

 

 

 

 

13.

К о р у н ч и к о в

А. И. н др. Журнал

прикладной

спектро­

скопии,

1966, т. 5, № 5, с. 587.

 

 

 

 

 

 

 

14.

К а п о р с к и и

Л . Н. Физика

и химия обработки

материалов,

1968, №

1, с. 3.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15.

D a v i d

С. а. о. IEEE J. of

Quantum Electronics, 1966, v. 2,

№ 9, p. 493.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16.

E h 1 e r A. \V. J. Appl. Phys.,

1966, v. 37, №

13, p. 4962.

17.

L i n l o r

W. I . , Phys. Rev. Lett..,

1964,

v.

12. № 14, p. 383.

18.

К о к о р а

A. H. и др. Физика

и химия

обработки

материа­

лов, 1968, № 5, с. 16.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

19.

N e u m a n

F., Appl. Phys. Lett., 1964, v. 4,

p. 167.

 

20.

D a v i d

W. J. of. Appl. Phys.,

1966, v. 37, №

12,

p. 4313.

21.

А н и с и м о в

С. IT. и др. ЖТФ, 1966, т. 36, с.

1273.

22.

Г л и к м а н

Л. А. и др. Труды

ЛИТМО. Изд. Ленинградско­

го ин-та точной механики

и оптики, вып. 61, с. 58, 1967.

 

 

23.

А к и м о в

А. И. и др. Физика

и химия

обработки

материа­

лов, 1969, № 1, с. 7.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

24.

Г и т л е в н ч

А. Е. и др. Физика

и химия

обработки мате­

риалов,

1968, № 1, с. 20.

 

 

 

 

 

 

 

 

25.В о д о в а т о в Ф. Ф. и др. Физика и химия обработки ма­ териалов, 1969, № 1, с. 148.

26.А к и м о в А. И. и др. Физика и химия обработки материалов, 1969, № 2 , с. 11. .

27.

G і о г і

F. a. M a c k e n s i e L. Appl. Phys. Lett., 1963, v. 3,

№ 3, p. 25.

 

 

28.

H o n i g

R. E. Appl. Phys. Letters, 1963, v. 2, № 7, p. 138.

29.

H o n i g

R. E. Appl. Phys. Letters, 1963, v. 2, № 7, p. 138.

30.

В о д о в а т о в

Ф. Ф. и др. Труды МИЭМ, вып. 9. Изд. Мос­

ковского ин-та

электронного машиностроения, 1970, с. 89.

31.

R e a d y

J. Е. Phys. Rev., 1965, v. 137, № 2А, p. A620.

32.

Д о б р е ц о в

Л . Н. и др. Эмиссионная электроника. Изд-во

«Наука», 1966.

33. К а ы и и с к и й

М.

Атомные

п

ионные столкновения

на по­

верхности металла. Изд-во «Мир», 1967.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

34. B e r n a l

Е.

а.

о.

IEEE,

J.

of

 

Quantum

Electronics,

1966,

v. 2, № 9, p. 480.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

35.

С т и в е

и с о н Д. ТИ И ЭР,

1967, № 10, с. 272.

 

 

 

 

 

 

 

36.

L a n g e r

P.

IEEE

J.

of

Quantum

Electronics,

1966,

v.

2,

p. 499.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

37.

Б ы к о в с к и й

10. А. и др. ЖТФ , 1968, т. 38,

7, с.

1194.

38.

К у з н е ц о в

А. Е. Физика

и химия

обработки

материалов,

1968, № 3, с. 3.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

39. М е н к е

 

Г.,

М е н к е

Л . Введение в лазерный

эмиссионный

микроспектральный анализ. Изд-во «Мир», 1968.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40.

К1 s f а 1 и о h G.

Circ.

inform,

 

techn. Centre

docum.

sider.,

1968, v.-25, № 7—8, p. 1799.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

41.

Ж у к о в

А. А. и

др. Журнал

 

прикладной

спектроскопии,

1967, т. 6, № 5, с. 590.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

42.

Ж у к о в

А. А. и

др.

В

сб. «Термодинамика

и

физическая

кинетика структурообразоваиия в стали и

чугуне»,

вып. 2.

Приок-

ское книжное изд-во,

1967, с. 291.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

43. Ж у к о в

А. А. Металловедение

и

термическая

обработка

металлов, 1968, № 5, с. 54.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

44.

R a s b e r r y

 

S.

D.,

S с г і b п е г

В.

F.,

 

М а г g о s h е s

М.,

Applied

Optics,

1967, v. 6, №

1, p. 81, 87.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45. M a c C o r m a c k

J.

Metals

Rev.,

1965, v. 38, №

3,

6.

 

 

46.

К о р о л е в

H. В.,

Р ю х и її В. В.,

Р а у т и

а н Л . П. В

сб.

«Применение спектрального анализа в народном

 

хозяйстве^ и

науч­

ных исследованиях»,

Минск,

Изд. ИНТИП

Госплана

БССР,

1967,

с. 27.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

47.

К а с а т к и н

В. И. и

др. Прикладная'спектроскопия,

1968,

т. 9, № 6, с. 1047.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

48.

П а н т е л е е в

В.

В.,

Я н к о в с к и й

А.

А.

Прикладная

спектроскопия,

1965, т. 3, №

1, с. 96.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

49.

А г с h b о I d

Е. а. о. British

Journal

of Applied

Physics,

1964,

v. 15, № 11, p. 1321.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50. В о д о в а т о в

Ф. Ф. и др. Электронная

техника,

1970,

серия

14, вып. 5, с. 140.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

51.

В о д о в а т о в

Ф. Ф. и

др. Электронная

техника,

1971, се­

рия 14, вып. 1, с. 149.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

52.

Ж у к о в

А. А. Литейное

 

производство,

 

1965,

11, с.

28.

53.

В о д о в а т о в

Ф. ф .

и

др.

 

Электронная

техника,

1967,

серия 14, вып. 1, с. 106.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

54.

K n o x

 

В.,

V a s t o l a

F.

 

Laser Focus.

 

1967',

Ц,

s .

15.

55.

W i l e y

 

W. С ,

M c L a r e n

J. H. Rev. Sci. Instr.,

1955,

v. 26,

p. 1150.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

56. А г и ш е в

E. И. и др. ЖТФ , 1956, т. 28, №

і, c .

203.

 

 

 

57. А г и ш е в

E. И. и др. ЖТФ , 1958, т. 28, №

8,

с.

1775.

 

 

58. П а в л е и к о В. А. и др. ЖТФ , 1968, т. 38, №

4, с. 581.

 

59.

Р а ф а л ь с о и

А. Е. и

др. Масс-спектрометрические

прибо­

ры. Атомиздат,

 

1968.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60.

P a u l

W.,

 

S t e i n

w e d

e l

H .

 

Z.

Naturforsch.,

1953,

№ 8,

S. 448.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

61.

P a u l

W., R a e t h e r

H.. Z. Physik,

1955, v. 140, p. 262.

 

62.

P a u l

W.,

R e i n h a r d

H . Z.

Physik, 1958, Bd

152,

S.

143.

63.

L e v і n e L., R e a d y

J.

a. B e r n a l

G. J. Appl.

Phys.,

v. 38,

№ 1, p. 331, 1967.

64.

М а к - Л а х л а н. Теория и применения функций

Матье. ИЛ,

1953.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

65.

К о л ь ц о в

I I . А.

Электрические явлення

в

газах и

в ваку­

уме. Гостехтеоретиздат,

1950.

 

 

 

 

 

66.

Г р а н о в с к и й

В. Л. Электрический ток в

газах

Г. I . М.,

Гостехтеоретиздат,

1952.

 

 

 

 

 

 

67.

В е г n а 1

Е. а. о. RSI,

v. 37, № 7, р. 938,

1966.

 

 

68.

В о д о в а т о в

Ф. Ф. и

др. «Электронная

техника»,

1968, се­

рия 14, № 6, с. 256.

 

 

 

 

 

 

 

 

69.

В о д о в а т о в Ф. Ф. ФТТ, 1970, т. 12, № 1, с.

22.

 

 

70. Ж у к о в

А. А. и др. В сб. «Машины и приборы

для

испыта­

ния материалов».

 

Нзд-во

«Металлургия», 1971, с.

113.

 

 

Раздел

Рентгеновский

микроанализ

Г л а в а

1

Физические

основы

количественного рентгеноспектрального локального анализа

Основные сведения по физике рентгеновских лучей

Рентгеновское излучение представляет собой электро­ магнитные колебания, спектр которых занимает широкий

о

диапазон длин волн от 1,4-10~5 см (1400 А) до Ю - 1 1 см о-

(0,001 А). В зависимости от характера взаимодействия заряженных частиц — электронов, протонов, мезонов или фотонов с атомами вещества возникают характеристиче­ ские рентгеновские спектры испускания и поглощения или непрерывный (тормозной) рентгеновский спектр.

Характеристический рентгеновский спектр испуска­ ния является линейчатым. Основные параметры спек­ тральных линий: положение по шкале частот (длин волн) и интенсивность линий определяются зарядом яд­ ра — атомным номером элемента Z и электронной струк­ турой атома. Характеристические рентгеновские спектры испускания, возникающие в результате удаления одного из внутренних электронов атома при ионизации заряжен­ ными частицами, называются первичными, а при иониза­ ции атомов рентгеновскими или гамма-фотонами— вто­ ричными или флуоресцентными.

Характеристический рентгеновский спектр Поглощения

возникает при резонансном

поглощении

энергии

излу­

чения идущей на удаление

электрона с q — электронно­

го уровня.-При анализе спектрального

состава

непре­

рывного рентгеновского излучения, после прохождения

через поглощающий

слой

элемента А, при

частоте .v*

будет зафиксировано

резкое скачкообразное

уменьшение

интенсивности. При v > v g

интенсивность

прошедшего

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ