
книги из ГПНТБ / Тозони О.В. Расчет трехмерных электромагнитных полей
.pdfИз выражений (1.91)—(1.93) получаем а0 (М ) = 0, т. е. однородное уравнение (1.87) имеет только нулевое решение, а это и доказывает, что = 1 не является характеристи ческим значением для уравнения (1.87).
Пусть теперь Х0 и а0 (Q) соответственно характеристи ческое значение и собственная функция для уравнения
(1.87), т. е.
°о (Ф - |
Ф ао (М) |
..dSM = |
|
|
7 |
rQM |
|
' = |
— ~^Г F (Q) ф ° |
° dSM• |
(1.94) |
|
s |
|
|
Интегрируя (1.94) по точке Q вдоль поверхности 5 и используя соотношение (1.36), определяем
(j) а0 (Q) dSQ— к0(j) а0 (М) dSM =
S |
|
S |
|
= - ^ - § |
o 0(M)dSM, |
||
или |
s |
|
|
|
|
|
|
р — я0^1---- ^ -||(^ с г 0(Л4)с15м = 0. |
|||
Откуда следует, |
что если |
Х0 Ф |
-, то |
|
|
1 - Л |
|
|
|
2я |
|
|
I а0 (М) dSM= о, |
|
|
и уравнение (1.94) преобразуется к виду |
|
||
р0 |
сто (М) - C--S- f - " Q)- |
dSM- 0, (1.95) |
|
2я |
7 |
гЬм |
|
т. е. Я.0 и а0 (М ) являютая характеристическим значением и собственной функцией уравнения (1.33).
Пусть теперь Х0 Ф I и о0 (М) являются характеристи ческим значением и собственной функцией уравнения (1.33), т. е. удовлетворяют уравнению (1.95). Интегрируя это урав нение по Q вдоль поверхности S и учитывая соотношение
40
(1.36), определяем
(1 — Я,0) (f)<j0(yW) <£«.=. 0.
Откуда
(j) а0 (М) dSM = 0. s
Поэтому если Х0 Ф 1 и а0 (М) удовлетворяют уравнению (1.95), то эти же %0 и а0 (М) удовлетворяют и уравнению (1.94), т. е. являются характеристическим значением и собственной функцией уравнения (1.86). Лемма доказана.
Из леммы сравнения вытекает 2-я спектральная теорема:
Если
0 с и = ф^(<2) d S Q < 4л, |
(1.96) |
то все характеристические значения уравнения (1.86) ве щественны и первое характеристическое значение по модулю больше единицы:
|А(1)|> 1 , |
(1.97) |
В самом деле, из доказанной леммы следует, что спектр уравнения (1.86) состоит из всех, кроме Х0 — 1, характерис тических значений уравнения (1.33) и быть может значения
Х0 = — i— *. Поэтому из 1-й спектральной теоремы и
1— —
2л
неравенства (1.96) находим, что все характеристические значения уравнения (1.86) вещественны и первое из них по модулю больше единицы, т. е. выполняется условие (1.97).
При х = 2л |
получаем Я0 ==-----—— = оо и спектр урав- |
|||||
нения |
|
(1.86) |
совпадает |
1 |
2п |
(1.33), |
|
со спектром уравнения |
|||||
кроме точки |
= 1. Это справедливо для уравнений (1.72) |
|||||
|
|
|
|
|
2зх |
|
и (1.78), для которых соответственно F (Q) = - j - и F (Q) *= |
||||||
|
|
COS (rqp, Hq) |
Поэтому первое характерис- |
|||
s |
Ф |
|
dSp. |
|||
rQP |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
* Переходом к сопряженному уравнению можно строго доказать, |
||||||
что К0 = ----- !----- |
является характеристическим для уравнения |
(1.86). |
||||
|
|
к |
|
|
|
|
|
|
1— 2л |
|
|
|
|
41
тическое значение уравнений (1.72) и (1.78) совпадает со вторым характеристическим значением уравнения (1.33) и, следовательно, по модулю больше единицы.
Отсюда, сравнивая интегральные уравнения (1.72) и (1.78) с уравнением (1.21), можно сделать следующие выводы:
1. Интегральные уравнения (1.72) и (1.78) в отличие о уравнения (1.21) однозначно разрешимы при любых, в том числе и бесконечных значениях е,- и ге. Это преимущество уравнений (1.72) и (1.78) особенно отчетливо проявляется при расчете распределения заряда по поверхности уединенного заряженного проводника (задача Робэна). В этом случае уравнение (1.21) приводит к однородному уравнению (1.38), имеющему множество нетривиальных, ненулевых решений, в то время как уравнение (1.72) приводит к неоднородному уравнению (1.81), имеющему строго одно решение.
s 2. Решение интегральных уравнений (1.72) и (1.78) может быть найдено методом последовательных приближе ний. Последовательные приближения для этих уравнений сходятся не медленнее, чем геометрическая прогрессия со
знаменателем а ~ |
1ЛЮ |
< |Я где Х(2)- |
второе харак |
|
|
|
теристическое значение уравнения (1.33). Таким образом, последовательные приближения для уравнений (1.72) и (1.78) сходятся быстрее, чем для уравнения (1.21). Напом ним, что последовательные приближения для уравнения (1.21) сходятся со скоростью геометрической прогрессии со знаменателем а = \Х\. Последовательные приближения для уравнений (1.72) и (1.78) сходятся и при А, = 1, (е, = оо), в то время как для уравнения (1.21) это значение параметра является характеристическим и потому при X = 1 после довательные приближения для этого уравнения, вообще говоря, не сходятся.
г 3. При любых фиксированных ег и ее расстояние пара метра X до ближайшего характеристического значения для уравнений (1.72) и (1.78) больше, чем для уравнения (1.21). Поэтому устойчивость решения к малым возмущениям пра вой части для уравнений (1.72) и (1.78) лучше, чем для урав нения (1.21). Это приводит к тому, что реализация метода последовательных приближений на ЭЦВМ для уравнений (1.72) и (1.78) сопряжена со значительно меньшим накопле нием погрешности, чем для уравнения (1.21).
4. При решении интегрального уравнения сведением его к системе линейных алгебраических уравнений обуслов
42
ленность получаемой системы уравнений будет тем лучше, чем сильнее отличается от нуля определитель системы, т. е. чем дальше расположен параметр X от ближайшего характе ристического значения. Поэтому при решении интегральных уравнений (1.72) и (1.78) сведением их к системе линейных алгебраических уравнений обусловленность получаемых систем линейных уравнений будетлучше, чем для уравне ния (1.21).
Таким образом, видоизмененные интегральные уравне ния (1.72) и (1.78) обладают значительными преимущества
ми перед исходным уравнением (1.21) как в отношении од нозначной разрешимости интегральных уравнений при X = = 1, так и с точки зрения скорости сходимости последова тельных приближений и точности численного решения этих уравнений на ЭЦВМ.
До сих пор рассматривался простейший случай кусочно однородной среды, состоящей из двух областей однороднос ти с диэлектрическими проницаемостями et и ее. При решении многих важных технических задач возникает ситуа ция, когда имеется несколько (более двух) областей одно родности с различными диэлектрическими проницаемостя ми. Целесообразно различать два основных случая: случай
(рис. 5), когда имеется п областей однородности, не охватывающих друг друга и имеющих проницаемости eh, проницаемость окружающего внешнего пространства рав на е0; случай У2 (рис. 6), когда п — 1 областей однород ности с проницаемостями ек охватываются областью Vn с
43
проницаемостью гп, проницаемость окружающего простран ства е0. Все другие возможные случаи представляют ком бинацию этих двух.
Расчет электростатического поля в кусочно-однородной среде, состоящей из нескольких областей однородности, хотя и имеет некоторые специфические особенности, однако во многом аналогичен предыдущему (см. приложение 2).
6. СВОЙСТВА ПОТЕНЦИАЛА ДВОЙНОГО СЛОЯ И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ К РАСЧЕТУ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ В КУСОЧНО-ОДНОРОДНЫХ СРЕДАХ
Применение потенциала двойного слоя основано на том, что кусочно-однородную среду можно заменить однородной, распределив при этом по поверхностям S h раздела сред двойные слои зарядов, плотности xh (М) которых можно подобрать та
Qким образом, чтобы поле вектора
электрического смещения D оста лось неизменным, т. е. таким же, как и в исходной кусочно-однород ной среде. Чтобы выяснить, каким уравнениям должны удовлетворять плотности T h (Q), необходимо пред варительно исследовать свойства потенциала двойного слоя.
Поскольку нас будет интересо
вать не поле напряженности Е, а
поле электрического смещения D, то введем скалярный по тенциал ф равенством:
D = — grad ф. |
(1.98) |
При этом потенциал поля объемных и поверхностных зарядов вычисляется по формулам:
ф(<2) = |
|
р (М) |
dVM] |
(1.99) |
|
V |
TQM |
||||
|
|||||
=_J_ г а (М) |
(ISm■ |
(1.100) |
|||
ф (<2) = |
4я J |
rQM |
|
Рассмотрим две весьма близкие и эквидистантные поверх ности Se и 5,- (рис. 7), заряженные так, что плотности о.
44
и ai на противолежащих элементах обеих поверхностей рав ны по величине и противоположны по знаку, т. е. ае (Л4) = = —о{ (М) = а (М). Положим для определенности, что ае > 0. Если расстояние между Se и S( мало по сравнению с расстоянием этих поверхностей до рассматриваемой точки Q поля, то потенциал в этой точке согласно выражению (1.100) определяется выражением
где 5 — срединная для Se и S£ поверхность; rQMg и rQMi —
расстояние от точки |
Q до противолежащих элементов по |
||||
верхностей Se и S{. |
|
|
|
поверхностями S, |
|
При уменьшении расстояния I между |
|||||
и St все более точными являются соотношения: |
|
||||
r QMl |
r QMe ^ |
t C0S |
ПмУ’ |
|
|
|
r QMir QMe ~ Г\ м - |
|
|
|
|
Поэтому из выражения (1.101) получаем |
|
||||
Ф ^ - ^ ф о С М ) / |
C°S(^ M’ Пм) |
dSM = |
|
||
4Л / |
гЬм |
|
|
||
= |
Ф т № |
С05(ГТ |
Пм)' dSM• |
102> |
|
|
s |
r QM |
|
|
|
Если расстояние I между Se и S{ неограниченно умень шается, так что в итоге поверхности Se и S{ сливаются со срединной поверхностью S, а величина т (М) = а (М ) I остается конечной, то в пределе две противоположно за ряженные поверхности образуют двойной слой и соотноше ние (1.102) для потенциала этого слоя переходит из прибли женного в точное. Величину т (М) называют при этом плот ностью двойного слоя.
Формула (1.102) справедлива для любой точки Q про странства, не лежащей на поверхности S, так как расстоя ние от такой точки Q до поверхности S, начиная с некоторо го момента сближения поверхностей Se и S it значительно
45
превосходит расстояние / между этими поверхностями. Од нако формула (1.102) не справедлива для предельных зна чений потенциала ф2(Q) и <ре (Q), возникающих при стрем лении точки Q к поверхности S соответственно с внутренней и внешней сторон. Более того, эти значения сре (Q) и ф2(Q) не совпадают между собой. Их можно рассматривать как значения на противолежащих элементах поверхностей Se и S2, которые при безграничном сближении этих поверхностей сливаются в один элемент. Так как при уменьшении рас
стояния I между поверхностями вели
чина т (М ) = а (М) I остается конечной,
то внутреннее поле смещения D между этими поверхностями является очень интенсивным, что в пределе приводит к конечной разности потенциалов между противолежащими элементами поверх ностей Se и S (. Именно интенсивное внутреннее поле смещения является с физической точки зрения причиной скач ка потенциала двойного слоя при пере ходе через поверхность 5.
Выведем формулы для предельных значений потенциала <ре (Q) и ф2(Q). Вокруг точек Qe и Qt вырежем одина ковые элементы поверхностей ASe и AS2 (рис. 8), размеры которых очень велики по сравнению с расстоянием / между
заряженными поверхностями |
и в то же |
время достаточно малы, чтобы плотности а, и о, |
в пределах |
этих элементов можно было считать постоянными, а сами элементы плоскими. При этих условиях поле между элемен тами ASe и ASt будет идентично полю плоского конденсато
ра и поэтому |
в |
этой |
части |
пространства для |
смещения |
||||
справедливо выражение D = a (Q). |
Отсюда |
|
|
|
|||||
ф(С«) = |
ф(0) + |
^ |
т = |
ф(0) + |
а -5- = |
Ф(0) + |
^ |
; |
(1.103) |
Ф (Qt) = |
ф (Q) - |
D |
4- = |
ф (0) - |
а 4- = |
Ф (Q) - |
^ |
- |
(1• 104) |
Потенциал ф (Q) в точке Q создается как зарядами на элементах ASe и ASt, так и всеми остальными зарядами на поверхностях Se и S t. Потенциал ф (Q) от зарядов на ASe и ASt равен нулю, так как в силу симметрии картины поля,
46
созданного элементами, через точку Q проходит нулевая эквипотенциаль этого поля (симметрия — следствие пре небрежения кривизной элементов AS t и ASe). Потенциал поля от остальных зарядов можно определить по формуле (1.102), так как по построению размеры элементов ASe и AS,- значительно превосходят I. Таким образом, из выраже ний (1.103) и (1.104) определяем:
+ |
4я |
|
т (М) |
cos (rQM< пМ) |
dSM; (1.105) |
|
|
|
S— AS |
|
rQM |
|
|
t (Q) |
+ |
1 |
I т {M) |
cos (rQM, nM) |
cISm- |
|
ф (Q^) |
4я |
'QM |
||||
|
|
|
S -A S |
|
|
(1.106) |
Устремляя l |
и ASe = A |
= |
AS к нулю |
в формулах |
(1.105) и (1.106), причем так, чтобы в процессе стремления I было всегда много меньше размеров AS, и учитывая, что-
Пшср (Qe) = <ре (Q) |
и Пгпф (Q{) = фг (Q), получаем: |
1~+0 |
1-+о |
4>е (Q) = |
т |
(Q ) |
+ |
|
1 |
§ |
т (М) |
cos Oqm- пм) |
|
|
|
|
4я |
г 2 |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
rQM |
||
Фг (Q) |
|
t(Q) |
|
+ |
1 |
|
т (М) |
cos (rQM ’ п М ) |
|
|
|
4я |
|
г 2 |
|||||
|
|
|
|
|
|
Ф |
QM |
||
Отсюда для скачка потенциала |
выводим |
||||||||
Фе (Q) — Фг (Q) = |
|
т (<?)• |
|
|
|||||
Выясним, |
как ведет себя нормальная |
||||||||
составляющая вектора смещения, соз |
|||||||||
данного двойным |
|
|
слоем, при |
переходе |
|||||
через поверхность S. |
Согласно теореме |
Гаусса, поток вектора смещения D че рез любую замкнутую поверхность S', произвольным образом пересекающую поверхность S двойного слоя (рис. 9), равен нулю, т. е.
$D dS = 0, |
(1.109) |
S' |
|
dSM; (1.107)
dSM. (1.108)
•ч
\
/
/
/
Рис. 9.
так как равен нулю суммарный заряд, заключенный внутри поверхности S'. Используя выражение (1.109), докажем,, что нормальная составляющая вектора смещения изменяет ся непрерывно при переходе через поверхность двойного-
47
слоя, т. е. что
Г)е — Г)1 |
( 1. 110) |
LSn ■— |
Рассуждаем от противного. Пусть равенство (1.110) не
выполняется, т. е. Djj — Dln — f (Q), где f (Q) — некоторая функция скачка. Пусть для определенности в некоторой точке Q функция скачка положительна, т. е. / (Q) > 0. Тогда, считая / (Q) непрерывной, найдем на поверхности -S такую конечную окрестность AS точки Q (рис. 10), что для
всех точек этой окрестности f (Q) > 0. По строим теперь замкнутую поверхность 5', бесконечно близко прилегающую с обеих сторон к поверхности S и содержащую в себе часть AS этой поверхности. Тогда
j DendS — j D‘ndS
s,
= j f(Q)dSQ> 0.
Рис. 10. |
AS |
|
Это противоречит соотношению (1.109), что и доказывает справедливость соотношения (1.110). Учи тывая (1.98), соотношение (1.110) представим в виде
д(ре |
дср( |
|
( 1. 111) |
|
дп |
дп |
• |
||
|
Равенства (1.110) и (1.111) справедливы для всех точек по
верхности S, в которых вектор смещения D конечен. В мес тах нарушения гладкости поверхности S (угловые точки и ребра) напряженность, а следовательно, и смещение могут быть неограниченно большими и равенство (1.110) теряет смысл.
Приведенный вывод соотношений (1.107), (1.108) и (1.110) является наглядным, но не удовлетворяет требованиям ма тематической строгости. Строгий вывод этих соотношений можно найти в математической теории потенциала [16], при этом соотношения (1.107) и (1.108) выражают теорему о скачке значений потенциала двойного слоя, а соотношение (1.111)— теорему Ляпунова — Таубера о непрерывности нормальных производных потенциала двойного слоя.
Применим потенциал двойного слоя к расчету электро-
,статического поля в кусочно-однородной среде [48, 90].
48
В отличие от поля электрической напряженности Е по ле смещения D не является безвихревым во всем безгранич
ном пространстве, так как циркуляция вектора/) по конту рам L, пересекающим поверхности S k границ раздела сред (рис. 11), вообще говоря, отлична от нуля. Однако внутри
каждого диэлектрика Vk поле смещения D является без вихревым-и, следовательно, внутри каждой из областей од нородности можно ввести однозначный скалярный потенциал Ф при помощи соотношения (1.98). Значение потенциала в областях Vk будем обозначать через фА, а во внешней облас ти — через фг. Этот потенциал будет удовлетворять урав нению Пуассона в областях Vp (р — 1,
2, ..., т), где имеется объемнораспределенный заряд, и уравнению Лапласа в остальной части пространства:
32Ф |
, |
дер |
~~ |
-рр в Vp |
ду2 |
1 |
дг2 |
||
(Р = 1, 2, . . . |
, т); |
|
(1.112) |
|
Аф = 0; |
вУ |
Р= 1 |
(1.113) |
|
|
|
|
Из краевых условий для касательных и нормальных составляющих смещения на границах Sk раздела сред
De D*
—- = —- и Den = Dn вытекают следующие краевые усло- |
|||||
8о |
|
|
|
|
|
вия для потенциала: |
|
|
|
|
|
фе ^ |
Щ |
+ |
|
|
(1.114) |
80 |
8k |
|
|
||
дуе _ |
dlfk |
|
на поверхности Sh |
||
|
|
|
(1.115) |
||
дп |
дп |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
(^ == 1, 2, |
. . . , |
п), |
|
|
где Ck — постоянные, |
разные |
для |
каждой |
из поверхнос |
|
тей Sk. |
|
|
|
следует |
добавить еще |
К выписанным соотношениям |
|||||
условие |
|
ф Д °о )= 0. |
|
(1.116) |
|
|
|
|
Согласно выражению (1.114) скалярный потенциал пре терпевает скачок на границах Sk раздела сред, т. е. потен циал не является однозначным во всем пространстве.
4 4-691 |
49 |