Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Микроминиатюризация элементов радиоэлектронной аппаратуры

..pdf
Скачиваний:
31
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.88 Mб
Скачать

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

1. К о в а л е в

И. С. Теория и

расчет полосковых волноводов.

Минск,

«Наука

и техника», 1967.

 

 

2.

P а м о С ,

У и н н с р и Д ж.

Поля и волны в современной

радио­

технике.

Перевод

с английского.

Госиздат технико-теоретической

литера­

туры,

1948.

 

 

 

УДК 621.396.9

И. Н. Бобров, А. А. Зайцев

ЗАВИСИМОСТЬ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ОТ МОЩНОСТИ НАКАЧКИ В ОДНОКОНТУРНОМ ПАРАМЕТРИЧЕСКОМ УСИЛИТЕЛЕ

В работе получено

аналитическое

выражение,

опреде­

ляющее

зависимость

отрицательного

сопротивления

па­

раметрического усилителя

на

диффузионном

варакторе

от мощности накачки.

Показано,

что существует

область,

в которой отрицательное

сопротивление варактора

мало

зависит

от мощности

накачки.

 

 

 

 

В работе [1] показано, что коэффициент усиления регенера­ тивного параметрического усилителя (РПУ) имеет следующую зависимость от мощности накачки:

К = КѴкР,

( О

где

 

Кр — коэффициент усиления РПУ;

усиления

8fc — относительное изменение коэффициента

РПУ;

 

f>p — относительное изменение мощности накачки. Задаваясь допустимой величиной нестабильности коэффи­

циента усиления, можно определить допустимую величину не­

стабильности мощности генератора накачки. Например,

при

Кр = 15 дБ для того чтобы нестабильность коэффициента

уси­

ления была не более ±0,5 дБ, необходимо иметь генератор на­ качки с нестабильностью мощности не более ±0,1 дБ. Разра­ ботка источников накачки, имеющих такую величину неста­ бильности выходной мощности, связана с определенными труд­ ностями и приводит к значительному усложнению этих источ­ ников,

180

Формула (1) справедлива в гипотетическом случае, когда вносимое отрицательное сопротивление в цепи усилителя пря­ мо пропорционально мощности накачки. Поэтому рассмотрим реальную зависимость от мощности накачки результирующего отрицательного сопротивления, вносимого варакторным дио­ дом в сигнальную цепь усилителя. В работе [2] показано, что

а

Рис. 1

при отрицательном и даже при небольшом положительном сме­ щении (до 0,35 В для диодов из GaAs) диффузионной емкостью можно пренебречь, так как она мала по сравнению с барьер­ ной, и эквивалентная схема диода и ее последовательный экви­ валент имеет вид, изображенный на рис. 1, где

1 + «>2 С\ R\

где

Rs — сопротивление толщи полупроводника, расположен­ ного между запорным слоем и внешними металличе­ скими контактами диода;

Ri — нелинейное дифференциальное активное сопротив­ ление потерь диода, которое в зависимости от внеш­ него напряжения определяется соотношением:

Яд

и

(4)

 

 

 

181

іде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rt)

=

/

1 + У

1

• — j

 

постоянная

величн

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

на,

имеющая размерность

сопротивления;

 

k

 

Че

 

 

 

 

 

 

 

 

— постоянная

Больцмана;

 

 

 

 

Т — абсолютная

температура;

 

 

 

 

qe — заряд электрона;

 

 

 

 

 

 

и

— ток неосновных носителей через переход;

 

— внешнее напряжение;

 

 

 

 

<і> частота внешнего

напряжения;

 

 

z — время жизни неосновных носителей;

 

 

 

 

 

С 6 = С 0 ( 1

-

Ж cos

н г)-» ,

 

(Г>)

где Сг, --

барьерная

емкость;

 

 

 

 

 

С0

=

С п р

 

/ / С и

i

 

барьерная емкость в рабочей

 

 

точке;

 

 

 

 

 

 

 

 

'f— контактная разность потенциалов;

 

 

п

— показатель, зависящий от характера

распределения

 

 

примесей;

 

 

 

 

 

 

 

 

С,,,, — а0

(<? -f- Unp)~''

барьерная

емкость

при напряже­

 

 

нии пробоя

Unt>;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

M

=

 

-—~

электрическая

глубина

модуляции;

U„ — амплитуда напряжения накачки;

 

 

а0

— коэффициент

пропорциональности,

зависящий от

 

 

формы и площади перехода и от физических

свойств

Еси

 

используемого

полупроводникового

материала;

— напряжение смещения.

 

 

 

 

Отрицательное сопротивление, вносимое в сигнальный кон­

тур РПУ при резонансе, равно [1]:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 w( (J).2

Cj /с п 2

 

 

где

 

Rn2

— активная

составляющая полного сопротивле­

 

 

 

 

 

ния цепи комбинационной частоты;

 

со, и

ы., — сигнальная

и комбинационная

частоты;

 

 

m— глубина модуляции жесткости диода.

 

Суммарное отрицательное сопротивление, вносимое в кон­ тур, с учетом потерь равно:

R* = Я „ . - Яп. •

(7)

Рассмотрим случай работы параметрического диода при гармоническом напряжении накачки. На сопротивлении потерь сигнального контура выделяется мощность входного сигнала:

*• - а " • ( 8 )

где Uт{ — амплитуда входного сигнала.

Эту же мощность потерь можно записать так:

С WL, cosсо. t d со, t

ü

Тогда, приравняв выражения (8) и (9), можно определить сопротивление потерь сигнального контура:

Rnl =

 

(Ю)

2 \ cos2

ш\ t d

ti>t t

R3

(UH,

С у)

Взяв пределы интегрирования от 0 до 2я и подставив вы­ ражения (2), (4) и (5) в (10), получим выражение сопротив­ ления потерь, вносимых диодом в сигнальный контур, через параметры диода и накачки:

Ягл = - з Г - ^ і і Ш ) f d (ot t

'

іде

В, = 1 + 0.2 [ С0 ( 1 - M CÜSÜ),, О - " ] 2

1 '

ф

н / -

Сопротивление потерь, вносимое диодом в комбинационный контур, равно:

183

где

А о *" A j ;

 

 

 

Я, - 1 + ш| [C0 (I - M cos w,,

RI e '• *

+

н ' .

Подставив (11) и (12) в (7), получим выражение для ре­ зультирующего сопротивления, вносимого в сигнальный кон­

тур:

 

 

 

 

Rs-

/т> п

^пі •

(13)

4 Ü>! w2 eg

R n 2

 

 

Построить зависимость

Rz

от мощности накачки

в общем

случае невозможно, однако в каждом конкретном случае она может быть вычислена. Рассмотрим эту зависимость для слу­

чая одноконтурного

РПУ,

работающего

в СВЧ

диапазоне

(ш, = (о2)

с диодом

из арсенида галлия

со следующими па­

раметрами:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С -= 0,5 • 10

1 2

Ф, /,

= 0,2 • Ю - 6 A,

Unp

=

4

В,

х - 10~«,

Rs =

1

Ом,

о), =

6,28 • 101 0

Гц,

?

=

1,2

В.

Связь между отрицательным сопротивлением и коэффици­ ентом усиления для одноконтурного РПУ выражается форму­ лой [1]

р =

кгтг

О 4 )

Р7

где R — сопротивление циркулятора, пересчитанное ко входу диода.

Из формулы (14) можно определить, на какую величину до­ пускается изменение величины отрицательного сопротивления для требуемой стабильности коэффициента усиления. Напри­ мер, при коэффициенте усиления Кр = (15±0,5) дБ и R = 2Q Ом допустимая нестабильность отрицательного сопротивления со­ ставляет ±0,2 дБ, и, как было показано ранее, в гипотетиче­ ском случае нестабильность мощности накачки не должна пре­ вышать ±0,1 дБ.

184

Реальная зависимость результирующего отрицательного со­ противления от напряжения накачки при различных величинах отрицательного смещения представлена на графиках рис. 2. Из

&9

/

/./

U

1.3 jJH_

 

 

 

 

ff"}

Рис. 2

графиков видно, что есть участок характеристики, на котором отрицательное сопротивление (а следовательно, и коэффициент усиления) изменяется незначительно при сравнительно больгном изменении амплитуды напряжения накачки. Наименьшая зависимость Ri, от U„ для диода с вышеуказанными пара­ метрами получается при Есм ^ 1,5 В (кривая 1). При этом, если изменяется амплитуда напряжения накачки в 1,16 раза (что соответствует изменению мощности накачки на 1,15 дБ), отрицательное сопротивление изменяется на ± 0 , 2дБ.

185

Таким образом, выбрав данный участок характеристики (и—а' на кривой 1) в качестве рабочего участка, можно зна­ чительно повысить стабильность коэффициента усиления одно­ контурного РПУ или ослабить требования к стабильности мощности генератора накачки.

При отклонении частоты накачки на 5% от

среднего

зна­

чения для Есы

— 1,5 В (кривые

2 и 3) характер

зависимости

отрицательного

сопротивления

от напряжения

накачки

почти

ке изменится. Поэтому вышеприведенные результаты справед­ ливы и для случая несинхронного (некогерентного) режима од­ ноконтурного РПУ.

Результаты зависимости результирующего отрицательного сопротивления от амплитуды напряжения накачки вычислены ЭВМ «Мир».

Таким образом, результаты проведенного расчета позволя­ ют определить оптимальные соотношения между напряжением смещения и амплитудой напряжения накачки. Такой выбор позволяет существенно снизить требования к стабильности мощности накачки при сохранении заданной стабильности ко­ эффициента усиления РПУ.

ЛИТЕРАТУРА 1. Б о б р о в П. Н. Параметрические усилители и преобразователи СВЧ.

К.1969.

2. Б е р м а н Л. С. Введение в физику варикапов. Л., 1968.

УДК 621.374.55

В. П. Варавкин

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ФИЛЬТРЫ НА УПРУГИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЛНАХ

В

статье рассмотрены

фильтрующие

свойства

встреч­

но-штыревых

преобразователей

упругих

поверхностных

волн

(УПВ).

Показана

возможность создания

фильтров

с различными

частотными характеристиками

на

основе

этих

преобразователей.

Проведен

анализ

технических

данных устройств такого типа.

 

 

 

 

Фильтры — один из наиболее существенных узлов совре­ менных радиотехнических устройств. В зависимости от назна­ чения конкретный фильтр может быть выполнен либо на LC-

185

элементах, либо на волноводных элементах, либо на пьезо­ электрических, магнитострикционных или электромагнитных резонаторах. Так как в современной радиолокации применяют сигналы со все более сложными формами частотных характе­ ристик, то требования к характеристикам соответствующих фильтров становятся все более жесткими. Для фильтрации сиг­ налов с частотными характеристиками произвольной формы наиболее перспективны фильтры на основе УПВ, частотная и фазовая характеристики которых определяются геометриче­ ской структурой входного и выходного преобразователей.

:' • ое .4с з - е 1і рим е ск о я

Рис. I

Наиболее совершенным и эффективным преобразователем электромагнитной волны в УПВ и наоборот является преобра­ зователь встречно-штыревого типа (рис. 1,а). Такой преобра­ зователь представляет собой систему металлических штырей, нанесенных на полированную поверхность пьезоэлектрическо­ го материала. Знак компоненты электрического поля меняется от зазора к зазору (рис. 1,6). Для возбуждения УПВ достаточ­ но одной пары штырей, но из-за небольшого коэффициента элек­ тромеханической связи большинства пьезоэлектрических мате­ риалов применяют преобразователи с большим количеством штырей. В общем случае в преобразователе такого типа количе-

18z

ство штырей, их длина и расстояние между ними могут быть

различными (преобразователь Б,

рис. \ ,а). Полагая

коэффици­

ент электромеханической связи

малым и на этом

основании

пренебрегая взаимодействием между акустическими и электри­ ческими величинами в уравнении движения [2] авторы работы [1] показали, что акустическое смещение определяется, глав­ ным образом, градиентом электрического поля в зазорах меж­ ду штырями. Так как максимум градиента электрического поля расположен на краях штырей, то приближенно считают, что

источники акустической энергии

представляют

собой 8-функ-

иии,

помещенные на краях

штырей (рис. 1,е).

В результате

было

получено выражение

для

передаточной

функции Н(/)

устройства с преобразователями, штыри которых одинаковой длины:

мN

Н ( / ) = 2

£ / я / т е х р

т

— І я = 1

где

N и M — количество штырей соответственно в передающем

иприемном преобразователях;

Ки Ли~" коэффициенты, пропорциональные величине гра­

 

диента электрического

поля

на краях каждого

 

штыря;

 

 

 

 

 

х п и У m '— соответственно координаты

краев

штырей

пере­

 

дающего и

приемного

преобразователей

в на­

 

правлении

распространения

поверхностной

вол­

 

ны;

 

 

 

 

 

/ —

частота;

 

 

 

 

 

V — скорость поверхностной волны.

 

 

Величина

и

 

 

 

 

 

 

 

2тс/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в выражении Н(/) является результатом

Фурье-преобразова­

ния суммы

N

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

которая представляет источники на краях штырей

о-функция­

ми в точках хп

с соответствующими амплитудами

/„. Следова­

тельно, обладает всеми свойствами Фурье-образов, и для него существует однозначный Фурье-оригинал.

 

Так как значение максимально может изменяться в два ра­

за

(практически /„ = ± 1 ) , то с помощью систем, где изменяет­

ся

лишь расстояние между штырями {х„), можно реализовать

188

Аналогичные выражения для частотной характеристики устройств со встречно-штыревыми преобразователями получе­ ны и другими авторами [3, 4]. Несмотря на простоту принятой модели, применение приведенных выше формул для расчета частотных характеристик устройств на материалах с малым коэффициентом электромеханической связи (типа а-кварца) дает хорошее совпадение с экспериментальными данными. Важными параметрами устройства на УПВ являются вноси­ мые потери, входное и выходное сопротивления. Они могут быть рассчитаны лишь ио эквивалентным схемам. Из-за не­ достаточной изученности некоторых физических принципов распространения УПВ эквивалентная схема для них еще не создана.
Но для преобразователей с постоянным перекрытием шты­ рей и одинаковым расстоянием между ними хорошее согласо­ вание с экспериментальными образцами дает эквивалентная схема, предложенная Мэзоном для объемных упругих колеба­ ний [5, 6]. Поэтому аподизованный преобразователь разбива­ ют на ряд секций. Длину секций выбирают равной расстоянию между соседними штырями, а высоту исходя из требуемой Т О Ч ­
189

не все функции Н(/) . Произвольная частотная характеристи­ ка Н(/) реализуется, если амплитуда о-функций, соответству­ ющих каждому краю штыря, может принимать любое значе­ ние. Раздельное управление напряжением на каждом штыре является сложной задачей. Поэтому используют способ кос­ венного взвешивания амплитуд, основанный на изменении сте­ пени перекрытия штырей по длине (преобразователь Б,

рис. 1,а). Такие системы называются

аподизованными. Там,

где штыри перекрываются, / я

принимает значения ± 1 . Но в

местах меньшего перекрытия

уровень

генерируемой энергии

ниже, а в местах большего перекрытия — выше. Это различие энергий позволяет реализовать любую функцию H(f) . Для уст­

ройства с одним широкополосным неаподизованным

преобра­

зователем и другим

аподизованным выражение передаточной

функции принимает вид:

 

 

 

H (/) = а (/)

АТ

п) /„ ехр іхя

2 « /

(2)

V

 

 

 

V

 

где

a(f) — частотная характеристика широкополосной штыре­ вой системы, которую практически считают посто­ янной;

w(x) — функция перекрытия аподизованной штыревой си­ стемы.

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ