Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Челноков В.Е. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов

.pdf
Скачиваний:
34
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
9.71 Mб
Скачать

Для практических расчетов более удобны формулы, полученные путем разложения (4-11) в ряд и пренебре­ жения членами второго порядка малости:

 

бр'

I пр

1

для

t

<

тр ;

 

 

 

(4-12)

/ о

 

 

 

 

Iобр

up

 

ДЛЯ

t

>

Тр.

 

 

 

(4-13)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Графики точного решения (4-11)

и его асимптотичес­

кие приближения представлены на рис. 4-2.

 

 

 

 

 

Необходимо отметить, что из (4-10) и

(4-11)

следует,

что при t—Я) величина

/ 0 б р — * - о о .

Это явилось

следстви­

ем допущения

о

мгновенном изменении

концентрации

 

 

 

 

дырок у перехода

от значе­

 

 

 

 

ния

pi

до 0 [см.

(4-6)].

Не

2

 

 

 

останавливаясь на попытках

 

 

 

устранения

этого

противоре­

Ч

 

 

 

чия

теории

и отсылая

чита­

 

 

 

 

теля к монографиям (Л. 4-1,

 

 

 

 

4-2], будем считать решения

 

\

 

(4-10) и (4-11)

 

справедли­

 

 

выми для г > 0 .

 

 

 

 

 

 

 

Весьма

полезной

харак­

 

 

К

 

теристикой переходного

про­

2

 

 

цесса

переключения

диода

 

 

 

является

 

величина

заряда,

 

 

 

протекающего

после

пере­

 

 

 

ключения

по внешней

цепи.

i

 

\

Этот

 

параметр,

называемый

 

 

 

 

зарядом

 

переключения

Qa,

Рис. 4-2. Решение уравнений.

 

представляет

некоторую до­

/ — (4-11); ,2— (4-12);

3— (4-13).

 

лю

полного

заряда,

нако-

 

 

 

 

лленного

в базовой

области

включенного диода. Величина Qn определяется

путем

интегрирования

переходного

тока

(4-11)

по времени:

 

 

Q n =

/ J ^ . = % - >

 

 

 

 

 

 

'

(4-14)

где QH —величина

накопленного

в

базе

заряда

дырок

(2-72).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Анализ формулы (4-14)

показывает,

что как

накоп­

ленный заряд, так и заряд переключения

пропорциональ­

ны величине прямого тока, кроме того, половина

накоп­

ленного заряда

избыточных

дырок

рекомбинирует в базе,

а половина вытекает во внешнюю цепь.

 

 

 

 

 

 

 

Процесс переключения с ограничивающим сопротивлением в цепи

Рассмотрим случай, когда сопротивление в цепи диода не равно нулю. Осциллограммы тока и напряже­ ния на p-n-переходе, а также напряжения на генераторе

изображены

на

рис. 4 - 3 . По

\

сравнению

с

предыдущим

 

случаем

кривая

обратного

 

t

тока

(рис.

4-3,в)

имеет

го­

 

 

0

ризонтальный участок,

бла­

 

 

t

годаря чему процесс выклю­

 

 

 

чения можно разбить на две

 

 

стадии:

стадию

 

сохранения

 

 

тока,

когда

ток

следует

за

 

 

изменением

напряжения

и

 

О

его величина равна

 

 

 

 

 

 

 

 

/ о б р = £ / о б Р / Я ,

( 4 - 1 5 )

 

I

и стадию

спада

тока.

 

 

 

 

 

 

 

Длительность

первой ста­

 

 

дии

обозначим

Ti,

 

вто­

 

 

рой — Т2.

 

 

 

 

 

 

 

Сточки зрения опреде­

ления

граничных

условий

Рис. 4-3. Осциллограммы.

 

для этих фаз

отметим,

что

а — напряжения

на генераторе;

6 —

стадия

сохранения

тока

ха­

напряжения

на

р-я-переходе;

в —

тока через

р-л-переход.

 

рактеризуется

постоянным

 

 

 

 

градиентом

концентрации

дырок у р-п-перехода,

определяемым

по формуле (1-27)

 

 

 

 

 

(dp/dx)x=0

=

Io6pfqDp.

 

(4-16)

За время стадии сохранения тока концентрация ды­ рок возле р-л-перехода уменьшается до нуля, после чего ток через диод начинает уменьшаться аналогично пре­ дыдущему случаю и действует граничное условие (4 - 6 ) .

Решение уравнения непрерывности ( 4 - 1 ) в этом слу­ чае получено в виде [Л. 4-3]

Р=

е

обр

2/ пр

 

 

erfc

(4-17)

2L

6—44

81

Графики решения (4-1?) представлены на рис. 4-1 штриховыми линиями. Из рисунка видно, что спадание

концентрации дырок

до

нуля

вблизи

p-n-перехода идет

в течение некоторого

времени.

 

 

Длительность

стадии

сохранения

тока получим из

(4-17), полагая,

что р(х,

t)=0

при f = 7 V

Для расчета временной зависимости обратного тока либо решают методом численного интегрирования урав­ нение (4-1) с новым граничным и начальным условиями, а именно

р(0, 0 = 0 при t>Tb

и распределением концентрации дырок в момент време­

ни Ти полученным из решения (4-17), либо

используют

решение (4-11), считая,

что

спад обратного

тока

после

окончания первой фазы

идет так же, как если бы зтог

ток начинал уменьшаться от бесконечного

значения (т. е.

в предположении Яя=0)

и

в

некоторый

момент

Т\ до­

стигал бы значения / ( t )

= / 0 б р

[Л. 4-3].

 

 

 

Анализируя

временную

зависимость

напряжения на

р-я-структуре

(рис. 4-3,

б),

можно отметить,

что

в тече­

ние стадии сохранения тока напряжение на р-п-структу-

ре сохраняет

положительное

значение,

скачкообразно

изменяясь в

момент времени

t=0

от первоначального

значения

с / п р

до некоторой величины Щ0)

и уменьшаясь

до нуля.

 

 

 

 

 

 

Для простоты

допустим,

что

после

переключения

Rnу-оо.

В этом

случае ток через

структуру мгновенно

прекращается и одновременно с ним падение на­ пряжения на омическом сопротивлении толщи базы уменьшается до нуля. С этим связан скачок напря­ жения на p-n-структуре, сопровождающий ' выключение тока.

В то же время распределение избыточной концентра­ ции в базе не может измениться мгновенно и в первый момент после выключения прямого тока остается таким же, как га при его протекании. Вследствие этого напря­ жение на структуре равно напряжению на р-л-переходе

82

и величина его определяется согласно (2-17):

U = — l

n ^ ^ .

 

(4-19)

я

Рп»

v

'

По мере рекомбинации избыточных носителей в базе величина напряжения уменьшается до стационарного значения, для ненагруженного диода равного нулю. Так как сохранение прямого напряжения на р-п-переходе связано с инжекцией, то это напряжение получило наз­ вание послеинжекционного, а переходный процесс назы­ вается спадом послеинжекционного напряжения. Возвра­ щаясь к интересующему нас случаю, когда R-аФоо, отметим, что здесь спад послеинжекционного напряже­ ния происходит быстрее, так как дырки наряду с процессом рекомбинации имеют возможность перехода через p-n-переход. Стационарным значением напряжения в этом случае является величина обратного напряжения, задаваемого внешним генератором.

В общем виде можно рассчитать кривую изменения послеинжекционного напряжения, проинтегрировав урав­ нение непрерывности с нелинейным граничным услови­ ем, что может, быть проведено лишь численным методом. На практике же пользуются приближенным, но достаточ­ но точным (исключая конец и начало переходного процесса) выражением

U =

U { ч 0ч> ) ( 4 - 2 0 )

которое применяется иногда благодаря линейной зависи­ мости между напряжением и временем жизни т р для определения т р (метод Джаколетто).

Процесс переключения при переменном синусоидальном напряжении

Одним из наиболее частых режимов работы диодов, в особенности полупроводниковых вентилей, является работа в цепи с генератором переменного синусоидаль­ ного напряжения. Типичные осциллограммы тока и на­ пряжения на p-n-структуре для этого случая изображены на рис. 4-4. Здесь также имеются две стадии прохожде­ ния обратного тока: стадия сохранения .и спада.

Проведем расчет

длительности фазы

сохранения

тока в предположении

низкого уровня инжекции, взяв

6*

-

83

 

 

 

 

 

 

 

 

за

основу

уравнение

 

 

 

 

 

 

 

 

непрерывности

 

 

(4-1)

 

 

 

 

 

 

 

t

[Л. 4-4—4-6].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

It

 

 

 

Считая, что при низ­

а)

 

 

 

 

 

 

ких частотах / к момен­

 

 

 

 

 

 

 

ту Т (рис. 4-4)

концен­

 

 

 

 

 

 

 

 

трация

дырок

в

базе

 

 

 

 

 

 

 

 

уменьшается

почти

до

 

 

 

 

 

 

 

 

равновесной,

и

прини­

 

 

 

 

 

 

 

 

мая

во

внимание,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

равновесная

 

концен­

 

 

 

 

 

 

 

 

трация

пренебрежимо

 

 

 

 

 

 

 

 

мала

по сравнению

с

 

 

 

 

 

 

 

 

концентрацией

 

инжек­

 

 

 

 

 

 

 

 

тированных

носителей,

 

 

 

 

 

 

 

 

за

начальное

условие

 

 

 

 

 

 

 

 

можно

принять:

^ =

0,

 

 

 

А

 

,

 

t

р =

0.

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

/ Uобр. макс

 

Для

рис. 4-4

начало

 

 

 

отсчета

времени

ведет­

 

 

 

1

\ У

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ся с момента t =

T/2.

 

Рис. 4-4. Осциллограммы.

 

 

 

Если х=0

 

и х = ш —

а — синусоидального

напряжения на

гене­

координаты

 

неинжек-

раторе;

б — тока через

р-я-переход; в —

тирующего

контакта

и

напряжения

на

р-л-переходе.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p-n-перехода соответ­

ственно,

то

граничные условия

при

помощи

выражения

(4-16) можно

записать

следующим

образом:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

х =

0;

р =

0;

 

 

 

 

 

(4-21)

 

 

 

*>°1

„ ....

 

др_-и„ "sin <о^,

 

 

 

 

 

дх

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

qDpRu

 

 

 

 

 

 

 

где

Um—амплитуда

 

приложенного

напряжения;

со —

круговая частота питающего напряжения.

 

 

 

 

 

Второе

из

граничных

условий

(4-21)

предполагает,

что ток через p-n-переход определяется внешней цепью л

равен

диффузионному

току

 

неосновных

носителей

у p-n-перехода

(коэффициент

инжекции

равен

единица,

а электрическое поле в базе отсутствует).

 

 

 

Решение уравнения (4-1)

с

учетом

начального

и

граничных условий

дает

следующие

выражения

для

концентрации

дырок

в

базе

у

границы

р-/г-перехода,

т. е.

x=w.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

84

2Z.2f7mtoxp

р= qDpwRB

UmLv

^ r J ^ I - s ^ )

ф sh8 a -

где

w

V2L,

exp

4 + « 4

I »s h 2

* + P sin' p) sin Ы

-

a sin2

p) cos arf],

(4-22)

( 2 n + l ) s ^ 4a)2

В случае низких частот членом, содержащим ряд экспонент, можно пренебречь и условие максимума об­ ратного тока определится из равенства р ( ш ) = 0 при t = T, т. е.

t g ( c o 7 >

Р sh 2a — a sin Ц

(4-23)

 

 

 

'ash 2a-f-£ sin 2|?'

 

Если « « P < 1 , получаем:

 

 

 

 

 

<от„

 

2w

(4-24)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L p sh* -r

 

Отсюда длительность фазы сохранения тока

 

 

1 ~

о

1

2ьу

(4-25)

i

 

При условии

2w/Lp

< 1

 

 

 

 

7 \ ^ т р / 2 ,

(4-26)

а при 2ay/L > 1

 

 

 

 

 

 

 

Т,

 

- § - в р .

(4-27)

где pp = w2/2Dp — время пролета дырок в я-базе. Длительность фазы сохранения тока может быть

оценена также при анализе процесса рассасывания на­ копленного заряда. При протекании через р-я-переход

85

полуволны прямого тока в базе структуры накапливает­ ся заряд, который в первом приближении равен:

 

Г/2

 

 

Q H =

|

/ m s i n a > r d / = — - ^ - / m s i n a ( i c / T p ) .

(4-28)

 

т

 

 

В случае,

если

/ т р < 0 , 1 ,

 

 

 

"

(4-29)

Знак минус означает, что QH уменьшается во времени. Часть заряда QH , равная Qu, рассасывается из базы р-м-структуры в течение фазы сохранения Tt внешним электрическим полем:

 

 

т

 

 

 

 

 

 

Qn=

j

/ r a s i n < « r ^ = - ^ / m s m 2

№ ) .

(4-30)

 

 

Г/2

 

 

 

 

 

При

f T i < 0 , l

 

 

 

 

 

 

 

 

Q B = -

i t ^ / m .

 

(4-31)

Одновременно величина QH уменьшается за счет ре­

комбинации в базе:

 

 

 

 

 

 

 

 

Ql—Qv.e~thp.

 

(4-32)

 

 

 

 

 

т

 

 

Таким образом, для момента времени

-4- 7\,

счи­

тая, что за

время

7\

заряд

Q a полностью

рассосался,

можно

написать:

 

 

 

 

 

 

 

Q H - Q H ( i - 6 ~ r , / T p ) + Q n -

 

(4-33)

Из

(4-29), (4-31) и

(4-33)

получаем:

 

 

 

 

 

 

Г ? = Л " " Г / У

 

(4-34)

Решение уравнения (4-34) дает следующее соотноше­ ние между Ti и т Р :

Ti^0,71tp . (4-35)

86

Экспериментальные исследования переходного процесса переключения

а) Фаза сохранения тока

Величина амплитуды обратного тока зависит от вели­ чины прямого тока, частоты приложенного напряжения и времени жизни неосновных носителей заряда в базе.

На рис. 4-5, а, б представлены типичные эксперимен­

тальные зависимости /0 бр. макс — F(Im),

где Лп — ампли-

 

ip =Клеясек

У

600

А/

 

 

 

 

 

 

 

2кги

 

 

 

 

 

woo ги

в

И И ^

1

 

"

''/Щи

600

800

жег

О

200

Ш

^о5р. макс

Гр=2жкс1

 

600

 

гоо

 

 

 

"jf

 

 

 

 

T

 

 

 

 

—Л кги.

0

200

Ш

BOO S00

маг

Рис.

4-5. Экспериментальные

зависимости

амплиту­

ды обратного тока от величины прямого тока при

разных

частотах для двух образцов,

а — д л я

т р = 16 мксек; б — д л я t p = 2 мксек.

87

туда прямого тока при разных частотах /

для Двух об­

разцов

с временами жизни

дырок

xv в

я-базе

16 и

2 мксек

соответственно. Как

видно

из этих

рисунков,

•^обр.мако линейно увеличивается с ростом

1т

при

т Р = '

const и / = c o n s t .

 

 

 

 

 

О

 

20

30

 

 

40

 

 

SO

хгц

 

Рис. 4-6. Экспериментальные

зависимости

/0 бР .макс//т

—F(f) Д л я

образцов с различными временами жизни.

 

На

рис.

4-6

представлены

 

типичные

зависимости

/0бр.маке

 

д л

я образцов с различными

т0 . Как видно

из рис

4-6, зависимость

величины

7 'обр .макс

от

 

частоты

 

"

/ т

 

 

сер.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при

 

 

 

:onst

в определенном

с

 

 

 

интервале

частот

/ =

0 - ь / к р

6

 

 

 

имеет

линейный

характер, т. е.

S

 

 

 

 

 

' обр.макс

--с{ъ)\.

 

(4-36)

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

Частота /К р является пре­

г

 

 

 

 

 

 

 

дельной

 

частотой,

до

которой

 

 

 

 

сохраняется

 

линейная

зависи­

о

 

мксек

мость

(4-36). Величина

/ к р за­

Рис. 4-7. Эксперименталь­

висит от тр. По данным

графи­

ков

рис. 4-6 определена

зави­

ная зависимость

частотно­

симость

 

c=F(xP),

 

 

представ­

го коэффициента

от

време­

 

 

 

ни жизни

дырок

в базе.

ленная

 

на

рис. 4-7,

которую

88

можно аппроксимировать

выражением

 

 

 

 

с=Ахр+т,

(4-37)

где

А = 3 , 8 ; т =

4 • Ю - 6

сек

при / < / к р .

 

 

Из (4-36) и (4-37)

получаем:

 

 

 

/обр.макс =

{Axp-\-fn)fIm.

(4-38)

б)

Фаза спада

тока

 

 

 

 

Уменьшение

обратного

тока в процессе

рассасывания

происходит по закону

где ti =

 

 

^ с а = = ^обр.макс^

>

 

(4-39)

F(xP).

 

 

 

 

 

 

На рис. 4-8 приведены типичные экспериментальные

зависимости

(4-39)

для образцов с различными хР.

Вели-

 

IoSp

 

 

 

 

 

 

 

 

1о£р.ма/<с

 

 

лсАссеяс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*1

 

 

0,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,5\

 

 

 

 

 

 

 

 

OA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,3

\>

k- /6'лrx ct

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,2

9

 

t

 

S

 

 

0

 

5

10 и к сек

 

 

 

Рис. 4-8-. Эксперименталь­

Рис. 4-9. Эксперименталь­

ные

характеристики

про­

ная

зависимость постоян­

цесса

спада

обратного

тока

ной

спада

обратного

тока,

при

различных

временах

от времени

жизни.

 

жизни.

 

 

 

 

 

 

 

чина

tb

определенная

из этих

данных,

описывается вы­

ражением

 

 

ti=BxP,

 

 

 

(4-40)

 

 

 

 

 

 

 

 

где 5 = 0 , 2 0 -г- 0,25 для кремниевых диффузионных

р-п-пе-

реходов с диаметром активной площади 20 мм. Экспери­ ментальная зависимость (4-40) приведена на рис. 4-9.

89

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ