
книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов
.pdf448 |
Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ |
|
|
||
ступени |
не поддерживается, |
то В < 11 ) . |
Проанализировано |
не |
|
сколько |
предельных случаев |
для расчета |
Со. В одном |
из них, |
|
когда XS |
<С Х0 и к тому же диффузия вдоль ребра ступени |
про |
|||
исходит настолько медленно, что ею можно пренебречь, |
решение |
диффузионной задачи для изолированных изломов в ступени имеет вид
= X0i*(2Xs/yr*y ( 1 7 Л 2 )
где Y ' — 1.78. Рассмотрен также случай, когда диффузия вдоль ребра ступени, характеризующаяся коэффициентом Ds, проис ходит столь быстро, что непосредственной диффузией с поверх ности в излом можно пренебречь. Общий случай весьма сложен и требует оценок относительных интенсивностей диффузионных потоков вдоль ребра ступени и с поверхности к ступени.
3. Движение прямых параллельных ступеней. Уравнение
(17.8) можно решить для случая, когда имеется ряд параллель
ных ступеней, отстоящих друг от друга |
на одинаковое расстоя |
||
ние уо, причем на каждой |
ступени as = |
0, как это |
предполага |
лось при выводе формулы |
(17.9). Результат расчета |
дает |
|
v„ = 2fic0oXsv2e-Wtb |
. |
(17.13) |
При больших расстояниях между ступенями эта формула сво
дится к (17.11), если не учитывать |
множителей |
R и с0. |
Расчет с0 |
||
опять-таки сложен. |
|
|
|
|
|
4. Движение |
круговой |
ступени. |
Решение аналога |
уравнения |
|
(17.8) для круговой ступени радиусом р дает |
в случае малых |
||||
пересыщений |
|
|
|
|
|
|
|
|
o(p)==w«(l - - ^ j r ) , |
|
|
О 7 - 1 4 ) |
|||
где Voo определяется |
формулой |
(17.11), а |
критический |
радиус |
|||||
двумерного |
зарождения |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
Р К Р |
^ |
kTln а • |
|
|
|
(17.15) |
Здесь уе— |
краевая энергия |
(двумерного) |
зародыша, |
отнесен |
|||||
ная к одной |
молекуле. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Бартон, Кабрера и Франк показали |
также, что для ряда кон |
||||||||
центрических |
окружностей получается |
то же самое выражение |
|||||||
(17.14), но v x |
определяется |
по формуле |
(17.13). |
|
|
||||
4 ) Коэффициент В, отражающий скорость элементарных актов кристал |
|||||||||
лизации на ступени, должен, следовательно, вводиться не прямо |
в |
выраже |
|||||||
ние скорости ступени, а в краевое условие, связывающее поток и |
пересыще |
||||||||
ние на ступени |
[17]. Другой способ введения |
В дает иной результат для |
|||||||
скорости эшелона ступеней |
(см. ниже). — Прим. |
ред. |
|
|
|
450 Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ
(17.19)
(17.20)
(17.21)
В случае параболического закона расстояние между ступенями 4ярК р значительно превышает Xs, так что диффузионные поля соседних ступеней не перекрываются [как это следует из выра жения (17.9)]. Соответственно адатомы, попадающие на кри сталлическую поверхность на расстояниях от ближайшей сту пени, значительно больших Xs, скорее всего испарятся еще до того, как достигнут ступени; тогда скорость роста оказывается ниже, чем дает линейный закон. Величину (0/o"i)th(rTi/c) можно рассматривать как некий «коэффициент конденсации» для спи рально-диффузионной задачи: она равна единице при больших a (когда расстояние между ступенями мало) и убывает до нуля пропорционально а при малых a (когда расстояние велико). Член on0 v'2exp(—W/kT) выражает полный поток конденсации, кото рый, будучи умножен на соответствующий коэффициент кон
денсации, дает |
скорость |
роста кристалла |
(без учета |
попра |
вочных множителей |3 и |
с0). Заметим, что |
п0 \'2ехр(—W/kT) = |
||
= po{2nmkT)->l2 |
— это поток конденсации или испарения |
в усло |
виях равновесия [41].
В более общем случае, когда на поверхность кристалла вы ходит несколько винтовых дислокаций, возможен ряд вариантов. Прежде всего заметим, что одна дислокация может обеспечить рост всей кристаллической грани. В случае двух дислокаций противоположного знака, но с равными по модулю нормальными компонентами вектора Бюргерса будут генерироваться замкну тые петли; рост возможен лишь в том случае, когда расстояние между дислокациями d > 2р к р . В случае двух дислокаций оди накового знака при d > 2 р к р скорость роста будет такой же, как и при наличии одной дислокации. Если же d < 2р к р , то возмож ны два случая: 1) d <С 2 р к р — скорость вращения спиралей ю вдвое больше, чем для одиночной спирали; 2) d меньше 2р к р , но не во много раз — активность пары лежит в интервале между одной и двумя активностями одиночной спирали. Наконец, при определенных конфигурациях в распределении дислокаций эти результаты можно обобщить для многих дислокаций. Группа дислокаций мощностью s (избыточное число винтовых дислока
ций |
одинакового знака) будет характеризоваться активностью, |
до |
|s| превосходящей активность одиночной дислокации, если |
452 |
Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ |
При оценке со' по формуле (17.23) существует несколько неоп ределенных моментов, в том числе касающихся поверхностных подвижностей (особенно это относится к Us). Мы принимаем со' — 108. Тогда для п0 = Ю5 формулы (17.22) и (17.24) дают
/ S D = l ( P e x p [ - h{k$\°(p/po)]. |
07.27) |
Скорость зарождения, а следовательно, и скорость |
роста очень |
сильно зависит от а = р/ро- Ниже некоторого критического пе
ресыщения а к р |
= акр—1 |
скорость |
роста |
по существу |
равна |
нулю. Пусть, например, минимальная |
наблюдаемая скорость ро |
||||
ста кристалла |
составляет |
1 атомный |
слой за |
1000 с, причем |
кри |
сталлическая грань имеет площадь 1 см2 . Тогда принимая, что
один |
зародыш |
обеспечивает |
рост |
монослоя, получаем: ISD « |
||||||
« |
1 |
• Ю - 3 |
с - 1 . Полагая yeh |
« |
®k и y/kT |
s» 4, получим, что 10~3 = |
||||
= |
102 1 ехр |
{— (я/4) (ф/&Щ1/1п(р/ро)]}, |
или ехр [—4я/1п (р/р0)] |
= |
||||||
= |
ехр(—55), т. е. \п(р/р0) |
« |
0,23; |
следовательно, |
(р/р0)= |
1,26, |
||||
или |
пересыщение составляет |
26%. |
Ясно, что при |
пересыщении |
||||||
1% |
|
скорость |
роста должна |
быть |
пренебрежимо |
малой. |
Тот |
факт, что кристаллы, как известно, растут с измеримыми ско ростями даже при малых отклонениях от равновесия, привел
Франка [160] к заключению, что такие кристаллы несовершенны |
||
и что при их росте винтовые дислокации служат |
источниками |
|
ступеней. |
|
|
Дальнейшее развитие теории роста из паровой фазы. Рост |
||
нитевидных кристаллов. /. Диффузия |
поверхностных |
вакансий. |
Кабрера и Кольман [13] отметили, что на поверхности кристалла |
||
существуют вакансии в концентрациях, по меньшей |
мере столь |
же высоких, как и адатомы, и что эти вакансии наряду с адатомами участвуют в переносе вещества по поверхности. Хирс [144],
основываясь на модели поверхностной структуры |
для грани |
||||
(111) г. ц. к-решетки показал, что отношение потока |
адатомов |
/ а д |
|||
к потоку поверхностных |
вакансий / в а к |
составляет |
|
|
|
|
= з-ехр |
2ф + |
£деф — Зф, |
(17.28) |
|
|
|
kf |
|||
|
|
|
|
|
|
где ср — энергия связи |
ближайших соседей; Ежеф — энергия |
де |
формации, обусловленная смещением соседних атомов при об мене местами между вакансией и атомом; срг — уменьшение энер
гии связи вследствие релаксации вблизи |
вакансионного |
узла. |
|||||
Если предположить, что Елвф |
> |
Зсрг, то из |
соотношения |
(17.28) |
|||
следует, |
что, например, |
для |
(cp/kT) = 4 поток |
поверхностных ва |
|||
кансий |
пренебрежимо |
мал по |
сравнению |
с |
потоком адатомов. |
Хирс [144] обсуждал также основания для довольно больших предэкспоненциальных множителей, полученных в ряде экспери-
V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 45З
ментов [164] по поверхностной диффузии. Такие большие значе ния можно объяснить [165], предположив, что длина скачка а в формуле (17.3) значительно превосходит межатомные расстоя ния. Согласно этой гипотезе «горячих атомов», у активирован ных атомов время релаксации слишком велико, чтобы они успе вали растратить избыток своей энергии. Иное объяснение связы вает большие предэкспоненциальные множители с энтропийными эффектами, предполагающими влияние различных колебатель ных частот v на поверхностную концентрацию атомов и коэффи циент поверхностной диффузии. Детальный обзор новейших ре зультатов по поверхностной диффузии составили Джостейн и Уинтерботтом [166].
2. Движение |
одиночной |
ступени: новые результаты. |
Как уже |
|
отмечалось |
в |
гл. I I I , рост |
кристаллов в общем случае |
сводится |
к проблеме |
движения некоей границы — это необходимо учиты |
вать в дифференциальных уравнениях, описывающих поток ве щества или тепла. В формуле (17.8) теории Бартона, Кабреры и Франка отсутствует член, учитывающий скорость, хотя эти азторы и предложили критерий, основанный на средней длине пробега Xs до реиспарения. Хирс [144] учитывает член, содержа щий скорость в диффузионном уравнении (исходя, однако, попрежнему из стационарных условий). Полученный им результат
гласит, |
что решение Бартона, Кабреры и Франка (17.9) спра |
ведливо, |
когда |
|
n s - n s o ^ ^ |
|
По |
т. е. когда на поверхностную концентрацию накладывается усло
вие, |
непременно |
выполнимое, |
если П | / / ! о < 1, |
По |
формуле |
||
(16.23), где ws |
(энергия перехода |
атома из излома на поверх |
|||||
ность) |
составляет |
обычно Зф |
для |
грани (111), |
a |
(<p/kT) = 4, |
|
получаем (ns/n0) |
~ |
ехр (—12) <С 1. |
|
|
|
||
Хотя Бартон, Кабрера и Франк ввели два поправочных ко |
|||||||
эффициента 6 и с0 |
[см. формулу |
(17.13)], все еще |
остается один |
множитель, который считался этими авторами равным единице.
Речь идет о коэффициенте |
конденсации |
[167] |
аи для |
перехода |
пар -> адсорбционный слой; |
этот множитель появляется в фор |
|||
мулах (17.13) и (17.18), если on0 V2exp(—W/kT) |
заменить выра |
|||
жением ahop0(2nmkT)-4'. |
Коэффициент |
a.k меньше |
единицы, |
если молекулы при соударении с поверхностью отражаются от нее; ан может быть меньше единицы и в случае сложных моле кул, если учесть вращательные степени свободы и стерические ограничения. Кабрера [168] и Цванциг [169] рассчитали аь на основе классической механики по одномерной пружинной модели с сосредоточенными массами, получив, что для атома, налетаю
щего на подобные |
ему атомы, коэффициент аи равен единице. |
В последнее время |
Гудмен и др. провели расчет по трехмерной |
454 Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ
модели. Новейший |
обзор |
на эту тему |
составлен |
Триллин- |
гом [170]. |
|
|
|
|
3. Параллельные |
ступени; |
спиральный |
рост. Чернов |
[17] под |
черкнул, что расчет Бартона, Кабреры и Франка для формы и скорости вращения спирали зависит от механизма роста только через скорость ступени Ооо и, следовательно, должен быть при ложим не только к росту из пара, но и к росту из раствора и расплава (разумеется, при условии что общая модель послой ного роста на плотноупакованных гранях остается в силе). В любом случае формула для v,*, будет иной, чем в модели Бартона, Кабреры и Франка для паровой фазы, поскольку процессы переноса у ступеней неодинаковы.
Кабрера и Левин [171] провели более строгий расчет расстоя ния между ступенями: вместо 4ярК р (как это было в исходной теории) они получили значение уо — 19рк р . Этот результат при водит к увеличению Oi в формуле (17.19); действительно,
" = Т 1 & - |
< 1 7 - 3 0 > |
что несколько понижает (при данном а) коэффициент конденса ции (a/ai)th(0i/a) и, следовательно, уменьшает скорость роста при низких a <С О] (как этого и следовало ожидать: чем больше расстояние между ступенями, тем больше вероятность повтор ного испарения адатомов). При а ^> ai скорость роста R не ме няется. Фактически Бартон, Кабрера и Франк [41] уже до этого рассмотрели уточненную форму спирали взамен архимедовой, получив уо = 4я (1 + 3 _ , / 2 ) р к р ж 20рК р. Кабрера и Левин учиты
вали к тому же влияние энергии упругих деформаций |
кристалла |
||
в окрестности дислокации на |
форму спирали; это |
особенно |
|
важно в случае испарения, когда возникает |
асимметрия роста |
||
и испарения, поскольку энергия |
деформации |
дислокаций препят |
|
ствует росту и благоприятствует испарению. |
|
|
Хирс и Паунд [112, 172, 173], а также Хирс [144], исследуя расстояния между ступенями, генерируемыми неким источником (первоначально [172, 173] рассматривался случай испарения, а источником ступеней служил край кристалла), пришли к вы воду, что при а Oi ступени, входящие в эшелон конечной ши рины (т. е. сравнительно удаленные от дислокационного источ ника), обнаруживают тенденцию к ускорению своего движения. Это ускорение продолжается до тех пор, пока расстояние между ступенями не станет равным уо & 6XS и, следовательно, коэф фициент конденсации a — (a/ai)th(ai/a) приблизится к '/з- Од нако лежащие в основе этих выводов аргументы, по-видимому, не вполне ясны.
4. Эффект самоторможения. Кабрера и Кольман [13] отме тили, что поверхностное пересыщение о, у первого витка спи-
V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 45§
рали [которое |
в |
случае простой |
архимедовой |
спирали |
влияет |
||||||
на ее кривизну в начальной точке, а также на расстояние |
между |
||||||||||
ее витками; см. формулы |
(17.15) |
и |
(17.16)] |
может оказаться |
|||||||
вопреки первоначальному |
предположению |
ниже |
пересыщения о |
||||||||
в объеме пара. Это объясняется |
поверхностно-диффузионными |
||||||||||
потоками (от центра) к первому |
витку, |
в результате |
чего в |
||||||||
центре спирали as < ст. Этот эффект |
самоторможения |
можно |
|||||||||
приблизительно |
рассчитать, |
если |
в |
выражении |
|
(17.15) |
заме |
||||
нить In а л; а |
пересыщением |
as, причем as |
можно |
найти, |
решив |
||||||
диффузионное |
уравнение |
непрерывности |
(17.8), |
обобщенное на |
|||||||
двумерный случай круговой ступени радиусом р0 . Тогда |
|
||||||||||
kT |
In [1 + as (ро)] |
__ |
Д|х0 (ро) |
|
|
|
|
|
(17.31) |
||
А Г 1 п [ 1 + 0 ] |
~~ |
Ли. |
|
|
/о (Po/Xs) |
• |
|||||
|
|
|
Здесь поверхностное пересыщение в центре спирали прини мается равным о, /о представляет собой функцию Бесселя мни
мого |
аргумента, |
а Ар — химические потенциалы, |
удовлетворяю |
щие |
условию (17.31). Полагая Api = \9Qye/hXs, |
где уе— крае |
|
вая |
энергия на |
1 см (те же рассуждения относятся и к простой |
архимедовой спирали, если 19 заменить произведением 4я), по
лучим из соотношения |
(17.31) |
и определения |
/ 0 |
(помня, |
что |
||||||||
Дро — l9Q,ye/hp0) |
следующую формулу: |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(17.32) |
||
Для |
больших |
пересыщений, т. е. Др, 3> Др,;, имеем |
р0 |
-С Xs. |
Сле |
||||||||
довательно, |
скорость |
роста, |
определяемая |
в |
|
виде |
R = |
||||||
— Rm(2Xs/p0)th(p0/2Xs), |
|
где Rm |
— максимальная |
скорость |
ро |
||||||||
ста, принимает при больших Ар вид |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(17.33) |
||
Как |
отметил |
Кабрера, |
с увеличением |
Дд. скорость |
роста |
R |
|||||||
очень медленно приближается |
к Rm. |
Этот результат |
отличается |
||||||||||
от полученного ранее: при о |
о\, |
соответствующем |
большому |
||||||||||
Ар, было (a/ai)th(ai/a) « |
[1 — '/^(оь/о)2 ]- |
Физический |
смысл |
за |
|||||||||
ключается в следующем: с увеличением пересыщения |
Ар, спи |
||||||||||||
раль |
должна |
по |
Бартону, Кабрере |
и Франку |
закручиваться |
в |
большей степени — пропорционально 1/Др,, в то время как здесь, согласно анализу Кабреры, эффективное значение Др0 увеличи вается не столь быстро. Таким образом, скорость роста с повы шением Ар здесь возрастает медленнее.
5. Рост нитевидных кристаллов. Рост нитевидных кристаллов из пара по механизму поверхностной диффузии уже обсуждался (гл. III ) в рамках задачи Стефана. Основная модель, разу меется, сходна с моделью Бартона, Кабреры и Франка для
456 |
Р- ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ |
|
поверхностной диффузии к ступени, причем |
в данном случае сту |
|
пень расположена на вершине нитевидного |
кристалла, куда вы |
ходит винтовая дислокация. Простая теория (см., например [94, 95]) предсказывает, что длина кристалла сначала увеличи вается со временем экспоненциально, поскольку площадью сбора молекул служит весь нитевидный кристалл. Когда длина кри сталла становится большой по сравнению с Х8, он продолжает расти пропорционально времени, причем площадь сбора по
стоянна |
|
по |
величине |
и следует за |
вершиной нитевидного |
кри |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
сталла. Строгая теория [101] показы |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
вает, что отклонения от простой тео |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
рии могут позволить в принципе из |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
мерить по отдельности Ds |
и xs, хотя |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
поверхностное |
зарождение на |
боковых |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
гранях нитевидных |
кристаллов может |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
решающим |
образом |
изменить картину. |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Обычно |
удается |
определить |
лишь |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Xs |
= |
(Dsxs) |
|
'/.. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Швёбель |
[174] |
предложил |
модель |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
роста нитевидных кристаллов из пара |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
по |
механизму |
поверхностной |
диффу |
||||||||||
Ф и г. 24. |
Модель |
роста |
зии, |
причем |
эта |
модель |
обходится |
без |
||||||||||||
винтовых дислокаций. |
20 |
концентриче |
||||||||||||||||||
нитевидного |
кристалла |
с |
||||||||||||||||||
учетом |
|
анизотропии |
кри |
ских |
ярусов, образующих |
коническую |
||||||||||||||
сталла |
по |
коэффициенту |
структуру, |
принимают |
атомы |
из |
пара |
|||||||||||||
захвата |
адатомов на сту |
с |
постоянной |
скоростью, |
причем |
по |
||||||||||||||
|
пени |
[174]. |
|
|
вторного |
испарения |
не |
происходит. |
||||||||||||
Адатомы захватываются |
заштри |
|||||||||||||||||||
хованными (ступенчатыми) участ |
Все |
атомы, |
ударяющиеся |
о |
боковые |
|||||||||||||||
|
|
ками. |
|
|
|
стенки этих ярусов, перемещаются к |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
ступеням |
посредством |
|
поверхностной |
||||||||||
диффузии |
и |
встраиваются |
в |
решетку |
|
только |
|
на |
ступенях. |
|||||||||||
В отличие |
от |
модели |
|
Бартона, Кабреры |
и |
Франка |
предпола |
гается, что ступень (горизонтальный участок на фиг. 24) захватывает с разной эффективностью адатомы, поступающие к ней снизу или сверху. Это различие может быть обусловлено различными координациями адатомов у ступени, хотя сумма вероятностей захвата равна единице. Именно эта анизотропия захвата приводит к анизотропии движения ступеней. Теория Швёбеля не учитывает диффузионные поля или концентрацион
ные градиенты и носит чисто геометрический |
характер. Предпо |
||||
лагается, что подвижность адатомов |
на боковых гранях выше, чем |
||||
на ступенях, однако никаких других уточнений |
не |
проводится. |
|||
Затем автор численно решает 20 |
зацепляющихся |
дифферен |
|||
циальных уравнений непрерывности |
и получает |
высоту |
каждого |
||
яруса в функции времени. Установлено, что |
при |
доста |
|||
точном различии коэффициентов |
захвата |
первоначально ко- |
V. СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТЕЙ РАЗДЕЛА И ПОВЕРХНОСТНАЯ КИНЕТИКА 457
нический кристалл может быстро превратиться в заостренный «ус», а длина его становится экспоненциальной функцией вре мени. Д а ж е в том случае, когда исходное образование представ ляет собой очень тупой конус, содержащий всего лишь один за родыш цилиндрической формы, такая структура заостряется.
Образование макроступеней при росте из пара (без учета
образования |
кинематических волн). Формула (17.11) |
для |
(тан |
|
генциальной) скорости движения одиночной ступени |
не |
содер |
||
жит |
множителя, который учитывал бы ее высоту: |
выражение |
||
Voc = |
—js/tio |
просто предполагает, что ступень имеет |
единичную |
высоту. Однако на очень высокой ступени плотность изломов будет небольшой, поскольку она представляет собой по суще ству плотноупакованную кристаллическую грань; мы уже рас сматривали вопрос о том, каким путем в условиях равновесия террасная структура, образованная плотноупакованными гра нями, может (благодаря взаимному притяжению ступеней) трансформироваться, понижая общую свободную поверхност ную энергию. Следовательно, такая ступень может служить для адатомов стоком, если на ней образуются вторичные ступени благодаря поверхностному зарождению [175].
Помимо эффекта распада плоской поверхности с образова нием макроступеней источником высоких ступеней может слу жить попросту дислокация с большим вектором Бюргерса Ь. Поскольку, однако, энергия упругих напряжений дислокации пропорциональна б2 , подобные дислокации будут проявлять тен денцию к распаду на ряд параллельных дислокаций с относи тельно малым вектором Бюргерса, если только не образуется дислокация с полым ядром, способная снять энергию этих де формаций [176]. Из других механизмов образования макросту пеней назовем движение кинематических волн и группирование ступеней под действием примесей (эти механизмы обсуждаются ниже).
Чернов [17] исследовал форму профиля макроступени, кото рая питается адатомами как с вершины торца, так и от основа ния. Он предположил, что макроступень достаточно шероховата, чтобы обойтись без (элементарных) ступеней для своего роста. В результате развивается S-образный профиль, ибо ступень на висает у вершины и выпячивается у основания из-за близости примыкающих граней.
Экспериментальные исследования роста кристаллов из паро вой фазы. Пока еще проведено относительно немного количе ственных исследований кристаллизации из паровой фазы, в ко торых скорость роста R измеряли в функции пересыщения а при разных температурах, а опыты проводили в чистых условиях;