Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов

.pdf
Скачиваний:
43
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
35.03 Mб
Скачать

468

 

 

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ

РОСТА КРИСТАЛЛОВ

 

 

 

Отсюда

av4 exp {—Qs/kT)

=

DJa, где Di — коэффициент

диффу­

зии для перехода

через

фазовую

границу;

теперь

выражение

(19.3)

принимает

форму, предложенную Хиллигом и

Тернбал-

лом [196]:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где AS =

L/Te.

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

Рост

по механизму

винтовых

дислокаций.

Хиллиг

и Терн-

балл

[196] отметили, что формулу

(19.4) необходимо

умножить

на ант <

1, если не все узлы кристаллической поверхности

спо­

собны к росту. В случае механизма

винтовых дислокаций а пред­

ставляет собой долю поверхностных узлов на ступенях

архиме­

довой спирали, образующейся при выходе винтовой

дислокации

на поверхность. Если предположить, что расстояние между

изло­

мами

на ступени

невелико

(т. е. сравнимо с

межатомным

рас­

стоянием

а) и что к ступени присоединяются

только

атомы, от­

стоящие

от нее не более

чем на

а, то ант = а/4ярК р, т,

где

4ярК р, т

есть расстояние

между ступенями. Поскольку

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£

 

 

 

(19.5)

где yE,8L — краевая свободная энергия на поверхность единичной площади, а Й — объем молекулы, постольку

_ a\SbT

теперь воспользовавшись соотношением (19.4), получим

т.е. квадратичный закон роста [196].

3. Рост по механизму

двумерного

зарождения.

Формула для

скорости роста кристаллов из расплава по механизму двумер­ ного зарождения имеет следующий общий вид [105,193,197,198]:

R = Kie-^™T.

(19.7)

Разные теории дают разные выражения для параметров К \ и Кг, однако принято считать, что множитель 1/бГ в показателе экспо­ ненты перекрывает все иные температурные зависимости.

4. Скорость

роста кристаллов

в модели

размытой

фазовой

границы [198, 199]. По этой модели при малых движущих силах AGV = —L8T/QTe фазовая граница расплав — кристалл переме­ щается послойным механизмом путем последовательного отло­ жения слоев при движении ступеней, а при больших движущих силах — непрерывным образом; между этими предельными слу-

V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА

469

чаями существует

промежуточный режим.

Как

показано

на

фиг. 28, где б Г* =

(QTe/L) (yg/a), переходы

между

указанными

тремя областями соответствуют движущим силам yg/a и n{yg/a). Параметр g есть мера размытости границы, приблизительно равная единице для резкой границы и убывающая для размы­ тых границ с увеличением числа атомных слоев п в пере­ ходной зоне от расплава к кристаллу при температуре плавле­ ния; у — межфазная свободная энергия. Значение g для кон­ кретных веществ теория, однако, предсказать не в состоянии;

7 1

6Т* ЛОТ* 6Т 4Л0Т*

Ф и г .

28.

Переход от послойного роста (классический режим) к непрерыв­

ному

при

кристаллизации из

расплава

по теории Кана диффузных (размы­

 

 

 

тых)

фазовых

границ [198].

R — скорость роста;

6Т — переохлаждение на фронте кристаллизации; T]/T|g поправочный

 

множитель,

учитывающий температурную зависимость вязкости расплава.

его можно узнать лишь сравнением теоретических кривых с экс­ периментальными.

5. Оценка экспериментальных данных и сравнение их с тео­ рией. Джексон и др. [192,193] провели на ряде материалов тща­ тельное исследование кинетики роста из расплава. Они отме­ тили, что имеется мало сколько-нибудь существенных и надеж­ ных данных по кинетике процесса и что теплоперенос часто мо­ жет препятствовать правильному определению переохлаждения на фронте кристаллизации. И на самом деле, как отметил Тернбалл [200], теплопотоки (если их не учитывают) могут создать искаженное представление о согласии теории с экспериментом. Подчеркнем, что 6Т( = Те—Т) есть переохлаждение на фронте кристаллизации, а не переохлаждение ДГ по отношению к объ­ ему расплава: приращение AT либо равно, либо (если теплопо­ токи существенны) превосходит 6Г. Чтобы обойти трудности, связанные с теплопотоками, можно либо проводить экспери-

470 Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

менты в капиллярных трубках при подходящих условиях [105]

(см., однако, обсуждение

опытов

Таммана

с капиллярами

в

гл. I I I и

работы

Берлада

[103, 104],

а

также

Кирстисинга [106],

который

показал,

что трубки сами

по

себе

сильно влияют

на

скорости роста), либо воспользоваться методом тепловых волн [201], либо же, наконец, исследовать материалы с низкой теку­ честью (характеризующиеся малой скоростью роста при высо­ ких переохлаждениях).

Джексон и др. пришли к выводу, что для металлов отсут­ ствуют данные, которые можно было бы надежно интерпретиро­ вать, что объясняется частично трудностями с устранением теплопотоков и частично неопределенностями, характерными для метода тепловых волн. При кристаллизации воды теплопотоки

могут

быть лимитирующим фактором

на

всех стадиях

роста,

если

речь

идет о росте в направлениях,

параллельных базисной

плоскости

льда; что же касается роста

по нормали

к ней

(вдоль

оси с), то

оказалось, что для 6Г от 0,03 до 0,07°С

справедлив

экспоненциальный закон,

тогда как в интервале 0,07—0,3 °С со­

блюдается

квадратичный

[приблизительная

пропорциональность

(6Г)2 ]. В случае органических соединений неопределенность в от­ ношении вязкости расплава усугубляет сомнения при интерпре­ тации большинства данных. Для три-сс-нафтилбензола был по­

лучен

экспоненциальный

закон

с показателем (—1/Т8Т). Для

салола

и глицерина (оба

эти

вещества

исследованы

с

особой

тщательностью) значительный

разброс

результатов

по

скоро­

стям роста обусловлен, по-видимому, примесями и прочими эффектами. Для двух неорганических веществ — бисиликата нат­ рия и бисиликата калия — получены линейные законы для зави­ симости «приведенной» скорости роста от переохлаждения. [Тер­ мин «приведенная» в данном случае означает, что учитывалась температурная зависимость вязкости и что построение прово­ дили по строгой формуле (19.1) без предположения

( Ш / е т е ) « 1 . ] Джексон и др. отметили также, что перехода от послойного

механизма роста к нормальному в том виде, как его предсказы­ вает теория Кана [199] или ее модификация [193], фактически не наблюдается. При этом, однако, они указали, что коэффициент при (8Т)2 в формуле (19.6) для материалов, подчиняющихся квадратичному закону, с теорией не согласуется; то же самое относится и к коэффициентам К\ и Кг в формуле (19.7).

Результаты новейших исследований. Алфинцев и Овсиенко [197] измеряли зависимость скорости роста кристаллов Ga и Bi от пе­ реохлаждения на фронте кристаллизации. Для недеформирован-

ных кристаллов Ga с ориентациями (001) и (111) наблюдались кинетические законы типа (19.7): R = 70 ехр (—3900/Г6Г) м/с

V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 471

для (001) и R = 54600 ехр( —11 000/ГбГ) м/с для (111). Для

грани (111)

деформированного Ga наблюдался

закон типа

(19.6): R =

4,2-10"3 (б7')2 м/с, как того и следовало

ожидать, по­

скольку при деформировании должны были образоваться дисло­ кации. Для Bi наблюдался закон типа (19.6). Для обоих ве­ ществ коэффициенты параболического закона по порядку вели­

чины совпадали с предсказанными

формулой (19.6). И для Ga,

и для Bi наблюдался резко ограненный фронт

кристаллизации.

Проводилось сравнение с теорией

Кана [199],

причем расчет

толщины фазовой границы дал значение, близкое к двум атом­ ным слоям.

Джеймс [202] методом тепловых волн исследовал кинетику поверхностных процессов при росте кристаллов льда по нормали к базисной грани. При переохлаждениях от 0 до 2 - Ю - 3 С (суще­

ственно более низких, чем в предыдущих исследованиях)

ско­

рость роста подчинялась закону R = (1 ± 0,5) • \0~1ЬТ1-3±0<2;

та­

кая зависимость, по-видимому, не согласуется ни с линейным за­ коном, характерным для механизма винтовых дислокаций, ни с квадратичным для двумерного зарождения.

20. КИНЕМАТИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

Кинематические волны. Франк [203], а также Кабрера и Вермили [204] предложили более общий подход при анализе движе­ ния ступеней на поверхности кристалла; при этом они восполь­ зовались более ранней теоретической работой Лайтхилла и Уайтхэма [205], посвященной проблемам движения транспорта по загруженным магистралям и наводнений в реках.

Пусть на кристаллической поверхности у(х) имеются ступени равной высоты п. Число ступеней в некоторой точке на единицу длины в направлении л: обозначим через k, назвав его плотностью ступеней. Обозначим через q поток ступеней, определив его как их число, проходящее через данную точку за единицу времени. Тогда наклон ду/дх запишется в виде

1 7 = - А * ,

(20.1)

а скорость роста в направлении у как

% = hq.

(20.2)

Основное предположение теории состоит в том, что поток ступе­ ней зависит только от их плотности, т. е.

q = q{k).

(20.3)

То, что поток и на самом деле будет зависеть от расстояния между ступенями, т. е. от плотности (равно как и от других

472

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

параметров), очевидно: ступени, сильно удаленные друг от друга, будут развивать максимальную скорость; по мере сбли­ жения ступеней их диффузионные поля перекрываются и движе­ ние будет замедляться, как это и наблюдается при росте по спиральному механизму. Продифференцировав наклон (20.1) по t, а скорость роста (20.2) по х, получим с учетом условия непрерывности (в данном случае закона сохранения числа сту­ пеней), что

 

 

 

 

 

 

 

(20.4)

Определив

скорость

кинематической волны

как c(k)

=

dq/dk,

найдем из соотношения

(20.4)

следующее нелинейное

дифферен­

циальное уравнение:

 

 

 

 

 

у

 

 

 

 

^ ) | г

+ Ж = 0 -

 

 

(20-5)

Из уравнения (20.5)

следует, что в плоскости xt вдоль линии

с наклоном

dx/dt =

c(k)

= dq/dk плотность

ступеней

k

(и,

сле­

довательно, q) постоянна. Такая линия называется характери­ стикой. Кинематическая волна—это участок кристаллической поверхности с постоянной плотностью ступеней k (и постоянным потоком q), который перемещается со скоростью c(k) = dx/dt. Состав волнового пакета со временем меняется: одни ступени заменяются другими, поскольку волновая скорость с — dq/dk необязательно совпадает со скоростью ступеней v == q/k. Термин «кинематический» здесь используют потому, что фундаменталь­ ное уравнение (20.4) не учитывает никаких «динамических» фак­ торов (например, законов механики, движущих сил, диффузион­ ных полей).

Профили кристаллической поверхности. Франк [203] дока­ зал две теоремы, связывающие кинематическую теорию с про­ филями кристаллической поверхности при росте или растворе­

нии.

 

 

 

 

 

Первая теорема заключается в следующем: точки данной

ориентации на некоторой кристаллической поверхности

движутся

в

пространстве

по прямолинейной

траектории, так что dtj/dx =

=

ду/дх + (ду/dt)

(dt/dx); тогда из

соотношений (20.1)

и (20.2)

следует, что

 

 

 

 

 

 

dx

k

с

(20.6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Эта величина вдоль характеристики dx/dt постоянна, поскольку постоянны k и q. Соотношение у — y(x,t) определяет некоторую поверхность, составленную из характеристик, которые имеют прямолинейные проекции как на плоскость xt, так и на плос-

V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 473

кость ху; следовательно, характеристики, лежащие на поверхно­ сти y(x,t), прямолинейны.

Вторая теорема гласит следующее: если построить полярную диаграмму обратных скоростей роста, измеренных по нормали к поверхности кристалла, то прямолинейная траектория некото­ рой точки данной ориентации на указанной поверхности будет параллельна нормали к полярной диаграмме в точке этой ори­ ентации. На фиг. 29 [144] иллюстрируется развитие кристалличе­ ской формы во времени; видно, что некоторые ориентации посте­ пенно исчезают. Франк и Айвес [206] изучали растворение Ge, а

 

 

а

 

 

 

 

 

б

 

 

Ф и г .

29. Профиль кристаллической

поверхности по

данным кинематиче­

 

 

 

 

 

ской

теории

[144].

 

 

а — изменение

q~1 (17—поток

ступеней)

в

зависимости от ориентации для кубического

 

 

 

кристалла

(схема); б — профили поверхности.

 

Айвес [207]

растворение

LiF;

как

оказалось,

ход

растворения

согласуется

с обеими теоремами Франка.

 

 

Ударные волны. На фиг. 30 [203] приведена

типичная кривая

для

q(k)\

показано также, что

же именно происходит с эшело­

ном ступеней в случае такой зависимости q{k).

Из

соотношения

с=

(dx/dt)

 

== (dq/dk)

следует,

что

при малых

k величина dqjdk

у характеристик больше, благодаря чему их наклон в коорди­ натах t — х меньше (фиг. 30); следовательно, характеристики в левой (хвостовой) части эшелона сходятся и, как показано на фиг. 30, плотность k ступеней претерпевает разрыв. По Франку такой разрыв можно уподобить ударной волне в термодинамике;

как можно

показать, он

движется со скоростью с= (q2

q\)l

l{k% — k\),

где параметры

q и k характеризуют участки на

про­

филе

поверхности, непосредственно прилежащие к точке раз­

рыва

по обе стороны от нее (фиг. 30). Как отметил Франк, что­

бы ведущий

край эшелона

был резким (что желательно при со­

здании ямок

травления),

производная (d2q/dk2)

должна быть

положительной величиной

(это случай, обратный

изображенному

474

 

на фиг. 30). Франк предположил, что такой эффект вызывается

примесями

(см. гл. V I I ) .

Чернов

[17] продолжил исследования ударных волн; в част­

ности, он разработал теорию их трансформации во времени;

были получены

выражения для интервалов времени, необходи­

 

 

 

 

 

мых для развития и исчезновения

 

 

 

 

 

ударных волн.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Некоторые

новейшие

разра­

 

 

 

 

 

ботки

кинематической

теории.

 

 

 

 

 

1. Маллинз

и Хирс [208] разрабо­

 

 

 

 

 

тали

детальную

микроскопиче­

 

 

 

 

 

скую

кинематическую

 

теорию,

 

 

 

 

 

выписав в явном виде систему

 

 

 

 

 

дифференциальных

 

уравнений,

 

 

 

 

 

каждое из которых соответствует

 

 

 

 

 

движению одной ступени. Оказа­

 

 

 

 

 

лось,

что эта теория

согласуется

 

 

 

 

 

с франковской

«непрерывной» те­

 

 

 

 

 

орией, где q рассматривается как

 

 

 

 

 

непрерывная функция

k. Получе­

 

 

 

 

 

ны некоторые новые выводы от­

 

 

 

 

 

носительно

поведения

конечных

 

 

 

 

 

эшелонов

ступеней,

 

хвостовая

Ф и г. 30.

Трансформация эшело­

часть

которых,

как

 

оказалось,

на ступеней по данным кинема­

разбивается

на эшелон

с двойны­

тической

теории [203].

 

ми ступенями.

 

 

 

 

 

Показаны

кривая зависимости

q (k),

и др. [209] экспери­

характеристика

х—t,

распределение

2. Бартини

плотности

ступеней

k (х, t) и

разви­

ментально

исследовали

оптиче­

вающиеся профили поверхности с угловой

точкой на

хвостовой

части профиля.

скими

методами

профиль

поверх­

 

 

 

 

 

ности

кристаллов 8-метилнафта-

лина при их росте из спиртовых растворов;

утверждается, что

методика обладает чувствительностью 38 А

(около

двух

перио­

дов решетки данного вещества). Профили кинематических волн наблюдались непосредственно. Эти профили имели гладкий округленный ведущий край и острую угловую точку на хвосто­

вой части, как показано на фиг. 30; это качественно

согласуется

с теорией

Франка.

 

 

 

 

 

Кроме

того, наблюдался

новый

вид

кинематических волн,

прямо

противоположный только что рассмотренному:

скорость

отдельных

ступеней увеличивалась

по

мере их

сближения

(d2q/dk2

есть положительная

величина). Чернов и Будуров [210]

интерпретировали их как «диффузионно-кинематические

волны»,

которые прямо обусловлены наличием диффузии в окружающей среде.

V I

МОРФОЛОГИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ

21. В В Е Д Е Н И Е

Основная задача теории морфологической устойчивости со­

стоит

в том, чтобы

выяснить, устойчива

ли данная конкретная

форма

кристалла,

растущего из расплава, раствора или пара,

по отношению к

малым искажениям.

Теоретический анализ

устойчивости проводится по следующей схеме: предполагается, что форма кристалла слегка искажена, и выясняется, усили­ вается это искажение или же сходит на нет.

Это иная задача, чем задача о сохранении формы роста, цель которой сводится к тому, чтобы выяснить, сохраняется ли в про­ цессе роста форма кристалла и соответствующие уравнения. Как было показано в гл. I I I , посвященной анализу задач Стефана, сохранение формы в процессе кристаллизации просто означает, что кристалл данной формы увеличивается в размере без изме­ нения геометрии, а распределение температуры и концентрации около него удовлетворяет в процессе всего роста одним и тем же уравнениям переноса и граничным условиям.

В своей классической работе Маллинз и Секерка [211] ввели в теорию роста кристаллов понятие о количественной оценке устойчивости формы роста. До появления этой статьи считалось, что общий вид формы, сохраняющейся при росте, — это иссле­ дованный Хэмом [68, 69] эллипсоид, хотя устойчивость такого эллипсоида не была изучена. Необходимость исследования ус­ тойчивости вызвана тем, что кристаллы часто растут в виде дендритов. Дендриты, или древовидные кристаллы, состоящие из центрального ствола, первичных, вторичных и т. д. ветвей,— частое явление как в природе, так и в лабораторных исследо­ ваниях. Рост дендритов служит ярким примером неустойчивости эллипсоидальной и полиэдрической форм роста, проявляющейся при определенных условиях.

Аналогичный анализ устойчивости проводится в гидродина­ мике (см., например, монографии Ландау и Лифшица [212], Чандрасекара [213], Лина [214], Доннели и др. [215], Стюарта [216]). Чтобы установить момент перехода от ламинарного течения к турбулентному, к известной стационарной скорости потока добавляют малую нестационарную скорость и затем, рассма­ тривая линеаризованное дифференциальное уравнение, которому

476

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

подчиняется эта добавка, выясняют, увеличивается она со вре­ менем или же убывает. Примером задачи о неустойчивости ско­ рости течения может служить задача, решенная Боллом [217], который исследовал перенос вещества через границу газ — жид­ кость с учетом как потока жидкости, так и диффузионного переноса вещества. Оба эти процесса, а именно диффузия и кон­ векция, принимались во внимание и в классической задаче Бенара (см., например, монографию Чандрасекара [213]; см. также гл. V I I I ) , посвященной исследованию устойчивости течения на­ греваемой снизу жидкости.

22.ЗАДАЧА О МОРФОЛОГИЧЕСКОЙ УСТОЙЧИВОСТИ

ВЧИСТОМ ВИДЕ; Р А З Л И Ч Н Ы Е ФОРМЫ РОСТА

Шар. Ради удобства дальнейшего изложения повторим здесь приведенное в гл. I I I доказательство того, что вместо точного уравнения диффузии, учитывающего зависимость от времени, можно взять уравнение Лапласа. Точное уравнение диффузии для шара имеет вид

dC(r,t)

= D V 2 C >

( 2 2 Л )

где C(r,t) есть концентрация, a D — коэффициент диффузии. При этом должны выполняться следующие граничные условия:

С (со, t) =

Cx

 

(22.2)

и

 

 

 

С (R, t) =

С„.

'

(22.3)

Здесь предполагается, что концентрация на поверхности шара радиуса R равна равновесной концентрации С0 . Скорость кри­ сталлизации находится из условия непрерывности потока

D ^ L, = ^ - C o ) f

(22-4)

где Ст — концентрация растворенного вещества в выделяющейся фазе (плотность кристалла). Как было показано в гл. I I I и как можно проверить подстановкой, решение задачи (22.1) — (22.4) имеет вид

Г (г

Л-Г

-

( С ° ~ С о о ) {( R l r )

6 Х Р I ~

fls'V*)2] ~ h*'1 eric (V/l)}

К '

'

°°

 

exp(-Jl2

5 )-VVrfc* 5

где

 

 

 

 

(22.5)

 

 

 

 

 

и

 

 

R =

2X5(Dt)'12

(22.6)

 

 

 

 

 

2Щ1 -п'/2 Я5 ехр(Я2 )ег[с(Я5 )] = 5 ^ ( С ю - С 0 ) / ( С г - С 0 ) . (22.7)

VI. МОРФОЛОГИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ

477

|3десь

erfc* = 1 erf л:;

erf (х) =

(2/л')

J

ехр( —

uF)du;

 

 

 

 

 

о

 

 

 

d (erf z)/dz = +

2n~1''2erf (—z2 ).

Величина S есть

мера движущей

силы кристаллизации. При S <С 1 (движущая

сила

мала)

из вы­

ражения

(22.7)

следует, что л | < 1, так что (22.7)

преобразуется

к виду

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*»~(тГ'

 

 

 

 

(22-8)

Следовательно,

если {кьг/R)

<С 1, то

выражение

(22.5)

прини­

мает следующий вид:

 

 

 

 

 

 

 

 

C - C o o =

( C 0 - C j 4 -

 

 

 

(22-9)

Теперь распределение концентраций (22.9) удовлетворяет как

уравнению Лапласа

V*C = 0, так и условиям (22.2) и (22.3). Та­

ким образом, пока

S<С 1, поле концентраций и градиент кон­

центрации на поверхности растущего шара, определяемые урав­

нением Лапласа, совпадают с

решением точного

уравнения

(22.1), учитывающего зависимость от времени. К тому

же у по­

верхности шара удовлетворяется

условие (%sr/R) <С 1.

 

Итак, чтобы исследовать возмущения на сферической поверх­ ности кристалла, следует предположить, что при небольших воз­ мущениях поле концентраций около искаженной сферы все-таки

верно

описывается

уравнением

Лапласа. На поверхности шара,

однако, должно выполняться граничное условие

Гиббса — Том-

сона;

кроме того, С =

при г =

со и Х5

= (S/2)'/2.

Пусть на сферическую поверхность радиусом R наложено ма­

лое возмущение с амплитудой

б. В сферических

координатах г,

G и ср это запишется в виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г (9, q>) =

R + bYlm(Q,

Ф ) .

(22.10)

Здесь

(б//?) <

1, а

У;т — сферические функции, т. е.

 

1

д

/.,_ л

д \

,

+

1

2

 

 

 

sine

 

sin O^s-

 

sin2e бу J

 

 

 

<эе г1 "

" а9;

1

 

(22.100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Согласно условию Гиббса — Томсона, равновесная концентрация С0 , в (локальное равновесие) на искаженной поверхности выра­ жается формулой

с0,ле)=с0 + с0 го г,

(22.li)

где С0

— равновесная концентрация у плоской поверхности

раздела

фаз, Г р ( = yQ'/RgT) — коэффициент поверхностного

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ