Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Тозони О.В. Расчет трехмерных электромагнитных полей

.pdf
Скачиваний:
57
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.32 Mб
Скачать

намагниченности (тогда он имеет смысл во всем про­ странстве), либо для всего поля (тогда он имеет смысл только в части пространства, не занятой токами). Таким образом, оба подхода отличаются друг от друга лишь спо­ собом введения скалярного потенциала для первичного маг­ нитного поля, созданного токами.

Остановимся кратко на первом подходе, разработанном К. С. Демирчяном [18, 20, 21]. Рассмотрим проводник VK (рис. 20) с некоторым распреде­ лением тока. Дополним область VK некоторой частью воздушно­

го пространства до области К , называемой вихревой зоной. Вих­ ревая зона всегда строится так, что в остальной части простран­ ства нельзя провести замкнутый контур, охватывающий отлич­

ный от нуля ток в проводнике Рк. В частности, вихревая зона может быть построена дополнением проводника VK непроницаемой перегородкой 5К (рис. 20), на которой сле­ дует распределить двойной слой магнитных зарядов с плот­ ностью т = /, где I — ток в проводнике. Напряженность магнитного поля представляем в виде суммы:

Я = Я0 + Яв,

(2.85)

где безвихревая составляющая Н° удовлетворяет во всем пространстве уравнениям

rot Й° = 0; div Я0 =

(2.86)

 

Н'о

и может претерпевать разрывы на некоторых поверхностях,

авихревая составляющая Яв тождественно равна нулю вне У*, а внутри VI удовлетворяет уравнениям:

rot Нй= 6; div Я в = -----.

(2.87)

Но

однозначно.

Вихревая составляющая не определяется

За Яв можно принять любое решение первого уравнения (2.87), затем из второго уравнения (2.87) найти р, которое

и используется при вычислении поля Я0 согласно соотно­

шениям (2.86). Источниками потенциального поля Н° яв­ ляются не только объемные магнитные заряды плотностью р, но и простые и двойные слои зарядов, распределенные

120

по границе вихревой зоны V\. В частности, к источникам следует отнести двойной слой зарядов на непроницаемой перегородке SK, если такая используется при построении

вихревой зоны. Поверхностные источники поля Н° возни­ кают вследствие разрывов, которые испытывает это поле на границе вихревой зоны. Йз формулы (2.85) и из условия,

что Яв = О вне Ук> находим

Я0- — Я 0+ = Я в,

(2.88)

где Я 0+и Н°~ соответствуют значениям Я0

соответственно

внутри и вне вихревой зоны*.

однозначный

Соотношения (2.86) позволяют ввести

во всем пространстве скалярный потенциал ф~, определив его равенством

Я0 = — grad cpm.

(2.89)

Вне вихревой зоны скалярный потенциал удовлетворяет

уравнению Лапласа:

 

 

д Фт =

°>

 

внутри вихревой зоны — уравнению Пуассона:

 

д ф+ = — ~

= div Я 8,

(2.90)

fA0

 

 

на границе вихревои зоны нормальные и касательные сос­ тавляющие градиента ф~ претерпевают разрывы:

дфт

д(Рт

— Я8;

(2.91)

дп

дп

grads фm — grads Фт = — HI,

(2.92>

где grads и Я1 — касательные составляющие grad и Яв. Соотношения (2.91) и (2.92) следуют из формулы (2.88).

Эти соотношения будут выполняться, если на границе S вихревой зоны ввести одновременно простой и двойной слой зарядов с плотностями о (М) и т (М), которые находятся из формул:

о (М) = р0Я в (М);

(2.93)

grads т (М) = - Щ .

(2.94)

* Название «вихревая зона» применяется потому, что только_ в этой части пространства отлична от нуля вихревая составляющая Я в.

121

Если скалярные источники р, о и т найдены по форму­ лам (2.90), (2.93) и (2.94), то потенциал <рт определяется в любой точке пространства следующим соотношением:

+ ( £ ^ W

' C“ (Pr " Ml

(2.95)

S

гем

)

Поскольку источники р (М),о (М) и т (М) определяются только через Яв и существует определенная свобода выбора

вихревой составляющей, то естественно распорядиться этой свободой с целью упрощения выражения (2.95), т. е. обратить некоторые источники в нуль. Этот вопрос с общих позиций подробно рассматривается в работе [21].

Проиллюстрируем изложенное на примере, когда провод­ ник VKимеет прямоугольное сечение, высота которого неиз­ менна по его длине (рис. 21). В этом случае растекание тока в проводнике будет плоским. В качестве вихревой зоны

выберем область Ук> ограниченную боковой поверхностью проводника S6 и плоскими торцевыми поверхностями ST! и Sт2. Для получения наиболее простых выражений

примем, что вихревая составляющая Явнаправлена по оси г перпендикулярно к STi и ST2 и зависит лишь от х и у.

Тогда из первого уравнения (2.87) получаем

дНв

f. t

дНв

_ «

(2.96)

дх ^

у’

ду

*’

 

122

а из второго уравнения (2.87)

— £- = divtfB= 0.

(2.97)

Так как поле 6 плоское, то можно ввести функцию тока для вектора 6, определив ее соотношением

 

р

 

V (Р) = [

Ьп (М ) dlM = J бл (М) dlM.

(2.98)

LqP

О

 

За точку отсчета взята произвольная точка О боковой поверхности Se, а выбор контура интегрирования безраз­ личен. Из уравнений (2.96) и (2.98) выводим, что

Я В(Р) = V(P).

Отсюда следует, что в точках 5б Н* (Р)=0, а в точках И®.'лежащих вне области, занятой током, Нв (Р) = const =

U0/ Г V у

= , где / — полный ток через проводник, a h — его

высота. Таким образом, источниками скалярного потенциа­ ла (2.89) будут простые слои зарядов на торцевых поверх­ ностях Sxi и ST2 с плотностями ах (М) = IX0V^ (М) и а2 (М) =.

*= — ЦсУ {Р), т.е.

 

 

 

 

Фт (Q) =

V (М) dSM

Г

у м

dSM- (2.99)

 

rQM

3

а<5М

 

s t2

Перейдем теперь ко второму подходу, когда скалярный потенциал вводится не во всем пространстве, а только в его части, свободной от токов. Скалярный потенциал в этом случае будет неоднозначной функцией; для достижения однозначности необходимо вводить непроницаемые пере­ городки. Однако, поскольку во многих задачах скаляр­ ный потенциал поля тока нужно определять только на неко­ торых поверхностях, то можно поступить иначе. Одну из точек поверхности S, на которой необходимо вычислить потенциал, примем за опорную и положим в ней магнитный

потенциал поля токов ср^, = 0. Значение потенциала ср^, в любой другой точке Р поверхности S определим по форму­ ле

 

фот (Р) =

фот (Р) — фот (М).

Если точки

Р и М

можно соединить прямолиней­

ным отрезком,

не пересекающим объем катушек с током, и

123

разность потенциалов в этихточках определить как линейный интеграл от напряженности вдоль отрезка, то потенциал

Фт (Р) определится однозначно. Значения ф£ на всей поверхности магнитопровода можно определить однознач­ но по участкам. Первый участок поверхности S будет со­ стоять из точек Р, которые можно соединить с точкой М прямолинейными отрезками, не пересекающими ток. Затем следует на этом участке выбрать одну из точек Р, наиболее удаленную от точки М, за опорную и вычислить разность потенциалов на следующем участке и т. д., пока не будут

вычислены все значения фт на поверхности магнитопро­ вода.

Напряженность магнитного поля Н в точке Q от токов

плотностью б, протекающих в объеме VK[см. (2.16)], найдем из соотношения

 

 

 

 

(N),

rqN )

 

 

tf(Q) =

I

 

Л

 

dvN.

 

 

 

 

vк

 

rQN

 

 

Разность потенциалов между точками Р и М вычисляем

по следующей формуле:

 

 

 

 

 

 

 

_а /п\

_б/ л Г

—, |

1

С

 

(N), rQN]

dVN

ф£(Р)-Ф,£(М)= -

j

dlQЦ -

j

 

.3

 

 

М

(

 

Уц

QN

 

 

 

 

 

 

 

— 1

 

I P

 

 

 

 

 

 

 

 

lr QN>

 

dvN.

(2. 100)

 

4 я

 

 

 

Л

 

rQN

Подынтегральная функция в формуле (2.100) не имеет разрывов и особенностей, так как г qn > 0, и поэтому в этой формуле можно изменить порядок интегрирования [95, 94].

Вычислим внутренний интеграл в выражении (2.100). Уравнение прямой МР в параметрической форме имеет вид:

xQ= хм + (хр — хм) t; HQ — Ум + {ур Ум) t\

Zq = Zm + (Zp ZM) t.

Отсюда получаем

dlQ= [(хр xM) I + {ур ум) j + (zp zM) £] dt =

= rPMdt.

(2.101)

124

Вектор расстояния между точками Q и N определяется формулой

rQN = (*Q — xN) 1 + (yQ— уN) 7 + (zQzN) k. (2.102)

Подставив эти значения в подынтегральное выражение (2.100), после простых преобразований получим

 

lrQN< d lQ]

 

 

 

[r N M ' r P A i\dt

(2.103)

 

rQN

{TN M ~

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 <r«M ' rPM) i + r PM(

 

Интегрируя выражение (2.103),

находим

 

 

p

_

_

i

 

 

lrNM’

грм\ dt

 

 

f

[rQN,

ig]

f

 

 

 

 

1г<эл/>

dlQ^ _

Г

 

 

 

 

 

 

 

1

 

~

l

\r %M — 2 (rN M '

r PM> t +

rPMt21

 

 

 

( rPM* ~ ( rP M ’ ~rN M ) \

\rN M > rPM)

 

 

{rP M r%M ~~ (r P M ’ rN

M ^ ^ r N M

~ 2 (r NM< rPM> tJT r PMtl

 

 

rPMr MN +

(rN M ’ rPM) (rP N ~

rMN) ,Z

 

(2.104)

 

 

 

 

 

 

 

 

[гым, Грм\•

 

r M N r PN {r PMr N M

NM> rt M l2

 

 

Преобразуем формулу (2.104), придав ей симметричный

вид относительно точек М и Р:

 

 

 

 

Грм =

ГМЫ + r P N

2 Л1ЛГ, Гp n )\

 

грм = гP N гмы',

(2.105)

^ nm, гpm) — {гnm, грдг) +

глш =

M N , гр ы )\

(2.106)

 

 

N M , Г р м ] = — M N , Г ры ].

(2.107)

Подставив эти выражения в формулу (2.104), получим

 

Vqn^-q)

 

 

lrPN> r M n ) {rPN + rMN)

(2.108)

 

м rQN

 

r PNr M N {r PNr MN +

rMN))

 

 

 

Следовательно,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

(6 (TV),

[rPN, rMN]) (rPN + rMN)

<Pm(/>)

фm

 

J

rDhIr

 

 

 

dV/f.

 

 

 

 

 

P N rM N {r P Nr M N + (r P N' rM N )} (2.109)

Чтобы убедиться в правильности формул (2.109),

пока­

жем, что в пределе при А/ ->■ 0 ее правая

часть совпадает

с выражением (2.16)

для

составляющей

напряженности

по направлению А/. Устремляя _точку М к точке Р, пе­ реходим к пределу при P M = А / 0. Получаем гРы =

125

= r MN — A/;

[r p N ,

гm n 3 =

[Д/, Гм ы \ -

при

А/ >■О

fMN -*■ ГPN\

 

 

 

 

 

 

 

 

{ г pN, г mn)

 

? P N \

Ф ( Я ), [ f P N ,

f M N ] ) - ^

(А/,

( N ) ,

O w l).

Подставив эти значения в формулу (2.109), получим

Л 6

-

i f

 

(АО [б (Л0, ~rPN\)

,

-п —л /П11ЛЧ

Афт

- г г

\ --------- 5---------- avs =

(— Я, А/). (2.110)

 

4

р

rPN

 

 

 

 

По формуле (2.109) можно вычислить потенциал фт на

всей поверхности S

[94].

 

 

 

 

Рассмотрим некоторые простые случаи токораспределения и покажем, что для них формула (2.109) приводит к не­ ожиданным и новым результатам [88]. Начнем со случая, когда магнитное поле создает линейный контур с током /. Выберем в пространстве некоторое произвольное направле­

ние, задаваемое единичным вектором ■&. Точки Р и М будем соединять только отрезками прямых, параллельных векто­

ру $. Полагая в формуле (2.109) б (N) dvn = MIn , устрем­ ляя точку М в бесконечность по прямой, проходящей через

Р и параллельной O’, и принимая фт (оо) = 0, из формулы

(2.109) находим

Фт (Р) =

(dlfji [грдг, 'О'])

(2. 111)

 

rPN {rPN+ (rpN, О)}

По формуле (2.111) можно вычислить скалярный потен­ циал поля контурного тока в любой точке Р пространства, за исключением точек контура L.

Таким образом, мы получили единое для всего простран­ ства формульное выражение для скалярного потенциала в виде контурного интеграла, в то время как при замене контура с током двойным листом магнитных зарядов полу­ чают выражение для скалярного потенциала в виде поверх­ ностного интеграла:

Фт (Р) =

I — N^

].dSN'

(2‘1 12)

где S l — поверхность двойного листка, натянутая

на кон­

тур L.

 

 

 

126

Скалярный потенциал контура с током не может быть однозначной функцией во всем пространстве и должен пре­ терпевать разрывы на некоторых поверхностях. Найдем поверхности разрыва (поверхности скачка) для потенциала (2.111). Для этого из каждой точки контура L проведем пря­

мую, параллельную вектору Ф и уходящую в бесконечность в направлении,противополож­ ном этому вектору (рис. 22, а). Эти полубесконечные прямые образуют трубчатую поверх­ ность So, натянутую на кон­ тур L. Покажем, что поверх­ ность S& является поверх­ ностью разрыва для потенциа­ ла (2.111) и что скачок потен­ циала при переходе через эту поверхность равен I. Для это­ го выберем две произвольные

точки Р+ и Р , бесконечно близко прилегающие к § в с наружной и внутренней сторон. Потенциал (2.111) в точках

Р+ и Р~ согласно принятому нами методу его определения находим по формулам

(Р+)= J H d l ;

Ф6т(Р~) =

J

H d l ,

 

 

L+

 

L~

 

 

 

где L+ и L~ — полубесконечные прямые, ^идущие

из точек

Р+ и Р~ в бесконечность и параллельные

v.

 

 

 

Для разности потенциалов получаем следующее выра­

жение:

 

 

 

 

 

фт(^+)- ф т (Р ~ ) = J H

d l - J H d l

=

§ H

d

l = /,

L +

L

 

L

 

 

где L — замкнутый контур, составленный

из

прямых L+

и L T и охватывающий контур с током.

 

 

 

 

127

Рис. 23.

Таким образом, доказано, что трубчатая поверхность является поверхностью разрыва для потенциала (2.111).

Следовательно, потенциал (2.111) равен потенциалу двой­ ного слоя магнитных зарядов, распределенных по S<> с по­ стоянной плотностью т — /, т. е.

°о

Поверхность So зависит от выбора вектора О. Если кон­

тур L плоский, то постепенно поворачивая вектор # так, чтобы в пределе он лежал в плоскости контура L, находим, что трубчатая поверхность So будет деформироваться и в пределе даст плоскую поверх­ ность S^, ограниченную кон­ туром L (рис. 22, б). В самом деле, остальные, уходящие в бесконечность части поверх­ ности S0 сливаются и скачки потенциала на них взаимно компенсируются. Таким обра­ зом для плоского контура со­ ответствующим выбором поло­

жения вектора О приходим к обычной непроницаемой перегородке.

Сопоставив формулы (2.113) и (2.111), выведем преобра­ зования поверхностных интегралов в контурные [88]. Рас­ смотрим произвольный в пространстве контур L и натяну­ тую на него трубчатую поверхность So (рис. 23). Пусть

S+ и S " — еще какие-либо две поверхности, натянутые на L и содержащие между собой точку Р. Рассмотрим следую­ щие интегралы:

Преобразуем эти интегралы в контурные по L. Согласно фор­ муле Гаусса [см. соотношение (1.36)], получаем

128

Следовательно,

 

 

 

 

 

 

 

irPN' пы) dSj,

 

(ГРЫ<V

dS,N -

 

s—

 

' P N

 

 

%

'P N

 

 

 

‘ "

 

 

 

 

Отсюда и из совпадения (2.111) и (2.113) находим

а - - И

 

(r PN<

nN )

dSi,

 

(dlN’lrpn^1)

 

,3

 

- т г ф

-L r PN { r P N + (r P N ’ Ф }

 

s—

r PN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2.114)

Таким

образом,

е с л и

з а м к н у т а я

п о в е р х ­

н о с т ь ,

с о с т о я щ а я из S~ и т р у б ч а т о й п о ­

в е р х н о с т и 5# не о х в а т ы в а е т т о ч к у Р, т о с п р а в е д л и в о п р е о б р а з о в а н и е (2.114).

Поскольку поверхность S+ +

охватывает точку Р,

то

 

Ф(rPN> nN) dS/*/ = — 4л.

 

S + + S #

'P N

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отсюда

 

 

 

 

 

 

 

(r PN> n N )

dS,

=

)

 

(rPN, nN) dS.

1

 

•N

 

 

«0

:N•

'P N

 

 

 

'P N

S +

 

 

 

 

 

Следовательно,

 

 

 

 

 

 

 

a+ _

_ _L _

J

Г ( r P. N * nN )

 

dSN

 

 

4 л

'P N

 

 

 

 

 

 

s+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(dlN, [грн> Ф])

i +

±

h

 

 

 

(2.115)

'P N \r P N +

 

(r PN< ^ ) )

т. e. е с л и з а м к н у т а я п о в е р х н о с т ь , с о ­

с т а в л е н н а я из п о в е р х н о с т е й S+ и т р у б ­ ч а т о й п о в е р х н о с т и 5# о х в а т ы в а е т т о ч ­ к у Р, т о с п р а в е д л и в о п р е о б р а з о в а н и е

(2.115).

Рассмотрим теперь пример, когда контур L с током 1 имеет форму круглого витка радиуса р. Переходя к

9

4-681

129

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ