Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Атамалян Э.Г. Методы и средства измерения электрических величин учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
183
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
8.26 Mб
Скачать

Т и п

Д и а п а з о н

п р и б о р а

ч а с т о т

Ф2-4 20 Гц -4- 10 МГц

Ф2-6 10 -4- 100 МГц

Ф2-8 10 -4- 1000 МГц

Ф2-9 0,075 -4-10 МГц

ФК2-12 1 4 - 1000 МГц

П р е д е л ы и з м е ­

ре н и я ф а з о в ы х

уг л о в

О

■1- i+

0

со о

0 4 - 360°

0 Ч- 360°

О

о О СО со

0 4 - 180°

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

7-1

 

 

П о г р е ш н о с т ь и з м е р е н и я

 

В х о д н о е н а п р я ж е н и е , В

В х о д н о е с о п р о т и ­

 

 

 

в л е н и е и е м к о с т ь

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'

 

При перепаде уровней входных сигна­

 

 

 

 

 

лов:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а)

0,9 : 1 4 - 1,1 :

1 — Г (60 4 - 200

Гц,

0,5 4 - 10 (20 -4- 600 Гц)

500 кОм (50 кГц)

 

16 кГц ч- 1

МГц)

 

 

0 ,1 -1 0 (0 ,6 4 -5 0 кГц)

30

кОм

 

 

 

0,7° (0,2 4 -

16

кГц)

10 МГц)

0,005 4-5 (0,054-10 Мгц)

15 пф (10 МГц)

 

1,5° (20 4 - 60

Гц, 1 4 -

 

 

 

 

 

б)

1

: 20— 1,5° (20 4 -600

Гц)

 

 

 

 

 

 

в)

1

: 100— 1,5° (600 Гц 4 - 1 МГц)

 

 

 

 

 

 

2° (1 -4-10 МГц)

 

 

 

 

 

 

 

При перепаде уровней входных сигна­

 

 

 

 

 

лов:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а)

1

: 1 — 3°;

 

 

 

 

0,1 4 - Ю

20 кОм;

7 ±

3

пФ

б)

1 : 100 — 4°

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

перепаде

уровней входных сигна­

(0,1—300) 10-3

50

Ом

 

 

лов до 3 дБ — 0,01 ■фнзмЧ- 1°

 

 

 

 

 

 

При

перепаде

уровней входных

сигна­

0,01 4 - 10

100 кОм; 25

пФ

лов 0,9: 1 4 - 1,1

: 1

 

 

 

 

 

 

 

1° (0,075 4 -1 МГц)

 

 

 

 

 

 

 

1,5° (1 4 - 10 МГц)

 

 

 

 

 

 

 

При

равных

уровнях

± 1 , 5 4-2,5°;

 

 

 

 

 

в динамическом

диапазоне до 50

дБ 5°,

 

 

 

 

 

амплитуды до 200 МГц — 6%

 

 

 

 

 

 

и2

Рис. 7-7. Схема цифрового фазометра

мя АТ, пропорциональное углу сдвига фаз ф. Эти импульсы затем подают на раздельные входы управляющего триггера УТ, который на время АТ открывает временной селектор ВС и пропускает на электрон­

 

ный счетчик ЭСч импульсы калиброванной

 

частоты /о (рис. 7-8, в).

 

 

 

 

Число импульсов, подсчитанное ЭСч и

 

соответствующее

углу

сдвига

фаз ф (рис.

 

7-8, г),

п = АТ/Т0 —ATf0,

(7-12)

 

 

 

где Т0,

/0 — соответственно период и

ча­

 

стота калиброванных импульсов.

 

 

Разность фаз ф определяют из форму­

 

лы (7-10);

 

(ДТ/Т) 360°.

(7-13)

 

 

ф =

 

Подставив в формулу (7-10) значения

 

ДТ = /г//0

и Т =

1//, получимг

 

 

 

Ф =

[(«/)//<,] 360Т

(7-13)

 

Из (7-13) следует, что для определения

 

угла сдвига фаз ф необходимо знать еще и

Рис. 7-8. Временные диаграм­

частоту / исследуемых напряжений. Это

приводит

к

непостоянству

погрешности

мы, поясняющие работу циф­

рового фазометра

дискретности,

которая

тем

больше,

чем

выше частота /.

На этом принципе построены низкочастотные цифровые фазо­ метры, в которых выполняется условие f0/f ^ 103. При частоте следо­ вания калиброванных импульсов 10 МГц максимальная частота иссле­ дуемых напряжений должна быть не более 10 кГц.

Для осуществления измерения разности фаз при высоких частотах можно предварительно преобразовать разность фаз с высокой частоты

на низкую.

Технические данные фазоизмерителей приведены в табл. 7-1.

Литература

 

 

 

В а л и т о в

Р. А.,

С р е т е н с к и й

В. Н. Радиотехнические измерения.

«Советское радио», 1970.

Радиоэлектронные

измерения. «Энергия», 1969.

М и р с к и й

Г. Я-

Глава 8

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЦЕПЕЙ С СОСРЕДОТОЧЕННЫМИ ПОСТОЯННЫМИ

§ 8-1. Методы измерения

Основными параметрами цепей с сосредоточенными постоянными являются сопротивления резисторов; емкость конденсаторов; тангенс угла потерь конденсаторов; индуктивность катушки; добротность катушки; взаимоиндуктивность двух катушек.

Контроль и измерение электрических параметров вызваны необхо­ димостью отбора отдельных элементов при создании и испытании различных ’ радиоэлектронных устройств. Каждый год появляются новые материалы, из которых изготавливают резисторы, конденсаторы, катушки. Потребность в приборах с различными

 

нижними и верхними пределами неуклонно растет.

 

Выбор метода и средств измерения параметров

 

цепей с сосредоточенными постоянными опреде­

 

ляется характером

и величиной измеряемого пара­

 

метра, требуемой

точностью, диапазоном рабочих

 

частот и приложенного напряжения, температурой

 

' и т. п.

 

Рис. 8-1. Схема из­

Измерение полного сопротивления гх может

мерения R x методом

быть осуществлено косвенным методом с помощью

одного прибора

амперметра и вольтметра, его величину определяют

 

по формуле гх,= U/I, где U и I — напряжение и ток,

измеренные приборами. Этим методом пользуются при измерении на частоте 50 Гц или на звуковых частотах. Метод амперметра и вольт­ метра может быть использован также для измерения R, L, С, если только сопротивление измеряемого элемента можно считать либо активным, либо реактивным, т. е. R = U/I или хс = 1 /(соС) = £///.

Погрешность измерения данным методом составляет величину 0,5— 1,0% при использовании приборов класса 0,2 или 0,5, при измерении же приборами невысокого класса точности — 5—10%.

Разновидностью метода амперметра и вольтметра является метод

бдного

прибора — амперметра

или вольтметра. Если

сопротивления

измеряемое Rs и образцовое R0 соединить последовательно (рис. 8-1),

то ток I в цепи и напряжения

Ux и U0 на элементах схемы будут яв­

ляться

функциями Rx:

 

 

 

I = U/(RX + R0) или RX = U H - R 0\

(8-1)

и* = и тткщ

или

R*= U lf e r ’'

 

(8' 2)

и о/=и Т + Ж ^ о

или

Rx = (U/U0- 1 ) R o.

,

(8-3)

Из полученных выражений следует, что если поддерживать

U =

= const, то по показаниям одного прибора амперметра,

измеряющего

ток в цепи /, или вольтметра,

измеряющего падение напряжения Ux

152

или U0 на одном из сопротивлений схемы, можно судить о величине сопротивления Rx.

Метод одного амперметра реализуется в схеме электромеханиче­

ского омметра,

а вольтметра — в электронном омметре,

измеряющих

сопротивление

большого

диапазона на

 

 

 

 

постоянном токе с точностью 2,5 -ь 4%.

 

 

 

 

Измерение R,

L, С в

лабораторной

г в ч

«I!

1

и инженерной

практике

осуществляют

X

 

 

с помощью различных мостовых схем

 

 

постоянного и переменного токов, обес­ Рис.

8-2. Схема

резонансного

печивающих высокую точность измере­

 

 

прибора

ния (см.

§ 2.3).

Измерение R, L, С на

 

 

 

 

высоких

частотах

выполняют резонансными

методами

в сочетании

с методом замещения. Сущность резонансного метода

заключается

в использовании зависимости резонансной частоты колебательного контура от его индуктивности и емкости:

/рез= 1 /(2 я ]/Т с ).

(8-4)

На низких частотах резонанс проявляется менее резко, поэтому измерения выполняются на высокой частоте.

Резонансный прибор состоит из генератора высокой частоты ГВЧ, измерительного колебательного контура и индикатора резонанса — электронного вольтметра (рис. 8-2).

В качестве индикатора резонанса можно использовать электрон­ ный вольтметр с большим входным сопротивлением, показания кото­ рого в момент резонанса максимальны. Из (8-4) следует, что если измеряемую катушку индуктивности включить параллельно образцо­ вому конденсатору и измерять резонансную частоту, то индуктив­ ность Lv можно получить из формулы (8-4). Так же можно определить искомую емкость Сх, включив ее параллельно с образцовой катушкой индуктивности. Чтобы исключить влияние паразитных параметров

 

на

результаты измерения

 

(емкость монтажа конту­

Г В Ч

ра,

собственную

емкость

катушки индуктивности,

 

сопротивления,

вносимые

Рис. 8-3. Схема измерения Сх методами резо­

в

колебательный

контур

генератором высокой часто­

нанса н замещения

ты

и индикатором

резо­

 

нанса), резонансный метод применяют в сочетании с методом замещения. В этом случае изме­ рения выполняют дважды.

Вначале резонансный контур, состоящий из индуктивности L и образцовой емкости С0, настраивают в резонанс на частоту при этой фиксируют значения f0и емкости конденсатора Со1. Затем параллельно образцовому конденсатору С0 подключают конденсатор Сх (рис. 8-3) и изменением (уменьшением) емкости образцового конденсатора доби­ ваются резонанса при той же частоте /0; соответствующее значение

153

емкости будет Со2. Таким образом, изменением образцовой емкости компенсируется включенная в контур неизвестная емкость, т. е.

откуда

 

C0l = C02 + Cv,

 

 

(8-5)

 

СЛ.= С01- С 02.

 

 

(8-6)

 

 

 

 

Параллельное

включение Cv к С0 возможно для

случая, когда

С* < С0.

С0, то выполняют те же операции, но только-при после­

Если Сх >

 

 

 

довательном включении Сх

 

 

 

и С0. Величина

искомой

 

 

 

емкости Cv

 

 

 

 

 

Сх Со1Со2/(Со2

С01),

 

 

 

 

 

(8-7)

 

 

 

где С02 '^>Со1.

 

Рис. 8-4. Схема

измерения L x методами резо­

Резонансный метод из­

нанса

и замещения

мерения

индуктивности

 

 

 

может быть использован в

сочетании с методом замещения. На рис. 8-4 дана схема измерения малых индуктивностей Lv, составляющих последовательный колеба­ тельный контур с образцовым конденсатором С0.

При

первом измерении

 

 

 

2nf0L = 1/(2я/0Со1).

(8-8)

При

втором измерении

 

 

 

2nf0L'+2nf0Lx = 1/(2я/0Со2).

(8-9)

На основании выражений (8-8)

и (8-9) следует, что

 

 

Lx = (Coi -

С02)/(4л2/,(С0]1С02).

(8-10)

Более высокую точность измерения индуктивности Lx и емкости Сх дает сочетание методов замещения при резонансе и нулевых биений.

Резонансным методом можно осуществить измерение активного и полного сопротивлений.

Одним из основных параметров, характеризующих качество коле­ бательного контура и отдельных его элементов, является добротность Q. На принципе резонанса работает измеритель непосредственной оценки

добротности — куметр

(рис. 8-5). При резонансе в последовательной

схеме ©„L = 1/(со0С),

а добротность катушки (она равна добротности

контура, если пренебречь потерями в конденсаторе)

 

Q = (ca0Lk)/#k= 1/(сo0C0RK) = и вых/ и вк,

(8- 11)

154

где RK— сопротивление потерь

контура в последовательной схеме;

Uих — напряжение, вводимое в

резонансный контур; UKblx — напря­

жение на образцовом конденсаторе в момент резонанса в контуре. Если поддерживать UBXпостоянным, то Usbn. будет пропорционально Q и, следовательно, шкала лампового вольтметра У2 может быть отгра­ дуирована в единицах добротности. Входное напряжение, вводимое в измерительный контур от генератора высокой частоты ГВЧ через

емкостный делитель напряжения Сд1, Сд2,

поддерживается постоянным

при помощи электронного вольтметра

(вольтметра уровня) и не

превышает 0,5 В (20 -ь 100 мВ). Куметры могут быть использованы

вдиапазоне частот 50 кГц -г- 250 МГц.

§8-2, Измерение сопротивления

Диапазон сопротивлений, подлежащих измерению, 10"8 1016 Ом, причем точность измерения очень малых и очень больших значений сопротивлений невысока. Сопротивление высокоомных микропровояочных резисторов составляет величину до 1010 Ом, непроволочных резисторов — до 1014 Ом, а диэлектриков — до 1016 Ом. Верхний пре­ дел измерения приборов для измерения удельного объемного и поверх­ ностного сопротивлений доходит до 101в Ом.

Мнкропроволочные резисторы до 1010 Ом измеряют с погрешно­ стью ± ( 0 , 0 0 1 — 0 ,1 ) % ; непроволочные резисторы сопротивлением до

10“ Ом — с погрешностью

 

от ± 0 , 1

до ± 1 % ;

а сопро­

 

тивление диэлектриков до

 

1018 Ом — с погрешностью

 

± ( 1 0 — 2 0 )% .

Сопротивле­

 

ния до

Ш~е Ом

измеряют

 

с погрешностью

± 0 ,2 -т-

 

-г- 1 %, а до К Г 8 Ом — с по­

 

грешностью 2 -г- 5%. Со­

 

противление

постоянному

Рис. 8-6. Принципиальные схемы омметров для

току можно измерить при­

измерения больших и малых сопротивлений

борами

непосредственной

 

оценки:

омметрами электромеханическими и электронными; миллиом­

метрами, мегомметрами, тераомметрами, в основе работы которых лежит метод одного прибора; мостами постоянного тока.

Измерение сопротивления на

постоянном токе. И з м е р е н и е

э л е к т р о м е х а н и ч е с к и м

о м м е т р о м. На рис. 8-6 пока­

заны принципиальные схемы омметров для измерения больших и малых сопротивлений. В схеме рис. 8-6, а измеряемое сопротивление Rx включено последовательно с измерительным прибором ИП, в схеме рис. 8-6, б — параллельное ним. Если в качестве ИП использовать микроамперметр магнитоэлектрической системы с внутренним сопро­ тивлением R„, то ток / будет равен:

для схемы а

 

О / = £//(Я0 + Яп);

 

1 =

U

при Rx =

(8- 12)

Ял-+ ^0 + ^п

со 1 = 0]

155

для схемы б

URARx+H»)

 

г _

 

R o + R . M R x+ R n)

 

U

0 / = 0;

(R0Rn/Rx) + Ro+Rn

ПрИ Л'

I = U/(R0 + R„)~. (8-13)

Если в процессе измерения приложенное напряжение U поддержи­ вать постоянным, то ток I в обоих случаях является функцией Rx (см. § 8-1). Из приведенных предельных значений тока / для измене­ ния величины Rx от 0 до оо следует, что шкала прибора в схеме, пока­ занной на рис. 8-6, а, должна быть обратной, а в схеме рис. 8-6, б — прямой. Схему, изображенную на рис. 8-6, а, применяют для измере­ ния больших сопротивлений (Rx > 100 Ом),, а схему, показанную на

рис. 8-6, б, — малых сопротивлений (Rx < < 100). Ключи к служат для проверки правильности градуировки шкалы прибора. Значение тока I = U/(R0 -f R„) соответст­ вует замкнутому положению ключа к и отметке шкалы Rx = 0 в схеме, изобра­ женной на рнс. 8-6, о, и разомкнутому положению ключа к и отметке шкалы Rx —

=оо в схеме, изображенной на рис. 8-6, б. Схемы омметров используют в комби­

нированных приборах типов Ц4313, Ц4314 и др. Основным недостатком омметров дан­ ного типа является зависимость показаний

Рис. 8-7. Схема логометриче­

прибора

от напряжения U.

ского омметра

Чтобы показания омметров не зависели

 

от напряжения,

в качестве измерительного

прибора применяют логометр (см. § 2.2).

На рис. 8-7 представлена

схема логометрического

омметра

магнитоэлектрической системы.

В этой схеме измеряемое сопротивление Rx соединяют либо по­

следовательно с одной из рамок

логометра (рис. 8-7), либо

парал­

лельно.

 

 

Если токи 11 и / 2 в цепи рамок выразить соответственно:

 

Ii = U/(Ro + Rx),

I* = U/(R0 + RJ,

(844)

то уравнение шкалы омметра

 

 

a = F (Л//*) = F [(Я0 +

R2)/(Ro+ Rx)] = Fi (Rx)•

(8-15)

Логометрические омметры — приборы невысокого класса точности (1,5; 2,5; 4). Погрешность омметра указывают в процентах от длины рабочей шкалы.

И з м е р е н и я э л е к т р о н н ы м о м м е т р о м . В настоя­ щее время широкое распространение получили электронные омметры, мегомметры и тераомметры. На рис. 8-8 дана схема электронного омметра с последовательным включением измеряемого сопротивле­ ния Rx и образцового R0. В электронных омметрах измеряют не ток, а падение напряжения на измеряемом сопротивлении Ох = 17/(1 +

156

Рис. 8-8. Схема электрон­ ного омметра

+ Ro/Rx) или образцовом U0

= U/( 1 + Rx/R0) с помощью электрон­

ного вольтметра постоянного

тока ЭВ.

Из анализа данных выражений следует, что при измерении Ux

шкала омметра

будет прямой (при Rx — О 0 Х = 0),

а при измерении

Ua — обратной

(при Rx = 0 U0 = U).

R0 >

Rx, обычно

При измерении малых сопротивлений, когда

измеряют Us, а при измерении больших сопротивлений,

когда R0<

<Rx, - U 0.

Вэлектронных омметрах питание схемы осуществляется от спе­

циального стабилизированного источника напряжения U. Если U равно номинальному значению напряжения вольтметра Un, то омметры имеют бесконечные пределы измерения, если же U > Un, то при определенном подборе Ra и Rx пределы измерения конечны. Для уменьшения погрешностей измерения входное сопротивление усили­ теля должно быть как можно больше, поэтому во входных цепях его используют специальные электрометрические лампы с малыми сеточными токами.

Если напряжение источника питания U значительно превосходит номинальное напря­ жение вольтметра Д„, то применяют схему ом­ метра с параллельным включением измеряе­ мого и образцового сопротивлений.

Пределы измерения электронных омметров расширяют за счет набора образцовых сопро­ тивлений.

Электронные омметры обычно представ­ ляют собой многопредельные приборы. Шкала электронного омметра,

как

это следует из выражений

(8-2)

и (8-3), неравномерна. Если же

выбрать R0

Rx max (см. рис.

8-8),

то приближенно можно считать

1 +

R0/Rx

Ro/Rx и, следовательно, выражение (8-2)

примет вид

 

 

UX = U(RX/R0)

или

RX = (UX/U)R0.

(8-16)

Шкала омметра при этом будет более равномерной. Этот же резуль­ тат может быть получен, если измерительную цепь омметра питать от источника тока. Универсальный прибор типа ВК.7-9 используют и как электронный омметр. Применение в схеме электронного омметра операционного усилителя, представляющего собой высокостабильный усилитель постоянного тока УПТ с параллельной обратной связью'по напряжению, позволяет создать омметры с равномерной шкалой и

огромными

пределами измерений (Rx msx/Rx mjn ~

Ю10),

а также

омметры с цифровым отсчетом (ВК2-6).

 

 

И з м е р е н и е с о п р о т и в л е н и й м о с т о в ы м и с х е -

м а ми п о с т о я н н о г о

т о к а

(см. § 2-3). Мостовые схемы по­

стоянного

тока позволяют

измерять

сопротивления

КГ8 ч-

1016 Ом

с высокой точностью. Наиболее целесообразно использовать уравно­ вешенные одинарно-двойные мостовые схемы. Диапазон измерения сопротивлений таких схем 1СГ8 ч- 106 Ом. Мостовая схема содержит встроенный блок образцовых сопротивлений, а также работает с внеш­ ними образцовыми сопротивлениями различных номиналов. Комбини­

157

рованная мостовая схема типа Р329 при измерении сопротивлений 1СГ8 ч- 10“7 Ом по схеме двойного моста с внешним индикатором рав­ новесия (автокомпенсацнонным микровольтнаноамперметром РЗ-25) обеспечивает класс точности 2; сопротивлений 10~7 -4- 10“° Ом — класс точности 1, а сопротивлений 10~6 -4- 100 Ом — класс точности 0,2 -4- -j- 0,05. В двойной мостовой схеме предусмотрены специальные меры уменьшения влияния соединительных проводов и контактов. Одинар­ ная мостовая схема при измерении сопротивлений 50 -4- 105 Ом отно­ сится к классу точности 0,05, а выше 0,5 Ом — к классу точности 0,5. В качестве индикатора равновесия может быть также использован зеркальный гальванометр, но при этом класс точности схемы ниже.

Измерение высокоомных сопротивлений сопровождается уменьше­

нием

токов в

измерительных цепях мостовой схемы, понижением

 

 

 

 

чувствительности последней, а также уве­

 

 

 

 

личением влияния внешних электромаг­

 

 

 

 

нитных помех. При этом возрастают

 

 

 

 

требования к экранированию моста.

 

 

 

 

Для измерения высокоомных сопротив­

 

 

 

 

лений 1010 -4- 1016 Ом применяют четырех­

 

 

 

 

плечие и двуплечие мостовые схемы спе­

 

 

 

 

циальной конструкции. Чтобы исключить

 

 

 

 

влияние внешних электромагнитных по­

 

 

 

 

лей, такую мостовую схему полностью

 

 

 

 

экранируют, а одну из узловых точек схемы

 

 

 

 

соединяют с экраном, благодаря чему

 

 

 

 

уменьшаются токи утечки.

 

Рис. 8-9. Схема четырехпле­

На рис. 8-9

показана

четырехплечая

чего

моста

для

измерения

мостовая схема.

В плечи

моста включены

высокоомных

сопротивлений

измеряемое /?х =

Rx и образцовое R2= R0

 

 

 

 

сопротивления.

Плечи отношения R3 и R4

представляют собой низкоомньш вспомогательный делитель напряже­ ния (регулируемое плечо R4 — многодекадный магазин сопротивлений

с верхним пределом

106 Ом, а плечо R3 — набор образцовых

мер с

значениями 105, 10'1,

103, Ю2 Ом).

 

В момент равновесия мостовой схемы

 

Rx = R0(Ri/R3) = Ro/k, где k = R3/R4 = R0/Rx.

(8-17)

В момент равновесия напряжение на измеряемом сопротивлении

равно

 

 

Ua= U [RX/(RX+ До ] = U [1/( 1 + k)].

(8-18)

Напряжение U измеряют вольтметром. Индикатором равновесия может быть электрометр электростатический или ламповый.

Мостовая схема Р4050 имеет вольтметр на плече R4 = const, a R3 является регулируемым сопротивлением. Пределы измерения сопротивлений этой мостовой схемы 105 -4- 1011 Ом с погрешностью 0,05 -4- 2%. Пределы измерения мостовой схемы Р453 10~2 -4- 1010 Ом.

Двуплечая мостовая схема (рис. 8-10) состоит из резисторов изме­ ряемого R3 = Rx и образцового R2 = R0, включенных в ее два плеча.

158

Напряжения Ua и Ub подают от двух источников питания, включаю­ щих в себя устройства для ступенчатой Ег и плавной Ег регулировки

напряжений.

Напряжения Ua и Ubизмеряются магнитоэлектрическими

вольтметрами

V1 и V2.

 

 

Напряжение на 'зажимах индикатора

равновесия (электрометра)

с внутренним сопротивлением R„

 

 

Uiг = Яп (UzR0- U bRJl(RxRo + RnRx + RnRo).

(8-19)

При равновесии (U12 0) измеряемое сопротивление

 

 

Rx = R0{UjUb) = R j k ,

k = Ub/Ua.

(8-20)

Перед измерением устанавливают по вольтметру Vx напряжение Ua,

при котором требуется определить вели­

 

чину Rx, а затем добиваются равновесия,

 

изменяя Ub.

 

Измерение сопротивлений на переменном

 

токе. Измерения сопротивлений на пере­

 

менном токе осуществляют мостовыми и

 

резонансными методами. Для определения

 

сопротивления Zx с помощью куметра (см.

 

рис. 8-5) измерения выполняют дважды

 

без и с искомым сопротивлением. Последо­

 

вательный колебательный контур, состав­

 

ленный из вспомогательной катушки ин­

 

дуктивности LK, RK(входящий в комплект

 

куметра) и образцового конденсатора с пе­

Рис. 8-10. Схема двуплечего

ременной емкостью Сп, настраивают в резо­

моста

нанс на частоту измерения /0. При этом

 

фиксируются значения частоты /0, емкости Со1, добротности контура Qx. Затем исследуемое сопротивление Zx (Rx, Хх) подключают либо после­ довательно (если модуль Zx — величина малая) со вспомогательной катушкой, либо параллельно (если модуль Zx — величина большая) к образцовому конденсатору С0. Контур с помощью С0 вновь настраи­ вается в резонанс на ту же частоту. Зафиксированные значения /0, С02 и Q., совместно с данными, полученными при первом измерении С01 и Qlt дают возможность определить модуль Zx и его составляющие Rx, Х х, Наиболее часто куметр используют для измерения больших сопротив­ лений Zx, например входного сопротивления вольтметра, имеющего активно-емкостный характер. В этом случае Zx подключают к зажимам

22' куметра. При

первом измерении (без Zx)

 

 

 

 

 

Qi — ((йо^к)/RK=

 

1/(со0С01Дк).

 

 

(,8-21)

При втором измерении

Zx) сопротивление колебательного кон­

тура

куметра

 

 

 

 

 

 

 

Rx_______

 

7

р _1 _г I Ду/[/ю (б.у-4~С02]

 

п I

.-..г

I_________

 

_

~

- г 1а ь « + / ? , +

1/[/«0 (C.V+ Со2]

 

+

/ к +

1 + j a R x {Сх + с 02)

-

 

=

Rk+

Д?д.[ 1 — jcoRx (Cx +

C 02)]

(8-

22)

 

к'

1

 

(СЛ- +

Со2)3

159