
книги из ГПНТБ / Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов учеб. пособие
.pdfрис. 5.15, где показаны распределения концентраций примесных ато
мов в относительных единицах С-- С ( л М ) и £, |
С ( х , у , оо, t ) У itDt |
|
соответственно. Эти |
Со |
Со |
кривые определяют положения р-д-перехо- |
||
дов для различных |
уровней легирования |
полупроводника. Для |
Рис. 5.15. Распределение концентрации примеси у края диффузионной маски:
а —при постоянной поверхностной концентрации; 6 — при фикси рованном количестве примеси
обоих видов распределений диффузия примесных атомов идет бо лее глубоко в направлении, перпендикулярном поверхности пласти ны, чем вдоль границы окисел — полупроводник.
150
При расчетах предполагалось, что диффузия через пленку SiC>2 несущественна и что поверхностный коэффициент диффузии (вдоль границы раздела Si—SiC>2 ) совпадает с объемным.
Диффузия из источника с постоянной поверхностной концент рацией приводит к увеличению градиента концентрации примеси на поверхности полупроводника непосредственно под окисной маской.
Однако |
|
это |
обусловит |
|
|||||
уменьшение |
напряжения |
|
|||||||
лавинного |
|
пробоя только |
|
||||||
при |
соотношении |
объем |
|
||||||
ной и поверхностной кон |
|
||||||||
центраций Св<0,1С0, что |
|
||||||||
практически |
не |
встреча |
|
||||||
ется. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Диффузия из источни |
|
||||||||
ка с фиксированным |
ко |
|
|||||||
личеством примеси приво |
|
||||||||
дит |
к |
|
распределению |
|
|||||
с максимальным градиен |
|
||||||||
том |
концентрации в |
глу |
|
||||||
бине полупроводника |
на |
|
|||||||
достаточно большом |
уда |
|
|||||||
лении |
от |
|
края |
окисной |
|
||||
маски. |
Этот |
максималь |
|
||||||
ный |
градиент равен гра |
|
|||||||
диенту |
|
|
концентрации, |
|
|||||
определяемому |
одномер |
|
|||||||
ным решением уравнения |
|
||||||||
Фика. |
|
|
|
кривизны |
|
||||
Влияние |
|
||||||||
р-п-перехода на величину |
|
||||||||
напряжения |
лавинного |
|
|||||||
пробоя. |
Вследствие малой |
|
|||||||
глубины |
залегания |
пла |
|
||||||
нарных |
|
|
р-я-переходов |
|
|||||
(обычно 1 —10 мкм) |
они |
|
|||||||
обладают |
|
большой |
кри |
|
|||||
визной под краем окисной |
|
||||||||
маски, |
что |
вызывает ло |
|
||||||
кальное возрастание элек |
|
||||||||
трического поля и умень |
|
||||||||
шение |
напряжения |
про |
|
||||||
боя. |
|
|
|
следует |
из |
|
|||
Как |
|
|
|
||||||
рис. |
5.15, |
боковая грани |
Рис. 5.16. Зависимости напряжений лавин |
||||||
ца р-п-перехода |
прибли |
||||||||
ного пробоя планарных р-п-переходов от |
|||||||||
женно может быть пред |
концентрации примеси и радиуса кривизны |
||||||||
ставлена |
в виде дуги ок |
перехода: |
|||||||
ружности |
|
с |
радиусом, |
а — для Si; б — для Ge; в — для GaAs |
151
равным глубине залегания р-п-перехода в плоской его части, т. е. имеет цилиндрическую кривизну. Для перехода с цилиндриче ской кривизной напряжение лавинного пробоя зависит от электро физических параметров полупроводникового материала следующим образом:
„ |
4ln(l + S „ (l ^ , - 2 |
„ |
(5.42) |
^ в |
( 1 _|_ |
U В Р , |
где UBP— напряжение пробоя плоской части р-п-перехода;
—~ отношение ширины области пространственного заря
да на краю р-л-перехода к глубине залегания пере хода:
Uвр — £ к р е£о
2гСв ’
2£ео^кр
exj Св - 1,
где Екр — критическое поле в р-п-переходе.
На рис. 5.16 представлены расчетные значения напряжений ла винного пробоя для диффузионных планарных р-п-переходов на кремнии, германии и арсениде галлия в зависимости от концент рации и радиуса кривизны перехода под краем маски.
§ 5.5. Техника проведения процессов диффузии
Диффузию проводят в сравнительно ограниченном диапазоне температур. Для кремния, например, этот диапазон 1100—1300° С или с учетом процесса загонки при двухстадийной диффузии 1000—1300° С. Ниже 1000° С значения коэффициентов диффузии очень малы и глубина диффузии незначительна. Выше 1300° С ка чество диффузионных слоев неудовлетворительно.
В зависимости от способа введения в полупроводники диффузанта различают диффузию из газовой (или паровой) фазы, из жидкой фазы и из твердой фазы.
Диффузия из газовой фазы. Если в изолированный объем поме стить пластину полупроводника и примесный элемент и нагреть их до некоторой температуры, то вследствие сублимации или испаре ния примесного элемента в объеме вскоре установится определен ное парциальное давление его паров.
В достаточно узком диапазоне температур зависимость между давлением паров р и абсолютной температурой Т выражается урав нением
р = рае х р ( - - £ Г ),
где А — теплота испарения;
152
R — газовая постоянная;
Ро— константа, характеризующая данную систему.
Молекулы пара будут адсорбированы всеми поверхностями, в том числе и поверхностью пластины, а при достаточно большой температуре будут диффундировать вглубь. Если скорость притока новых молекул взамен ушедших в полупроводник равна или боль ше скорости диффузии, то в поверхностном слое устанавливается равновесная концентрация атомов, равная предельной растворимо сти при данной температуре. Если скорость притока новых молекул меньше или равна скорости диффузии, но концентрация атомов в паре мала, то поверхностная концентрация определяется только парциальным давлением примесного пара. В идеальном случае рав новесная концентрация пропорциональна давлению пара; поэтому управление поверхностной концентрацией осуществляют путем контроля давления пара.
Для разбавленных растворов, какими можно считать твердые растворы примесей в полупроводниках, поверхностная концентра ция С0 связана с давлением примесных паров pi следующим соот ношением:
где Сг — собственная концентрация атомов полупроводника; р — давление пара над чистым примесным веществом при
температуре Г; п — число атомов в молекуле паров примеси;
Ло — постоянная, характеризующая систему.
Если равновесие на поверхности достигается за время, меньшее чем длительность диффузии, то поверхностную концентрацию мож но считать постоянной. Поэтому в большинстве случаев распреде ление примеси при диффузии из газовой фазы описывается функ цией дополнения к интегралу ошибок.
Диффузия из жидкой фазы. При больших парциальных давле ниях концентрация примеси в поверхностном слое может быть такой, что будет образовываться жидкая фаза, если позволяет диаграмма состояния. Практически различают два типа взаимодей ствий на поверхности: образование сплава и химическое взаимо действие.
Примесные элементы, например Al, In и Ga, могут быть нане
сены на пластину полупроводника |
испарением в |
вакууме. При |
последующей диффузии на поверхности пластин |
в соответствии |
|
с фазовой диаграммой образуется |
жидкий сплав. |
Поверхностная |
концентрация определяется только термодинамическими свойства ми системы примесь — полупроводник и равна предельной раство римости примеси при данной температуре диффузии.
Второй тип взаимодействий на поверхности заключается в быст рой химической реакции донорной или акцепторной примеси с по лупроводником. Обычно имеет место взаимодействие между полу проводником и жидкой поверхностной фазой, состоящей из окисла,
153
например Si02, первоначально присутствующего на полупроводни ке, и донорным либо акцепторным окислом, используемым при диффузии. При температуре выдержки в реагирующей фазе уста навливается равновесная концентрация доноров или акцепторов. Скорость перехода примеси из этой фазы в полупроводник очень велика, и распределение примеси соответствует случаю источника с постоянной поверхностной концентрацией, как и при наличии сплава.
Диффузия из твердой фазы —это диффузия из твердого раство ра примеси в одной области полупроводника в примыкающую к ней другую область этого же полупроводника, свободную от примеси данного типа.
Таким образом, для диффузии из твердой фазы характерно наличие начального резкого перепада концентраций диффундирую щей примеси. Структуры со ступенчатым начальным распределени ем примеси получают при выращивании эпитаксиальных пленок, путем создания рекристаллизованного слоя при сплавлении и путем предварительного диффузионного или ионно-лучевого легирования тонкого поверхностного слоя полупроводника. Эти виды структур различаются по толщине легированного слоя, из которого идет диффузия.
Эпитаксиальные структуры, в которых происходит диффузия из твердой фазы, различаются по соотношению толщин и уровней легирования областей: h+<^h или h<^h+. В сплавных структурах толщина рекристаллизованного слоя обычно мала и для них харак терно h+<h; в диффузионных и ионно-лучевых структурах h+<^h.
Вид кривой распределения, продиффундировавшей в твердой фазе примеси, определяется, кроме соотношения толщин областей
h и h+, глубиной диффузии L — Y D t . Практически важными явля ются следующие случаи.
1. При L<^h<^ji+ распределение примеси описывается выраже нием (5.27). Этот случай встречается при диффузии примеси из сильно легированной подложки в эпитаксиальную пленку, имеющей место при высоких температурах выращивания.
2. При h+<^L<^h распределение примеси описывается выраже нием (5.18), что характерно для случая двухстадийной диффузии, загонка (диффузионная или ионно-лучевая) и последующая разгон ка. Особую важность этот случай приобретает в связи с развити ем метода ионного легирования, позволяющего вводить в полупро водники строго фиксированное количество примеси с высокой вос производимостью.
Способы проведения диффузии; Диффузионные процессы прово дят в закрытой или открытой трубе.
В первом случае (рис. 5.17, а) пластины полупроводника 1 и ис точник 2 загружают в кварцевую ампулу 3, которую эвакуируют, герметизируют и помещают в печь 4.
Термин «открытая труба» обусловлен тем, что выходной конец диффузионной трубы сообщается с атмосферой (рис. 5.17,6—д).
154
Через него в зону диффузии загружают кремниевые пластины L Чтобы свести к минимуму загрязнения из атмосферы, над выходом трубы 2 устанавливают вытяжную систему. Во входной конец диф фузионной трубы вставляют шлиф для введения газа-носителя 3 — азота или кислорода.
Диффузант 4 |
либо |
наносят |
на |
поверхность |
пластины |
|
(рис. |
5.17,6) либо |
вводят |
в виде |
пара |
или газа в |
газ-носитель |
(рис. |
5.17,б). |
|
|
|
|
|
3 |
<=з ез сз— I 2 |
В) |
~ ...... |
На рис. 5.17, г показана схема двухзонной печи, применяемой в основном для диффузии из твердых источников методом откры той трубы, на рис. 5.17,6 — схема бокс-метода. В последнем случае пластины и источник находятся в полугерметичном контейнере 5
однозонной печи.
Наибольшее распространение имеет диффузия в открытой тру бе, проводимая из твердых, жидких и газообразных источников.
155-
Основными диффузантами при диффузии в кремний являются фос фор и бор.
При изготовлении планарных приборов и интегральных схем процесс диффузии, как уже отмечалось, обычно проводят в две стадии.
На первой стадии (загонке) на поверхности кремния создается тонкий диффузионный слой с erfc-распределением примеси. Загонку осуществляют в печах с двумя температурными зонами при невы соких по сравнению с собственно диффузией температурах. После
|
|
|
|
|
загонки |
пластины |
выни |
||||||
|
|
|
|
|
мают |
из |
|
печи и с их по |
|||||
а.) |
|
|
|
|
верхности |
удаляют |
слой |
||||||
|
|
|
|
борно- |
или |
фосфорносо- |
|||||||
|
|
|
|
|
держащего окисла. |
стадии |
|||||||
|
|
|
|
|
|
На |
|
второй |
|||||
|
|
|
|
|
(разгонке) |
пластины по |
|||||||
|
|
|
|
|
лупроводника |
нагревают |
|||||||
|
|
|
|
|
в |
однозонной |
печи |
в ат |
|||||
д) |
|
|
ЗС |
|
мосфере, |
не |
содержащей |
||||||
|
|
|
|
|
атомов |
диффузанта, |
так |
||||||
|
|
|
1L |
|
что единственным процес |
||||||||
|
|
|
Z ) |
сом |
является |
диффузион |
|||||||
|
|
|
|
|
ное |
|
перераспределение |
||||||
|
|
|
|
|
примеси. |
Вторая |
стадия |
||||||
в) |
|
|
|
|
соответствует |
диффузии |
|||||||
|
|
|
|
|
из |
|
источника |
ограничен |
|||||
|
|
|
|
|
ной мощности. |
|
диф |
||||||
|
|
|
|
|
|
Двухстадийная |
|
||||||
|
|
|
|
|
фузия |
имеет |
два |
основ |
|||||
г) |
|
|
3 |
С |
ных |
преимущества |
по |
||||||
|
|
сравнению |
с |
одностадий |
|||||||||
|
|
|
3 с |
||||||||||
|
|
|
ной: |
|
|
|
|
|
|
||||
Рис. 5.18. Типы лодочек из кварцевого |
са |
|
1 ) |
|
разделение |
процес |
|||||||
стекла, |
применяемые |
при диффузии: |
на две |
стадии |
делает |
||||||||
а — пластина |
с |
прорезями; |
6 — лесенка; |
в — сет- |
его |
более |
управляемым, |
||||||
чатая корзина; |
г — комбинация лодочки |
с полым |
что повышает воспроизво |
||||||||||
|
|
стержнем |
|
димость |
и упрощает |
его |
|||||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
контроль; |
|
|
|
|
||||
' 2 ) облегчается маскирование, так как первая стадия кратко |
|||||||||||||
временная и относительно низкотемпературная, а на второй стадии |
|||||||||||||
нет паров диффузанта. Все это повышает |
стойкость |
и защитное |
свойство окисла.
Качество диффузионных слоев -во многом определяется поддер жанием чистоты при хранении и транспортировке пластин и осо бенностями нагрева и охлаждения. После химической очистки пла стины хранят в метиловом спирте. Для загрузки в печь их выни мают пинцетом с тефлоновыми наконечниками и мокрыми помеща ют на кварцевую лодочку. В зависимости от конструкции лодочки (рис. 5.18) пластины располагают горизонтально или вертикально.
156
Для того чтобы избежать неравномерного распределения диффузанта в потоке газа-носителя, перед лодочкой ставят экран из квар цевой ваты. Загруженную лодочку постепенно вводят в трубу, на гретую до нужной температуры. Поток примеси следует подводить после того, как пластины достигнут температуры диффузии. В боль шинстве случаев это происходит в течение нескольких минут. При диффузии из твердого источника до загрузки пластин нужно пред усмотреть возможность изменять направление газового потока на противоположное на период ввода пластин. Это предотвращает кон денсацию примеси на поверхности холодных пластин, пока они еще не достигли зоны нагрева.
Другой способ, который применяют, когда холодные пластины нужно загрузить в диффузионную печь в протоке примеси, состоит
в предварительном нагреве |
пластин |
в нейтральной атмосфере. |
Сложность заключается в том, чтобы |
при перемещении пластин |
|
в печь не подвергнуть их воздействию атмосферы. |
||
По истечении расчетного |
времени |
диффузии введение паров |
примеси прекращается и пластины вынимают. При быстром выдви жении лодочки с пластинами из печи может произойти термозакал ка, поэтому лодочку вынимают медленно, чтобы скорость охлажде ния не превышала 10—20 град/мин. Иногда для этого пластины охлаждают вместе с печью, плавно уменьшая мощность нагрева, что позволяет получить скорость охлаждения 1 —5 град!мин. После извлечения пластин из печи и охлаждения до комнатной темпера туры необходимо защитить их от повреждений и загрязнений. С этой целью на поверхность пластин наносят фоторезист или коллодиевое покрытие, помещают пластины в обезвоженный органи ческий растворитель или хранят их в скафандре с контролируемой средой.
§ 5.6. Основные диффузанты
Кдиффузантам предъявляется ряд требований:
1)достаточно высокое значение коэффициента диффузии D при
рабочих температурах; 2 ) воспроизводимость значения поверхностной концентрации от
процесса к процессу; 3) возможность задания любой поверхностной концентрации
в пределах нескольких порядков вплоть до предельной раствори мости;
4) отсутствие взаимодействия поверхности с диффузантом, при водящего к образованию трудноудаляемых соединений или дефек тов (в том числе трещин);
5 ) отсутствие нежелательных примесей, которые могут внед риться в полупроводник;
6 ) источник не должен быть дефицитным, токсичным и взрыво
опасным.
Твердые диффузанты. Фо с фо р . Наиболее распространенным источником в твердой фазе является безводная пятиокись фосфо-
157
pa — фосфорный ангидрид Р2О5. Пятиокись помещают в зону |
ис |
||
точника |
(рис. 5.17, г) |
и нагревают до температур 230°—300° С, |
при |
которых |
происходит |
испарение Р2О5. При температурах выше |
|
300° С поверхностная |
концентрация уменьшается и становится |
невоспроизводимой. Протекая над P2Os, газ-носитель захватывает молекулы пятиокиси и переносит их в зону диффузии.
Системы такого типа обеспечивают регулирование и воспроиз водимость параметров при высоких поверхностных концентрациях. Чтобы получить наилучшие результаты при использовании Р2О5* нужна обезвоженная система, так как Р2О5 отличается высокой гигроскопичностью. Для предотвращения воздействия влаги на Р2О5 его помещают в поливиниловые ампулы, заполненные аргоном.
Для каждого цикла диффузии требуется новая порция источни ка Р2 О5 . Кроме того, поверхностная концентрация падает через 3—4 ч после помещения Р2О5 в печь вследствие истощения источ ника. Перед диффузией в целях сохранения качества поверхности пластин и достижения стабильности источника осуществляют его старение около 30 мин в зоне источника. При этом возможна дегид ратация Р2 0 5.
В процессе диффузии между Р2О5 и кремнием происходит хими ческая реакция, в результате которой выделяются элементарный фосфор и окись кремния, образующие стекловидное соединение на поверхности пластины. Из этого аморфного соединения идет диффу зия. Стекловидный слой защищает кремний от поверхностной эрозии.
Другими источниками в твердой фазе, используемыми для диф фузии фосфора в открытой трубе, являются нитрид фосфора P3N5,. одноосновный фосфат аммония — NH4H2PO4, двуосновный фосфат аммония — (NH4)2HP0 4 . Фосфаты аммония гораздо менее чувстви
тельны к влаге, чем Р20 5, хотя для |
них требуется значительно бо |
лее высокая температура источника |
(450—900° С), чтобы получить |
удовлетворительную поверхностную концентрацию. Красный фос фор из-за непостоянства его состава и давления паров дает плохую воспроизводимость и практически не используется. Кроме того,, красный фосфор взрывоопасен в кислороде.
Недостатком нитрида фосфора P3N5 является непостоянство его состава и связанное с этим изменение давления паров, что дает невоспроизводимые результаты. Кроме того, для него требуется обязательное введение старения до диффузии, а из-за различий в составе трудно рассчитать заранее период старения каждой пар тии. Хотя он позволяет получить более низкую поверхностную кон центрацию, чем Р2О5, невоспроизводимость P3N5 сводит на нет это единственное преимущество.
Бор. Самым распространенным источником в твердой фазе,, используемым для диффузии бора в открытой трубе, является бор ный ангидрид В20 3. Применяют также борную кислоту Н3В 03, ко торая легко дегидратируется нри высокой температуре, образуя
158
окись бора. Установка для диффузии из В2 0з в открытой трубе очень сходна с используемой для Р2О5, за исключением того, что поддерживается значительно более высокая температура источни ка В2 0з — порядка 900° С.
С В20 3 сравнительно трудно работать, так как при нагреве он вспучивается, пузырится и растекается из керамического контейне ра. Эти явления ослабляются, когда диффузант медленно вводят в зону источника, но полностью не устраняются. Поэтому до поме щения в зону источника В20з нагревают и, перемешивая шпателем, заставляют опуститься на дно контейнера. Это повторяют несколь ко раз.
Кварц, из которого чаще всего изготовляют оборудование для диффузии, нельзя использовать в системе с В20з. Когда В20 3 со прикасается с кварцем, происходит расстекловывание, и кварц ста новится негодным к употреблению. Можно использовать керамику или платину, но из керамики выделяются примеси, а платина — до рогостоящий материал.
Для устранения недостатков В20 3 или Н3В 03 их смешивают с Si02, используя метод совместного осаждения из тетраэтилортосиликата — SiO (СН3СН2)4.
При использовании В20з можно получить широкий диапазон ве личин поверхностных концентраций, но воспроизводимость пара метров при этом невысокая.
Жидкие диффузанты. На рис. 5.17, в показана система диффу зии в открытой трубе из жидкого источника. Для регулирования температуры жидкого источника и давления паров контейнер с ис точником термостатируют.
Фо с фо р . Ряд желательных характеристик имеет оксихлорид — РОС13. Он не гигроскопичен, имеет малый расход, стабилен по кон центрации фосфора при длительном использовании. Механизм диф фузии из жидкого источника аналогичен диффузии из P2Os, так как жидкие источники реагируют с избыточным кислородом, образуя Р20 5. На поверхностную концентрацию влияет расход РОС13, тем пература источника, диаметр диффузионной трубы, конструкция отражателя паров и состав газа-носителя. Как правило, по воспро
изводимости |
и |
возможности |
регулирования параметров системы |
с источником |
в |
жидкой фазе |
лучше, чем системы с источником |
втвердой фазе.
Стем же успехом используют трихлорид фосфора — РС13 и пен
тафторид фосфора — PF5 .
Бор. Трехбромистый бор ВВг3 — наиболее распространенный источник в жидкой фазе, используемый в системах диффузии бора в открытой трубе. Процесс диффузии почти такой же, как для фос фора из жидкого источника; только азот иногда пропускают над ВВг3, а не через него. Поверхностной концентрацией мож-'о управ лять путем изменения температуры диффузии, температуры источ ника и расхода потока. В газ-носитель добавляют кислород для окисления ВВг3 до В20 3 и для защиты поверхности от образования черных нерастворимых отложений.
159