книги из ГПНТБ / Носков Д.А. Электронно-ионное оборудование технологического назначения
.pdf
|
|
|
|
|
|
|
— |
• Т О |
|
|
|
|
|
I |
= |
|
|
|
|
( З - З - П |
|
где |
8 |
• г |
|
ц |
- |
длина |
электродов |
и расстояние от электро |
||
да |
до |
оси |
|
U. |
* |
KB |
- |
потенциал |
на электроде и на |
оси. |
Для |
магнитных |
квадрупольных ЛРНЗ |
|
|
||||||
|
|
|
|
. |
/ = л ! Х Е _ ш |
сз - з - 4) |
|
|||
|
|
|
|
J |
|
|
P.J.W |
|
|
|
где |
R |
- |
радиус |
поверхности, на |
которой юасполокены |
сед- |
||||
лообраанье |
катушгш,содержа ,ие w |
витков. |
|
|||||||
|
Конструкции квадрупольных линз зависят от ст руктурч |
|||||||||
элгктронно-огт/'ческой системы, от энеогии частиц и от |
|
|||||||||
диаметра |
подлежащего фокусировке пучга. |
|
||||||||
|
ллектрость.гические |
квадиупольн-'е линзы обычно изготав |
ливают в ви^е стержнеГ, закреплениях ьа изоляторах непос
редственно " вакуумном патрубке. Профиль |
сучения стержней |
|
согласно теории до^'Чв быть гиперболличе |
кич. Одпко |
при |
^ост1.точни боои-шях ао сравнению о дьаметроы п у ч ы р а |
с с т о я |
ниях между стержня*!! модно использовать более проотые в из готовлении цили"драческие,сте1тли. В некоторых случаях вмес то гтрржцей )iotuo использовать поовгдлиие полоски, занесен ные на стенки диэлектрического цилиндра.
Мсгнитньв квадрувольные линзы выполняют об ~чпо в виде двух рпевтромагнитных блоков, располаггтмы;-. онаружи вакуум ного кангпа, в котором движутся фокусируемые частицы.
В некоторых конструкциях ЕЛНЗ с целью уменьшения энер гоемкости полюсные наконечники вводят внутрь вакуумного ка-
HC 18 .
3-4. Отклоняющие системы ялектр"нно--ионных установок.
К отклонению жучков в установках технологического наз начения прибегают в нескольких случаях: для перемещения пучка по обрабатываемой детали, для юстировки пучка и цент-
рирования его относительно оптической оси системы, для создания импульсного режима обработки при питании перемен
ным ил" лоотиянным напряхением. В соответствии с этими |
|
назначениями разработ ни oneiy "злкзированвые системы |
откло |
нения, полнившие соотлетс .вующие названия. Отклоняющими |
|
системами принято называтт системы, предназначенные |
для |
развертывания луча по растру или перемещения его по обра
батываемому |
контуру H I поверхности детали. Юстирующие |
сис- |
|||||
те |
ы |
полн |
стью соответствуют своему назначению, |
а |
систе |
||
мы, |
предназначенные для |
сов^ания импульсного резина |
путеи |
||||
пропускания |
сканирующег |
с веданной частотой луча черва ще |
|||||
левую диафрагму, называют |
блаакирующими или иногда |
отклоняю |
|||||
щими |
системами. |
|
|
|
|
||
|
Для оишонения пучка используются электрические и маг |
||||||
нитные п-ля, создаваемые с помощью электростатических, |
|
||||||
электромагнитных систем |
и комбинированные отклоняющие, |
юс |
|||||
т и р у ю щ ие и бланкирующие |
системы. Расчет этих систем |
в |
о б |
шей случае заключаете в определении геометрических разме
ров |
параметров полей |
(электрических или |
нагнисных) |
по из |
|
данному углу отклонения о достаточной для практика |
точно |
||||
стью, Угол ыоьет быть |
определен по Р э в е з т Е ы м В электронной |
||||
оптике |
соотношениям: |
|
|
|
|
|
|
у = |
: V - пт I-W't |
(3-4-1) |
|
где |
д |
- длина пластин и отклоняющих |
катучек; |
|
£- расстояние ыевду пластинами}
Un и LW - потенциал плаотин и анпервптки отклонения;
1/уск - ускоряющее Напряжение.
Конструкция систем определяется в обпм случае их назначе нием и конструкцией электронно-оптической системы, в состав
которой |
они входят. |
|
|
Как |
отклоняющие, так |
и юстирующие системы в бол^иннотве |
|
случаов |
устанавливаются |
непосредственна л вакууме, и |
только |
в некоторых устьновках магнитные оистемы располагают |
с н а р у |
||
жи корпуса электронно-оптической системы. Отклоняющие |
с и о - |
|
- '<г - |
|
|
|
|
|
|
|
|
тем* сварочных установок и установок для гчзморной |
обработ |
||||||||
ка конструктивно выполняются |
как продолжение S0C и |
крепятся |
|||||||
к проекционной линаг. Электростатические |
систеиы маготавли- |
||||||||
|
|
ваюгэя в виде d пат плас |
|||||||
|
|
тин и закрепляются в изо |
|||||||
|
|
лирующей |
|
цилиндре, |
который |
||||
|
|
сочл-няетоя с деталями лшн |
|||||||
|
|
зы (см.рио.3-4-1), |
При кон |
||||||
|
|
струировании такой |
системы |
||||||
|
|
необходимо учитывать вели-1 |
|||||||
|
|
чину ускоряющего налряде- ( .: |
|||||||
|
|
ния |
и величину |
потенциала,| |
|||||
|
|
прикидываемого к |
пласти |
||||||
|
|
нам. Для работы на |
|
высо |
|||||
|
|
ких |
напряжениях на |
краях |
|||||
|
|
гпастин |
долины |
быть |
|
га - |
|||
Рис.3-4-1.Ц^инцип устрой |
кругления для уменьшения |
||||||||
ства электростатической |
напряженности |
электричес- |
|||||||
отклоняющей |
системы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ны быть |
тщательно |
отполи |
|||||
|
|
рована |
В тех |
случаях,ког |
|||||
|
|
да расстояние м зду обра |
|||||||
|
|
батываемой деталью и шн- |
|||||||
|
|
8 0 й |
не позволяет устано |
||||||
|
|
вить |
электростатическую |
||||||
|
|
с"стену, |
|
применяют |
элект |
||||
|
|
ромагнитные системы,изго |
|||||||
|
|
товленные |
в виде кольцево |
||||||
|
|
го магнитопровода, |
на |
ко |
|||||
|
|
тором размещены две пары |
|||||||
|
|
катушек. Схематично |
прин |
||||||
|
|
цип устройства |
электро |
||||||
|
|
магнитной |
системы |
показан |
|||||
|
|
на рис.3-4-2. В данной |
кон |
||||||
Р а с 5-4-2. |
Принцип уст |
струкции |
|
магнитные |
ппля,от |
||||
клоняющее |
луч в двух |
|
пер |
||||||
ройства эдектронагнитноГ. |
|
||||||||
стлвонявр.лй |
снате>'ч. |
пендикулярных |
направлениях, |
||||||
|
|
создаются |
с пмощью |
двух |
пар соиоток возбуждения,
- 73 -
расположенных в ^дной плоскости на одном магннтопроводе, а не разнесет, в пространстве, как ато имеет место в электростатических отклоняющих оистемах. Благодаря этому значительно уменыяактея габе^иты системы* Такая системе
'та.;ае укрепляется на проекционной лигзе и юстируется отно сительно оптической оси оиотемы. В установках большой мощ ности предусматривают охлаждение оистемы проточной водой, предотвращающее чрев, эрный нагрев магнитопровода рассеян ными электронами.
Юстирующие сиотемн пр"Яципиально могут выполняться так же, как отклоняющ;:з,но к ним предъявляются более высо-
'кие требования^ точки зрения искажений и изменения |
рас |
пределения плотности электронов в сечении луча. Эти |
систе |
мы устанавливаются между пушной и линзами и предназначены для вытздення пучка на ось системы. Поэтому при конструягровании системы стремятся получить более однородные поля.
Хорслий |
эффект дает |
применение |
комбинированных |
о т к л о н я в ^ |
|
систем, |
в которых ^т.лонение |
в |
одной плоскости |
производят |
|
ся мвгнитньй полем6 |
в другок |
|
электрически. |
Принцип vos- |
ройогг -. отклоняющей комбинированной системы показав на
рис . 3 - ^ - 3 . Отклоняющие пластин" с |
змещени непосредственно |
|||||
|
на |
полюсных |
наконечниках |
|||
|
|
аагкязной |
отклонявши |
|||
|
|
аиотемы. |
2 |
такой системе |
||
|
|
удается |
на |
сравнительно |
||
|
|
небольше) |
по длине |
|||
|
|
;отрезке разместить |
уст |
|||
|
|
ройства, |
отклоняющие пу |
|||
|
|
чок в двух плоскостях и |
||||
|
|
имеющие |
однородные |
поля. |
||
Рис . 3 - 4 - 3 . Комбинированная |
|
Юстирующие |
уистемы, |
а в |
||
|
НЕ :оторых случаях и от |
|||||
отклоняющая системе: |
|
|||||
|
клоняющие, изготавливают |
|||||
1- отклоняющие пластины; |
|
|||||
|
в виде двухярусных |
сис |
||||
2- 1.олюса маг итной откло- • |
|
|||||
|
тем. С помощью двухярус- |
|||||
няющей системы |
|
|||||
|
ВЫУ |
"йстем |
осуществляет |
|||
|
|
|||||
|
|
ся |
параллельный перенос |
|||
|
|
луча без |
изменения |
его' |
- 74 -
ааре#деаьвоотв относительно рож сиотемц. В первом ярусе луч отклоняется на веданный угод, а во втором - откловя ется не атс* хе угид в другую сторону. При ровзых резне-^ pax снохеы ярусов такое охкдоиенае вызываехоя одинаковый1
электростатической снстемы, ядш одинаковыми амперввтsavi магнитной системы. Двухяруоные системы изготавливают
главным образом как адактгомагчитные о рав«* мощением обмоток воз
и- буждения на одном маг-
нихоьеоводе, Испольауют-j ся также и комбинировав-' ные системы. Двухярусные онотемы применяются так
|
+ |
же для отклонения луче о |
||||
|
изменением угла |
наклона. |
||||
|
|
|||||
|
|
При этом в первом ярусе |
||||
|
|
луч отклоняется |
па мень |
|||
|
|
ший угол, чем во |
втором. |
|||
Рве.3-4-4. |
Принцип парал |
Принцип изменения угла |
||||
лельного смещения дуче ' |
наклона |
показан |
", на . |
|||
двухярусной |
отклоняющей |
рис, 3-4-5 .Геометрические" |
||||
езстемой |
|
раамеры |
систем и парамет |
|||
|
|
ры схем |
ш.^ания |
под^ира- |
||
+ |
|
ютоя так, чтобы |
обеспе |
|||
|
чить необходимый |
угод |
|
|||
|
|
наклона. |
Причем,если |
|
||
|
|
оиотемо |
располагается |
|
||
|
|
Перед линзой, то |
углы |
на |
||
|
|
клона выбираются |
так, |
|
||
|
|
чтобы луч пересекался |
с |
|||
|
|
осью систе>'ч в центре |
|
|||
|
|
линзы. При разработке |
|
|||
|
|
специализированных уста |
||||
|
|
новок, в которых ДдЛ сме |
||||
? . ! о . З - 4 - 5 . |
Принцип взмане- |
щения луча и для |
измене |
|||
ния у-ла |
наклона исполь |
|||||
аая угла наклона в двух |
||||||
зуется одна двухярусная |
||||||
ярусной отклоняющей системе. |
- 75 -
система, для возбуждения магнитного поля сиотен предусмат ривают автоном: ые обмотки. Одна группа обмоток обеспечивает поля, необходимые для смещонвя луча.а друг8я-испольаувтся длг изменения наклонг. Таков усложнение конструкции обуо-
лов1ено требованиями к ст бильности ггчов |
при смешеяив |
ду~ |
йа. В сл-чае одинакового ^иола витков й геоыетрвчоских |
раз |
|
меров системы отклонения в обоих ярусах питание обмоток |
||
можно производить от одного источника, что |
значительно |
|
у-рощвет с: эму питания. |
|
|
При необходимости отклонения луче ив аалые расстояния можно использовать свойство электромагнитных линз отклонять несоосяме пучка. Принцип отклонения несоосного пучка в про
цессе фокусйроькь |
показан на рис . 4 - 4 - 3 . Прз и^изневин |
энер- |
||||||
|
|
ГЙИ электронов в иечз- |
||||||
|
|
ыеь^ой |
оптической |
|
S E • |
|||
|
|
ле линзы ПОЛОЕСЯЙФ ча~ |
||||||
|
|
вяышаего |
сеченка |
|
пугк |
|||
|
|
обещается |
не |
tonhso |
ъ |
|||
|
|
оссвоя |
направлении. &Q |
|||||
|
|
г в |
радвсглвои* |
|
dpfl |
|||
|
|
эгсв точке всареча лу |
||||||
|
|
ча с |
поверхностью |
|
на |
|||
|
|
ивна |
перемещается- |
в |
||||
|
|
рздеагьнсз* направлений,. |
||||||
|
|
Авалогкчнэз- |
радиальное |
|||||
|
|
веремг-пеяве луча проис |
||||||
|
|
ходит |
Й при |
взмоненва |
||||
|
|
оптической |
силы линзы |
|||||
|
|
и неизаен!-' и ускоряю |
||||||
Рис.4-4-3. Принцип отклонения |
щем напряжении. |
Этот |
||||||
принцип |
ШПОЛЬЗОБЗВ |
для |
||||||
несоосного пучка |
электромаг |
формирования |
канала |
пря |
||||
нитной линзой |
|
изготовлении |
алмазных |
|||||
|
|
волок |
злектройяо-лучевыь |
|||||
|
|
методом, |
(тогда |
вход- |
нзя распушка, выевшая большой диаметр на поверхности, изготавливается во вращаю щейся заготовке отклоненные он оси вращения лучом» а рабо-
- 76 -
чий кшцл малого диаметра изготавливается лучом, пряхи сов-
вадапцмм с осьо вращении, причем место иа.именьвего сеченая луча смещено внутрь вагпховкв,
3-5» Маосфидыры ионных установок
Для лвгмровг'ва полупроводников методом ионной вмдланхацвв в долученвя сверхчист'лс пленок методом ионного осаж дения требуется пучок яояов определенного массового соста ва, в которых практически отсутствуют ионы каких-либо при месей. Для фильтрация нинов иоподьауют нескхлько методов, среди которых наиболее известным" является магнитный сепа ратор, динамический -вадл упольный массфилыр я дннаынчеокяй электромагнитный высокочастотный массфилыр.
3-5-1. Магнитные маеоф!.льтры
Принцип разделения движущихся в магнитном поле иовов по
.массам ооноваи на то»ь что имеющие одинаковую скорость ~оаы
заворачиваются магнитным поде: по радиусу, величина которо го пропорциональна корню квадратному иа отноиення массы вова его заряду, согласно язвеотрому выражению:
|
г v ¥ |
• # |
, |
|
|
|
где Ц |
- ускоряющее |
напряжение; |
8 |
- напряженность |
||
магнитного |
поля; |
^ |
- отношение |
маооы вова к его заря |
||
ду. |
|
|
|
|
|
|
Принцип работы сепаратора показав на рио.3-5-1. В пучке со держатся три компоненты яонов. При прохождения секторного
магнитного поля ионы разделяются по массам я поступают на мнвень в точка В , в, в В2 . Магнитные массфильтры уопеово применяются в ионно-дучевых установках для легирова ния. Такие массфильтры наготавливают, как правило, с электро магнитом, вес и габариты которого определяютоя энергией се
парируемых ионов. К недостаткам магнитных ыассфнлыров |
от |
носятся кроме больиог1 веса а габаритов критичность в |
раз |
бросу ИОНОВ со эвергиям, высокие требования к стерильности
Р и с . 3 - 5 - 1 . Магнитный |
масс-аналиэатор! |
|
|||||
Jt-ионный источник; 2-вагнитное |
поле$ |
|
|
||||
3-иишень |
|
|
|
|
|
|
|
тока воабукденся |
электромагнита й вво^явя энерго*-'8*©»»» |
||||||
Б увхаиовке дья каготовд-'?вая интегральных исвь |
у г - ' - |
||||||
яовлен импульсный |
массфильтр^ямеЮнЩЁ сравнительно |
маяае |
|||||
габариты. Припщ.п |
устройства ыассфизырп |
показав |
. |
|
|||
|
|
рас. 3-^-2 .Массфйлыр |
|||||
|
|
|
предетввляег |
коль |
|||
|
|
|
цевой |
магнит,внут |
|||
|
|
|
рь которого распо- |
||||
|
|
|
лояенн |
пластины, |
|||
|
|
|
с помощью которых |
||||
|
|
|
соэдде^оя |
вращаю- |
|||
|
|
|
щее„й |
электрическое |
|||
|
|
|
поле, и два диско |
||||
|
|
|
вых электрода |
с |
|||
|
|
|
осевыми |
отверстия- |
|||
Рис.3-5-2. Импульсный массфйлыр} |
|
м и " И о |
н ы |
поотупввт |
|||
1,2-ускоряющие электроды? |
|
* сепара-.ор через |
|||||
3-электроды для создании вращающегося |
отверстие |
перпенди- |
|||||
электрического |
поля |
|
кулярно |
к |
оси |
а з а |
|
|
|
|
ворачиваются |
магнит |
|||
|
|
|
ным полем. Под дей |
||||
|
|
|
ствием |
вращающегося |
от - «(* -
иода коны тормозятся и„двигаясь го спирали,приближаются к осн. Ускоряющим полей дисковых электродов ноны выводятся на ось и направляются на. мишень. Частота вращающегося поля, длительность импульса и другие параметры подбираются так, ;
чтобы зоны нужной ыасиы успели сгруппироваться на оси,а ионы других масс разбрасывались на стенки кошеры.
3-5-2. Динамический квадрупольныв Массфильтр
Динамический ввадруиольный массфильтр состоит из четы рех стержней, на которые пода.тоя постоянное и перевенное ввоокочаототное напряжение, создающие гиперболические поля. Устройство аасофмльтра схематические покаэьзо на рас . 3 - 5 - 3 .
4f
Н тмнной системе
Рис . 3 - 5 - 3 . Квадрупольный маосанализатор ( ф в д ы р ) :
1-ионный источник; 2-входная диафрагма; З-стеранй}
4- выходвая лвг'-рвгма;
5- келлег*ор
|
|
|
|
|
- |
75 |
- |
|
|
|
|
|
|
Ионный пучок, покупающий |
в |
квадруполь, подвергается |
воз - |
||||||||
| |
действию электрического поля. Зовы начинают двигаться |
по |
||||||||||
I |
сдок^ыи траектория!^ |
оовершая колебания в |
гиперболлическои |
|||||||||
J nuie. Параметры |
квадруполя, |
частоту и амплитуду пзреыенпо- |
||||||||||
J го |
напряжения |
ыошю |
подоирать |
так, ч ю |
ноны |
определенной |
||||||
I массы |
б„дут двигаться |
вблизи |
оси |
квадруполя н |
пройдут |
На |
||||||
|
коллектор, а ионы других масс, совершая колебания с увели |
|||||||||||
чивающейся |
амплитуде^будут |
ооакдаться на |
стенках |
экрана п |
||||||||
|
па стерюшх. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
I |
Такой |
ыассфйлыр |
отличается |
просго^эй |
ковструкцвв^иа- |
|||||||
i лым весом |
и габаритами, большим |
токопрохоздепиеы, |
целой |
'анэргоемкостью, Некритичность аассфильтра к равбросу ионов пучке по энергиям позволяет аксплуатировр'ь его с наиболее простнчй источнпквки ионов, что эначитечййо облегчав? усло вия эксплуатации яовпо-лучевых установок»