Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Сирота А.Г. Модификация структуры и свойств полиолефинов

.pdf
Скачиваний:
33
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
10.04 Mб
Скачать

полиэтилена при температуре, превышающей температуру плав­ ления, позволяет получать резиноподобный материал [58]. Облу­ чение при повышенных температурах можно использовать также для получения прозрачных изделий из полиэтилена

[59—61].

Ушаков с сотрудниками [62], исследуя температуру плавле­ ния и степень кристалличности облученного при различных температурах полиэтилена низкого давления, пришли к выводу о зависимости характера пространственной сетки от фазового со­ стояния материала при сшивании. Облучение расплавленного полиэтилена приводит к фиксированию поперечными связями неупорядоченного состояния цепей; степень кристалличности и температура плавления понижаются. Сшивание при температу­ рах ниже температуры плавления также сопровождается раз­ рушением кристаллических образований вблизи мест поперечных связей. При достаточно больших дозах это может проявиться в уменьшении степени кристалличности, размеров кристал­ лических образований и понижении температуры плавле­ ния. Специфическим результатом облучения при невысоких температурах, по данным работы [62], является фиксирование параллельной ориентации цепей поперечными связями, обра­ зующимися в кристаллических областях. Этим объясняется по­ вышение температуры плавления оставшихся после облучения кристаллитов. Отметим, что эти интересные данные, очевидно, не противоречат мнению о преимущественное™ процесса сши­ вания в аморфных областях. Накопление значительного числа поперечных мостиков в кристаллической фазе при больших ве­

личинах

применявшихся в

работе [62]

доз

(от

150 до

-1625 Мрад) не

исключает

значительно

большей

скорости

сшивания в аморфной части материала.

 

межмолекуляр­

Вместе

с тем

вывод о преимущественности

ного сшивания в аморфных областях [55], основанный на ре­ зультатах определения свойств пространственной сетки, не учитывает различия в характере сеток, образованных при сши­ вании аморфных и кристаллических областей. Это различие, ука­ занное Ушаковым с соавторами [62], означает, что вклад каж­ дого из видов пространственных сеток в характеристики сши­ тых полимеров (коэффициент набухания и модуль упругости при температурах выше температуры плавления) неодинаков. Определение степени влияния обоих видов сетки могло бы по­ зволить с большей строгостью и количественно показать раз­ ницу в скоростях сшивания аморфных и кристаллических об­ ластей.

Основным свойством, отличающим облученные изделия из полиэтилена и сополимеров этилена с пропиленом и другими а-олефинами, является повышенная теплостойкость. Простран­ ственная структура обусловливает остаточную прочность ма­ териала и сохранение формы при температурах, превышающих температуру плавления. Облученные изделия из полиэтилена,

ш

сополимеров этилена с небольшими количествами пропилена или а-бутилена могут эксплуатироваться без значительных ме­ ханических нагрузок при температурах до 150—200 °С. Поведе­ ние сшитых полиолефинов при нагревании наглядно проявляется при термомеханических испытаниях. На рис. 45 представлены термомеханические кривые исходного и облученного быстрыми электронами сополимера этилена с пропиленом, полученные ме­ тодом вдавливания шарика [63, с. 196].

Автором совместно с Е. И. Наливайко и Е. П. Рябиновым показана возможность расширения интервала рабочих темпера­ тур полиэтилена низкой плотности в результате радиационной

Рис. 45. Термомеханические кривые сополимера этилена с 7% про­ пилена при различных поглощенных дозах [38].

обработки в область низких температур. Объектами исследова­ ния служили пластины из полиэтилена с различным молекуляр­ ным весом. Облучение осуществляли ускоренными электронами

с энергией 2 МэВ при

мощности дозы 1 Мрад/мин и темпера­

туре

20 °С.

Облученные

образцы подвергали термообработке

при

100 °С

в течение

30

мин. Отсутствие «захваченных» сво­

бодных радикалов в образцах после термообработки фиксиро­ вали методом ЭПР. Облучение и термообработку проводили в среде азота.

Температуру хрупкости определяли с помощью прибора ПХП-1 (по РОСТ 10995—64) как предельно низкую темпера­ туру, при которой материал не разрушается под ударной на­ грузкой в заданных условиях нагружения.

Результаты, представленные на рис. 46, показывают значи­ тельное снижение температуры хрупкости полиэтилена по мере возрастания поглощенной дозы излучения. Температура хруп­

122

кости резко снижается при облучении до поглощенной дозы около 10 Мрад. При дальнейшем облучении температура хруп­ кости продолжает снижаться, но не столь резко.

Существенно, что чем выше молекулярный вес исходного полиэтилена (ниже показатель текучести расплава), тем ниже температура хрупкости при тех же величинах поглощенной дозы. Это подтверждается данными для образцов облученного полиэтилена низкой плотности:

Поглощенная доза, Мрад . . . .

 

40

100

Температура хрупкости, °С

 

 

 

5,7

г /10 мин...............................

-5 5

-105

-130

8,0

г/10 м ин...............................

- 9 5

-112

Повышение морозостойкости, по-видимому, имеет две основ­ ные причины. Одна из них заключается в увеличении числа «проходных» цепей уже при сравнительно малых поглощенных дозах (примерно до 10 Мрад) вслед­ ствие образования в аморфных об­ ластях поперечных связей между

Рис. 46. Зависимость тем­

Рис. 47. Схематическое изображение

пературы

хрупкости

поли­

«проходных»

цепей

в структуре

этилена

низкой плотности

 

полиэтилена:

 

(показатель текучести ра­

/ — кристаллиты;

2 — аморфная

область;

сплава 1,6 г /10 мин)

от ве­

3 — проходные цепи, существовавшие до

личины поглощенной

дозы.

облучения;

4 —проходные

цепи",

образо­

вавшиеся

в результате

сшивания двух

цепей.

цепями, которые входят в эти области из соседних кристалли­ ческих образований (рис. 47). Отметим, что понижение тем­ пературы хрупкости с уменьшением показателя текучести рас­ плава связано, очевидно, со сравнительно высоким содержа­ нием проходных цепей в полиэтилене с большим молекулярным

весом.

Второй причиной увеличения морозостойкости является об­ разование каркаса поперечных связей между цепями, протекаю­ щее при значительных поглощенных дозах (более 10 Мрад) преимущественно в аморфных областях [55]. Повышение доли проходных цепей в аморфных областях и образование каркаса поперечных связей увеличивает способность полимера к дело­ кализации напряжений.

Такое объяснение повышения морозостойкости при сшива­ нии полиэтилена хорошо согласуется с представлениями о роли кристаллических областей в распределении напряжений благо­ даря возможности сдвига отдельных элементов кристалличе­ ских образований (ламелей) [143, с. 424]. Процесс распределе­ ния напряжений определяется концентрацией кристаллических образований и количеством проходных цепей между соседними кристаллическими областями. Таким образом, чем выше доля проходных цепей и плотнее сетка поперечных связей (больше «каркасная связанность» [144]), тем больше возможности де­ локализации напряжений.

При изучении влияния радиационно-химического сшивания на теплофизические свойства полиэтилена Самойлов [64] уста­ новил, что с увеличением дозы облучения теплопроводность и теплоемкость уменьшаются. Снижение теплопроводности свя­ зывают с дополнительным рассеянием и затуханием фононов на поперечных связях между макроцепями облученного поли­ этилена. Сшивание макроцепей уменьшает число внутренних степеней свободы, что в свою очередь вызывает понижение удельной теплоемкости по мере облучения полиэтилена.

Изменения физико-механических свойств в результате облу­ чения отражают сложность превращений в полимере. Процес­ сы сшивания и деструкции, разрушения кристаллических струк­ тур и образования сравнительно низкомолекулярных продуктов деструкции по-разному влияют на поведение материала при деформациях. Сшивание уменьшает подвижность сегментов це­ пей. Деструкция и амортизация полимера ведут к противопо­ ложному эффекту. В связи с этим результирующее влияние об­ лучения на прочность полимера при растяжении, относительное удлинение при разрыве, модуль упругости оптимально при оп­ ределенных величинах доз.

Облучение полиэтилена до сравнительно небольших доз (де­ сятки Мрад) не вызывает заметного изменения модуля упру­ гости. При увеличении дозы кристалличность уменьшается. Влияние снижения кристалличности оказывается меньшим, чем влияние повышения степени сшивания. Модуль упругости при этом стремится к минимуму, соответствующему дозам, при ко­ торых достигается глубокая аморфизация (примерно 500—- 600 Мрад). Дальнейшее возрастание степени сшивания при уве­ личении поглощенной дозы вызывает резкий рост модуля уп­ ругости [31].

Кривые зависимости прочности при растяжении и относи­ тельного удлинения от поглощенной дозы могут иметь максиму­ мы (чаще всего при дозах 5—25 Мрад).

Механические свойства облученных полимеров в большой мере связаны с характеристиками исходных продуктов. Так, из­ менения предела текучести и прочности при растяжении нахо­ дятся в зависимости от молекулярного веса исходного материа­

124

ла (рис. 48). Сохранению свойств материалов способствует об­ лучение в бескислородной среде (рис. 49).

Растяжение облученного полиэтилена при температуре, пре­ вышающей температуру плавления (или близкой к температуре плавления), споследующим охлаждением в растянутом со­ стоянии позволяетполучать материал, который при нагрева­

нии обладает способностью к усад­ ке практически до первоначальных размеров [31, с. 247; 140, с. 241; 141, с. 101; 145—149]. Так, пленка из полиэтилена низкой плотности после облучения (поглощенная доза

 

Поглощенная доза Мрад

 

 

Рис. 48. Зависимость ме­

Рис. 49. Зависимость механиче­

ханических

свойств

поли­

ских свойств полиэтилена высо­

этилена

низкого

давления

кого давления,

облученного на

от поглощенной

дозы

при

воздухе (1) и в вакууме (2), от

различных

показателях

те­

поглощенной дозы (источник из­

кучести

исходного

мате­

лучения

60Со [66].

 

риала [65].

 

 

 

 

20 Мрад), растяжения в 2,5 раза при 80°С и охлаждения при­ обретает способность практически к полной усадке при на­ гревании до 105—110 °С в течение 1—3 мин [148]. При более высоких температурах исходные размеры и форма могут восста­ навливаться в течение нескольких секунд. Это явление, назы­ ваемое эффектом «памяти», используется для получения различных термоусаживающихся изделий: пленок, труб, шлан­

гов и др.

Подвергнутые облучению полиэтилен и другие сшиваю­ щиеся полиолефины отличаются стойкостью к действию угле­ водородных растворителей (рис. 50). Изменения физико­

125

механических свойств полиэтилена под воздействием ионизирую­ щих излучений подробно описаны в монографии Чарлзби [31].

Весьма важным, наряду с повышением теплостойкости, яв­ ляется возрастание сопротивляемости растрескиванию полиэти­ лена в результате радиационно-химического сшивания [65, 67—69]. Сопротивляемость растрескиванию полиэтилена резко возрастает при достижении некоторых определенных доз облуче­

ния. Зависимости стойкости к рас­ трескиванию от поглощенной дозы и молекулярного веса подобны. Согласно данным [161] стойкость к растрескиванию с повышением мо­ лекулярного веса резко увеличи­ вается при определенной его вели­

 

 

чине.

значительного

повыше­

 

 

Эффект

 

 

ния

сопротивляемости

растрескива­

 

 

нию наблюдается уже при сравни­

 

 

тельно небольших дозах облучения,

 

 

которым

соответствует

незначи­

 

 

тельное содержание

гель-фракции

 

 

в

облученном

полиэтилене

(3—

 

 

10%). Поглощенная доза, необхо­

 

 

димая для значительного увеличе­

 

 

ния

сопротивляемости

растрес­

 

 

киванию, тем меньше, чем больше

Рис. 50. Зависимость раство­

молекулярный

вес

полиэтилена

(табл. 19).

 

 

 

 

 

 

римости (в кипящем о-ксилоле)

 

 

 

 

 

 

и набухаемости (в о-ксилоле

Некоторые изменения в свойст­

при 120 °С в течение 2 ч) со­

вах полиэтилена в результате сши­

полимера этилена с 3% а-бу-

вания (повышение

прочности

и де­

тилена от поглощенной дозы

формируемости в определенном ин­

(облучение ускоренными элек­

тронами с энергией

2,0 МэВ

тервале поглощенных доз, снижение

в атмосфере гелия)

[38].

температуры хрупкости и увеличе­

 

 

ние

стойкости

к

растрескиванию)

имеют, очевидно, общую причину, которая заключается в уве­ личении содержания проходных цепей, способствующих дисси­ пации напряжений. Это подтверждается, в частности, влиянием молекулярного веса исходного полимера на изменение свойств полимера при облучении: чем выше молекулярный вес, тем меньшая доза требуется для достижения максимума прочности и деформируемости, повышения морозостойкости и стойкости к

растрескиванию.

Поскольку молекулярный вес в большой мере определяет способность полиэтилена сопротивляться воздействию напря­ жений и окружающей среды [161], радиационно-химическое сши­ вание, так же как и другие методы сшивания, является одним из наиболее эффективных способов повышения стойкости к растрескиванию полиэтилена.

126

Та б л и ц а 19

Влияние поглощенной дозы на стойкость

 

 

к растрескиванию полиэтилена низкого давления [65]

Облучение ускоренными

электронами

с энергией

2,0 МэВ, мощность

дозы 0,4 Мрад/мин, в среде инертного

газа.

 

Показатель теку­

 

Стойкость к растрескиванию *, ч

Поглощенная

в 2 0 % растворе

в 2 0 % растворе

чести расплава,

доза, Мрад

г/1 0 мин

 

ОП-7 при 50 °С

ОП-Ю при 80 °С

3,88

0

90

 

1,5

 

10

180

 

3,0

 

20

>6000

 

>4000

 

40

>6000

 

>4000

 

60

>6000

 

>4000

1,47

0

120

 

3,0

 

10

5500

 

28

 

20

>6000

 

865

 

40

>6000

 

>4000

 

60

>6000

 

>4000

0,65

0

570

 

7,0

 

10

3000

 

840

 

20

>6000

 

1180

 

40

>6000

 

>4000

 

60

>6000

 

>4000

0,16

0

1200

 

25

 

10

>6000

 

3000

 

20

>6000

 

2500

 

40

>6000

 

>4000

 

60

>6000

 

>4000

* Стойкость к растрескиванию определяли как время до разрушения 50% образцов, находящихся в напряженном состоянии в водных растворах поверхностно-активных ве­ ществ при заданной температуре. Данные табл. 19 позволяют предположить, что суще­ ственной причиной увеличения сопротивляемости растрескиванию облученного поли­ этилена является повышение его молекулярного веса при облучении.

Разрушение полиэтилена под действием нагрузки начи­ нается и развивается в аморфных областях, поскольку именно в этих областях, как более дефектных, происходит локализа­ ция и концентрация напряжений [161]. Поперечные связи, как уже отмечалось, также образуются преимущественно в аморф­ ных областях. Можно полагать поэтому, что повышение стой­ кости к растрескиванию связано не только с возрастанием мо­ лекулярного веса при облучении, но и с возникновением в аморфных областях пространственной структуры, препятст­ вующей развитию трещин.

Увеличение стойкости к растрескиванию облученного по­ лиэтилена сопровождается потерей его перерабатываемое™. Поэтому облучению с целью повышения стойкости к растрес­ киванию подвергают изделия из полиэтилена [162, с. 196; 163].

Как отмечалось в гл. III, с увеличением степени кристал­ личности содержание «захваченных» свободных радикалов

127

в облученном полиэтилене возрастает, и послерадиационпые процессы протекают более интенсивно. Взаимодействие захвачен­ ных радикалов с кислородом воздуха приводит к окислению полиэтилена и, как следствие [164, с. 73], к снижению его со­ противляемости растрескиванию. Для высококристаллического полиэтилена окисление после облучения оказывается столь су­ щественным, что его стойкость к растрескиванию падает, не­ смотря на увеличение молекулярного веса при облучении (табл. 20). В случае менее кристаллического полиэтилена (по­ лиэтилен высокого давления) окисление после воздействия радиации играет меньшую роль, поэтому в результате облуче­ ния даже в воздушной среде его сопротивляемость растрески­ ванию возрастает.

Та б л и ц а 20

Стойкость к растрескиванию полиэтилена,

 

облученного в воздушной среде *

 

Источник излучения 60Со; мощность дозы 0,65 Мрад/ч.

Полиэтилен

 

Поглощенная

Стойкость

Показатель теку­

 

к растрескива-

чести расплава з*,

 

 

 

доза, Мрад

нию **, ч

г/10 мин

Полиэтилен

низкого

да-

0

12,0

3,5

вления (степень кристал-

0,75

6,0

0,5

личности 80%)

 

1,25

5,6

0,2

Полиэтилен

высокого

да-

2,0

3,5

0,1

0

2,0

1,1

вления (степень кристал-

0,5

2,5

06

личности 63%)

 

10

6.0

0,3

 

 

 

2,5

500

0,1

 

 

 

5,0

500

0,0

* По данным М. Д. Пукшанского, Л. А. Ирлиной и автора.

** Стойкость к растрескиванию определяли в соответствии с ГОСТ 13518—68.

3* Показатель текучести расплава определяли в соответствии с ГОСТ 11645—65.

Для достижения высокой сопротивляемости растрескиванию полиэтилена низкого и среднего давления следует избегать взаимодействия захваченных свободных радикалов с кислоро­ дом воздуха после облучения. С этой целью сшитый полимер прогревают в среде инертного газа или в вакууме при темпе­ ратуре, близкой к температуре плавления или несколько пре­ вышающей ее. Облученный и отожженный таким способом полиэтилен сохраняет, кроме того, высокие диэлектрические свойства исходного полиэтилена [31; 70, с. 325].

Фотохимическое сшивание. Эффективное сшивание полиоле­ финов может быть достигнуто фотохимическим воздействием, заключающимся в облучении УФ-светом в присутствии фото-

128

сенсибилизаторов. В результате такого воздействия под влия­ нием активированных УФ-светом молекул фотосенсибилизато­ ра образуются макрорадикалы, рекомбинация которых приво­ дит к возникновению поперечных связей [76]. При этом ско­ рость сшивания весьма высока. Если для образования в полиэтилене значительного количества поперечных связей тре­ буются сотни часов УФ-облучения [108], то в присутствии фо­ тосенсибилизаторов полиэтилен эффективно сшивается уже после нескольких минут воздействия УФ-света той же интен­ сивности [165].

На рис. 51 представлены кривые зависимости выхода гельфракций от продолжительности воздействия УФ-света на плен­

ки из полиэтилена высокого давления,

 

 

 

 

содержащие

различные

фотосенсибили­

 

 

 

 

зирующие добавки. В течение первых ми­

 

 

 

 

нут облучения содержание гель-фракции

 

 

 

 

быстро увеличивается и приближается к

 

 

 

 

предельному значению уже примерно че­

 

 

 

 

рез

10

мин.

 

фотохимического

 

 

 

 

Для

осуществления

 

 

 

 

сшивания используют, как правило',

 

 

 

 

ртутные лампы низкого давления (испу­

 

 

 

 

скающие в основном свет с длиной вол­

 

 

 

 

ны 253,7 нм)

и среднего давления (спектр

 

 

 

 

испускания в ближней ультрафиолето­

 

 

 

 

вой

области и в области видимого

 

 

 

 

света).

 

источника света

определяется

 

 

 

 

Выбор

 

мин

 

природой

применяемого

фотосенсибили­

 

 

затора, поглощающего свет в той или

Рис.

51.

Кинетические

иной области спектра. Эффективность

кривые процесса сшива­

фотохимического процесса в значитель­

ния

пленки

из полиэти­

ной степени зависит от характера вводи­

лена высокого давления,

мого фотосенсибилизатора. В первых ра­

насыщенной различными

сенсибилизаторами,

под

ботах в качестве фотосенсибилизирую­

действием УФ-света (ис­

щей

добавки использовали

бензофенон

точники света—две лам­

[71,

76]. Известно большое

число соеди­

пы ПРК-2, расстояние

нений, обладающих подобным свойством.

между пленкой и лам­

 

пами 2,5 см) [84]:

 

К ним относятся ряд кетонов и альдеги­

1 —тетрахлорэтилен;

2 —

дов [71—88; 109; ПО; 111, с. 134; 112—

хлороформ;

3 —четыреххло­

ристый углерод; 4 —бензо­

117] , некоторые ароматические углеводо­

 

фенон.

 

роды [73],

хлорированные углеводороды

 

 

 

 

[71, 73, 83, 84, 94], хлорангидриды кислот [91; 92; 93, с. 48; 96; 118] и другие соединения [89, 90].

В зависимости от природы фотосенсибилизатора образова­ ние макрорадикалов происходит различными путями. Роль фотосенсибилизатора может сводиться к передаче им макро­ молекуле своей избыточной энергии в возбужденном состоя­ нии. следствием чего оказывается разрыв связи С—Н и

5 А. Г. Сирота

129

последующая рекомбинация радикалов:

ФС + h v — *■ ФС’

ФС’ + RH — > ФС + R • + Н •

R . + R . _ V R - R

Н • + Н • — V н 2

где ФС — молекула фотосенсибилизатора; RH — молекула уг­ леводорода.

Из многих сенсибилизирующих добавок лишь некоторые участвуют в процессе фотохимического сшивания согласно этой схеме. По-видимому, таким путем осуществляется сшивание по­ лиэтилена при использовании в качестве сенсибилизатора бен­ зола [73]. Действительно, при облучении светом с Я = 253,7 нм

вбензоле не происходит каких-либо химических изменений

[119].Поэтому можно полагать, что участие бензола в фотохи­ мическом процессе сводится к передаче избыточной энергии макромолекуле.

При облучении полипропилена УФ-светом аналогичное фото­ сенсибилизирующее действие оказывают содержащиеся в по­ лимере продукты разложения металлорганического комплексно­ го катализатора (основные компоненты ТЮ2 и А]20 3) [120].

Действие другой группы фотосенсибилизаторов заклю­

чается в отрыве под влиянием УФ-света атомов водорода от мак­ ромолекул с последующей рекомбинацией макрорадикалов. Ти­ пичным представителем этой группы является бензофенон, ре­ акции фотовосстановления которого в среде низкомолекулярных углеводородов хорошо изучены [121]. Под действием УФ-света молекулы бензофенона переходят в возбужденное триплетное состояние, характеризующееся, как известно [122, с. 106], высо­ кой реакционной способностью. Взаимодействие между возбуж­ денной молекулой бензофенона и углеводородом приводит к образованию углеводородного и полубензпинакольного ради­ калов:

(С6Н5)2СО +

h v

— >

(С6Н5)2СО*

(С6Н6)2СО* +

RH

—^

(С6Н5)2СОН + R •

Поперечные связи между углеводородными цепями возни­ кают при рекомбинации радикалов R*; взаимодействие полубензпинакольных радикалов приводит к образованию бензпинакола.

По-видимому, схема реакции, приведенная для бензофенона, верна для большинства кетонов, используемых в качестве до­ бавок при фотохимическом сшивании. Так, установлено [115], что в процессе фотохимического сшивания полиэтилена исполь­ зуемые в качестве сенсибилизаторов а- и |3-хлорантрахиноны восстанавливаются до хлорантрагидрохинонов.

Сенсибилизаторы третьей группы, к которой в первую оче­ редь следует отнести хлорированные алифатические и арома­

130

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ