Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов учеб. пособие

.pdf

Скачиваний:

137

Добавлен:

23.10.2023

Размер:

27 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 3940 / 4140 41 > Следующая >>>

	10г4	w!3	С си	10й
ю 1'5			Ю;г

Рис. П.8. Зависимость предельной растворимости примесных элементов в гер

мании от температуры

390

Рис. П.9. Зависимость предельной	растворимости \ примесных элементов
в кремнии от	температуры

39»

2 9 3

Приложение ///

Графики для определения поверхностной концентрации примеси в диффузионных слоях на кремнии и германии

Рис. П.10. Зависимость C0.(l/p.JCj) для слоев и Si с erfc-распределением примеси:

а — С в — 10“ с м ~ 3; б —Cg = 10 1в е м ~ 3

C°\cy ~ 3.Jx/X j)= 0,8 0,7	0,6 0,5	ОА	0.3 0.2 0.1
10г,гг” .................................	L------		С о ,с м г

0,J 0,6 0,5 ОА 0,3 0,2 0,1

6 = l / [ p ^ ( X j - X ) } , ( 0 M - C M )	6 = 7/ \Ps (xi - * ) ] ус°м
а)	6)
Рис. П.11. Зависимость CoO/ppcj) для слоев	р Si с erfc-распределением примеси:
а — С Jj = 10" с м ~ 3; б -	C g = I 01» см ~ 3

со

СО

Рис. 11.12. Зависимость Co(l/p'**j) для «Si с гауссовым распределением примеси:

а - С д —10й см ~3> б —С д — 1016 с м ~ л

(x/Xjr=D,.f0,8

0,7

0 ,6

0 5

0 0 - 0,3 0,20,1 0

W X j b O . S

0,7

и,a

0,5

0,0-

0 ,3 0,7

G-i/\Pi(Xj-x)},(OM.CM)-'	5 =7/[p'(Xj-x)}, (om-'cm)-’
a>	5)

Рис. П.13. Зависимость Co(l/pf8x $ длягЬрБ! сгауссовым распределением примеси:

а Cg —10й см~3- б — Cq « 101в дц

Рис. П.14. Зависимость Со(х^р») для слоев на германии с erfc-pacnpe' делением примеси:

а — яОе; б — pQe

•396

ЛИТЕРАТУРА

Б о л т а к с

Е.

Б.

И. Диффузия в

полупроводниках. Физматгиз, 1960.

В ол

Л.

Строение

и свойства двойных

металлических

систем. Физ

матгиз,

1959.

Е.

А.,

Е р у с а л и м ч и к

И.

Г.

Электрохимия

германия

Е ф и м о в

и кремния. Госхимиздат,

1963.

Е. 3.,

П р е с с

Ф.

П.,

Ф р о н к

С. В.

З е л и к м а н

Г.

А.,

М а з е л ь

Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды., Изд-во «Энергия», 1964.

И в а н о в - Е с и п о в и ч

Н. И. Физико-химические основы производства

радиоэлектронной аппаратуры. Изд-во «Высшая школа», 1965.

Е.

Полупро

К о л о с о в

А.

А.,

Г о р б у н о в

Ю.

И., Н а у м о в

Ю.

водниковые твердые схемы. Изд-во «Советское радио», 1965.

прибо

М а с л о в

А.

Технология

и конструкции полупроводниковых

ров. Изд-во «Энергия»,

1970.

М е д в е д е в

С.

А.

Введение в технологию полупроводниковых мате

риалов.

Изд-во «Высшая

школа»,

1970.

9. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффу

зия, эпитаксия. Под

ред.

Р.

Б у р г е р а

и Р.

Д о н о в а н а . Пер.

англ.

Изд-во

«Мир»,

1969.

Л.

С.,

П а п и р о в

И. И.

Эпитаксиальные пленки.

Изд-во

10.

П а л а т н и к

«Наука»,

1971.

П. Фотолитография в производстве полупроводниковых

11.

П р е с с Ф.

приборов. Изд-во «Энергия», 1968.

технике

СВЧ. Изд-во

«Советское

12.

С л у ц к а я

В.

Тонкие пленки в

радио»,

1967.

Ю.

Н.

Технология изготовления германиевых и кремниевых

13.

Т и х о н о в

диодов

и триодов. Изд-во «Энергия», 1964.

под

ред.

С.

П.

Г о р и н а .

14.

Травление полупроводников. Пер. с

англ,

Изд-во

«Мир»,

1965.

Методы расчета транзисторов. Изд-во «Энергия», 1971.

15.

Т р у т к о

А.

Ф.

16.

Ф а й н ш т е й н

С.

М.

Обработка и защита

поверхности

полупровод

никовых

приборов.

Изд-во

«Энергия»,

1970.

микро

17.

К у р н о с о в

А.

И.,

В о р о н к о в

Э. Н. Полупроводниковая

электроника.

Воениздат,

1973.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

Предисловие...........................................................................................................

Введение . . . . . . . .

полупроводниковых

В.1. Основные этапы

в технологии производства

приборов

.................................................................................................

активных с т р у к т у р

В.2. Разновидности

транзисторов .

В.З.

Технологические

схемы получения некоторых

Глава

первая. Механическая

обработка

полупроводниковых материалов

1.1. Структура

кристаллического

твердого т е л а .............................

1 2

1.2. Абразивные м атер и ал ы ............................................................................

полупроводниковых

слитков

1.3. Кристаллографическая ориентация

1.4. Крепление

слитков

и п л а с т и н .............................................................

материалов

1.5.

Виды резки полупроводниковых

.................................

1.6.

Шлифовка

полупроводниковых

м ате р и а л о в .....................................

1.7.

Полировка

полупроводниковых

м атер и ал о в .....................................

1.8.

Качество приповерхностного слоя полупроводника после меха

нической

обработки.....................................................................................

Глава вторая. Химическая и электрохимическая обработка полупроводников

2.1.

Механизм

процесса

т р а в л е н и я ..............................................................

2.2.

Способы

травления

и п р о м ы в к и ........................................................

2.3.

Электрохимическая обработка поверхности полупроводников .

2.4.

Осаждение

гальванических

покрытий....................................................

2.5.

Химический

у ч а с т о к ................................................................................

в о д ы

2.6.

Получение

деионизованной

Глава

третья. Фотолитография..................................................................................

3.1.

Основные сведения

о фотолитографии..............................................

3.2.

Фоторезисты..................................................................................................

3.3.

Фотошаблоны и способы их получения...............................................

3.4.

Процесс фотолитографии

......................................................................

3.5.

Проекционная

оптическая фотолитография..........................................

3.6.

Бесшаблоиная

линзоворастррвая фотолитография.............................

§ 3.7.

Изготовление

металлических

м а с о к ...................................................

3.8.

Дефекты при проведении процесса фотолитографии......................

3.9.

Технологическое оборудование для фотолитографии......................

Глава

четвертая. Метод сп лавлен и я.......................................................................

4.1. Физико-металлургические основы образования сплавного

р-п-пе

рехода ...........................................

.........................................................

4.2. Технология

получения сплавных ст р у к ту р ......................................

' 102

§ 4.3. Расчеты при сплавлении...........................................................................

сплавлении . .

109

4.4. Дефекты, возникающие в р-я-переходах при

. 120

§ 4.5. Контроль качества сплавных р-л-переходов....................................

123

Глава

пятая. Метод д и ф ф у зи и ...............................................................................

128

5.1.

Физические

основы

процесса

диффузии.............................................

128

5.2. Законы д и ф ф у зи и

.................................................................................

д и ф ф у зи и

132

5.3. Распределение

примеси при

136

§ 5.4. Диффузия в планарной технологии.....................................................

147

5.5. Техника проведения

процессов д и ф ф у зи и .........................................

152

5.6. Основные

д и ф ф у зан ты ...........................................................................

157

398

5.7. Аномалии

распределения

примесей и дефекты в диффузион

ных слоях .....................

;

....................................................................

163

5.8. Контроль основных параметровдиффузионных структур . .

.170

Глава

шестая. Метод

э п и т ак с и и ..........................................................................

174

6.1.

Основные

сведения

об эп и так си и

174

6.2.

Эпитаксия

к р е м н и я ..............................................................................

176

6.3.

Эпитаксия

г е р м а н и я ..............................................................................

180

6.4.

Эпитаксия

арсенида г а л л и я ................................................................

182

6.5.

Легирование

процессе

э п и т ак с и и ..................................................

185

6.6.

Дефекты

эпитаксиальных

п л е н о к .......................

187

6.7.

Методы исследования и контроля эпитаксиальных пленок . .

189

Глава

седьмая. Э л и он и ка.........................................................................................

193

7.1

Основы электронно-лучевой обработки ......

.....................................

193

7.2.

Применение

электронно-лучевых п р о ц е сс о в ...................................

196

7.3.

Взаимодействие

ускоренных

ионов с твердым телом . . .

198

7.4.

Применение

ионного легирования

206

7.5.

Методы контроля

элионных

с т р у к т у р ............................................

210

7.6.

Использование

оптических квантовых ген ер ато р о в .....................

212

Глава

восьмая. Метод

конденсации

вв а к у у м е ..................................................

214

8.1.

Основные

положения кинетической теории

г а з о в .........................

214

8.2.

Термическое

испарение . . .

218

8.3.

Катодное

распыление........................

227

§ 8.4. Создание омических контактов............................................................

233

8.5. Создание тонкопленочных пассивных элементов...........................

238

8.6.

Контроль качества

тонкдх

пленок .................................................

245

Глава девятая. Методы защиты поверхности р-/г-переходов........................

252

§•9.1.

Физика

поверхности

р -п -п ереход а.................................................

252

9.2.

Влияние

поверхности

н а, электрические характеристики р-п-пе

255

9.3.

реходов

.................................................

Защита лаками и эм алям и ....................................................................

256

9.4.

Защита

вазелинами^..............................................................................

258

9.5.

Защита силанированием

........................................................................

м е т а л л о в

258

9.6.

Защита

пленками

окислов

261

9.7.

Защита

гидрофобными пленками......................................................

263

9.8.

Защита

окислением

.........................................................................

264

9.9.

Защита

пленками

нитрида кремния.................................................

271

9.10.

Защита

с помощью легкоплавких с т е к о л

........................................

277

Глава

десятая. Сборка

и герметизация

полупроводниковых приборов .

282

10.1.

Сборка полупроводниковых

п р и б о р о в ............................................

металлостеклянных

282

10.2.

Герметизация

помощью

стеклянных,

291

и металлокерамических корпусов ...................................................

10.3. Герметизация корпусов с помощью пластмасс..............................

296

Глава одиннадцатая.

Конструктивное

оформление

полупроводниковых

303

приборов

.....................................................................

11.1.

Назначение

корпусов

теплоотвод в н и х ...................................

303

11.2. Корпусы диодов общего назначения................................

307

11.3.

Корпусы

диодов С В Ч .........................................................................

3 1 7

11.4.

Корпусы

туннельных

д и о д о в ..........................................................

323

11.5.

Корпусы

транзисторов и

тиристоров ............................................

325

11.6. Корпусы фотоприемников и источниковсвета ................................

3 3 4

11.7.

Корпусы диодных

матриц, интегральныхи гибридных схем .

338

3 9 9

<<< < Предыдущая 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 3940 / 4140 41 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ