Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Левитин И.Б. Инфракрасная техника

.pdf
Скачиваний:
54
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
8.16 Mб
Скачать

Спектральные характеристики (рис. 10) отличаются наличием в близкой инфракрасной области спектра (0,8 —

— 1,0 мкм) нескольких интенсивных размытых линий. При изменении тока через лампу и давления газа спек­ тральное распределение излучения фактически не меняется

Рис. 11. Общий вид ксеноновых ламп высокой интенсивности

На рис. 11 показан общий вид ксеноновых ламп высокой интенсивности различных типов. Ксеноновые лампы ши­ роко используются как источники видимого света (в види­ мой части спектра их излучение весьма сходно с солнеч­ ным, Г ц А; 6300 К), но в еще большей мере они являются мощными источниками коротковолнового инфракрасного излучения = 0,8 ч - 1,0 мкм). В частности, их исполь-

30

зуют для оптической накачки ОКГ (лазеров), работающих в непрерывном режиме.

Трубчатые ксеноновые лампы с длинной дугой (совет­ ская маркировка ДКсТ) выпускаются мощностью от 1 до 100 кВт, на напряжение питания 220 и 380 В, при длине трубки от 50 до 1800 мм и ее диаметре от 5 до 50 мм. Шаро­ вые ксеноновые лампы с короткой дугой выпускаются мощностью от 200 Вт (ДКсШ-200 — СССР) до 20 кВт, (ХЕ-20 000 — США), на напряжение питания 220 и 380 В. Некоторые из этих ламп работают при естественном ох­ лаждении; при значительной мощности применяется водя­ ное охлаждение. Яркость ксеноновых ламп чрезвычайно

велика и достигает

при мощности 10—20 кВт значения

(в видимой области)

(8 ч - 10) • 10° нт.

11. Импульсные источники излучения

Импульсные источники излучения предназначены для получения кратковременных вспышек высокой интенсив­ ности. Как источники инфракрасного излучения они мо­ гут применяться для ряда целей, из которых важнейшей является использование для оптической накачки ОКГ (лазеров).

Импульсный разряд в газах в своем развитии проходит следующие стадии: стадию электрического пробоя газового промежутка, создающего условия для возникновения ос­ новного разряда, главную стадию сильноточного конден­ сированного разряда (при которой ток достигает макси­ мального значения и выделяется максимальная энергия) и стадию погасания разряда и деионизации газового про­ межутка.

Важнейшей характеристикой импульсного разряда яв­ ляется длительность импульса (промежуток времени, в те­ чение которого рассматриваемый параметр А излучения — энергия, лучистый поток и т. д., остается больше некото­

рого

заданного значения,

обычно

принимаемого

равным

Не от амплитудного значения, т. е.

0,37 Ат).

Интеграль­

ное

значение мгновенного

параметра А

за

время

одной

 

 

/

 

 

 

 

вспышки определяется величиной \ Adt,

называемой энер-

гией

вспышки.

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для импульсной оптической накачки

ОКГ

инфракрас­

ного

излучения обычно применяются трубчатые ксеноновые

31

импульсные

лампы (в

форме прямой трубки или свитой

в спираль); эти лампы

имеют на концах два рабочих элек­

трода и в

некоторых

конструкциях — третий, поджигаю­

щий электрод. Принципиальная схема включения пока­ зана на рис. 12. Разряд возникает при подаче управляю­ щего напряжения на третий, зажигающий электрод; в этой схеме напряжение на обкладках конденсатора ниже напря­ жения пробоя импульсной лампы, управляющее напря­ жение подается на сетку тиратрона ТГИ-35/3, включен-

Рис. 12. Принципиальная схема включения импульс­ ной лампы ИСТ

ного последовательно с импульсной лампой ИСТ-10. При разряде конденсатора через лампу ИСТ-10 возникает мощ­

ный

импульс

излучения,

энергия которого используется

для

оптической

накачки

ОКГ. Энергия разряда W =

= 1/2 CU2,

где

С — емкость конденсатора.

В спектре импульсного разряда уширенные линии сли­ ваются в непрерывный фон, соответствующий широкому спектральному диапазону.

Импульсные источники излучения применяются также для освещения при фотографировании (в частности, на инфрахроматических материалах), для оптических дальномерных устройств и т. д.

В табл. 5 приведены данные отечественных импульсных ламп [27]. Подробные сведения о физических процессах

32

 

Форма

Размеры

Тип лампы

светящейся

светящейся

 

части

части, мм

 

 

 

 

 

 

 

Таблица

5

Энергия вспышки, Дж

Рабочее напряже­ ние, В

Длительность вспышки, мс

Минимальный ин­ тервал между вспышками, с

Амплитудная сила света, Мсв

Амплитудная яр­ кость, Гит

Емкость питающего конденсатора, мкФ

Срок службы, тыс. вспышек

 

ИФК-520

Прямая

4X14

20

130

0,2

10

0,1

2,5

2 500

30

ИФК-10

»

4X24

50

200

0,4

10

0,2

2,2

2 500

30

ИФК-520

U-образная

5X23X30

120

300

1

10

0,25

0,7

2 500

10

ИФК-200 -

Спираль

30X45

500

500

8

15

0,13

0,09

4 000

5

ИФК-8000

U-образная

9x40x70

2 000

500

4

15

1,5

1,3

16 000

5

ИФК-0 ООО

Шаровая

132

380 000

6000

6

60

36

3

. 4 450

 

и с к - ю

Спираль

 

15 000

4000

3,5

1

18

0,6

19 000

 

U-образная

5X23X30

0,05

300

0,015

0,005

0,0005

0,005

1

36 000

ИСК-250

U-образная

10X67X45

250

450

0,7

1

1,3

1,1

25 000

100

 

 

 

125

450

0,4

0,5

1,2

1,0

1250

200

ИФП-200

Прямая

5X200

33

450

0,3

0,33

1,0

0,9

830

300

200

500

1,6

7,5

0,25

0,23

1 600

10

ИФП-15 000

»

10X580

15 000

2400

10

12

10

1,6

6 000

10

ИФБ-300

Кольцо

8X85

300

300

0,06

7,5

0,06

0,05

13 500

10

ИФТ-200

Диск

6

200

200

0,02

15

0,02

0,7

0,25

1

ИСП-70

Прямая

0,5X70

20

1200

0,3

5

0,04

1,5

28

 

ИСШ-15

»

1X2,5

10

1000

0,015

10

0,3

50

20

 

П р и м е ч а н и е . Типы ламп обозначаются: И — импульсная; Ф — фотоосветнтельная,

рассчитанная на о д и н о ч н ы е вспыш­

ки с интервалом от 1 с и более; С — стробоскопическая, рассчитанная на частоту вспышек

более 1 Гц.

в газоразрядных источниках излучения, их свойствах и характеристиках, а также об импульсных источниках из­ лучения содержатся в монографиях Г. Н. Рохлина [35] и И. С. Маршака [27].

12. Оптические квантовые генераторы (лазеры), излучающие в инфракрасной области спектра

Оптическими квантовыми генераторами (ОКГ) или ла­ зерами называются приборы, действие которых основано на явлении вынужденного (стимулированного или инду­ цированного) излучения. ОКГ являются источниками ко­ герентных электромагнитных колебаний в оптическом участке спектра (в частности, многие из них в инфракрас­ ном диапазоне).

Физическим процессам в ОКГ, их устройству и приме­ нению посвящена обширнейшая литература. Читателю, желающему обстоятельно ознакомиться с кругом этих во­ просов, можно посоветовать обратиться к монографиям А. Л. Микаэляна, М. Л. Тер-Микаэляна, Ю. Г. Туркова [28], Е. Ф. Ищенко, Ю. М. Климкова [13] и к небольшой книжке В. К- Базарова [1].

До появления ОКГ источниками оптических излучений являлись только нагретые тела и тела, испускающие из­ лучение люминесценции; все эти источники испускают не­ когерентные излучения, возникающие в результате сооб­ щения излучающему телу энергии какого-либо вида.

ОКГ являются излучателями, в которых подводимая энергия превращается в энергию излучения на совершенно ином принципе стимулированных (индуцированных) коле­ баний, вследствие чего излучение ОКГ характерно коге­ рентностью, высокой монохроматичностью и огромной спектральной плотностью лучистого потока.

Даже такой мощный тепловой излучатель, каким яв­ ляется Солнце (черное тело при Т = 6000 К), при интег­ ральной плотности излучения 7 кВт - см - 2 имеет спектраль­ ную плотность излучения при %т = 0,48 мкм равную

только 104 Вт-см- 2 -мкм или 1 Вт - см - 2 - А) . Современные ОКГ (например, на рубине) создают в импульсе мощности порядка сотен и тысяч мегаватт в пучке сечением примерно 1 см2 , состоящем из монохроматического потока с А% —

34

= 10 -г- 10

А.

Таким образом,

спектральная

плотность

излучения

ОКГ

в

миллионы и миллиарды раз

выше,

чем

у Солнца

[28 ].

 

 

 

 

 

Основным свойством излучения

ОКГ является его

ко­

герентность (из которой и следует монохроматичность из­ лучения), т. е. согласованность между фазами колебаний в различных точках пространства в один и тот же момент времени (пространственная когерентность). Пространст­ венная когерентность обусловливает высокую направлен­ ность излучения ОКГ и возможность точнейшей фокуси­ ровки пучка в пятно очень малых размеров. Так, напри­

мер, ОКГ с диаметром излучающей поверхности D = 10 мм

и К — 0,7

мкм имеет

дифракционный угол расхождения

Од = 1,22

%ID А: 20".

В этом очень малом угле сосредото­

чивается вся энергия

излучения ОКГ. Применяя вдобавок

к этому фокусировку луча ОКГ с помощью оптической си­

стемы,

получают огромные энергетические

освещенности

Еэ в

пятне чрезвычайно

малых размеров;

в настоящее

время

с

помощью

ОКГ

достигаются значения Еэ

по­

рядка

10й

В т - с м - 2

(в то

время как Солнце

создает Еэ

=

= 7-103

Вт - см - 2 ) .

 

 

 

 

Высокая направленность излучения ОКГ создает их серьезные преимущества по сравнению с обычными источ­ никами излучения, состоящие в исключительно малых по­ терях энергии на больших расстояниях, помехозащищен­ ность луча, возможность его пространственной фильтрации и др. Основными частями ОКГ являются: активное вещество система накачки и оптический резонатор. Кроме того, в кон­ струкциях ОКГ предусматриваются различные системы и устройства, обеспечивающие нормальную работу и управ­ ление излучением ОКГ: система охлаждения активного ве^ щества и устройства накачки, система -модуляции излуче­ ния ОКГ, оптическая система фокусировки излучения, устройства для управления лучом и т. д.

Важнейшей частью любого ОКГ является оптический резонатор — система из двух обращенных одна к другой отражающих поверхностей, между которыми располагается активное вещество ОКГ. Формы и конструкции оптических резонаторов весьма разнообразны (простейшим являются два плоских зеркала, одно из которых является полупро­ зрачным и служит для вывода из ОКГ полезного излуче­ ния).

2*

35

Возникающее в активном веществе (инверсной среде) индуцированное излучение чрезвычайно усиливается бла­ годаря многократному прохождению через среду, причем сохраняется фаза и обеспечивается когерентность излу­ чения.

В оптическом резонаторе происходят ряд сложных яв­ лений (усиление и потеря мощности, образование спектра частот, временная задержка и т. д.), рассматриваемых в специальных работах [13, 28].

Приведем очень краткие сведения о некоторых видах

ОКГ, являющихся источниками инфракрасных

излу­

чений.

 

Газовые ОКГ. Активная (инверсная) среда этих

ОКГ

находится в газовой фазе (в виде собственно газов или па­ ров твердых и жидких веществ). Из всех видов ОКГ газо­ вые ОКГ создают наибольшую монохроматичность и наи­ меньший угол расхождения пучка (порядка Г).

Активный элемент газового ОКГ представляет собой кварцевую трубку диаметром от 1 мм до нескольких санти • метров, длиной от нескольких сантиметров до нескольких метров. Трубка откачивается на вакуумной установке, заполняется рабочей смесью газов и устанавливается ме­ жду зеркалами оптического резонатора. Накачка инверс­ ной среды осуществляется главным образом в плазме газового разряда в процессе ступенчатого возбуждения ато­ мов, причем механизмы создания инверсии весьма много­ образны [13].

Примером газового ОКГ непрерывного действия, ис­

пускающего

коротковолновое инфракрасное излучение

с К= 1,15

мкм, может служить гелий—-неоновый ОКГ

типа ЛГ-34, выпускаемый серийно нашей промышлен­

ностью. Однако мощность

излучения

этого лазера на ука­

занной выше

длине

волны

невелика

и

составляет

(Зч-5)-10~3 Вт. Гораздо

большую

мощность

инфракрас­

ного излучения

с длиной

волны

А, =

1,06

мкм

(до 104 Вт)

создает молекулярный газовый ОКГ непрерывного дейст­

вия на смеси С 0 2

-f- N 2 . Лазеры на смеси углекислого

газа

и азота обладают

очень высоким к. п. д. (до 15%);-

к их

достоинствам относится также удобная для прохождения через толщу атмосферы длина волны излучения, обеспе­ чивающая наименьшие потери и помехи.

Краткие технические данные упомянутых газовых ла­ зеров приведены в табл. 6.

36

На и м е н о в а н и е

ОК Г

Газовый ОКГ на смеси

Н е + Ne типа ЛГ-34 Газовый О К Г

на смеси C 0 2 + N 2

Твердотелыіыі'1 ОКГ на стекле с неодимом

типа ГСИ-1 П о л у п р о в о д ­

никовый ОК Г на а р с е н н д е галлия

типа «Луч-З»

to

 

"

работы

волны 1мкм

Длина чения,

Режим

J

 

1,15

Н е п р е ­

 

рывный

1,06

То ж е

1,06

Импульс ­

 

ный,

 

т к 1 0 — 3 с

0,84

Импульс ­

 

ный,

 

т = 2-:-3

 

МКС

з-

>. изл

:ть Огп

Х

SІ «S

2 а

(5 - И5)Х Х Ю _ 3

до 10'

10'

10

гаи

га S

га -

О. га

пучр ОКГ,

о >,

1- С

 

 

К

Днамет выходе

Плоски хожден мин

6

6—10

20-80 1-10

8X45

ЗѲ

—•

Таблица 6

à

•>

« _

атура

et

Темпер ного ве

 

Комнат­

0,01

ная

 

Комнат­

10—20

ная;

 

о х л а ж ­

 

дение

 

водой

0,1

Комнат­

ная

 

77 К

Н е ­

 

сколько

 

десят­

 

ков

ОКГ на твердом теле. В твердотельных лазерах актив­ ной средой является кристаллический или аморфный ди­ электрик обычно в форме цилиндра или четырехгранной призмы. Размеры активных элементов твердотельных ОКГ невелики; длина от нескольких сантиметров до 50—60 см, поперечник — от нескольких миллиметров до 2—3 см.

Принципиальное различие твердотельных ОКГ от га­ зовых состоит в гораздо более высокой (на несколько по­ рядков выше) концентрации активных частиц в твердом материале, что создает гораздо большую инверсную засе­ ленность, чем в газовой среде.

В твердотельных ОКГ инверсия осуществляется опти­ ческой накачкой — интенсивным облучением активного материала излучением внешнего источника со специально подобранным спектральным составом. Система оптической накачки состоит из импульсной ксеноновой газоразрядной лампы накачки и светооптической арматуры, концентри­ рующей лучистый поток накачки на активном элементе. Эффективность излучения накачки определяется долей лу­ чистого потока лампы накачки, поглощаемой в активном веществе.

37

Примером твердотельного ОКГ инфракрасного излуче­ ния является лазер на стекле с неодимом типа ГСИ-1 с дли­ ной волны излучения X = 1,06 мкм, работающий в импульс­ ном режиме ( с т л ; Ю - 3 с) и с мощностью излучения порядка 105 Вт. Схема устройства твердотельного ОКГ по­ казана на рис. 13.

В большинстве твердотельных ОКГ в качестве актива­ торов, вводимых в основное вещество (матрицу) активного элемента, используют ионы редкоземельных элементов

\хладоагент

Источник

ІХладоагент

 

питания

 

Рис. 13.. Схема устройства

твердотельного ОКГ

(неодима, самария, диспрозия, эрбия, гольмия и празео­ дима). Содержание активатора в матрице составляет от 0,005 до 1%.

В табл. 7 приведены основные параметры некоторых

твердотельных ОКГ инфракрасного излучения

[13].

Полупроводниковые ОКГ. В полупроводниковых ОКГ

инверсная заселенность создается в р—я-переходе,

причем

условия ее получения зависят от типа рабочего

перехода.

В наиболее распространенных полупроводниковых

лазе­

рах используются прямые переходы.

 

 

Отражающие поверхности в этих лазерах создаются обычно на границе раздела кристалла с воздухом; для этого противоположные грани кристалла тщательно по­ лируются или скалываются по кристаллографическим пло­ скостям. При этом благодаря большому показателю прелом­

ления (я > 3) достигается коэффициент отражения

более

0,3, позволяющий получить значительное излучение

даже

38

 

 

 

 

Таблица 7

 

 

Д л и н а

Эффективная

Рабочая

Активатор

Матрица

волны

излуче­

полоса погло­

температура,

 

 

ния, мкм

щения, мкм

К

Сг3 +

CaW04

1,06

0,5—0,6

77; 300

 

SrWO.1

1,06

0,5—0,6

77; 300

Nd3 +

Бариевое

1,06

0,56-0,58

300

 

стекло

1,05

0,56—0,58

77; 300

 

CaFjj

 

SrF 2

1,04

0,5—0,6

300

 

BaF3

1,06

0,5—0,6

77

 

СаМо04

1,06

0,5—0,6

77; 300

 

PbMoO.!

1,06

0,5—0,6

300

Dy2 +

CaF2

2,36

0,8—1,0

77

Ег3 +

CaW04

1,61

0,28; 0,52

77

 

CaF2

1,62

0,35; 0,52

77

 

 

 

0,62

На3 +

CaWO*

2,05

0,44—0,46

77

и 3 +

CaF2

2,09

0,40—0,66

77

CaF2

2,6

0,5—0,6

77

 

BaF2

2,6

1,1—1,5

77

 

SrF 2

2,4

0,4—0,6

 

 

 

 

1,0—1,3

77

Рг3 +

CaW04

1,05

0,45—0,49

77

 

SrMo02

1,05

0,45—0,49

77

УЬ3 +

Силикатное

1,015

0,58

77

 

стекло

 

 

 

при очень малой длине активной среды (составляющей де­ сятые доли миллиметра).

Примером полупроводникового ОКГ инфракрасного из­ лучения является инжекционный лазер на арсениде галлия

(GaAs)

типа «Луч-3» с

длиной

волны

излучения % —

= 0,84 мкм, работающий

в импульсном

режиме с мощ­

ностью

излучения 10 Вт. Схема

этого лазера показана на

рис. 14, где / — полированные торцовые поверхности; 2 — область р-типа; 3 — область я-типа; 4 — электрические проводники; 5 — молибденовая пластина, покрытая слоем золота; 6 — переход; 7 — излучение. Активным вещест­ вом является монокристалл GaAs в форме куба или парал­ лелепипеда со сторонами длиной в несколько десятых мил­ лиметра. Две боковые грани, строго параллельные и по­ лированные с высокой точностью, являются открытым

39

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ