Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Маграчев З.В. Аналоговые измерительные преобразователи одиночных сигналов

.pdf
Скачиваний:
28
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
7.9 Mб
Скачать

идентичных каналов ДНзар = 0,

а выходное напряжений

не зависит от /п и может быть

записано в виде (4-5).

Указанное обстоятельство

обеспечивает в рассмо­

тренном идеальном случае инвариантность двухканаль­ ного преобразователя по отношению к параметрам вход­ ных сигналов;

ДНзар= invar (l/m,

tu).

Из неравенства

(4-7) видно, что минимальное напря­

жение 'L/m мил тем

меньше, чем

больше параметр К.

С этой точки зрения в двухканальных преобразователях целесообразно применение диодов типа КД503, КД512, КД514 с высокой крутизной вольт-амперной характери­

стики

(А,= 17-т-25 е-1). Для этих диодов при п > 0,5, Сн=

= 50

пф и ^и.м1ш =5 1 0 нсек величину Ummm можно

принять равной 0,5—0 , 8 в. Как было показано выше, вольт-амперные характеристики диодов хорошо аппрок­ симируются двумя функциями: экспонентой и параболой для вакуумных диодов, а для полупроводниковых дио­ дов— экспонентой и прямой линией. В процессе заряда рабочая точка диода выходит на экспоненциальный уча­ сток в момент to, определяемый выражениями (2-35), (2-38). Величина to зависит от напряжения импульса Um, емкости накопительного конденсатора Сиак вольт-ампер- ной характеристики диода и режима РИ. При мин ^

где Дтс = Пд.0— Ддо (см. рис. 2-14), и выпол­ нении условия (4-7) рабочая точка диода в каждом ка­ нале успевает выйти на экспоненциальный участок, если длительность импульса ta>to.

В связи с тем что to=q>(Um), а напряжения в кана­ лах различны, время toi для первого канала оказывает­ ся несколько больше соответствующего времени £ог для второго канала. Поэтому при прочих условиях погреш­ ности Д£/зар1 и ДUЗар2 оказываются не равными и вели­ чина ДПзар.э при ta> ’t0i определяется выражением

 

 

 

 

 

*п—/о‘

 

 

 

ае

(4-8)

 

 

Д^зар.э— ^

 

 

 

-\и

1

ае

 

где а =

 

 

 

 

1 е

 

справедлива для мни ^

Заметим,

что формула (4-8)

деляется

При tn^-toi

погрешность Дб'зар.э мала и опре­

в

основном

неидентичностыо каналов, заряд-

100

Ше Погрешности в,которых можно определить, исполь­ зуя выражения (2-37), (2-40).

В наносекундном диапазоне время to соизмеримо с tIr и оказывает существенное влияние на погрешность пре­ образования в каждом канале. Однако результирующая погрешность AU3ap.a (4-8) и в этом случае намного мень­

ше

погрешности

однока­

 

 

 

 

 

 

нального

преобразовате­

 

 

 

 

 

 

ля, поскольку абсолют­

 

 

 

 

 

 

ная величина to1, 2 мало

 

 

 

 

 

 

изменяется

в

диапазоне

 

 

 

 

 

 

напряжений,

а разность

 

 

 

 

 

 

fo itoz

почти

не

зависит

 

 

 

 

 

 

от

0 т

(см.

рис. 2-17).

 

 

 

 

 

 

При

уменьшении

Um до

 

 

 

 

 

 

значений 1— 2

в величина

 

 

 

 

 

 

ДНзар.э

уменьшается, а

 

 

 

 

 

 

относительная

 

погреш­

 

 

 

 

 

 

ность

возрастает.

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим

 

случай,

О

 

2

¥

6

6

когда

 

в

процессе

заряда

Рис.

4-2.

Кривые

зависимости

накопительных

конденса­

торов рабочая точка дио­

 

 

 

для одноканально­

го

преобразователя

на

диоде

да во втором канале успе­

2Д503Б

при С „=47

пф и t„, рав­

вает

выйти

на экспонен­

ной б,

10, 30, 50, 100 нсек (кри­

циальный

участок вольт-

вые 1, 2, 3,

4, 5 соответственно).

амперной

 

характеристи­

 

 

 

 

 

 

ки, а в первом канале еще находится на линейном уча­

стке. Этот случай соответствует условию

За­

рядная погрешность при этом равна:

 

 

 

AU3&p. a.a = U - ( U m +

U)e

-

 

 

In ^1 — ае

°

'j,

(4-9)

где U= Upfi'U до,

Тл— РдСн.

 

 

Cni и Сн2

При

и tnig^ioi заряд конденсаторов

осуществляется токами линейных участков вольт-ампер- ных характеристик диодов. В этом случае

Д^зар.л

1 )Um6

(4-10)

 

 

101

и погрешность двухканального преобразователя сущест­ венно зависит от Um.

Зависимости ДU3ap= f(U m) для одноканального пре­ образователя на диоде 2Д503Б при Сп= 47 пф, получен­ ные экспериментальным и расчетным путем, показаны на рис. 4-2. Из них видно, что при г‘ц>30 нсек погреш­ ность ДНзар2 практически не зависит от напряжения им­

%

SUгар\

пульса

Um-

Благодаря этому по­

грешность двухканального

преобра­

п

Расчетмая.

зователя ДНзар, определяемая вы­

12

ражением

(4-3),

оказывается значи­

10

__ - Эксперичен-

тельно меньше погрешности однока­

mамт1Я__

 

 

нального

преобразователя

AUaavi.

В

 

Для примера на рис. 4-3 приведены

В

 

кривые

зависимости |б4Узар|=/(/„)

 

двухканального

преобразователя

V

 

 

при /г=0,5

и

Um= 2 в, построенные

2

с помощью формул (4-8) и (4-10) и

 

по экспериментальным

данным

О20 40 ВО ВОнсек- рис. 4-2. Теоретические и экспери­

 

 

 

ментальные данные позволяют сде­

Рис. 4-3. Зависимость

лать вывод, что введение второго

|6УЗВР|=/(/„) двух­

канала

преобразования

дает

воз­

канального

преобра­

можность

существенно

повысить

зователя

для Um =

—2 в.

 

 

точность

преобразования

импуль­

 

 

 

сов малой длительности. Так, на­

 

 

 

пример, для импульсов длитель­

ностью

^ц = 30-н100

нсек

величина

погрешности умень­

шается более чем в

1 0 — 2 0

раз,

а при длительности ta—

= 10-ь30

нсек — в

3,5—40

раз,

что

видно

из

сравнения

с рис. 2-18.

 

t0i

 

 

 

 

 

 

Поскольку значения

и Би достаточно

близки

(см.

рис. 2-17), а сопряжение участков аппроксимации вольтамперных характеристик диодов происходит плавно, то для практических расчетов ДБ/зар можно пользоваться

формулами

(4-8) и (4-10). За граничное условие следует

принять

В этом случае время Т„ак двухканаль­

ного преобразователя

при

 

 

Um > Umгр= (1_ П) м иГшЯ X

 

 

 

_—^оа

Х ^ д о - ^ д с

- ^ i n ( l - о е

Тв ) ] ,

102

определяется

выражением

 

 

 

 

 

 

 

^цак

СпД; 111

|St/3зар.д)

 

(4-11)

при Um < U тгр

 

^02—^01

 

 

 

 

 

 

 

 

\ (ft- » 8yaap.,Um

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т

=

t

“j—Tg 111 Cl ‘

e

 

(4-12)

 

1 пак

 

1о

 

 

X (n—I) Шзар.д

m

 

 

 

 

 

 

 

 

Зависимости T„aK/CH= f(U m)

для двухканального пре­

образователя

на

диодах

 

 

 

2Д503Б, рассчитанные по

 

 

 

формулам (4-11)

и (4-12),

 

 

 

показаны на рис. 4-4. Из

 

 

 

них

видно,

что

при

по­

 

 

 

грешности 5— 10% и Um>

 

 

 

> 1

в функция

накопле­

 

 

 

ния практически мало за­

 

 

 

висит от напряжения сиг­

 

 

 

нала. По тем же форму­

 

 

 

лам

аналогичные харак­

 

 

 

теристики могут быть по­

Рис. 4-4. Кривые зависимости

лучены и для других дио­

T„aK/C„?=f(Um)

для

двухканаль­

дов.

 

 

ного

преобразователя

«а

диоде

выигрыш

2Д503Б при гдо=5 мка и

|бб/зар 1

в

Рассмотрим

равной 1, 2, 5 и 10% (кривые /, 2,

уменьшении

зарядной

3 и 4

соответственно).

 

 

погрешности,

даваемый

 

 

по сравнению

двухканальной

системой преобразования

с

одноканальной.

Полагая

в выражении (4-2)

ДСв= 1.

получаем:

 

 

1*—Глг

 

 

 

 

 

 

8С/зар1

 

 

 

 

 

 

8U.зарП

 

ДU,зарг

 

 

 

 

 

 

 

' Ш.заР1

 

 

 

 

Отсюда видно,

что при

Ш.зар2

1 *зар

ОО для лю­

 

 

 

 

ш .зар!

 

 

 

 

бого п<С1. Однако выбор а предопределяет условие, при котором выигрыш |v[ Зз 1 :

2 п >• АСУAt/,узар2 > п .

3api

Таким образом, с уменьшением п увеличивается до­ пустимый разброс погрешностей Д£/зар в каналах, при которых |v3ap| > l; при увеличении п требования по раз­ бросу погрешностей ужесточаются, однако при этом лег­ че реализовать условие Д(Лар2/Д(Лар1 ~ 1 , так как режи-

103

мы в каналах становятся идентичными. Задача миними­ зации разброса погрешностей в каналах в рабочем диа­ пазоне напряжений и длительностей измеряемых сигна­ лов является важным условием оптимальной реализации двухканального метода преобразования.

4-2. Уменьшение погрешности для малых длительностей импульсов

Из выражения (4-8) видно, что при малых длитель­ ностях импульсов существенное уменьшение погрешно­ сти может быть достигнуто при йи-^ог- Это условие мож­ но реализовать за счет введения асимметрии в один из каналов путем изменения емкости накопительного кон­ денсатора Сн, смещения рабочей точки диода или изме­ нения коэффициента ХЭ1;в (например, включением после­ довательно с диодом резистора). Практически наиболее удобно изменять величину С„.

Определим значение Сн первого канала, при котором

А(/эар.э = 0.

Для наиболее общего случая,

когда

тэ\Фхог,

при tn> ‘toi

величину

емкости

можно найти по условию

 

Ai

^ 0 1 _tg

2

 

 

(4-13)

полученному из выражения (4-8)

при AUaav.0

0. Реше-

ние этого

уравнения

относительно

Сщ дает:

 

 

СН1

сII 2

 

'

(4-14)

 

6 2Дх

ит + и

 

 

 

1п nUm + U

 

 

Анализ показывает, что полученная зависимость спра­ ведлива и для случая Аналогичным образом можно найти необходимые значения 1яо или Коки, если компенсацию осуществлять этими параметрами. Анализ выражения (4-14) позволяет сделать два важных вы­ вода. Во-первых, для исключения зарядной погрешности необходимо, чтобы емкость накопительного конденсато­ ра в первом канале CHi была меньше емкости во втором канале С ^ или, в более общем виде, чтобы выполнялось условие Тэ1<Тэ2. Во-вторых, значение CHi определяется не только параметрами РИ в каждом канале, оно зави­ сит также от Um и tu. В связи с этим в двухканальном преобразователе не удается полностью устранить по­ грешность накопления в широком диапазоне напряже-

104

Пий и длительностей входных импульсов, и поэтому сле­ дует идти по пути минимизации функции погрешности ДUзар = ty(Um, tn). Для этого величину Cm следует опре­ делять при минимальных Um и tn, когда разница в вели­ чинах Д^зар1 и ДДзарг максимальна (см. рис. 4-2 и 4-3). Таким образом, в выражении (4-14) оптимальная вели­ чина Cni опт= ср ( Um мин, ^п.ыин) ■ Значение Cm опт при на­ стройке преобразователя следует уточнять с тем, чтобы осуществить минимизацию погрешности At/3ap во всем диапазоне Um и tn. Анализ показывает, что при выборе Стоит в соответствии с формулой (4-14) зарядная по­ грешность в диапазоне ta>Uг.мшз положительна, а при ^n<Ai.Mim — отрицательна. В связи с этим при расчете

ирегулировке величины Си10пт можно выбирать

41,м1ш.опт>^и.мин. Это дает возможность усреднить по­ грешность с тем, чтобы в пределах всего диапазона дли­ тельностей она не превосходила допустимую величину. Величина относительной погрешности двухканального преобразователя при Сщ ф Сга и ta<_t0i (работа на ли­ нейных участках вольт-амперной характеристики дио­ дов) определяется выражением

 

 

 

8 Uзар. л

1

 

 

 

 

 

 

 

Д — п X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

д

 

 

х

U +

nU„

ТЛ2

и +

U„

ТЛ1

 

(4-15)

Г

ит

 

ит

 

 

 

 

 

 

 

 

При

(переход на экспоненциальные участки)

 

 

 

 

 

а exp (

 

^01

\

 

 

 

 

 

In-

хр \

)

(4-16)

Зар-Э ~ А ( 1

n )U „

(

 

^02

\

 

 

 

 

 

- аехч

 

 

 

На рис. 4-5 показаны

зависимость бСзар=/(4) для

двухканального

преобразователя

на диодах 2Д503Б

при /г=0,5. Емкость

СН2 = 5 3 пф.

Значение

CHi,

вычис­

ленное по формуле (4-14)

при tn= 6 нсек и Um= 1

в, рав­

нялось 33 пф. Расчеты

производились по

формулам

(4-15) и (4-16). Из

графика видно,

что при

нсек

и Um= 1 -г-10

в

величина

бU3ap

не

превышает

±5,1% ,

тогда как погрешность одноканального преобразователя

вэтом диапазоне доходит до 40% (см. рис. 2-18,6).

Овыборе коэффициента п. Выше уже отмечалось, что

вобласти малых напряжений и длительностей преоб-

105

разуемых импульсов существенное значение приобрета­ ет неравенство /oivMccУвеличение коэффициента пере­ дачи п значительно ослабляет это неравенство, посколь­ ку уменьшается разница между импульсными напряже­ ниями, подаваемыми на оба канала. Это видно из вы­ ражения (4-1) и графика t0/Cn=q)(U m), приведенного на рис. 2-17. С увеличением п уменьшается также ве­ личина минимального напряжения Ummm, при котором

Рис. 4-5. Зависимость 6U3Sip=/(6i) для двухканалыюго преобразователя на диодах 2Д503Б при Um, равном 1, 2, 10 и 20 в (кривые 1, 2, 3 и 4 соответственно).

реализуется условие A£/3api~ А1 /аар2 [см. формулу (4-7)]. С этих точек зрения приближение п—>-1 целесообразно. Однако при /г-И выходное напряжение вычитающего устройства (4-2) 7/Вых->-0, что ограничивает величину п чувствительностью последующих каскадов преобразова­ ния. При конструировании АВП н РИ наносекундпого диапазона с целью увеличения коэффициента преобра­ зования выходная функция каждого канала подается на вычитающее устройство через согласующие каскады пли канальные усилители. При этом максимальное значение п ограничивается линейностью и нестабильностью трак­ та, предшествующего вычитанию. Покажем это. Пусть коэффициент передачи согласующих каскадов в каждом из каналов будет:

АГс1 = Ксо(1+бАс1);

7 ( с 2 = А с о ( 1 + б / С с 2 ) )

где Кой — коэффициент передачи согласующих каскадов в точке калибровки; б/Cci и ЬКог — относительные по­ грешности из-за нелинейности согласующих каскадов.

Тогда, пренебрегая в выражении (4-2) зарядной по­ грешностью ALAjap и погрешностью вычитания б/Св, вы-

106

ходную функцию вычитающего устройства можно запи­ сать в виде

Двых—

— л ) (1 — бК с) ,

 

где

 

 

8 /^ =

^A'ci — nSKc2 '

 

е

1 п

 

Пусть, например 6 /<oi=l%, а 6 /<с2 ~ 0 , тогда при п =

= 0,5 погрешность преобразования из-за

нелинейности

согласующих каскадов

составит б/Сс = 2%.

Однако при

п = 0,9 она возрастает до 10%- Аналогичные результаты могут быть получены и при использовании канальных усилителей. В связи с изложенным оптимальное значе­ ние п выбирают из компромиссных соображений с уче­ том нелинейности каскадов и величины /УтМ1Ш. При

£Лпмин:~ '1 б Пот0 , 6 = 0 ,8 .

4-3. О компенсации неидентичности вольт-амперных характеристик диодов

До сих пор мы рассматривали погрешности двухка­ нальных преобразователей, полагая вольт-амперные ха­ рактеристики вентилей (2-30),,(2-32) идентичными, т. е. Л1=Яг=Я.. Практически из-за большого разброса или дрейфа характеристик вентилей это условие трудно обес­ печить, и зарядная погрешность при выполнении условия

(4-7) равна:

ДПзар= -^ - In Р}- ^ - In Р2,

(4-17)

где в случае полупроводниковых диодов

р ; = 1 - ехр [ — -дХ| (/^, + ^ j ;

Р2 = 1 -ехр|^ — -дМ/^ +

Чтобы получить АП3ар=0,

необходимо выполнить

условие

 

 

in Л _

К,

_

In Р2

Ла

(4-18)

 

т. е. подобрать отношение логарифмических функций.

107

Раскроем

формулу (4-18)

 

 

 

 

 

1 - exp

(/c Bf

/дв,) ] =

1

-

exp

(Is2 ~4~‘лог) ~|’I

Cn2

I ’

 

 

 

 

 

 

откуда получим

 

 

 

 

 

 

 

 

d r{‘-

 

‘ n** ( ' s2 + i до)

 

^Sl ~Ь ('до ___

1

е

‘ Ч . (4-19)

СН1

 

Отсюда

видно,

что подбором

отношения

(Isi +

+ г'до)/СП1 можно обеспечить

Д£/зар=0.

Таким образом,

изменением режима по постоянному току одного из пре-

Рис. 4-6.

Графики зависимости &U3av—f(tu) для

4 = 0,7; 0,8

и 0,9.

образователен или изменением Сц можно скомпенсиро­ вать неидентичность вольт-амперных характеристик дио­ дов и свести к минимуму или усреднить зарядную по­ грешность Аи зар. Ток гдо — начальный ток диода — может регулироваться у вакуумных диодов напряжением кана­ ла или внешним смещением, у полупроводниковых дио­ дов— внешним смещением. Значение накопительной ем­ кости Снак может варьироваться в необходимых преде­ лах.

При работе в широком диапазоне длительностей импульсов и калибровке преобразователя при фиксиро­

ванной

длительности

/н.мин.опт

выполнить

условие

АТ/зар = 0 для всех tn не представляется возможным,

так

как отношение (4-19)

зависит

от

величины

/„.

На

рис. 4-6

приведены

графики зависимости абсолютной

погрешности А£/зар

от длительности

импульса для

tj =

108

— 0,7; 0,8 и 0,9, рассчитанные по формуле >(4-17) для

Лю= Ю

нсек. При

этом принималось: п = 0,5, Снак=

= 53 пф,

й,2= 17 а г х,

/si= /s2 =/s, »до1= ^'до2 = 5 мка. Гра­

фики показывают, что рассмотренный способ позволяет существенно уменьшить погрешность преобразования, однако при значительном разбросе параметров li и Is малые погрешности в широком диапазоне длительностей не обеспечиваются.

Этот недостаток можно устранить путем подбора вен­ тилей с почти идентичными характеристиками например с приблизительно одинаковыми начальными токами при одном и том же смещении.

Для обеспечения большей точности вычитания и со­ ответственно получения более достоверных данных о тре­ буемой величине отношения (4-19) калибровку или на­ стройку преобразователя целесообразно производить в области минимальных напряжений и длительностей измеряемых импульсов, т. е. там, где зарядные погреш­ ности максимальны.

Благодаря изложенному удается скомпенсировать неидентичность вольт-амперных характеристик вентилей в точке калибровки и Свести к минимуму или усреднить погрешность преобразования в области малых напряже­ ний и длительностей измеряемых импульсов. С увели­ чением импульсного напряжения относительные погреш­ ности уменьшаются, что обеспечивает широкодиапазонность двухканальных преобразователей.

4-4. Методы построения двухканальных

Д

преобразователей

 

На базе рассмотренного метода возможно построе­ ние двухканальных АВП и РИ, у которых погрешности за счет недозаряда накопительного конденсатора и ряд погрешностей преобразования интервала могут быть существенно уменьшены. Рассмотрим возможные прак­ тические реализации таких преобразователей.

На рис. 4-7 представлена блок-схема АВП с пла­ вающим порогом дискриминации. Идея построения схе­ мы сводится к тому, что уровень дискриминации интер­ вала преобразования в АВП определяется напряжением расширителя, абсолютное значение зарядной погрешно­ сти которого одинаково с зарядной погрешностью АВП. Благодаря этому при уменьшении напряжения на нако-

109

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ