Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Ванюков, А. В. Теория пирометаллургических процессов учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
141
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
22.07 Mб
Скачать

Остаточное содержание металла в шлаке в значитель­ ной мере определяется значением константы равнове­ сия обменной реакции. Если реакция записана как M e S +FeO = M eO +F eS, то при 1300° С величина константы равновесия обменной реакции для медного штейна (20% Си) составляет 1,3-10-5, для никелевого (17% Ni) 2,5-10-4 и для кобальтового (5% Со) 6,9-10-2. Поэтому можно ожидать, что содержания никеля и меди в форме окислов в шлаке будут малы, а кобальта значительны. Практика подтверждает эти расчетные выводы. Боль­ шая величина константы равновесия реакции взаимо­ действия сульфида цинка с вюститом приводит к тому, что цинк распределяется между штейном и шлаком.

§ 2. Кинетика и механизм окисления сульфидов

Процесс окисления сульфидов — гетерогенный экзо­ термический процесс, характеризующийся выделением большого количества тепла. Тепло выделяется в зоне химической реакции на границе раздела газ-твердая (жидкая) поверхность сульфида. Способность сульфи­ дов отдавать при окислении значительное количество тепла используется в пирометаллургических процессах. В целом ряде технологических операций окисление сульфидов и плавление шихты проводят автогенно или полуавтогенно, т. е. без применения внешнего обогрева или с минимальной затратой углеродистого топлива. К таким технологическим процессам надо отнести окис­ ление сульфидов в конвертерах, окисление твердых сульфидов в обжиговых печах, окисление сульфидов во взвешенном состоянии при кислородно-взвешенной плав­ ке и др.

Каждому сульфиду отвечает своя собственная темпе­ ратура воспламенения. Температура реакционной зоны, в которой происходит выделение тепла, отличается от температуры газового потока и окружающей среды. Ко­ личество тепла, выделяющееся в единицу времени, опре­

деляется скоростью химической реакции. Как

известно,

с повышением температуры (в кинетическом

режиме

процесса) скорость химической реакции растет по экс­ поненте. Количество тепла, отводимого от зоны реакции, зависит от условий теплопередачи. Скорость теплопере­ дачи <7 пропорциональна разности между температурой

поверхности сульфида

і\

и температурой в центре газо­

вого потока t2 :

 

 

 

я ^

а

{ ^

2)ХЛ5 + Ь

{ Ц

- § ,

(XI.24)

где a u

b

постоянные.

 

 

 

При определенных условиях количество тепла, выде­

ляющегося

в единицу времени, Qi становится

больше

количества

отводимого

тепла Q 2. Неравенство

Q I ~>Ç>2

отвечает условиям воспламенения сульфида. При дости­ жении этой температуры при заданной скорости потока окисление идет настолько интенсивно, что полученного тепла достаточно для быстрого разогрева массы вещест­ ва и самопроизвольного распространения реакции по всей массе материала. Температура воспламенения сульфидов зависит от целого ряда факторов. В первую очередь от особенностей строения сульфида, степени разупорядоченности, количества дислокаций и других

дефектов

на поверхности,

от размера зерна

суль­

фида,

от

теплоемкости,

теплопроводности и

плот­

ности

окисляемого материала и образующейся

пленки

продуктов окисления. Очевидно, чем более дефектную структуру имеет сульфид, тем легче пройдет процесс его взаимодействия с кислородом. Скорость реакции за­ висит от величины поверхности раздела сульфид-газ. Более мелкие зерна сульфидов воспламеняются при бо­ лее низкой температуре. Чем выше теплоемкость и плот­ ность сульфида, тем выше температура его воспламене-

Т а б л и ц а 22

ТЕМПЕРАТУРА ВОСПЛАМЕНЕНИЯ НЕКОТОРЫХ СУЛЬФИДНЫХ МИНЕРАЛОВ

 

 

Температуры воспламенения, °С

 

Величина зерен,

халько­

 

пирро­

 

 

мм

пирита

сфалерита

галенита

 

пирита

тина

+ 0 ,0 —0,05

280

290

330

.554

505

+ 0 ,0 5 —0,075

335

345

419

605

697

+ 0 ,0 7 5 —0,10

357

405

444

623

710

+ 0 ,1 0 —0,15

364

422

460

637

720

+ 0 ,1 5 —0,20

375

423

465

644

730

+ 0 ,2 0 —0,30

380

424

471

646

730

-і-0,30—0,50

385

426

475

646

735

+ 0 ,5 0 —1,00

395

426

480

646

740

+ 0 ,0 0 —2,00

410

428

482

646

750

ния. Ориентировочные значения температуры воспламе­ нения различных природных сульфидных минералов по данным И. И Пензимонжа представлены в табл. 22. Большое влияние на температуру воспламенения оказы­ вают и внешние условия. Увлажнение воздуха приводит к некоторому снижению температуры воспламенения. Разбавление воздуха сернистым газом, наоборот, повы­ шает температуру воспламенения.

Рис. 171. Кинетические кривые окисления некоторых сульфидов кислородом воздуха:

1 — FeSs; 2 — CuFeS?; 3 — CujS; 4 — ZnS; 5 — CoS; 6 — Ni3S2

Высшие сульфиды, имеющие более дефектную струк­ туру (пирит), воспламеняются при более низких темпе­ ратурах, чем низшие — пирротин.

Процесс окисления сульфидов как сложный много­ стадийный включает как минимум следующие этапы:

1) перенос газовых молекул из центра потока к по­ верхности сульфида; 2) хемосорбцию кислорода на по­ верхности сульфида или продукта окисления; 3) собст­ венно химический акт окисления сульфида; 4) диффу­ зию катионов или анионов через сульфид или окисел к реакционной зоне; 5) десорбцию газообразных продук­ тов реакции с гетерогенной поверхности раздела.

Каждый из этих этапов в свою очередь состоит из отдельных стадий, что сильно усложняет картину про­

цесса. В зависимости от внешних условий, строения сульфида и образующегося окисла процесс может про­

текать в диффузионном,

кинетическом

или переход­

ном режиме. На рис.

171 приведены

кинетические

кривые окисления ряда сульфидов кислородом воздуха

при 700° С. В зависимости от природы сульфида

скоро­

сти окисления резко

отличаются

друг

от

друга.

В табл. 23 приведены

по данным

В. И.

Смирнова и

А. И. Тихонова значения кажущейся энергии активации процесса окисления некоторых сульфидов в температур­ ном интервале, близком к промышленным режимам об­

жига. Для облегчения сравнительной

оценки кинетики

 

 

Т а б л и ц а

23

КАЖУЩИЕСЯ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ОКИСЛЕНИЯ

 

СУЛЬФИДОВ МЕТАЛЛОВ Е В КИПЯЩЕМ СЛОЕ

 

 

Температурный

Е, ккал/м оль

 

Сульфиды

интервал, °С

 

Пирит

500—700

8,1 — 11,0

 

Полусериистая медь

600-750

7,5—8,1

 

Халькопирит

600—750

9,0— 10,5

 

Сфалерит

600—750

44,0—46,0

 

Сульфид кадмия

645-845

38—39

 

Сульфид никеля

700—900

26,8

 

Сульфид кобальта

600—800

24,8

 

Дисульфид рения

420—600

2,0

 

Сульфид молибдена

400—650

3,3

 

Сульфид рения

530—750

3,0

 

 

 

Т а б л и ц а

24

ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ РЕАКЦИИ ОКИСЛЕНИЯ

 

РАЗЛИЧНЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МОДИФИКАЦИЙ СУЛЬФИДА ЦИНКА

 

М одиф икация

Тем пературны й

Я, ккал/м оль

 

интервал, °С

 

 

 

 

Аморфный ZnS ..........................

500—700

36,9

 

Кристаллический ZnS:

 

45,4

 

кубическая решетка . . .

625—900

 

гексагональная решетка .

650—970

48,7

 

Природный ZnS:

 

 

 

сф алери т ...............................

760—860

46,5

 

марматит ...............................

710—870

55,4

 

окисления разных сульфидов крупность образцов и ус­ ловия их окисления (кипящей слой) приняты одина­ ковыми.

Как видно из таблицы, в условиях близких к про­ мышленному обжигу в кипящем слое лишь окисление сульфида цинка п кадмия протекает в кинетическом ре­ жиме, сульфиды кобальта и никеля, по-видимому, окис-

Рис. 172. Кинетические кривые окисления сульфида цинка (а) и сульфи­ да кадмия (б) кислородом воздуха:

/ — 630" С; 2 — 710° С; 3 — 790° С; 4 — 830° С;

5 — 910° С; 6 — 645° С;

7 — 735° С; 8 — 790° С; 9 - 845° С;

10 — 875° С

ляются в переходном режиме, остальные сульфиды в диф­ фузионном режиме.

Рассмотрим особенности кинетики и химизма окис­ ления твердых сульфидов в условиях кинетического ре­ жима. Как известно, такой процесс характерен для низ­ ких температур и лишь для ZnS и CdS, диффузионные затруднения не лимитируют процесса и при высоких температурах.

На примере окисления сульфидов цинка и кадмия (по данным Р. Димитрова и А. В. Ванюкова) рассмот­ рим кинетические особенности процесса.

При повышении температуры скорость окисления обоих сульфидов возрастает (рис. 172, а, б ) . На кине­ тических кривых, особенно в области низких темпера­ тур, хорошо заметен индукционный участок. Молено разграничить таклсе участки автокаталитического пери­ ода и периода усредненного фронта реакции. Следова­

тельно, кинетические кривые как окисления этих сульфи­ дов, так и свойственные топохимическим процессам по­ добны.

Скорость окисления сульфида цинка в значительной степени зависит от строения кристаллической решетки различных модификаций ZnS и физического состояния поверхности кристаллов. В табл. 24 приведены величиные энергии активации реакции окисления ZnS, находя­ щегося в различной модификации.

Самые низкие значения энергии активации свойст­ венны аморфному сульфиду. Это естественно, так как огромное количество поверхностных дефектов, как точеч­ ных, так и плоскостных снижает затруднения индукци­ онного периода, обеспечивает предпочтительные усло­ вия для развития хемосорбции кислорода. Для разру­ шения более прочных связей в решетках кристаллических образцов ZnS требуется большая затрата энергии. Значения энергии активации у ZnS с кубической решет­ кой, гексагональной и природного сфалерита довольно близки. Гексагональный ZnS окисляется несколько труднее кубического, что, по-видимому, связано с неко­ торым различием в параметрах решеток у исходного ку­ бического сульфида и образующейся окиси цинка. У гексагонального сульфида цинка и ZnO параметры кристаллических решеток близки между собой, что воз­ можно обеспечивает более плотное сопряжение окисла и сульфида, затрудняющее доставку кислорода к месту реакции. Вообще же поверхности окиси цинка и ZnS, повидимому, сопрягаются неплотно, что объясняется боль­ шим различием в величинах молярного объема у суль­ фида цинка и образующегося ZnO (24-10_3 м3 для ZnS и 14,6-ІО-3 м3 для окиси цинка). Как показали исследо­ вания, проведенные с помощью электронного микроско­ па, поверхность частично окисленного ZnS прикрывает ся трещиноватой пленкой ZnO, которая не препятствует доступу кислорода к зоне реакции. Видимо этим и объ­ ясняется тот факт, что сульфид цинка и при высоких температурах окисляется в кинетическом режиме.

Более высокое значение энергии активации у природ­ ного марматита возможно связано с примесями, замед­ ляющими окислительный процесс.

Рассмотрим влияние концентрации кислорода в газо­ вом потоке на скорость окисления твердых сульфидов.

Если процесс протекает в кинетическом режиме, то в общем.виде эта зависимость описывается уравнением

__ Е_

v = K e RT р 0

При постоянной температуре скорость процесса пря­ мо пропорциональна парциальному давлению кислорода

в газовой фазе

ѵ =

К г р 0 _.

По мнению

К.

Хауффе, такую зависимость можно

объяснить различной скоростью хемосорбции кислорода на поверхности сульфида, зависящей от концентрации 0 2 в газовой фазе.

Рассмотрим возможный химизм окисления сульфи­ дов в твердом состоянии. Одной из первых попыток объ­ яснения механизма окисления сульфидов была так на­ зываемая дпссоцпоиная гипотеза, согласно которой на­ чальный этап окисления сульфида представляет диссо­ циация его на серу п металл. Затем эти элементы всту­ пают во взаимодействие с окружающей зерно газовой фазой, содержащей кислород:

2 M e S 2 М е + Sg,

2M e -f 0 2 = 2M e O ,

S2 -I- 202 = 2S02.

Несоответствие экспериментальных данных выдвину­ тым предположениям довольно быстро привело к замене этой гипотезы другими теориями.

В учебной и научно-технической литературе до по­ следнего времени можно встретить обсуждение двух вероятных механизмов окисления сульфидов — оксидную и сульфатную теорию. Сторонники обеих теорий в каче­ стве первичного акта химической реакции окисления со­ вершенно справедливо принимают хемосорбцию кисло­ рода на поверхности сульфида. Согласно оксидной тео­ рии в процессе развития хемосорбции на поверхности сульфида образуются окислы соответствующих метал­ лов, которые при определенных условиях могут сульфатпзироваться серным ангидридом, превращаясь во вто­ ричные сульфаты:

2 M e S З03 =

2/ИеО + 2S02,

SO, + Г 2 0 я = S03,

M e О -f SO, =

M e S O i

27—341

Сторонники сульфатной теории считают, что в ре­ зультате хемосорбции молекулы кислорода распадаются с образованием атомарного кислорода, который внедря­ ется в решетку твердого сульфида. Через образование промежуточных соединений происходит взаимодействие этого кислорода с сульфидом, которое оканчивается образованием сульфата. Сульфат распадается с образо­ ванием окисла и выделением S 0 3. Возможно также вза­ имодействие сульфида с сульфатом с образованием окисла или металла. Таким образом, основные положе­ ния сульфатной теории могут быть уложены в следую­ щую схему:

AîeS +

202 = MeS04,

MeS04

- M e О + S03,

S03 -

SOa + l/г о ,,

M e S + 3MeS04 = 4 M e O + 4S02,

MeS +

M e S04 = 2M e f 2S02.

В последние годы E. В. Маргулис предложил так на­ зываемую адсорбцнонно-диссоцпонную теорию. Суть ад- сорбщюнно-диссоционной теории сводится к следующе­ му. Предполагается, что в результате хемосорбции ки­ слорода на поверхности сульфида образуется перекисный комплекс, который разлагается с выделением атомарно­ го кислорода. Последний вновь вступает в реакцию с соседними молекулами сульфида. Таким образом, на поверхности сульфида получаются метастабпльиые сорб­ ционные комплексы с нарастающей насыщенностью кис­ лородом. Предлагается следующее изображение процес­ са: в пунктирной рамке промежуточные продукты реак­ ции, находящиеся в метастабильном состоянии, конеч­ ный и исходный продукт — кристаллические фазы:

А

А

А

А

M e S->

M e SO--> MeS02-> M e S03 -> M e S04 j-»MeS04

|0

jO

|0

^0

 

Структурные формулы таких оксисульфидных комп­ лексов имеют следующий вид:

о

О

 

 

 

 

MeAS или Me Л s.

. Развитие процесса приводит кобра-

 

 

О

 

0

0

зованию сульфитов

Me S = 0

пли сульфатов Me

 

 

 

 

О

 

О

О

Если

сорбционные оксисульфндныекомплексы

 

до­

статочно

устойчивы,то сорбция

пройдет глубоко

и мо­

жет завершиться образованием сульфата. Если же ука­ занные комплексы мало устойчивы, то ступенчатый про­ цесс сорбции может оборваться вследствие диссоциации комплекса прежде, чем к нему успеет присоединиться следующая порция кислорода. Чем менее устойчивы комплексы, тем на более ранних стадиях может пройти диссоциация, например:

MeS -> І M e SO -> MeSO, -> MeSCL

M e O 4- S02

Me'S-> ! Me'SO -> M e ' S02 j -> Me'O+SO,

M e"S > ! M e"SO -> M e"S02

-> Me" -i- S02,

M e"'S -> ; MewSO \-> M e'" -: SO.

 

Образовавшаяся в

результате

диссоциации моно­

окись серы окисляется газовой фазой до SO2.

Прочность комплекса зависит от поляризующей спо­

собности катиона. Чем

меньше поляризующая способ­

ность катиона, тем прочнее

комплекс. Поляризующая

способность, как известно, прямо пропорциональна ион­ ному потенциалу (i = z / r ). Повышение температуры сни­ жает прочность комплексов.

Таким образом, при низких температурах более ве­ роятно образование' в качестве первичного продукта сульфата, а при высоких — окисла или металла. При­ чем металл получается лишь в том случае, если связь M e —О (сродство к кислороду) не очень прочна.

Авторы данной книги считают, что наиболее объек­ тивную информацию о химизме окисления твердых суль-

фпдов можно получить на базе общей теории твердого тела. К сожалению пока что почти отсутствуют работы, поставленные в этом плане. В качестве примера такой постановки вопроса рассмотрим предложенный К. Хауффе механизм окисления сульфида олова. Начальную ста­ дию реакции представляет хемосорбция кислорода на поверхности сульфида. Вследствие высокого сродства к электрону молекула кислорода, ионизируясь, отнимает электроны проводимости из решетки сульфида. Суль­ фид олова имеет некоторый избыток серы против стехи­ ометрии H поэтому представляет собой полупроводник р-тнпа, с вакансиями катионов \ДМ2 (- в решетке. Проис­

ходит заимствование электронов из поверхностного слоя, что повышает концентрацию дырок и увеличивает элект­ ропроводность:

(XI.25)

Чем выше парциальное давление кислорода в газо­

вой фазе, тем большая

часть поверхности будет занята

 

 

адсорбированным

кислородом

 

 

и большее количество дополни­

 

 

тельных дырок возникнет в зо­

 

 

не реакции.

Такая закономер­

 

 

ность

зафиксирована экспери­

 

 

ментом (рис. 173). Если суль­

 

 

фид является электронным по­

 

 

лупроводником с избытком ме­

 

 

талла

 

сверх

стехиометрии

и

 

 

электронами

в зоне

проводи­

Рнс.

173. Зависимость электриче­

мости,

хемосорбция

кислорода

вызовет

наоборот

уменьшение

ского

сопротивления граничного

слоя SnS от парциального давле­

электропроводности

поверхно­

ния кислорода при 20° С

стного слоя. Действительно, по

А. В. Ванюкова, при

данным

Р.

Димитрова

и

частичном

окислении

 

сульфидов

цинка и кадмия электропроводность кристаллов снижа­ лась. Введение легирующих добавок в сульфид кадмия направленно изменяло скорость окисления этого суль­ фида. Изменение энергии активации реакции окисления сульфида кадмия CdS при температурах 645—845° С в зависимости от легирующих добавок приведено ниже

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ