Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
137
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
27 Mб
Скачать

рис. 5.15, где показаны распределения концентраций примесных ато­

мов в относительных единицах С-- С ( л М ) и £,

С ( х , у , оо, t ) У itDt

соответственно. Эти

Со

Со

кривые определяют положения р-д-перехо-

дов для различных

уровней легирования

полупроводника. Для

Рис. 5.15. Распределение концентрации примеси у края диффузионной маски:

а —при постоянной поверхностной концентрации; 6 — при фикси­ рованном количестве примеси

обоих видов распределений диффузия примесных атомов идет бо­ лее глубоко в направлении, перпендикулярном поверхности пласти­ ны, чем вдоль границы окисел — полупроводник.

150

При расчетах предполагалось, что диффузия через пленку SiC>2 несущественна и что поверхностный коэффициент диффузии (вдоль границы раздела Si—SiC>2 ) совпадает с объемным.

Диффузия из источника с постоянной поверхностной концент­ рацией приводит к увеличению градиента концентрации примеси на поверхности полупроводника непосредственно под окисной маской.

Однако

 

это

обусловит

 

уменьшение

напряжения

 

лавинного

 

пробоя только

 

при

соотношении

объем­

 

ной и поверхностной кон­

 

центраций Св<0,1С0, что

 

практически

не

встреча­

 

ется.

 

 

 

 

 

 

 

 

Диффузия из источни­

 

ка с фиксированным

ко­

 

личеством примеси приво­

 

дит

к

 

распределению

 

с максимальным градиен­

 

том

концентрации в

глу­

 

бине полупроводника

на

 

достаточно большом

уда­

 

лении

от

 

края

окисной

 

маски.

Этот

максималь­

 

ный

градиент равен гра­

 

диенту

 

 

концентрации,

 

определяемому

одномер­

 

ным решением уравнения

 

Фика.

 

 

 

кривизны

 

Влияние

 

р-п-перехода на величину

 

напряжения

лавинного

 

пробоя.

Вследствие малой

 

глубины

залегания

пла­

 

нарных

 

 

р-я-переходов

 

(обычно 1 —10 мкм)

они

 

обладают

 

большой

кри­

 

визной под краем окисной

 

маски,

что

вызывает ло­

 

кальное возрастание элек­

 

трического поля и умень­

 

шение

напряжения

про­

 

боя.

 

 

 

следует

из

 

Как

 

 

 

рис.

5.15,

боковая грани­

Рис. 5.16. Зависимости напряжений лавин­

ца р-п-перехода

прибли­

ного пробоя планарных р-п-переходов от

женно может быть пред­

концентрации примеси и радиуса кривизны

ставлена

в виде дуги ок­

перехода:

ружности

 

с

радиусом,

а — для Si; б — для Ge; в — для GaAs

151

равным глубине залегания р-п-перехода в плоской его части, т. е. имеет цилиндрическую кривизну. Для перехода с цилиндриче­ ской кривизной напряжение лавинного пробоя зависит от электро­ физических параметров полупроводникового материала следующим образом:

4ln(l + S „ (l ^ , - 2

(5.42)

^ в

( 1 _|_

U В Р ,

где UBP— напряжение пробоя плоской части р-п-перехода;

~ отношение ширины области пространственного заря­

да на краю р-л-перехода к глубине залегания пере­ хода:

Uвр £ к р е£о

2гСв

2£ео^кр

exj Св - 1,

где Екр — критическое поле в р-п-переходе.

На рис. 5.16 представлены расчетные значения напряжений ла­ винного пробоя для диффузионных планарных р-п-переходов на кремнии, германии и арсениде галлия в зависимости от концент­ рации и радиуса кривизны перехода под краем маски.

§ 5.5. Техника проведения процессов диффузии

Диффузию проводят в сравнительно ограниченном диапазоне температур. Для кремния, например, этот диапазон 1100—1300° С или с учетом процесса загонки при двухстадийной диффузии 1000—1300° С. Ниже 1000° С значения коэффициентов диффузии очень малы и глубина диффузии незначительна. Выше 1300° С ка­ чество диффузионных слоев неудовлетворительно.

В зависимости от способа введения в полупроводники диффузанта различают диффузию из газовой (или паровой) фазы, из жидкой фазы и из твердой фазы.

Диффузия из газовой фазы. Если в изолированный объем поме­ стить пластину полупроводника и примесный элемент и нагреть их до некоторой температуры, то вследствие сублимации или испаре­ ния примесного элемента в объеме вскоре установится определен­ ное парциальное давление его паров.

В достаточно узком диапазоне температур зависимость между давлением паров р и абсолютной температурой Т выражается урав­ нением

р = рае х р ( - - £ Г ),

где А — теплота испарения;

152

R — газовая постоянная;

Ро— константа, характеризующая данную систему.

Молекулы пара будут адсорбированы всеми поверхностями, в том числе и поверхностью пластины, а при достаточно большой температуре будут диффундировать вглубь. Если скорость притока новых молекул взамен ушедших в полупроводник равна или боль­ ше скорости диффузии, то в поверхностном слое устанавливается равновесная концентрация атомов, равная предельной растворимо­ сти при данной температуре. Если скорость притока новых молекул меньше или равна скорости диффузии, но концентрация атомов в паре мала, то поверхностная концентрация определяется только парциальным давлением примесного пара. В идеальном случае рав­ новесная концентрация пропорциональна давлению пара; поэтому управление поверхностной концентрацией осуществляют путем контроля давления пара.

Для разбавленных растворов, какими можно считать твердые растворы примесей в полупроводниках, поверхностная концентра­ ция С0 связана с давлением примесных паров pi следующим соот­ ношением:

где Сг — собственная концентрация атомов полупроводника; р — давление пара над чистым примесным веществом при

температуре Г; п — число атомов в молекуле паров примеси;

Ло — постоянная, характеризующая систему.

Если равновесие на поверхности достигается за время, меньшее чем длительность диффузии, то поверхностную концентрацию мож­ но считать постоянной. Поэтому в большинстве случаев распреде­ ление примеси при диффузии из газовой фазы описывается функ­ цией дополнения к интегралу ошибок.

Диффузия из жидкой фазы. При больших парциальных давле­ ниях концентрация примеси в поверхностном слое может быть такой, что будет образовываться жидкая фаза, если позволяет диаграмма состояния. Практически различают два типа взаимодей­ ствий на поверхности: образование сплава и химическое взаимо­ действие.

Примесные элементы, например Al, In и Ga, могут быть нане­

сены на пластину полупроводника

испарением в

вакууме. При

последующей диффузии на поверхности пластин

в соответствии

с фазовой диаграммой образуется

жидкий сплав.

Поверхностная

концентрация определяется только термодинамическими свойства­ ми системы примесь — полупроводник и равна предельной раство­ римости примеси при данной температуре диффузии.

Второй тип взаимодействий на поверхности заключается в быст­ рой химической реакции донорной или акцепторной примеси с по­ лупроводником. Обычно имеет место взаимодействие между полу­ проводником и жидкой поверхностной фазой, состоящей из окисла,

153

например Si02, первоначально присутствующего на полупроводни­ ке, и донорным либо акцепторным окислом, используемым при диффузии. При температуре выдержки в реагирующей фазе уста­ навливается равновесная концентрация доноров или акцепторов. Скорость перехода примеси из этой фазы в полупроводник очень велика, и распределение примеси соответствует случаю источника с постоянной поверхностной концентрацией, как и при наличии сплава.

Диффузия из твердой фазы —это диффузия из твердого раство­ ра примеси в одной области полупроводника в примыкающую к ней другую область этого же полупроводника, свободную от примеси данного типа.

Таким образом, для диффузии из твердой фазы характерно наличие начального резкого перепада концентраций диффундирую­ щей примеси. Структуры со ступенчатым начальным распределени­ ем примеси получают при выращивании эпитаксиальных пленок, путем создания рекристаллизованного слоя при сплавлении и путем предварительного диффузионного или ионно-лучевого легирования тонкого поверхностного слоя полупроводника. Эти виды структур различаются по толщине легированного слоя, из которого идет диффузия.

Эпитаксиальные структуры, в которых происходит диффузия из твердой фазы, различаются по соотношению толщин и уровней легирования областей: h+<^h или h<^h+. В сплавных структурах толщина рекристаллизованного слоя обычно мала и для них харак­ терно h+<h; в диффузионных и ионно-лучевых структурах h+<^h.

Вид кривой распределения, продиффундировавшей в твердой фазе примеси, определяется, кроме соотношения толщин областей

h и h+, глубиной диффузии L — Y D t . Практически важными явля­ ются следующие случаи.

1. При L<^h<^ji+ распределение примеси описывается выраже­ нием (5.27). Этот случай встречается при диффузии примеси из сильно легированной подложки в эпитаксиальную пленку, имеющей место при высоких температурах выращивания.

2. При h+<^L<^h распределение примеси описывается выраже­ нием (5.18), что характерно для случая двухстадийной диффузии, загонка (диффузионная или ионно-лучевая) и последующая разгон­ ка. Особую важность этот случай приобретает в связи с развити­ ем метода ионного легирования, позволяющего вводить в полупро­ водники строго фиксированное количество примеси с высокой вос­ производимостью.

Способы проведения диффузии; Диффузионные процессы прово­ дят в закрытой или открытой трубе.

В первом случае (рис. 5.17, а) пластины полупроводника 1 и ис­ точник 2 загружают в кварцевую ампулу 3, которую эвакуируют, герметизируют и помещают в печь 4.

Термин «открытая труба» обусловлен тем, что выходной конец диффузионной трубы сообщается с атмосферой (рис. 5.17,6—д).

154

Через него в зону диффузии загружают кремниевые пластины L Чтобы свести к минимуму загрязнения из атмосферы, над выходом трубы 2 устанавливают вытяжную систему. Во входной конец диф­ фузионной трубы вставляют шлиф для введения газа-носителя 3 — азота или кислорода.

Диффузант 4

либо

наносят

на

поверхность

пластины

(рис.

5.17,6) либо

вводят

в виде

пара

или газа в

газ-носитель

(рис.

5.17,б).

 

 

 

 

 

3

<=з ез сз— I 2

В)

~ ......

На рис. 5.17, г показана схема двухзонной печи, применяемой в основном для диффузии из твердых источников методом откры­ той трубы, на рис. 5.17,6 — схема бокс-метода. В последнем случае пластины и источник находятся в полугерметичном контейнере 5

однозонной печи.

Наибольшее распространение имеет диффузия в открытой тру­ бе, проводимая из твердых, жидких и газообразных источников.

155-

Основными диффузантами при диффузии в кремний являются фос­ фор и бор.

При изготовлении планарных приборов и интегральных схем процесс диффузии, как уже отмечалось, обычно проводят в две стадии.

На первой стадии (загонке) на поверхности кремния создается тонкий диффузионный слой с erfc-распределением примеси. Загонку осуществляют в печах с двумя температурными зонами при невы­ соких по сравнению с собственно диффузией температурах. После

 

 

 

 

 

загонки

пластины

выни­

 

 

 

 

 

мают

из

 

печи и с их по­

а.)

 

 

 

 

верхности

удаляют

слой

 

 

 

 

борно-

или

фосфорносо-

 

 

 

 

 

держащего окисла.

стадии

 

 

 

 

 

 

На

 

второй

 

 

 

 

 

(разгонке)

пластины по­

 

 

 

 

 

лупроводника

нагревают

 

 

 

 

 

в

однозонной

печи

в ат­

д)

 

 

ЗС

 

мосфере,

не

содержащей

 

 

 

 

 

атомов

диффузанта,

так

 

 

 

1L

 

что единственным процес­

 

 

 

Z )

сом

является

диффузион­

 

 

 

 

 

ное

 

перераспределение

 

 

 

 

 

примеси.

Вторая

стадия

в)

 

 

 

 

соответствует

диффузии

 

 

 

 

 

из

 

источника

ограничен­

 

 

 

 

 

ной мощности.

 

диф­

 

 

 

 

 

 

Двухстадийная

 

 

 

 

 

 

фузия

имеет

два

основ­

г)

 

 

3

С

ных

преимущества

по

 

 

сравнению

с

одностадий­

 

 

 

3 с

 

 

 

ной:

 

 

 

 

 

 

Рис. 5.18. Типы лодочек из кварцевого

са

 

1 )

 

разделение

процес­

стекла,

применяемые

при диффузии:

на две

стадии

делает

а — пластина

с

прорезями;

6 — лесенка;

в — сет-

его

более

управляемым,

чатая корзина;

г — комбинация лодочки

с полым

что повышает воспроизво­

 

 

стержнем

 

димость

и упрощает

его

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

контроль;

 

 

 

 

' 2 ) облегчается маскирование, так как первая стадия кратко­

временная и относительно низкотемпературная, а на второй стадии

нет паров диффузанта. Все это повышает

стойкость

и защитное

свойство окисла.

Качество диффузионных слоев -во многом определяется поддер­ жанием чистоты при хранении и транспортировке пластин и осо­ бенностями нагрева и охлаждения. После химической очистки пла­ стины хранят в метиловом спирте. Для загрузки в печь их выни­ мают пинцетом с тефлоновыми наконечниками и мокрыми помеща­ ют на кварцевую лодочку. В зависимости от конструкции лодочки (рис. 5.18) пластины располагают горизонтально или вертикально.

156

Для того чтобы избежать неравномерного распределения диффузанта в потоке газа-носителя, перед лодочкой ставят экран из квар­ цевой ваты. Загруженную лодочку постепенно вводят в трубу, на­ гретую до нужной температуры. Поток примеси следует подводить после того, как пластины достигнут температуры диффузии. В боль­ шинстве случаев это происходит в течение нескольких минут. При диффузии из твердого источника до загрузки пластин нужно пред­ усмотреть возможность изменять направление газового потока на противоположное на период ввода пластин. Это предотвращает кон­ денсацию примеси на поверхности холодных пластин, пока они еще не достигли зоны нагрева.

Другой способ, который применяют, когда холодные пластины нужно загрузить в диффузионную печь в протоке примеси, состоит

в предварительном нагреве

пластин

в нейтральной атмосфере.

Сложность заключается в том, чтобы

при перемещении пластин

в печь не подвергнуть их воздействию атмосферы.

По истечении расчетного

времени

диффузии введение паров

примеси прекращается и пластины вынимают. При быстром выдви­ жении лодочки с пластинами из печи может произойти термозакал­ ка, поэтому лодочку вынимают медленно, чтобы скорость охлажде­ ния не превышала 10—20 град/мин. Иногда для этого пластины охлаждают вместе с печью, плавно уменьшая мощность нагрева, что позволяет получить скорость охлаждения 1 —5 град!мин. После извлечения пластин из печи и охлаждения до комнатной темпера­ туры необходимо защитить их от повреждений и загрязнений. С этой целью на поверхность пластин наносят фоторезист или коллодиевое покрытие, помещают пластины в обезвоженный органи­ ческий растворитель или хранят их в скафандре с контролируемой средой.

§ 5.6. Основные диффузанты

Кдиффузантам предъявляется ряд требований:

1)достаточно высокое значение коэффициента диффузии D при

рабочих температурах; 2 ) воспроизводимость значения поверхностной концентрации от

процесса к процессу; 3) возможность задания любой поверхностной концентрации

в пределах нескольких порядков вплоть до предельной раствори­ мости;

4) отсутствие взаимодействия поверхности с диффузантом, при­ водящего к образованию трудноудаляемых соединений или дефек­ тов (в том числе трещин);

5 ) отсутствие нежелательных примесей, которые могут внед­ риться в полупроводник;

6 ) источник не должен быть дефицитным, токсичным и взрыво­

опасным.

Твердые диффузанты. Фо с фо р . Наиболее распространенным источником в твердой фазе является безводная пятиокись фосфо-

157

pa — фосфорный ангидрид Р2О5. Пятиокись помещают в зону

ис­

точника

(рис. 5.17, г)

и нагревают до температур 230°—300° С,

при

которых

происходит

испарение Р2О5. При температурах выше

300° С поверхностная

концентрация уменьшается и становится

невоспроизводимой. Протекая над P2Os, газ-носитель захватывает молекулы пятиокиси и переносит их в зону диффузии.

Системы такого типа обеспечивают регулирование и воспроиз­ водимость параметров при высоких поверхностных концентрациях. Чтобы получить наилучшие результаты при использовании Р2О5* нужна обезвоженная система, так как Р2О5 отличается высокой гигроскопичностью. Для предотвращения воздействия влаги на Р2О5 его помещают в поливиниловые ампулы, заполненные аргоном.

Для каждого цикла диффузии требуется новая порция источни­ ка Р2 О5 . Кроме того, поверхностная концентрация падает через 3—4 ч после помещения Р2О5 в печь вследствие истощения источ­ ника. Перед диффузией в целях сохранения качества поверхности пластин и достижения стабильности источника осуществляют его старение около 30 мин в зоне источника. При этом возможна дегид­ ратация Р2 0 5.

В процессе диффузии между Р2О5 и кремнием происходит хими­ ческая реакция, в результате которой выделяются элементарный фосфор и окись кремния, образующие стекловидное соединение на поверхности пластины. Из этого аморфного соединения идет диффу­ зия. Стекловидный слой защищает кремний от поверхностной эрозии.

Другими источниками в твердой фазе, используемыми для диф­ фузии фосфора в открытой трубе, являются нитрид фосфора P3N5,. одноосновный фосфат аммония — NH4H2PO4, двуосновный фосфат аммония — (NH4)2HP0 4 . Фосфаты аммония гораздо менее чувстви­

тельны к влаге, чем Р20 5, хотя для

них требуется значительно бо­

лее высокая температура источника

(450—900° С), чтобы получить

удовлетворительную поверхностную концентрацию. Красный фос­ фор из-за непостоянства его состава и давления паров дает плохую воспроизводимость и практически не используется. Кроме того,, красный фосфор взрывоопасен в кислороде.

Недостатком нитрида фосфора P3N5 является непостоянство его состава и связанное с этим изменение давления паров, что дает невоспроизводимые результаты. Кроме того, для него требуется обязательное введение старения до диффузии, а из-за различий в составе трудно рассчитать заранее период старения каждой пар­ тии. Хотя он позволяет получить более низкую поверхностную кон­ центрацию, чем Р2О5, невоспроизводимость P3N5 сводит на нет это единственное преимущество.

Бор. Самым распространенным источником в твердой фазе,, используемым для диффузии бора в открытой трубе, является бор­ ный ангидрид В20 3. Применяют также борную кислоту Н3В 03, ко­ торая легко дегидратируется нри высокой температуре, образуя

158

окись бора. Установка для диффузии из В2 0з в открытой трубе очень сходна с используемой для Р2О5, за исключением того, что поддерживается значительно более высокая температура источни­ ка В2 0з — порядка 900° С.

С В20 3 сравнительно трудно работать, так как при нагреве он вспучивается, пузырится и растекается из керамического контейне­ ра. Эти явления ослабляются, когда диффузант медленно вводят в зону источника, но полностью не устраняются. Поэтому до поме­ щения в зону источника В20з нагревают и, перемешивая шпателем, заставляют опуститься на дно контейнера. Это повторяют несколь­ ко раз.

Кварц, из которого чаще всего изготовляют оборудование для диффузии, нельзя использовать в системе с В20з. Когда В20 3 со­ прикасается с кварцем, происходит расстекловывание, и кварц ста­ новится негодным к употреблению. Можно использовать керамику или платину, но из керамики выделяются примеси, а платина — до­ рогостоящий материал.

Для устранения недостатков В20 3 или Н3В 03 их смешивают с Si02, используя метод совместного осаждения из тетраэтилортосиликата — SiO (СН3СН2)4.

При использовании В20з можно получить широкий диапазон ве­ личин поверхностных концентраций, но воспроизводимость пара­ метров при этом невысокая.

Жидкие диффузанты. На рис. 5.17, в показана система диффу­ зии в открытой трубе из жидкого источника. Для регулирования температуры жидкого источника и давления паров контейнер с ис­ точником термостатируют.

Фо с фо р . Ряд желательных характеристик имеет оксихлорид — РОС13. Он не гигроскопичен, имеет малый расход, стабилен по кон­ центрации фосфора при длительном использовании. Механизм диф­ фузии из жидкого источника аналогичен диффузии из P2Os, так как жидкие источники реагируют с избыточным кислородом, образуя Р20 5. На поверхностную концентрацию влияет расход РОС13, тем­ пература источника, диаметр диффузионной трубы, конструкция отражателя паров и состав газа-носителя. Как правило, по воспро­

изводимости

и

возможности

регулирования параметров системы

с источником

в

жидкой фазе

лучше, чем системы с источником

втвердой фазе.

Стем же успехом используют трихлорид фосфора — РС13 и пен­

тафторид фосфора — PF5 .

Бор. Трехбромистый бор ВВг3 — наиболее распространенный источник в жидкой фазе, используемый в системах диффузии бора в открытой трубе. Процесс диффузии почти такой же, как для фос­ фора из жидкого источника; только азот иногда пропускают над ВВг3, а не через него. Поверхностной концентрацией мож-'о управ­ лять путем изменения температуры диффузии, температуры источ­ ника и расхода потока. В газ-носитель добавляют кислород для окисления ВВг3 до В20 3 и для защиты поверхности от образования черных нерастворимых отложений.

159

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ