Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов

.pdf
Скачиваний:
42
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
35.03 Mб
Скачать

378

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

энтропии и объема при плавлении аргона, а также кривую плав­ ления Тпл(р) (см., однако, статью Хендерсона и Баркера [37] и замечания Франка и Зегера в книге [38]).

2. Машинный расчет Олдера и Уэйнрайта [39]. Эти авторы

исследовали уравнение состояния системы частиц в виде твер­ дых шаров, притяжение между которыми отсутствует. Расчет произведен путем решения системы уравнений движения клас­ сической механики для 32 и 108 частиц, находящихся в ящике, на стенках которого заданы периодические граничные условия. Объем ящика менялся от 1,2 Vo до 2,0 Vn (Vo— объем струк­ туры с плотной упаковкой). Давление оценивали по скорости изменения количества движения частиц при столкновении со

стенкой. Найденная

зависимость p(V)

(фиг. 6)

состоит из двух

отдельных

перекрывающихся

ветвей.

В состоянии,

описывае­

мом нижней

ветвью,

каждая

частица

зажата

в своем

положе­

нии окружающими соседями (расширенная область ближнего

порядка); в

состоянии

же,

описываемом

верхней

ветвью, ча­

стицы могут

меняться

местами

с соседями

(жидкая

фаза). Из

этих кривых следует, что в такой системе возможно

превраще­

ние менее плотной фазы в более плотную.

 

 

 

Статистический расчет структуры поверхности. I .

Поверхност­

ное плавление,

шероховатость

и

модель

Изинга.

Вслед за Ли и

Янгом [30] Бартон и

Кабрера

[40] (см. также

статью Бартона

и др. [41]) обнаружили, что найденное

Онсагером решение для

модели ферромагнетизма по Изингу приложимо при анализе фазовых превращений двумерных молекулярных структур. Бартон и Кабрера предполагали рассчитать, как с ростом температуры увеличивается шероховатость поверхности кристалла, которая вначале была плотноупакованной. Они

рассматривали грань (100)

кристалла

с простой

кубической

решеткой, считая ее идеально гладкой

(т. е. не

содержащей

вакансий) при температуре

Т = 0. Потенциальная

энергия вза­

имодействия между двумя ближайшими атомами считалась равной ф, т. е. по ср/2 на атом. Если же тот или иной поверхност­ ный атом расположен выше соседнего на один или несколько периодов решетки, то одна связь с ближайшим соседним атомом

считается

порванной, так что подобная

конфигурация

обладает

избыточной энергией ср/2 на атом. Мера

шероховатости

поверх­

ности Sr

определяется следующим образом: Sr =

(U—U0)/Uo,

где (70( = ф/2) и U—удельные

потенциальные энергии

соответ­

ственно идеально гладкой грани и реальной поверхности. Ясно, что Sr 0 для гладкой грани и Sr > 0 в реальном случае. Эта двумерная структура с двумя уровнями точно соответствует мо­ дели Изинга, и, следовательно, ей свойственно свое фазовое пре­ вращение («поверхностное плавление») при температуре Т'с. Из

П. СТАТИСТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА РОСТА КРИСТАЛЛОВ

379

уравнения (6.3) эта температура

определяется для

квадрат­

ной решетки выражением £Гс/ф =

0,57 (заметим, что <р/2 = е).

(Нельзя забывать, что объемное плавление вещества есть фазо­ вое превращение первого рода, тогда как «поверхностное пла­

вление»

Изинга — превращение второго рода.) Степень

шерохо­

ватости

Sr находят

дифференцированием

выражения (6.2); при

температуре Т Т'с

шероховатость 5 r =

4exp(—2cp/kT),

т. е. на

идеально гладкой поверхности адсорбированы отдельные

атомы,

а ступени и скопления атомов отсутствуют. Действительно, ехр(—2cp/kT) есть вероятность перехода одного атома в состоя­ ние адсорбции на поверхности, поскольку адсорбированный атом имеет на четыре свободные связи больше, чем атом в правиль­

ном положении, а энергия каждой

связи равна ср/2. [Пара адсор­

бированных атомов имеет шесть

лишних

свободных

связей, и

тогда

Sr пропорциональна

ехр(Зср//еГ).]

Авторы

показали

[40, 41], что температура Т!с

в общем

случае

много выше (экспе­

риментальной)

температуры

объемного

плавления

кристалла.

Таким

образом,

термодинамически

даже

вблизи температуры

плавления ступени на плотноупакованных гранях должны от­

сутствовать. Возможное влияние окружающей

среды

при ана­

лизе не учитывалось.

 

 

 

2.

Шероховатость

поверхности

кристалла,

соприкасающе­

гося

с расплавом.

Исследуя задачу

о шероховатости

поверх­

ности, подобную той, которую решали Бартон и Кабрера, Джексон [42, 43] рассмотрел и среду, примыкающую к поверх­ ности кристалла. В качестве модели они выбрали плоскую По­ верхность, соприкасающуюся с собственным паром или распла­ вом. К этой поверхности поодиночке присоединяются атомы из среды При этом зависимость изменения свободной энергии от числа уже занятых мест на поверхности определялась в при­ ближении Брэгга — Вильямса, причем учитывались связи атома лишь с ближайшими соседями. Такой расчет аналогичен рас­ чету свободной энергии смешения в теории «идеального рас­ твора» (см., например, стр. 174 и 204 в [19]). По расчетам нор­ мированное изменение свободной энергии при присоединении к поверхности одного атома выражается так:

ДО

 

aN.

 

N

N ~ N

A

(6-4)

 

 

 

 

N-NA

- I

n

 

 

 

 

 

N

NA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Здесь

Т0

— равновесная

температура,

N — число

мест

на по­

верхности

и NA

— число

занятых мест. Параметр

а&

(L/kT0)fh

зависит от скрытой теплоты процесса L и кристаллографиче­

ского

фактора

fu (fft-^1),

величина которого

показывает,

какая

часть всех близлежащих соседей данного атома расположена в плоскости, параллельной рассматриваемой кристаллической

380

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

грани. На

графике функции (6.4) видно (фиг. 7 ) , что при

0<JX-<^2 свободная энергия минимальна только тогда, когда

поверхность наполовину

покрыта

адсорбированными агомами,

т. е. когда

она шероховата. Если

же 2 ^ а ^ о о , то

справедливо

обратное

утверждение:

минимальная энергия

соответствует

 

 

 

 

0,4

0,6

 

 

 

 

 

 

 

 

NA/N

 

 

 

 

Ф и г .

7.

Изменение

свободной

энергии

&Gs/NkT0

при

присоединении NA

мо­

лекул

к

поверхности

с N свободными

местами

в зависимости от

степени

за­

полнения NA/N

(согласно

теории шероховатости

поверхности

[43]).

 

гладкой поверхности с небольшим числом адсорбированных атомов. Если кристалл окружен газом, то параметр а обычно велик (поскольку L велико); если же кристалл граничит с ра­ сплавом, то параметр а часто бывает меньше двух. Таким об­ разом, возможность «поверхностного плавления» зависит пре­ жде всего от окружающей среды, причем оно может происхо­ дить вблизи температуры объемного плавления (см. также гл. V) ' ) .

')

Расчет

в приближении Брэгга — Вильямса для

двухуровневой

модели

дает

картину,

правильную лишь качественно. Более

строгие расчеты [147,

322*]

ведут к

большим значениям а, начиная с которых поверхность

должна

быть

гладкой. — Прим. ред.

 

 

I I . СТАТИСТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА

РОСТА КРИСТАЛЛОВ

381

7, СТАТИСТИЧЕСКАЯ

МЕХАНИКА

 

НЕРАВНОВЕСНЫХ ПРОЦЕССОВ

 

Для понимания неравновесных процессов роста кристаллов существенны законы теплопроводности, диффузии вещества и гидродинамики. Эти законы обычно устанавливаются в виде феноменологических соотношений, находимых из эксперимента (примером может служить закон Фика), причем коэффициенты в этих соотношениях также устанавливают из опытных данных. Между тем такие законы переноса можно вывести из уравне­ ния переноса Больцмана статистической механики неравновес­ ных процессов (см., например, работу Хуаня [24]). Кроме того, пользуясь понятиями столкновения и средней длины свобод­ ного пробега, из этих уравнений можно строго вывести коэф­ фициенты переноса (вязкость, теплопроводность и коэффи­ циент диффузии), по крайней мере для газа в состоянии, близ­ ком к равновесному. Можно показать, что для газа из молекул с массой т как теплопроводность, так и вязкость приблизитель­ но пропорциональны (mkT)'l!/a2, где а — диаметр молекулы [24]. Вопрос о вычислении этих коэффициентов для жидкостей рас­ смотрен Райсом [45].

I l l

ЗАДАЧА СТЕФАНА: МАТЕМАТИКО-ФИЗИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА, СОПРОВОЖДАЮЩИХ

РОСТ КРИСТАЛЛА

8. В В Е Д Е Н И Е

Как уже отмечалось, весь опыт и все наблюдения свидетель­ ствуют о том, что кристаллизация представляет собой не гомо­ генный, а гетерогенный процесс. Молекулы жидкой фазы не превращаются в молекулы кристалла во всем объеме и посте­ пенно, хотя такое представление и согласуется с теорией, не­ редко развиваемой так, как это было сделано в гл. I I . Напротив, в кристаллическое состояние переходят совокупности молекул в разных местах жидкой фазы, образуя центры кристаллизации. Эти центры, или зародыши, затем разрастаются благодаря про­ цессам переноса до значительных размеров. Молекулы, осаж­ дающиеся на поверхность зародыша, поступают из той или иной отдаленной области раствора или пара, а при кристаллизации расплава теплота, выделяющаяся при присоединении молекул к кристаллу, должна как-то отводиться от поверхности раздела фаз. Процессы переноса рассматриваются в настоящей главе, а процессы зарождения — в гл. IV. (Разумеется, если в систему ввести затравку, то процесс переноса молекул на такую затрав­ ку может начаться сразу же без всякого дополнительного зародышеобразования в объеме жидкой фазы.) Скорость фазового превращения в конкретном случае определяется либо процессом зарождения, либо процессом переноса. Другими факторами, ли­ митирующими скорость превращения, могут быть так называе­ мые кинетические процессы на поверхности раздела фаз — пере­ мещения отдельных молекул, в результате которых молекулы переходят из своего положения в жидкой фазе вне поверхности раздела кристалл — жидкость на относительно постоянное место на поверхности кристалла. Различные механизмы, лежащие в ос­ нове поверхностной кинетики, рассматриваются в гл. V, хотя об использовании различных законов этой кинетики для установле­ ния граничных условий в задачах о переносе упоминается и в настоящей главе.

Под названием задачи Стефана объединен целый класс за­ дач о переносе, основанных на дифференциальном уравнении диффузии с подвижной или свободной границей. Сам Стефан изучал скорость утолщения льда в полярных морях [46]. Теплота кристаллизации образующегося там льда отводится через слой

Ш. ЗАДАЧА СТЕФАНА

383

твердой фазы и отбирается холодным воздухом с температурой предположительно ниже температуры замерзания воды. С утол­ щением слоя льда отводить теплоту от фронта кристаллизации становится все труднее, благодаря чему утолщение ледяного покрова замедляется, что делает этот процесс нестационарным. Главная сложность изложенной задачи состоит в том, что поло­ жение границы фаз неизвестно; оно зависит от времени и под­ лежит определению в ходе решения. По-видимому, все задачи о росте кристаллов, будь то стационарные или нестационарные процессы и независимо от того, известно или неизвестно движе­ ние межфазовой границы, удобно рассматривать как задачи Стефана. Действительно, как уже упоминалось, следующие за­ дачи рассматриваются как стефановские: задачи о потоке тепла

вперегретом расплаве (выращивание кристаллов по Бриджмену, по Чохральскому и по Чалмерсу; кристаллизация льда; за­ твердевание отливок); задачи о потоке тепла в переохлажденном расплаве (подобные задачи часто встают при исследовании дендритного роста); задачи о диффузии вещества (рост кри­ сталлов из раствора, из пара в присутствии инертного газа, из расплава в присутствии примеси или из раствора в расплаве). Сказанное не означает, что другие факторы и процессы (кри­ сталлографическая анизотропия, поверхностная кинетика или зарождение) не играют никакой роли в процессе кристаллиза­ ции: просто, прежде чем рассматривать процесс кристаллизации

вцелом, следует выяснить, какова в данном конкретном случае роль теплопередачи и диффузии вещества.

Задачи Стефана

можно классифицировать по следующим (не

обязательно

взаимно исключающим

друг друга)

признакам:

а) известна

или не

известна форма

образующегося

кристалла;

б) сохраняется ли эта форма при росте или растворении; в) из­ вестны ли скорость перемещения фронта кристаллизации и за­ висимость этой скорости от времени; г) известны ли температура и концентрация на поверхности раздела фаз; д) есть ли для этой задачи точное аналитическое, приближенное аналитическое или численное решение; е) устойчива ли форма роста при ее незначительных искажениях; ж) переохлаждена или не пере­ охлаждена жидкость; з) учтены или не учтены дополнительные факторы, например величина свободной поверхностной энергии, поверхностная кинетика (отклонения температуры и концентра­ ции на поверхности раздела фаз от локально равновесных зна­ чений в зависимости от скорости роста), гидродинамические эффекты (перемешивание и конвекция), присутствие примеси, действие электрических и магнитных полей, а также механиче­ ских колебаний.

В дискуссии по статье Уилкокса и Дыоти [48] Хорвей [52] разделил задачи Стефана на три группы в соответствии с тем,

384

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

какие из следующих трех параметров известны: форма фронта кристаллизации, температура (концентрация) на фронте, ско­ рость кристаллизации. В традиционной формулировке задачи форма и температура считаются заданными, а скорость подле­ жит вычислению. Модифицированная задача Стефана, иначе называемая обратной, посвящена расчету температуры фронта кристаллизации при заданных форме фронта и скорости его перемещения. Последний вариант задачи — определение формы фронта, если известна его температура и еще скорость фронта в какой-нибудь его точке, например на вершине дендрита.

Задачи Стефана принадлежат, как будет видно далее, к наи­ более сложным граничным задачам математической физики из-за двух обстоятельств. Во-первых, положение границы, на ко­ торой должны быть заданы краевые условия, неизвестно, а оп­ ределение ее положения есть часть задачи. Во-вторых, отвечаю­ щая задаче система уравнений нелинейна, так что решение для нее нельзя найти посредством суперпозиции. Некоторые вопросы

существования и

единственности решения

задачи

обсуждаются

в монографии Фридмана [49]. Обзор литературы,

посвященной

задаче Стефана,

включающий как чисто

математические, так

и многочисленные физические работы, составлен Банкоффом [50]; ценные обзоры принадлежат Карслоу и Егеру [51], а также Хорвею [52].

9.ЗАДАЧА СТЕФАНА В ЧИСТОМ ВИДЕ;

РА З Л И Ч Н Ы Е ФОРМЫ РОСТА

Плоскость. / . Жидкость при температуре выше точки плавле­

ния. Решение задачи о направленной (с плоским фронтом роста) кристаллизации первым опубликовал Стефан [46], хотя известны утверждения [53], что первым ее решил Нейман. Предположим, что жидкость в большом объеме находится при одинаковой температуре Г 0 0 > 7 ' п л (Гпл точка плавления). Пусть, далее, в момент времени t — 0 температура плоской поверхности жид­ кости мгновенно понижается до температуры Г = 0. Тогда урав­ нения теплопроводности в изотропном кристалле и расплаве запишутся в лабораторной системе координат с осью х, направ­ ленной по нормали к охлаждаемой поверхности, следующим об­ разом:

 

 

 

(9.1)

 

 

 

(9.2)

Здесь и — температуропроводность

(см2 /с);

nL =

KJpcL,

Ks Ks/pcs, где Ks и KL теплопроводности, cL,

cs — удельные

I I I . ЗАДАЧА СТЕФАНА

385

теплоемкости и р — плотность обеих фаз. Гидродинамические эффекты, обусловленные неодинаковостью плотностей, здесь не учитываются (они анализируются в разд. 10). Температура по­ верхности раздела кристалл — расплав с координатой x = X(t) предполагается равной температуре плавления:

TL(X) = Ts(X)

= Tvn.

(9.3)

Условие непрерывности

теплового

потока

имеет вид

дТ„

дТ,

 

dX

где L — скрытая теплота плавления. [Именно уравнение (9.4) вносит нелинейность в систему, хотя дифференциальные урав­ нения (9.1) и (9.2) линейны. Можно показать [51], что

откуда и следует нелинейность.] Наконец, запишем граничные условия нашей задачи:

Т ^ Т ^

при

х ^ с о ,

(9.6)

Ts-*0

при

л:-*

0

(9.7)

и начальные условия

 

 

 

 

Х = 0

при

t =

0,

(9.8)

TL=Tx

при

1 =

0.

(9.8')

Прежде чем искать решение этой системы уравнений, за­ метим, что, пользуясь соображениями размерности, можно за­ писать

где

 

Tdx,t)

 

= TL(Sd,

 

 

 

(9.9)

 

 

SL

=

xxZ4'r\

 

 

 

 

(9.10)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Продифференцировав

(9.9)

и (9.10) и подставив полученные

выражения в

уравнение

(9.1),

получим

вслед за

Франком

[54]

 

 

 

e

_

Ak

 

iL

.

l

 

 

(9.11)

 

 

 

Л =

 

 

 

 

 

 

 

Si2

 

2

 

dSL

 

 

 

 

 

 

ds r

 

 

a s ,

 

 

 

 

Полагая r| =

dTL/dSL

и

производя

интегрирование,

находим

[51]

TL(SL)-TL(oo)

 

= -

°°

 

 

 

 

I s \

(9.12)

 

j " n ( 2 ) r f z = - Л . е г Ц - ^ J ,

13 Зак. 718

ЗЕ6

Р. ПАРКЕР. МЕХАНИЗМЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

где / l j — постоянная, а

сю

1 _ erf (х) = erfc (х) == Г - 4 - ехр ( - £2) tfg.

X

Таким образом, распределения температуры выражаются сле­ дующими формулами:

в расплаве

 

 

 

 

(V)'/ 2 J

7L - Д| erfc [ . . * . „

1;

 

(9.13)

в

кристалле

 

 

 

2 ( М

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^

= 5! erf

 

 

 

 

 

 

(9.13')

 

 

 

 

 

 

 

 

2 (V)' / z

 

 

 

 

 

 

 

Взяв

граничное условие

(9.3) при х = X,

получим

 

 

 

В, erf |

. . А ,„

I = 7*„ — Л, erfc 1 , л

| =

Тпп

=

const.

(9.14)

 

L 2 (V) V l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Следовательно,

расстояние

X

пропорционально

№, т. е.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(9.15)

где Я) «константа роста». Подстановка

(9.15),

(9.13)

и

(9.13')

в условие

непрерывности (9.4)

дает

следующее

выражение,

свя­

зывающее

 

А.1 с

физическими

характеристиками

вещества K L ,

Ks, x L , KB,

Тая,

L , cs,

а

также

со степенью

перегрева

расплава

1 со

^ П Л •

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*L4'

 

-

Тм)

ехр ( -

« s X ? / x t )

XjLn'/,

 

(9.16)

 

erf

Я,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^ п л

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, при заданном значении Я] температуры

кри­

сталла и расплава выражаются такими формулами:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7пл

•erf

(:V ) * )

 

 

 

 

(9.17)

 

 

 

 

 

 

erf Я,

\ 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(9.170

Проверка

 

показывает,

что

соотношения

(9.17)

 

и (9.17')

удов­

летворяют

 

условиям

(9.6) — (9.8); нам

уже известно,

что

они

удовлетворяют

уравнениям

(9.1) — (9.4). В

качестве

подходя­

щего примера расчета процесса можно рассмотреть замерзание воды. Преобразуем шкалу температур таким образом, чтобы

III. ЗАДАЧА СТЕФАНА

387

точка плавления льда приходилась на 5°С; пусть температура охлаждаемой поверхности х = 0 равна 0°С (на 5°С ниже точки

плавления льда), а начальная температура

всего

объема

воды

на 2°С выше точки его плавления:

 

Тил

= 2. Тогда, учиты­

вая, что Кь =

0,00144, их, =

0,00144

см2 /с,

Ks =

0,0053,

xs

=

= 0,0115 см2 /с,

Lp — 307 Дж/см3 ,

из

уравнения (9.16) для

за­

данных температур получим \\ =

0,121

[51]. Таким

образом,

за

время 1,48-103

с

образуется

слой

льда

толщиной

1 см,

а

за

время 1,48-105

с,

т. е. почти

за 42

ч — слой толщиной

всего

10 см. (Ход плавления полубесконечного объема вполне анало­

гичен ходу кристаллизации: см. монографию

Карслоу

и

Еге-

ра [51].)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.

Плоский

фронт

кристаллизации:

переохлажденный

 

рас­

плав.

В этом случае

[51] начальная температура

всего

объема

расплава

ниже

температуры плавления

(Too <

Тип)

и уже при

t = 0 начинает

образовываться

тонкий

слой

кристалла,

тем­

пература которого во всех точках равна

Гпл, так что теплоот-

вод

через

кристалл

отсутствует,

и все

тепло

отбирается

рас­

плавом, который от этого нагревается. В соответствии с этим

условие (9.7) заменяется условием

 

при 0

(9.18)

в остальном система уравнений, отвечающая новой задаче, сов­

падает

с

системой

(9.3) — (9.8),

но

только

теперь

Т^ <

Тпл.

Решение

системы выражается

следующими

формулами:

 

 

 

 

 

 

X

= 2

(KLt)''2,

 

 

(9.19)

 

 

 

 

 

 

 

Т5ПЛ,

 

 

 

 

(9.20)

 

 

 

 

TL=T„

+

^

5 -

 

erf с

 

 

 

(9.21)

Константа

роста

Х2

находится

здесь

решением

уравнения

 

 

 

 

 

X2eA2ericX2

 

=

 

 

(Ta]1-TJ

 

 

(9.22)

При переохлаждении

воды

на

1,3 °С

имеем

=

0,12, так что

кристаллизация

протекает с теми же скоростями, что и в преды­

дущем

примере.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Плоский

фронт

кристаллизации

с постоянной

скоростью

[46, 51,

55]. Поинтересуемся

 

условиями, необходимыми

для того,

чтобы

кристаллизация шла

с

постоянной скоростью

(dX/dt

=

= const),

а

не

замедлялась

с

течением

времени

(dXjdi

=

= XML,'1^-'1')

, как в предыдущем

случае. Если

расплав

находится

при температуре

плавления

ГП л

(частный случай уже рассмо-

13*

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ