Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Тозони О.В. Расчет трехмерных электромагнитных полей

.pdf
Скачиваний:
66
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.32 Mб
Скачать

условиям (2.143), (2.144) можно удовлетворить, если на границе S раздела сред ввести двойной слой магнитных за­

рядов. Иначе говоря, для того, чтобы поле индукции Вн осталось неизменным при замене исходной кусочно-одно­ родной среды однородной, необходимо на границе S разде­ ла сред ввести вторичные источники — слой магнитных диполей, распределение которых должно быть таковым, чтобы удовлетворялось условие (2.144) или (2.142). Соглас­ но изложенному представляем потенциал в виде

1

£

_ , ^ С08(б2М’ пм) ло

. Т +

Г с о s (r Q M ’ п М )

<рт = и г

9

т {М) Л------- dSM +

S+

dSм ?

 

s

r QM

 

'Q M

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.145)

где т+ — постоянная плотность диполей на непроницаемой перегородке S+, введенной внутри области V+ (если в по­ добной перегородке нет необходимости, то во всех после­ дующих формулах можно полагать т+ = 0).

Из формулы (2.145) и предельных свойств потенциала двойного слоя согласно соотношениям (1.107) и (1.108) на поверхности S находим:

+

т (Q)

 

 

cos (rQM, пм ) ]0

Фт

 

 

----- о------- UOМ +

+

2 ц +

 

 

Л

 

 

И-

 

 

r Q M

 

 

 

 

4лр+ J+

rlQM

 

 

(2Л46)

 

 

 

 

 

Фт

t ( Q )

4* ■4яр0

(j) т (Л4)

COS i r Q M ’

п м )

dSM-f-

Ио

2(i0

 

 

 

r Q M

 

 

 

 

T +

cos(rQM, nM)

 

(2.147)

 

+

4лц0

'Q M

dSM-

 

 

 

s+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Из формул (2.146) и (2.147) следует, что краевое условие (2.144) будет выполняться, если плотность х (М) диполей будет удовлетворять следующему интегральному уравне­ нию

t (Q) +

ii+. Ио

(|)т(Л4) c o s ( r Q M , п м ) dSM =

Ц+ + По

rQM

1 4 0

— Т +

Р+ — Ро

1

cos(7qm, пм)

dSju 4*

 

л

Р+ + Но

 

 

6+

r QM

 

+ 2 - * = £ % 2 , - 2 . P+ Po

(2.148)

 

P^ + Po

 

Р+ +Ро

 

Согласно гл. I, 6 интегральное уравнение (2.148) одно­ значно разрешимо и его решение может быть найдено методом последовательных приближений. Но поскольку па­

раметр К = **, ~

в этом уравнении близок к характери-

Р+ + Ро

стическому значению — единице, то последовательные при­ ближения для уравнения сходятся крайне медленно, а решение неустойчиво к малым возмущениям правой части. Следовательно, необходимо преобразовать уравнение (2.148), воспользовавшись свободой выбора постоянной С в правой части. В частности, константу С следует выбрать так, чтобы решение уравнения (2.148) удовлетворяло усло­ вию

(j) т (Q) dSQ= 0,

(2.149)

s

 

т. е. исключить из распределения т (М) постоянную состав­ ляющую, поскольку потенциал двойного слоя постоянной плотности, распределенный по замкнутой поверхности, не создает поля индукции в окружающем пространстве. Ин­ тегрируя уравнение (2.148) noS и учитывая условие (2.149), находим

2р"^р0

q — 1

Р+

 

cos(гРМ, ПМ)

' Ро^т(М ) <§)

dSp dSM

И1 + Р-0

 

Р+ + Ре

 

'P M

*

т+

Р+ — Ро

 

cos (rPM, nM)

 

д о

 

dSP (ISm -f-

 

Р+ +

Ро

'P M

 

 

 

s+ Ls

 

 

 

+

2

PoP+

(P) dSp.

 

 

 

p"*" + Po

 

 

Подставляя последнее соотношение в уравнение (2.148),

приводим это уравнение к виду [90]

cos (rQM, ПМ)

 

т (Q) +

 

I . + - •Цо фт(Л1)

 

 

2п

Р+ + Ро

 

r QM

141

 

 

cos (rPM’ пм)

dS,

dSM =

— T +

M-+ —

Po

X

 

 

л

2ri

 

 

rPM

 

 

 

Iх'*' +

Po

 

 

 

cos irQM'

n M)

 

cos (rPM' ~n M)

dSP dS/д 4"

X

 

,2

-

4 -

Г

,2

 

s+

rQM

rPM

 

 

 

 

 

 

 

s+

 

 

 

 

 

 

+ 2(Po —

P+) фш<«— r

f 4>6m(P)dSp).

(2.150)

 

 

P+ + Po

 

 

 

 

 

 

Согласно гл. I, 6 первое характеристическое значение

%{l) для

уравнения (2.150) по модулю больше единицы, по­

этому последовательные приближения для этого уравнения сходятся значительно быстрее, чем для уравнения (2.148), а само решение более устойчиво к малым возмущениям пра­ вой части. Следовательно, для численного расчета магнито­ статического поля в кусочно-однородной среде при помощи потенциала двойного слоя следует использовать интеграль­ ное уравнение (2.150).

Рассмотрим кратко магнитостатическую задачу, в ко­ торой среда в области V+ является однородной анизотроп­ ной с тензором магнитной проницаемости р^/, вне V+ — среда воздушная с проницаемостью р0, а магнитное поле возбуждают проводники (катушки) с заданным распреде­

лением токов, занимающие области V$ (k = 1,

2, .... п)

[45, 463. Аналогичная электростатическая задача

подробно

исследована в гл. I, 9. Декартову систему координат выбе­ рем так, чтобы ее оси совпали с главными осями тензора

\ifl, который тогда можно

представить в виде диагональной

матрицы

/р+

0

0 \

 

 

 

 

pf/=

0

р+

0 .

 

 

V 0

0

р+/

 

В область

введем скалярный потенциал ф„

следую­

щим равенством:

 

 

 

 

 

 

7/+ = - g гас1ф+,

(2.151)

который будет удовлетворять в области V+ уравнению

 

 

32Ф+

+ <32ф1+

 

ц7

дхг + Р* ~ W

+

Р*

дг1 = 0.

(2.152)

142

Для напряженности магнитного поля в области V~ используем разложение (2.121) и введем скалярный потен­ циал следующим равенством:

На~ = — grad ф~,

(2.153)

который в области V~ будет удовлетворять уравнению Лап­ ласа:

Асрт = 0.

(2.154)

Из формул (2.151) и (2.153) следует, что условия непре­ рывности касательных составляющих магнитной напряжен­ ности и нормальных составляющих вектора индукции будут выполнены, если на 5 будут удовлетворяться краевые усло­ вия:

 

фт — фт — фт

“Ь С \

(2.155)

Р

| ^ Ф т

P'0

^ Ф т

г / в —»

/ п ц - л .

Qy

 

РоНп i

(2.156)

где — скалярный потенциал поля Нв, вычисляемый в точках поверхности S по формуле (2.109); С — произволь-. ная константа;

Р+ = V Ipi" cos (n, х)]а -f [pjcos (rt, y)f -f [p+ cos (n, г)]2;

v — направление конормали к поверхности S (см. гл. I, 9), т. е. аналогично соотношению (1.267)

Р,+

.

<?ф+

,

dv - p t COS (n, X ) - g j- +

p^ cos

дф£

+ p^ cos (n, z) dz

да>+

( n , у )

-f

Как и в гл. I, 9, для поля Нн и поля Я + будем вводить свои, отдельные вторичные источники, распределенные по 5. Для поля Н+ введем простой слой магнитных зарядов, т. е. разыскиваем потенциал в виде

Фt (Q ) =

 

 

&

т .

dSм ,

(2.157)

 

4л К р + ц + р + J

KQM

 

где RqM

 

,

(yq — Ум>2

, (ZQ — гм?

11+

Т

X

 

г -

,+

- уГ -

 

 

 

 

143

Для поля Нн в качестве вторичных источников исполь­ зуем слой диполей, распределенных по 5, т. е.

фт (Q) = 4лц„ -фт(Л1) ■dSM- (2-158) rQM

Неизвестные плотности о (М ) и т (М ) находим из усло­ вия выполнения граничных соотношений (2.155) и (2.156), что, как и в гл. I, 9, приводит к системе интегральных уравнений:

т (Q) +

rQM

-----

^

ф Л Ж

ds M = 2|i0«pSr +

2С; (2.159)

2я К |х+^>+ Js

rqm

 

 

a(Q)-

2Дц+|1+|1+ sS

°QM

 

 

 

1

-ф [т (M) -

т (Q)] {rQM; -ПУ - dSM = -

2р0я г (Q).

дп.

•i

 

 

'Q M

(2.160)

Уравнения (2.159) и (2.160) не пригодны для численного расчета, поскольку если решение этих уравнений и суще­ ствует, то это решение неединственно. Уравнения (2.159) и (2.160) аналогично тому, как это сделано для случая элек­ тростатического поля в кусочно-однородной анизотропной среде, можно преобразовать в следующую систему одно­ значно разрешимых интегральных уравнений:

 

 

cos (rQM, пм )

cos (ГРМ, пм) ^ с

1

 

 

'QM

' РМ

dSp

 

 

 

 

 

 

N

а (Л1) RQM,

dSr

dSM ■

 

2я VР+Ц+Р+

Крм

 

2р0 ф5Г (Q)- ^ ° ф

(/>) dSp;

 

(2.161)

a(Q)

1

lrQM’

2я1/>г+Р+|х+

dSu~

V Ц+Р+Р+

Rqm

 

 

 

 

 

 

144

1 д (j) [т (М ) — т (Q)] s

= — 2ц0Нвп (Q).

(2.162)

Как и в гл. 1,9, можно доказать единственность реше­ ния системы (2.161) и (2.162). В случае плоского поля возмо­ жен другой вариант системы интегральных уравнений, пол­ ностью аналогичный системе (1.265) и (1.266).

Полученные в настоящем параграфе интегральные урав­ нения относительно скалярных вторичных источников зна­ чительно удобнее для численного расчета на ЭЦВМ, чем интегральные уравнения относительно векторных вторич­ ных источников, выведенные в гл. II, 2. Последнее объясня­ ется тем, что интегральные уравнения относительно ска­ лярных вторичных источников аппроксимируются при од­ ной и той же точности системами линейных алгебраических уравнений значительно меньшей размерности, чем это воз­ можно сделать для интегральных уравнений относительно векторных источников.

б. ДУАЛЬНОСТЬ ВЕКТОРНЫХ И СКАЛЯРНЫХ

ВТОРИЧНЫХ источников

При решении задачи В, в которой исходная кусочно­ однородная среда заменялась однородной с проницаемостью

р,0 так, чтобы осталось неизменным поле индукции В, на границе S раздела сред вводился в гл. II, 2 простой слой токов намагниченности, а в гл. II, 4 — двойной слой маг­ нитных зарядов (слой диполей). При решении задачи Н, в которой исходная кусочно-однородная среда заменялась однородной так, чтобы осталось неизменным поле напря­

женности Н, на поверхности 5 раздела сред вводился в

гл. II, 2 двойной слой токов намагниченности или все равно, что касательное к 5 распределение магнитного момента, а в гл. II, 4 — простой слой магнитных зарядов.

Такое сопоставление векторных и скалярных вторичных источников, используемых для решения одних и тех же задач, показывает, что простой слой токов намагниченности эквивалентен двойному слою магнитных зарядов, а двойной слой токов намагниченности — простому слою магнитных зарядов. Эквивалентность, взаимозаменяемость простого слоя токов намагниченности с двойным слоем магнитных

10 4-691

145

зарядов и двойного слоя токов намагниченности с простым слоем магнитных зарядов и выражает собой дуальность (двойственность) векторных и скалярных вторичных источ­ ников. Дуальность векторных и скалярных вторичных источников позволяет найти количественную связь между двойственными друг другу векторными и скалярными источ­ никами и после чего вывести выражения для векторного потенциала через скалярные источники и скалярного потен­ циала через векторные источники. Такие выражения необ­

 

 

ходимы для решения

тех задач,

где

при­

 

 

ходится одновременно

вводить скалярный

 

 

и векторный потенциалы (см. гл. III, 3).

 

 

Установим количественную связь между

 

 

плотностью простого слоя токов

намагни­

 

 

ченности и плотностью двойного слоя маг­

.

 

нитных зарядов.

Пусть на границе S

раз-

 

дела сред (рис. 27) распределен простой

-----У

слой

токов намагниченности, который со-

I

/

здает

в окружающем

пространстве

поле

 

 

намагниченности Вя. Это поле совместно с

Рис.

27.

полем Вв от токов проводимости и образует

 

 

истинное поле

индукции В [см.

формулу

(2.137)]. Для поля В" введем скалярный магнитный по­ тенциал, определив его равенством (2.138). Поскольку зна­ чения скалярного потенциала <рт с наружной и внутрен­ ней сторон поверхности S связаны соотношением (2.144), то за счет произвольного выбора константы С можно до­ биться, чтобы в любой точке О поверхности S значения по­

тенциала срт и фт совпали. Это общее значение можно при­ нять равным нулю, а точку О — за точку отсчета потенциа­ ла фт . Выберем произвольную на S точку М. Соединим ее с

О контурами Ь+ и LT, целиком лежащими соответственно в

областях V+ и V~ и образующими замкнутый контур Z, не охватывающий какой-либо ток проводимости. В част­

ности, L+ и Г могут сколь угодно близко прилегать к S. Из закона полного тока находим

Ф“ (М) — ф + (М) = J B"+d l -

j B*~di

B*dl

BdJ =

Х.+

L —

z

z

= Po

 

 

(2.163)

146

где L — какой-либо контур, соединяющий О с Ми лежащий на S.

Из формул (2.163) и (2.53) получаем

Фш (АО - Фt (М) =

(М).

(2.164)

Согласно теореме о скачке потенциала двойного слоя вы­ водим

ф -(Л 4 ) -Ф+(М) = т(Л4).

(2.165)

Из сопоставления формул (2.164) и (2.165) следует, что

т(М) = ц0Ч'}(М).

(2.166)

Учитывая соотношение (2.54), из формулы (2.166) на­ ходим

*(М) = — [пм, gradsx (А/)].

(2.167)

Но

Формулы (2.166) и (2.167) и выражают количественную связь между плотностями простого слоя токов намагничен­ ности и двойного слоя магнитных зарядов.

Из соотношений (2.57) и (2.166) получаем важную фор­ мулу [109], выражающую векторный потенциал через плот­ ность двойного слоя:

 

х (М ) Пм, grade

dS,м-

(2.168)

 

S

'QM

 

Аналогично для скалярного потенциала двойного слоя

находим

 

 

 

Фт (Q) =

*7

d S M ‘

(2-169>

При выводе соотношения (2.167) предполагали, что рас­ пределение токов намагниченности таково, что для них можно ввести функцию потока ^ {М), т. е. что выполняется

соотношение (2.52). Приведем другой вывод формулы (2.167), основанный на преобразовании уравнения (2.148)

для т (М) в уравнение (2.72) для i (Q), и тем самым докажем, что решение уравнения (2.72) удовлетворяет условию (2.52).

Для простоты рассуждений будем предполагать, что внутри магнетика отсутствует непроницаемая перегородка

S+. Возьмем градиент по поверхности S от обеих частей

10*

147

уравнения

(2.148):

 

 

 

 

 

gradst(Q)— g - •

 

 

grads <fx (M) (nM, gradQ -i-)d5M

 

г л

и ^ + Н о

-L

\

 

Г п и I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

QM

 

 

 

 

— 2

,+

 

 

 

(2.170)

 

 

 

 

-*T grads <pgf

 

 

 

 

 

 

Ho + H+

 

 

 

 

Преобразуем интеграл в уравнении (2.170)

 

 

grads (j) т (М) (пм, gradQ7^ - )

dSM=

 

= grad div ф -

Пм dSM — rot rot ф -

dSM +

 

 

J

 

го м

 

 

J

rOM

 

+ Д ( ф

 

 

dSM) = rot rot ф

г(М>пм .0

 

 

 

аом

, s

 

 

 

 

 

 

QM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

rot

 

T (M) grade - —

, nM dSM

 

 

 

 

 

 

' QM

 

 

 

 

=

— rot ф [т (M) g r a d y w . пм] dSM=

 

 

 

 

J

rQM

 

I

 

 

 

 

 

s

 

 

 

 

 

= — ro tf )[ gr a d A fn A fj d S M + r o t ^ - --- -,sT(M)’

UM]dSM=

J

 

 

 

rOM

 

j

 

rQM

 

 

= — rot

[nM, gradsT(M)]

dS,M =

 

 

rQM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ф[[пм, grads x(M)], grade 7^ -

^

 

(2.171)—(2.179)

Учитывая последнее равенство и соотношение grads фт =

— Bs (Q),

приводим

уравнение

(2.170)

к виду

gradsx(Q)-

1

U + - ^ Ф 1пм, grads х(Л4)], grade-i- dSM=

 

и,+ + Но J

 

 

 

rQM

 

 

 

 

- 2

-^+ ~ ^ В§ (Q).

 

 

(2.180)

148

Умножая векторно обе части уравнения

(2.180) на nQ

и деля на р0> находим

 

 

 

ТГ Й<3. grads т (<?)] —

 

 

X

[Пм, grads т(М)], gradQ_ i_

(ISm =

2яц0

rQM

 

 

 

= - 2 1 г й г 1,гс’ я0(<3)1-

 

(2Л81)

Уже очевидно, что уравнения (2.72) и (2.73) совпадают с уравнением (2.181) и, следовательно,

i {М) = г о [пм, grads х (М)].

Таким образом решение уравнения (2.73) связано с ре­ шением уравнения (2.181) соотношением (2.167) и потому удовлетворяет условию (2.52).

Найдем количественную связь между плотностью т (М) магнитного момента, касательного к S, и плотностью а (М) простого слоя магнитных зарядов. Для этого воспользуемся

соотношением (2.68) и, учитывая, что Н = rot А и что со­ ставляющая Ншв разложении (2.121) непрерывна, получим

Н Т - Ни+ =

(nQ, rot [ Я д ,т (Q)]).

(2.182)

Кроме того,

 

 

Н„~ Н*+ — о (Q).

(2.183)

Из формул (2.182) и (2.183) находим

 

a (Q) = ( Я

д ,rot [ Я д ,т (Q)]),

(2.184)

или в другом виде:

 

 

а (Q) tiQ=

rot [hq, т (Q)J.

(2.185)

Соотношение (2.184) позволяет записать выражение ска­ лярного магнитного потенциала через плотность магнитно­ го момента двойного слоя токов:

_1__ £

(nQ, rot [Яд, m(Q)])

iISm.

(2.186)

Фт(Q) = 4яр0 J

rQM

Чтобы найти выражение векторного магнитного потен­ циала через плотность простого слоя магнитных зарядов, необходимо проинтегрировать уравнение (2.185) по поверх­ ности S. Это ввиду произвольности поверхности S приводит

149

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ