Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Тозони О.В. Расчет трехмерных электромагнитных полей

.pdf
Скачиваний:
21
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.32 Mб
Скачать

Если даже правая часть уравнения (1.21) при X = 1 та­ кова, что это уравнение разрешимо, то используя физиче­ ские соображения, нетрудно видеть, что решение этого урав­

нения будет неединственным.

В самом деле, при е( — со

(X — 1) плотность о (М) в

уравнении (1.21) представ­

ляет собой поверхностную плотность электрического заря­ да на поверхности проводника, однако информация о пол­ ном заряде q проводника не отражена в уравнении (1.21). В зависимости от величины <7значения а (М) будут различ­ ными. Поэтому уравнение (1.21) не может иметь единствен­ ное решение. С наибольшей очевидностью неоднозначная разрешимость этого уравнения проявляется в случае, когда в окружающем проводник пространстве отсутствует объем­ но распределенный заряд, т. е. когда ph (N) == 0. При этом уравнение (1.21) переходит в однородное

которое описывает распределение плотности электрическо­ го заряда по поверхности S уединенного проводника.

Когда проводник не заряжен, то а (М) = 0. Ненулевое решение уравнения (1.38) соответствует случаю, когда про­ водник заряжен. При этом значения а (М) зависят от вели­ чины заряда q, информация о которой не отражена в урав­ нении (1.38), что и является с физической точки зрения причиной неоднозначной разрешимости этого уравнения, как и уравнения (1.21) при X — 1.

Нахождение распределения заряда на уединенном заря­ женном проводнике представляет собой классическую за­ дачу, носящую в математике название задачи Робэна [16]. Уравнение (1.38) называют уравнением Робэна. Рёшение задачи Робэна является актуальной проблемой и до сих пор привлекает внимание математиков [110].

Таким образом, численное решение задач электростати­ ки при помощи интегральных уравнений сопряжено со следующими трудностями:

1)с неустойчивостью (точнее с плохой устойчивостью) решения уравнения (1.21) к малым возмущениям правой части;

2)с неоднозначной разрешимостью интегральных урав­ нений (1.21), (1.33) при X — 1 и уравнения (1.38).

'3. ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРА ИНТЕГРАЛЬНОГО УРАВНЕНИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЙ ЗАДАЧИ*

Для выяснения вопросов о разрешимости интегрального уравнения (1.21) и о сходимости последовательных прибли­ жений найдем распределение характеристических чисел, т. е. исследуем спектр интегрального уравнения (1.33).

Пусть Я,0 и cr0 (Q) Ф О являются соответственно характе­ ристическим значением и собственной функцией интеграль­ ного уравнения (1.33), т. е.

~ i t

<М) - C0S(T ’ V "

dSM = °- ^ -39)

/

rQM

 

Сначала предположим, что а0 (Q) и

вещественны.

Рассмотрим однородную среду с проницаемостью е, в ко­ торой на поверхности S создано искусственное распределение электрических зарядов с плотностью а0 (Q), удовлетворяю­ щей уравнению (1.39). Потенциал поля, созданного этим распределением зарядов, находим по формуле

с - 40*

Из выражений (1.18), (1.19) и (1.19а) получаем выра­ жения для нормальных составляющих напряженности со­ ответственно с внутренней и внешней стороны поверхнос­ ти S:

 

 

 

 

 

cos(/-OA{, nQ)

Еп (Q)

 

+

4яе ■ф<*0 (М )-

(ISm,

 

 

 

 

 

rQM

(1.41)

Een(Q)

Pq(Q)

+

4лв •§O o(M )-

- аом-

2e

 

 

 

 

 

rQM

 

Из выражений (1.41)

и (1.42)

определяем:

 

 

 

 

EsS£L = Ееп(Q) — Еп (Q);

 

 

 

 

Ь

 

 

 

1

 

 

C0S(f°'"' ”g)

dSH = Р . «й +

JSi (в).

-5 3 - У ®„ (Af)

*Перед чтением последующего материала рекомендуем обратиться

кприложению 1, где кратко изложены основы теории интегральных уравнений.

21

Из этих соотношений и уравнения (1.39) выводим

Еп (Q) - Е1п (Q) = Х0 [Ееп(Q) + Еп‘ (Q)].

(1.43)

Таким образом, если cr0 (Q) удовлетворяет уравнению (1.39), то на поверхности S нормальные составляющие на­ пряженности поля, созданного простым слоем электриче­ ских зарядов плотности а0 (Q), связаны соотношением (1.43).

Умножим обе части выражения (1.43) на ф0 (Q) и проин­ тегрируем по S. Тогда

(j) Een<p0dS (j) E^ffodS

 

 

h = ---------

¥ ~ t------

(1-44)

(j) Een(f0dS +

| ) En(f0dSl

 

 

Покажем, что если внутри области V, ограниченной по­ верхностью S, отсутствуют электрические заряды, то энер­ гия электростатического поля, локализованная в этой области, выражается формулой

w = — -j- EnydS,

(1.45)

где Е„ — составляющая напряженности поля по направле­ нию внешней к области V нормали.

При доказательстве соотношения (1.45) исходим из выра­ жения для энергии электростатического поля

Г = ®

- F d V ^ - E - jl grad <pl2dV.

(1.46)

v ,

v

 

Используем известную формулу Грина [82]

^ (фДф + grad ф grad ф) dV =

(1.47)

v

Полагая: ф = ф и учитывая, что в области V отсутству­ ют заряды, т. е. Лф = 0, определяем

(1.48)

Из выражений (1.46) и (1.48) получаем соотношение

(1.45).

Это соотношение справедливо и для энергии электроста­ тического поля, локализованной вне поверхности S, толь­

22

ко при этом Еп — составляющая напряженности по направ­ лению внутренней нормали.

Учитывая, что в соотношении (1.44) Еп и Еп — состав­ ляющие напряженности по направлению внешней к S нор­ мали, из выражения (1.45) получаем

=

We+Wc

 

(1.49)

We — Wi

 

где We и Wt — энергия электростатического поля, локали­ зованная соответственно вне и внутри поверхности S.

Из формулы (1.49) следует, что если характеристическое значение А,0 и соответствующая ему собственная функция

ст0 (Q) вещественны, то |А,0| >-

1.

 

 

 

Рассмотрим случай, когда Х0—вещественное

число, а

о0 (Q) — комплексная функция,

т.

е. о0 (Q) =

oba) (Q) +

+ /ооР) (Q). Тогда выражение

(1.39)

расщепляется на два:

о ^(< 3)

cos (rQM, nQ)

 

 

 

d S u — 0;

 

 

rQM

 

Oo(p) (Q) --- ^ ф o(p>(M) —

 

 

Hq) dSM=

0,

S

 

rQM

 

из которых следует, что действительному значению А,0 со­ ответствуют две действительные собственные функции

о(0а) (Q) и оор( ) (Q), т. е. приходим к рассмотренному случаю. Следовательно, для всех вещественных характеристических значений справедливо неравенство |Х0| >> 1.

Покажем теперь, что интегральное уравнение (1.33) не может иметь комплексных характеристических значений, т. е. что все характеристические значения вещественны. Рассуждаем от противного. Пусть найдутся комплексное

характеристическое число А,0 и соответствующая ему соб­

ственная функция

о0 (Q) =

Ооа>(Q)

+

jo(0p)(Q),

удовле­

творяющая уравнению

 

 

 

 

Р° (Q) ---- т

{ГТ

Hq) dSM= 0. (1.50)

 

 

§

rQM

 

 

Рассмотрим однородную

среду

с

проницаемостью е

и на поверхности

5 введем

простой

слой электрических

23

зарядов. Будем считать, что заряды синусоидально изменяют­ ся во времени, и их комплексная амплитуда а0 (Q) удовлетво­ ряет уравнению (1.50). Частоту изменения зарядов во вре­ мени выберем столь малой, чтобы можно было принять условия квазистационарности. В рамках этого условия потенциал электрического поля, созданного простым слоем зарядов плотности а0 (Q),

Фо(0)

g rQM

Отсюда, аналогично предыдущему, находим, что на по­ верхности 5 комплексные амплитуды нормальных составля­ ющих напряженности этого поля связаны соотношением

Ёеп(Q) - Е \ (Q) = к0 [Ёеп(Q) + Еп‘ (Q)i.

Умножим это равенство на функцию ср (Q), сопряжен­ ную с ф (Q), и проинтегрируем noS. Тогда

Я,0 — s____________s_________

(1.51)

(j) EnVodS +

ф £г„ФоdS

 

s

s

 

Покажем, что если в области V, ограниченной поверх­ ностью S, отсутствуют электрические заряды, то среднее

за период значение энергии W электрического поля, ло­

кализованной в этой

области,

 

 

r

=

5.

(1.52)

 

 

6'

 

Среднее за период значение объемной плотности w энер­ гии электрического поля выражается через комплексную амплитуду напряженности следующим образом:

w = 44-1I Ё |21 - 44- ЕЁ.

Откуда

W =

( ЁЁ йУ =

-J- \ grad ф grad ydV.

(1.53)

 

v

v

 

24

Используя формулу Грина (1.47), полагая в ней ф = <р

и учитывая, что Дф =

0, определяем

 

 

J grad ф grad ydV — ф ф

dS.

(1.54>

V

S

 

 

Таким образом, из выражений (1.53) и (1.54) получаем соотношение (1.52).

Используя доказанное выражение для W, из выражения (1.51) выводим

4

We + Wi

(1.55)

д 0

~

>

W9 — Wt

где We и W( — среднее за период значение энергии соот­ ветственно вне и внутри поверхности S.

Возникает противоречие. В самом

деле,

— — Wi

со-

гласно выражению (1.53) вещественно,

в то

We - Wi

как

время

по предположению комплексно. Это противоречие опро­ вергает наше допущение и доказывает, что все характерис­

тические значения уравнения (1.33) вещественны.

= —1

Выясним, являются ли

значения

= 1

и

характеристическими для интегрального

уравнения (1.33).

Из выражения (1.49) следует,

что равенство Х0 = 1

возмож­

но только при условии

W{ =

0, а это означает, что поле в

области, заключенной

внутри поверхности S,

отсутствует.

Такой случай возможен, если среда внутри S является про­ водящей и ст0 (Q) совпадает с распределением электрического заряда на поверхности уединенного проводника. Таким обра­ зом, А,0= 1 является характеристическим значением для урав­ нения (1.33), а соответствующая ему собственная функция ст0 (Q) совпадает с распределением плотности электрическо­ го заряда по поверхности уединенного проводника. Очевид­

но, что различные собственные функции oq1) (Q) и а(02) (Q), соответствующие одному и тому же характеристическому значению Я,0 = 1, могут отличаться друг от друга лишь

постоянным множителем: Oq1(Q) = Со02)( (Q), т. е. ао° (Q)

и °о2) (Q) соответствуют распределениям плотности электри­ ческого заряда по поверхности уединенного проводника с различными суммарными электрическими зарядами. Это утверждение нетрудно доказать аналитически. В самом

25

деле, пусть Сто* (Q) и Сто2' (Q) собственные функции, соот­ ветствующие характеристическому значению к0 = 1, т. е. такие функции, что потенциалы

фУ>

 

4 ‘Щ

dSM и

фо2)

(Q) =

 

 

 

 

'QM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

А

4 2>( ^ )

dSM

 

 

 

 

 

f

 

rQM

 

 

 

 

 

принимают на поверхности S постоянные значения

и V2.

Рассмотрим

распределение зарядов

 

 

 

 

 

о (Q) =

ас,1' (Q)

Vl

„(2)

(Q)

 

 

 

 

 

°о

 

 

 

и соответствующий ему потенциал

 

 

 

 

 

v(Q) = ^

§ 1r

^ dSM==4>V) (Q)

V 1

™ < 2 >

(Q).

 

V.

фо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Очевидно, что ф (Q) =

0 на поверхности S. Откуда

со­

гласно выражению (1.48) следует,

что t p( Q) =0

во всем

пространстве,

поэтому

a ( Q ) s O и о^11 (Q) =

-р2-

Оо2)

(Q),

что и требовалось доказать.

Из выражения (1.49) следует, что если Х0 = —1 являет­ ся характеристическим значением, то W, — 0. Последнее возможно, если среда вне поверхности S является проводя­ щей и о0 (Q) совпадает с распределением плотности электри­ ческого заряда по внутренней поверхности проводника S. Поскольку внутри S, т. е. внутри диэлектрической полости, вырезанной из неограниченной проводящей среды, зарядов нет, то очевидно, что cr0 (Q) == 0. Отсюда вытекает, что Х0 =

=—1 не является характеристическим значением.

Витоге доказана следующая важная 1-я спектральная теорема: все характеристические значения уравнения (1.33) вещественны, в интервале (1, 1) нет характеристических значений', значение %0 — — 1 не является характеристиче­ ским-, Х0 = 1 характеристическое значение, а соответ­ ствующая ему собственная функция совпадает с распре­ делением плотности электрического заряда по поверхности

S уединенного проводника; число линейно независимых реше­ ний однородного интегрального уравнения (1.33) при К — 1 равно единице.

26

Поскольку К —

е*

при конечной е,- по модулю мень-

 

Щ"г е*

1-й спектральной теореме зна­

ше единицы, то согласно

чение К = -г‘-г

не является характеристическим и,

£i

 

 

следовательно, в соответствии со второй теоремой Фред­ гольма уравнение (1.21) однозначно разрешимо. Более того, последовательные приближения (П.24) для интеграль­ ного уравнения (1.21) сходятся не медленнее, чем геометри­ ческая прогрессия со знаменателем

а —

есее j

ei +

e* |-

 

При е( ~ оо, т. е. когда среда внутри поверхности S

является проводящей, К =

jj-

= 1 и совпадает соглас­

но 1-й спектральной теореме с характеристическим значе­ нием. В этом случае для разрешимости интегрального урав­ нения (1.21) необходимо выполнение условий 4-й теоремы Фредгольма. Покажем, что эти условия выполняются.

При е,- = оо p'k

( N ) = ~ p k (Л/) г

0 и

уравнение (1.21)

принимает вид

 

 

 

g Рй —

а т Ф * м —

1- '- -

dS« -

 

/

rQM

 

 

cos CrQN, n Q)

^

 

fc=l

rQN

(1.56)

 

 

Используя выражение (1.36), нетрудно убедиться, что соответствующее уравнению (1.56) сопряженное однородное уравнение

t (Q) — ~ ф т (М)

С-°-5(Л°2М' Пм) dSM= 0 (1.57)

s

rQM

имеет ненулевое решение т0 (М), равное произвольной по­ стоянной, т. е. т0 (М)—С= const. Согласно 1-й спектральной теореме и 3-й теореме Фредгольма находим, что уравнение (1.57) не имеет иных нетривиальных решений, кроме как постоянную. Поэтому для разрешимости уравнения (1.56), в соответствии с 4-й теоремой Фредгольма, необходимо

27

выполнение равенства:

 

 

v

dSn — О,

 

 

rQN

 

 

 

или эквивалентного ему соотношения

 

П

 

cos(rQN, nQ)

V

 

dSc dVN = 0. (1.58)

k=\

 

1QN

 

 

Справедливость выражения (1.58) следует из равенства (1.36), так как точка N находится вне поверхности S; т. е. разрешимость уравнения (1.56) доказана. Однако решение этого уравнения не является единственным. Решение урав­ нения (1.56) представляет собой распределение плотности электрического заряда по поверхности проводника, находя­ щегося в поле объемно распределенных зарядов рк (N). Поэтому значения а (М) зависят от величины полного за­ ряда проводника q, информация о которой не отражена в уравнении (1.56). С математической точки зрения, неедин­ ственность решения этого уравнения состоит в том, что к любому его решению можно прибавить ненулевое решение однородного уравнения и при этом вновь получим решение уравнения (1.56).

4. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СВОЙСТВ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПОЛЯ ДЛЯ ВИДОИЗМЕНЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО УРАВНЕНИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЙ ЗАДАЧИ

Параметр К = - ^ при больших etблизок к харак­

теристическому значению — единице. Это затрудняет чис­ ленное решение интегрального уравнения (1.21). Так, в свя'зи с приближенным характером вычислений на ЭЦВМ плохая устойчивость решения интегрального уравнения (1.21) к малым возмущениям правой части [см. соотношение (1.37)] по существу эквивалентна неустойчивости решения интегрального уравнения (1.21) к этим возмущениям. Кро­ ме того, при больших е(-, т. е. при значениях К, близких к единице, медленно сходятся последовательные приближения. При этом численная реализация метода последовательных приближений сопряжена с большим накоплением погреш­

28

ности. Убедимся, что при решении интегрального уравне­ ния (1.21) методом итераций (П24) погрешность, возникаю­ щая за счет приближенного вычисления интегралов, может быть существенно больше погрешности, определяемой со­ отношением (1.37).

Если бы при реализации метода последовательных при­ ближений все вычисления производились абсолютно точно, то мы получили бы согласно § 1 приложения следующее выражение для решения уравнения (1.21):

ст = / + М С / + W t * / + + № / + •••, (1-59)

где f — правая часть уравнения (1.21); К — интегральный оператор, определяемый равенством

Y(Q) = KX = ~ S x ( M ) s

C0S-('Q«’. Ч . dSM.

(1.60)

гЬм

Из соотношения (1.36) следует, что интегральный опера­ тор К, определенный формулой (1.60), любую функцию X (М) со средним значением а переводит в функцию Y (Q) с таким же средним значением а, т. е. если ГХ = а, то

ГУ — ГКХ = а,

(1.61)'

где Г — оператор усреднения У = ГХ — ~]f ^

X Ш) dSM.

Вследствие погрешностей вычисления интегралов на ЭЦВМ, возникающих на каждом шаге итерационного про­ цесса (1.59), получаем следующее приближение для решения уравнения (1.21):

а = / + £0+ W f +

 

+ Чу + V K 2f +

о +

 

+

+ Ъ% + •••

+ 4 K nf + ^ K 4 o + 4 K n- ^ 1+

•••

+

+

r ^

n_ I +

n „ 4 -

... = f + \K f + m

j +

•••

+

 

+ 4 K nf + •••

+ ? 0 +

Щ 0+ т о +

•••

+

 

+

^

+ Щ 1+

Щ ! +

••• + Ч К пЛ г + •••

+

+

+ Ъп+1К1п+ Ч+2К%п + • • • + Ъ2пк% п + • • • ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1.62)

где

£0 — погрешность

вычисления правой части

/ (Q);

Si. Sa. .... tn — погрешности,

допускаемые

на 1, 2, ..., п-й

итерации

процесса (1.59) при вычислении

интегралов.

29

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ