Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Носков Д.А. Электронно-ионное оборудование технологического назначения

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
4.65 Mб
Скачать
Р а с . 2 - 1 - 3 . Катодный узел с тепловыми экранам*.:
I-колпачок; 2-гильза;
3-первыЙ тепловой экрану 4-<второй теп­ ловой экран.

Катод иэ о'оонда лантана закреп лен в катодном узле о помощью танталового держателя. Для по­ догрева катода используется вспомогательный катсд в виде двухзаходной спирали из воль­ фрамовой лроЕОЖэки диаметром 0,5 т. Между вспомогательный катодом и основным прикладыва­ ется ускоряющее напряжение 300-500 в .

При разработке катодных узлов кюие элекз^одно-очтиче- ских задач приходится рзш-ть задачи, направленные на уыенхшение отвода тетла от катода. В некоторых конструкциях эта задача решается путем причеаения тепловых экранов ил:! пу­ тем крепления катода с о ^о'лью цилиндрически:'- деталей, рбеспе

чивающих иагую площадь контакта с нагретыми деталями. Принцип кретения и центрирования подогревного катода приведен ва р и с . 2 - г - 3 .

2-2. Плазменные источники электронов

Устройства, s которых электроны эмиттируют(: т с по­ верхности плагин,называют адазыеянмя или газоразрядными источниками з-.ектроноь. Все известные плазменные неточна км в соответствии со способов получения плазм." и формиро ванвя пучке подразделяются на две группы;газоразрядные м терноплазменные.

В группу газоразрядных источников входят источники яа основе отбора электронов с поверхности локализованной шазлы, нстпивяя с лучевой формой разряда и источники, яссаль-ущие ионяо-8леят;, оняу» эмиссию. В источниках на остова orcjt^a элекэронсв с поверхности локализованной в

- 21 -

ограниченной объеме плалмы в зависимости от величины тока могут использоваться различные ВИДЫ электрического разря­ да, а в ьсточниках с лучевой формой разряде и на основе ионно-электпонной эмиссии используется глвзнчм образом высоковольтный тлеющий разряд.

2-2-1. Источники на озновз отбора электронов из плазмы

До принципу отбора электронов и формирования пучвх источники с отбором электронов с поверхности локализован­ ной в ограниченном объеме плазмы близко примыкают, к ус ­ тройствам с накаленным катодом. В том и в дпугоы случаях имеются поверхности, эмиттирующие электроны, и устройства для формирования и ускоренчя электргно^. В зависимости от величгны извлекаемого тока и режима угэлеченил в плазмен­ ных источниках "ля получения плазмы могут использоваться различные виды газового разряда: искр^ой, „уговой с холод- 0 ным и с накалешим катодом, разряд с осцилляцией электро­ нов в магнитном поле и поверхнеотныЕ разряд.

 

г-2-l-I.

Источник с

искровым разрядом

 

 

..скровой

разряд является

одной из

форм газового разря­

да

или одной

из

стали!! развития проОя

вакуумного

промежут­

ка. Для этой

стаяли разрг.дь

харакаерна

высокая плотность

..лазмы и большие

разрядные теки, что позволяет получать то­

ки

с большой

плотнистью (сотни ампер). Вчшдстрие

•'ого,что

искровой разряд в зависимости пх условий возбуждения может

существовать в течеьие

коротких промежутков

воеменя (10"'*

+ и ~ ^ с е к ) ,

источники

на

(.го основе целесообразно экоП^уати-

оовать в

импульсном

режиме.

 

Одна

из

конструкций

искрового лоточник-

приведена на

р и з . 2 - 2 - 1 ,

Искровой разряд зажигаете; uei-ду

поджигающим

электродом

7 i: ..атодрм 4, в котором вынол..ено отг эпсмвоЛМ

выхода электронов. Извлечение электронов из ыаомн произво-f дится электргчески:. пелег экстрактора 5, Д/ч ''величеняя то ­ ка электрг'шого пучка в источнике йсг.эльзуеТся кратковрененн~е повышение давления газа за счет испарения материала

 

- гг -

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fx

трубки

в

момент

р. зви-

 

тия

поджигающей

 

искры.

 

 

 

 

^

Это

способствует

ювы-

 

§

шепию плотности

 

плазмы

 

 

и провисанию ее

 

через

 

 

апертуру

катода

 

в основ­

 

 

ном

зазор,

откуда

под

 

 

действие.»'

поля

экстрак­

 

 

тора

происходит

 

отбор

 

 

электронов.

 

 

 

 

 

 

При

пптг.мальных

ус­

Рис . 2 - 2 - 1 . Источник элект-

ловиях

 

источник

ооес-

тронов с искровом par рядом'.

печивает

импульс

элект­

1 -фарфоровая

трубкз}

ронного

тока до

 

200"

2- cpiстекло;

З-изоллюр}

ампер

при

длительности

^-катод; 5-экстрактор;

импульса

около

0,2

мик­

Ь-диафрагма; 7-электроч

подога

 

росекунд. Te-t пучка

 

 

 

увеличивается до

600-

 

 

-1000

ампер при

 

отборе

электроноь из сфориироьзвшейся разогретой.плазаы поджига­ ющей искры, а не сначала плазмообразования, то есть при запаздывании импульса извлекающего напряжения относитель­ но поджигающего инпульса.

В некоторых HCKPOBJX источниках предусмотрена электро­ статическая фокусировка извлекаемою пучке. Например, для лервоначачьного формирования пучка используется квазипирсовская онмс-ча электродов. Пода: гающий электрод имеет коническую поверхность, обращенную к экстрактору (угол при вершине 135°). За анодным отверстием установлен стек­ лянный цилиндр, обеспечивающий дополнительное састие пуч­ ка за счет радиального поля, создаваемого отрицательным

зарядом, накапливающимся на внутренних

стенках.

2-2-1-2. Дуговые источники с регенерируемым катодом

Д^я

генерирования как иыпульснщ,

так и

непрерывных

пучков

электронов используются ИСТОЧНИКИ на

основе из ­

влечения электронов

из плазмы дугового разряда*с жидкий

регенерируемым катодом В качестве жидкого

катода

в

больюинстг? случаев

испольо^ется ртуть.

°

 

- 23 -

Принцип устройства одного из источников показан на рис.2-2-2. Плазма формируется в парах птути в нижней ка­ мере источника, где между ртутным катодом и вспомогатель­ ным анодом горит дуга при напряжении порядка 10 в . Катод­ ное пятно с помощью никелевого стержня 3 фиксируется про­

тив анодного отверстия. Отбор электронов производится

с

 

поверхности

п х ш ы ,

вытекающей в анод-ое

отверстие

диамет

 

ром 0,32

мм, с

помощью поля

экстрактора

5,

проникающего

 

через отверстие

в стабилизирующем электроде

4,

который на­

 

7

 

 

 

 

$

ходится

под

потен-

 

 

,,

 

„ , „ , , ,

циалом анода.

С

 

 

 

 

 

 

 

 

целью увеличения

 

 

 

 

 

 

 

 

извлекаемого тока

 

 

 

 

 

 

 

 

в

источнике

приме­

 

 

 

 

 

 

 

 

нено

магнитное

 

 

 

 

 

 

 

 

 

каллнмировакие

раз ­

 

 

 

 

 

 

 

ряда. Благодаря

на­

 

 

 

 

 

 

 

ложению

продольного

 

 

 

 

 

 

 

магнитного

поля

су­

 

 

 

 

 

 

 

щественно

уменьша­

 

 

 

 

 

 

 

 

ется

радиальная

диф­

 

 

 

 

 

 

 

фузия

плазмы,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

приводит

 

к

сужению

*

 

 

 

 

 

 

 

канала разряда

и по­

Рис.2-2-2.

Источник

с дуговым

вышению

плотности

в

 

 

разрядом:

 

 

носителей

заряда

1-ртутиыВ катод', 2-анод;

3-фикси-

положительном стол­

рующий стержень; 4-стабилизирую-

бе. В конструкции-

 

щи. электрод; 5-экстракюр;'

 

источника

предусмот­

6,7-электроды ионной ловушки;

рена

возможность

 

8-коллектор

 

 

 

 

 

создания

 

перепада

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

давления

 

между

об­

ластью

разряда

и областью

ускорения пучка за счет

раздель­

ной откачки

последних, з

также за

счет

охлаждения

электро­

дов, на которых конденсируются пары ртути.

 

 

 

 

 

 

Источник обеспечивал плотность тока эмиссии ао 30

а/см^

при полной токе несколько десятков ыиллазмдер. Повышение

 

тока за

счег /В'-.зичеаая

отверстия

нз всегда

всзмохно,

по-

 

с коль к7

этс

ci-risiHu

с :-;7диостпкИ

раздельной

откачка и

нод-

- 24 -

держания необходимого перепада давления между областями разряда и ускорения пучка. Попытки увеличения плотности тока путем повышения напряжения экстракции приводили к возникновению неустойчивости эмиттирующей поверхности плазмы и нестабильности г,- лечения, обусловленных компен­ сацией отрицательного пространственного заряда ионами, возникающими в ускоряющем промежутке в результате ударной ионизации паров :.атода и остаточного газа.

2-2-1-3. Электронные источники на основе дугового разряда с накаленным катодом и контрагированиеы разряда

Одним из путей уве ичения выходног

тока

дуговых

ис­

точников является повышение плотности

плазмы

за счет

при­

менения накаленного катода и контрагирования разряда.В .ли­ тературе описано мно-

го конструкций таких источников, имеющих существенное различие по конструкции отдель­ ных узлов, но в кото­ рых реализуются одни и те же принципы.В ис­ точниках применяется такое контрагироваиие разряда, что в при-

Рис . 2 - 2 - 3 . Дуоплазмотронный источник электронов:

I-катод; 2-пронежуточный элек­ трод} 3-анод; 4-экстрактор;

5- эмиссионное отверстие?

6- охлаадение; 7-область сжатия разряда; 8-электромагниты

положительного столба дуги мало отличается от диаметра эмиссион­ ного отверстия, а кон­ струкция электродов разрядной камеры обес­ печивает снижение по­ терь плазменных элек­ тронов на их поверх­ ностях.

- 25 -

Примером таких источников может служить источник элек­ тронов дуоллаэмотронного типа. Принцип устройств дуоплазнотрона представлен на рио.2-2-3. Газоразрядная камера, в которой формируется плазма, состоит из термокатода, проме­ жуточного электрода и анода. При подаче на промежуточный электрод и анод положительного относительно катода потен­ циала между анодом и катодом зажигается дуговой разряд, ноатрагируемый промежуточным электродом, потенциал которо­

го устанавливается на 10-20

волы ниже анодного

потенциала.

Поскольку ионная составляющая тока мала, потери

электронов

на промежуточном электроде незначительны. Ьследствие

г е о ­

метрического сгатиь плазмы в

канале у апертуры

канала

' об­

р а з у й с я полусферический двойной электрический

сдой,

кото­

рый обеспечивает уплотнение плазменного шнура в результате фокусирующего воздействия слоя плазмы на электроны. Нали­ чие двойных электрических илоез обусловливает соответствую­ щее направленное движение носителей зарядов в положительном столбе. Ускорение электронов в канале промеаут.очного элект­ рода способствует увеличению интенсивности ионизации газа в повышения плотьости плазмы в эмиссионном отверстии* Надоае-

ние магнитного поля между

катодом, промежуточным

электродом

в анодом способствует дополнительному уплотнению

плазмы

в

прианодной части дугового

разряда. Плазма вытекает через

 

эмиссионное отверстие в промежуток извлечения, где под дей­ ствием поля экстрактора формируется эмиттиручдая поверх­ ность и производится отбор электронов.

В дуоплавмотроньом

источнике достигается плотность то. а

до 500 а/см^ при полном

токе п у ч а 10 а. Регулировка извле­

ченного тока осуществляется изменением напряжения горения • разряда или потенциала промежуточно:} электроде. Иаконмальвая величина тока ограничивается обычно дду:я факторами:

тепловой нагруакой авпда и срывом

дугового разряда, прозе-

ходящим в результате снижения давленая в канале.

К недостаткам

дуоплазмогронных

источников следует отне­

сти относительно

высокое дездевае

в оброти Формирования •

плазмы (Ю~*-*10~^ тор) и езязаавые о этам трудвост» поддэ]^ жааин необходимого перепада давления. v

ИОВИЕТЦИ!'

 

- 26

-

 

2-2-1-4. Источники на основе разряда с

 

осцилляцией электронов в

 

уагнитном

поле

 

Разряд с осцилляцией электронов в магнитном поле явля­

ется одной из

перспективных

форм

разряда, пригодных для

формировании

плазмы в электронных

источниках. Благодаря

яысокой плотности плазмы при низких давлениях в разряде с холодными катодами открывается возможность создания эконо­ мичных эффективных источников с высоковольтной экстракцией электронов. В настоящее время в электронных источниках используются модифицированный пеннинговсчий разряд, возбуж­ даемый в системе, состоящей пэ двух противостоящих катодов и цилиндрического анода, расположенного между ними.Мегнитное поле, напразленлое параллельно оси симметрии анода,за­ трудняет радиальный дрей* электрогов, эмиттируемых катода­ ми в результате ионио-рлектронной эмиссии, к аноду,вслед­ ствие чего дпина пути их двьхеиия в камере (продольные ко­ лебания и циклотронное вращение) существенно превышает междуэлб.стро;лые расстояния, что приводит к повышению сте­ пени газе в разрядной камере.

На основе разряда с осцилляцией электронов в магнитном поле р^работано несколько конструкций источников с извле­ чением ионов через отверстие в катоде (продольное извлече­ ние) и в аноде (поперечное извлечение). Источники с про­ дольным извлечением иэготоглевы как с холодными катодами, так т с ва: зленным катодгм. Однако эти источники широкого распространения не получили из-за низкой эффективности из ­ влечения.

3 последние

годы было показано, что в ы с о к о й эффектив­

ности

извлечения

можно

достигнут^ при отборе электронов

через

о т Е З р с т и е

в чноде

поперек магнитного поля. Необходи­

мы! условием эффективного извлечения является локальное нарушение аксиальной симметрии электрического и магнитного по.;ей в области эмиссионного отверстия. Принцип устройства источника показан на рпс.2-2-4. Разрядная камера образова­ на стальными полюсными наконечниками, выполняющими одно­

временно

роль

х о л о д н ы х к а т о д о в , и медным

а н о д о м , имеющим

отверстие

для

в ы х о д а электро/зн,соосное

с отверстием

в

 

 

экограюере, 1оа*з*ьаа

д е ­

 

 

формация магнитного

доля

в

 

 

области

извлечения элект­

 

 

ронов путей применения *)вр-

 

 

роыегнитного вкладка

в

 

 

 

анодичм

отверстии

и

ферро­

 

 

магнитного

извлекающего

 

 

 

электрода.

Пеннмнговский

 

 

 

разряд в такой системе мо- .'

 

 

вет

гореть

при

сравнительно

 

 

высоком

 

 

 

 

 

-3

 

 

давлении-5+5'ЮГ

ю р

 

 

 

и невысоком

напряжении

 

 

(ьмзкочольтный

разряд),

а

 

 

также при низком давлении л

 

 

высоком

напряжении

(высоко­

 

 

вольтный

разряд).

 

 

 

 

 

 

 

Низковольтная

форма

кен-

Рас . 2 - 2 - 4 . Электронный

нивгово.;ого

разряде

во

мно­

гой

подобна

обычному

аномаль­

источник с поперечнш

ному

тлеющему разряду.

Извлек

извлечением

электронов

кающий эле-трод

ыогшо

 

рас ­

аз плазмы*

 

 

1-катоды| 2-анод{

сматривать

как зонд,

рг"поло­

женный

в

шшэме, вытекающей

3-зкстрактор; ^-изолятор;

5-постоянннй

магнит

через

отве: стие

в

аноде.

 

 

 

Извлеченные

и

ускоренные"

 

 

электроны проходят

через

апер

туру извлекающего электрода н образуют пучок, ток которого

определяется

параметрами г^аанодной

плазыы и напряжением из

влечения. На

процессы формирования

п у ч к э оказывает

влияние

поперечная

составляющая магнитного

п о л я , отклоышщая

э л е к т р О '

ны. Однако

соответствующим п о д б о р о в

геометрии и разыеров

элементов системы извлечения обеспечивают достато«зо высокий

коэффициент ток " П р о х о ж д е н и я .

В источниках с низковольтным

р^ зрядом достигаются токи

до

нескольких

сотен миллиампер при

напряжении экстракции А 0-30 кв.

 

 

При использовании для формирования плазмы высоковольт­

ной

форма разряда значительный выход электроиов из анодно­

г о

отверстия наблюдался и

при о т с у т с т в и и

извлекающего на-

чряжения. Рчнако цри этоР

форме р а з р я д а

высокие значения

- 28 -

разрядного токе йогу* быи пожучены в решив яорот.лх им­ пульсов, в С1Я8Ж о чей также воточьам црвггдяж мжя п~

пужьоных электронных пушек.

 

2-2-1-5. Электронные

иоточники о поверх­

 

 

 

 

 

 

ностным раврядаи

 

 

 

 

 

 

 

Джя получения jwrotimx икяувьеов (до I мкеех)

разра­

ботаны щеточник* на освой»

реврядв

по пожерхяооти

диэлек­

т р и к .

Принцип устройстве

коточника пожеван на рио.2-2-5.

 

 

 

 

Прм подаче

напряжения

""• ' .,

/

 

на обкладку

внутри

 

 

 

 

 

 

ячеек оеткя

за

счет

 

 

 

 

 

емкостной

проводимости

 

 

 

 

керамической

пластины

 

 

 

 

потенциал

возрастаем

 

 

 

 

до такой

величины,при

 

 

 

 

которой развивается по­

 

 

 

 

верхностный

разряд* l.pk

 

 

 

 

этом из поверхностных

 

 

 

 

сдоев выделяетоя

ад­

 

 

 

 

сорбированный газ,

и

 

 

 

 

ток разряда быстро рас­

 

 

 

 

тет. 7 поверхности ке­

Гке.2-2-5. Источввк

о iioaepx-

рамической

плаотины

 

формируется

достаточно

 

ностяым

разрядом:

 

плотная плазма,

из ко­

1-корпуо; 2-упдотненве}

 

3-обкладка} ^-экстрактор;

 

торой производится от­

5-сетта; б-кераыич^ская

 

бор электронов.

 

Плот­

пластина

 

 

ность тока

при началь­

 

 

 

 

 

 

 

 

ном давлении

10^

тор

достигает 200 а/см с . При соответствующей площади

катода

о б щ ! ток в пучке подучен до 2000

а. Длительность

импуль­

са может регулироваться в пределах 0,01*1 мкеек. Одним

i s

доетояветв твкъго источника является возможность изготов­ ления о жвбой конфигурацией эмгттирующеИ поверхности.

I

- 29 -

2-2-2. Электронные пушки на понове высоко­ вольтного разряда в разр&еннои газе

Высоковольтный разряд при определенных условиях ыог^х поддерживаться в форме лучевого разряда, когда обеспечива­ ется формирование электронного луча. Л а форма разряда из ­ вестна еще со времен экспериментов Крукса, Брауна, Томсона

а др, о разрядными трубками. Она применялась в

первых

ос-

циллографических трубках и в электронной микро

ЧОПИЙ,

В '

посьодние годы исследуется возможность применения этого

разряда для локального нагрева

и соаданяя электронно-луче­

вых устройств техно•згического

нарначения.

 

 

В настоящее время созданы электронные лушад, в которых ис ­ пользуются я осно-ном две формы лучевого разряда: рааряд в системе электродов специальной конфигурации с полым анодом, обеспечивающей формирование электронного луча при большом катодном падении потенциала, и лучер-^й разряд с полым като­ дом,

2-2-2-1. Электронные пушки с полым анодом

Принцип действия электронных пушек на основе высоко­ вольтного разряда с катодным падением потенциала состой в том, что' пучок формируется иэ электронов, эмиттируемых хо-.

додным катодом в результате ионной бомбардировки, а геомет- • рия анода выбирает я такой, чтобы плазма формировалась в пространстве за апертурой анода. Это достигается тем, ч«о давление и длина разрядного пронежуть. подбираются соответ­ ствующими левой ветви кривой Пашена,и электроны, змитти^о- ванй-е катодом, двинутся до анода,нак в вакууме, В формиро­ вания плазмы за апертурой анода (см.рис,2-2-6) участвуй! в вторичные электроны,выбитые иа стенок полого анода, л по-? ложитвльныз ионы, . ыхягиваемие из плазмы и образующие поло- . аи^ельный пространственный заряд.

формирование пучка •> пушках о ионио-элекзронной эмис­ сией и высоковольтным разряде1 ! о поаым анодом возможно дву­ мя cpoiroosaa, Нерв 3 основывается на электростатической фокусировке авизируемых катодом ^ленг!ронов и осуществляет-^ . ся в сио-зек'" глеиродов специальной jeouespa? (см.рис.2-2-6). Дефонасиру*;-. « втояеае з-нодной апертуры на ускоренный пучок

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ