Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Пенкаля, Т. Очерки кристаллохимии

.pdf
Скачиваний:
25
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
17.84 Mб
Скачать

этой структуры пишут в виде суммы 8 + 6 = 14, где 8 относится к ближней координационной сфере, а 6 — к следующей.

Рис. 4.2. Структура типа а-вольфрама:

а —элементарная ячейка; б —проекция на плоскость (001).

Рис. 4.3. Структура

типа меди:

а —элементарная ячейка; б —проекция

на плоскость (001); в —выде-

лёние координационного многогранника; г —кубооктаэдр.

В элементарной ячейке типа a-W

находятся два атома (Z = 2,

см. стр. 19). Степень заполнения пространства касающимися друг друга атомами (теоретически сферическими) равна 68,2%, остальное

т

п р о с т р а н с т в о с в о б о д н о ( п у с т о т ы ) .

с л е д у ю щ и е м е т а л л ы :

 

а, к

В а ..........................

5.020

С г .........................

2,885

C s .........................

6,0

a - F e .....................

2,8665

К ..............................

5,34

L i ..........................

3,5

M o ..............................

3,1473

N a ..........................

4,2

С т р у к т у р о й т и п а a - W о б л а д а ю т

 

а, Â

N b .........................

3,296

R b .............................

5,6

Т а ..............................

3,296

ß - T l.........................

3,88

V ..............................

3,039

a - W ..............................

3,164

ß -Z r ..........................

3,62

Тип меди, [А\\ Fm3m. Кубическая гранецентрированная струк­

тура (рис. 4.3). Координаты атомов: 000 и 0 j j С (см. стр. 24).

Рис. 4.4. Плотнейшая упаковка шаров в кубической сингонии:

а —расположение шаров в слое, перпендикулярном |1ІІ] (каждый шар соприкасается с 6 шарами); б —система па­ раллельных наиболее густо заселенных слоев (111) в эле­

ментарной

ячейке;

в —способ наложения

слоев друг на

друга

(повторяется

каждый

четвертый

слой); г — проекция

шаров

на

плоскость (111)

(Л —первый

и

четвертый слои;

В — второй слой, С —третий слой).

К. ч. = 12 (СиСиіг). Координационный многогранник — правиль­ ный кубооктаэдр (комбинация куба с октаэдром). Число атомов Z в элементарной ячейке равно 4 (см. стр. 19). Минимальное рас­

стояние между центрами

соседних

атомов — половина диагонали

грани куба: d =

0,7071а.

Тип этой структуры отвечает

8J

плотнейшей упаковке шаров равного диаметра, а степень заполне­ ния пространства достигает 74,05%.

При рассмотрении упаковки слоев в направлении телесной диагонали куба можно заметить, что над первым слоем в иден­ тичном положении находится четвертый слой (рис. 4.4, в, г). На рис. 4.4, а показана упаковка шаров в одном слое, перпендикуляр­ ном телесной диагонали куба. Каждый шар в слое соприкасается с шестью другими шарами. Шары второго слоя находятся в свет­ лых промежутках между шарами первого слоя. Они занимают по­

 

 

ловину пустот первого слоя,

 

 

причем каждый шар перво­

 

 

го слоя соприкасается с тре­

 

 

мя шарами второго. Третий

 

 

слой находится

в пустотах

 

 

второго слоя над зачернен­

 

 

ными пустотами первого, а

 

 

каждый

шар

 

четвертого

 

 

слоя лежит точно над ша­

 

 

ром первого.

 

 

 

 

 

Между соприкасающими­

 

 

ся шарами существуют два

 

 

рода пустот (рис. 4.5):

 

 

тетраэдрические

и

октаэд­

 

 

рические.

Первые окружены

 

 

четырьмя шарами таким об­

Рис. 4.5.

Два рода пустот в плотнейшей

разом,

что центры

шаров

лежат

в

вершинах тетраэд­

 

кубической упаковке:

ра,

вторые

 

образованы

а —тетраэдрическая пустота; б —октаэдрическая

 

шестью шарами,

центры ко­

пустота;

8 —расположение тетраэдрических пу-

 

стот в элементарной ячейке.

торых

лежат

в

вершинах

 

 

октаэдра.

На

п

шаров, об­

разующих структуру, приходится п октаэдрических пустот и 2п тетраэдрических. Центры октаэдрических пустот соответствуют точкам, находящимся на серединах ребер и в центре кубической

элементарной ячейки:

у Т Т

и

ЦентРы тетраэдрических

пустот

 

находятся

в точках

с

координатами:

1 1 1

3 3

3

 

^ Т Т ’

Т Т Т ’

1

1

3

 

3

3

1

рис.

4.5,ß

показано положение

восьми тетраэд­

4

4

4

4

4

4 . На

рических пустот в элементарной ячейке.

Многие химические соединения кристаллизуются по принципу плотнейшей шаровой упаковки анионов, в то время как в тетра­ эдрических либо октаэдрических пустотах размещаются катионы, которые обычно меньше анионов.

Если радиус шаров, образующихся соприкасающимися между собой анионами, примем за 1, то радиус шаров, помещающихся в тетраэдрические пустоты, будет не более 0,22, а в октаэдриче­ ские пустоты — не более 0,41,

83

С т р у к т у р у т и п а м е д и и м е ю т м н о г и е м е т а л л ы :

 

а, А

Ag . . . .

 

A l . . . .

 

A u . . . . . . .

4 ,0 7 8 6

а - С а . . . . . .

5 ,5 7 6

С е . . . .

 

ß - C o . . . . . .

3 ,5 6

C u . . . .

 

y - F e . . .

 

І г . . . .

 

 

 

 

а, Â

L a

. . .

,. . . .

5 ,3 0

v - M n . . . . . .

3 ,8 4

N i

. . .

,

 

P b

. . .

,. . . .

4 ,9 4 9

P d

. . .

. . . .

3 ,8 9 0 5

P t

. . .

,

 

R h

. . .

,

 

S r

. . .

,

 

T h

. . .

,

 

Аналогичную кубическую гранецентрированную Г'-решетку имеют также благородные газы в твердом состоянии (Ne, Ar, Kr, Xe).

Тип магния, [A3], Рбз/mmc. Гексагональная сингония (рис. 4.6). При определении координат точек рассматриваем элементарную

Рис. 4.6. Структура типа магния:

а — коо р ди н аты

б а з и с н ы х

атомов:

6 — э л ем ен тар н ая яч ей ка ; в — пр о екц и я

р ас п о л о ж е н и я

атом ов

м агн и я на

(0001); г — г е к с а го н а л ь н а я п л отнейш ая

 

у п а к о в к а (повторяется

к аж д ы й тр ет и й слой).

 

 

 

ячейку, имеющую в основании

ромб с углами 60

и

120°.

Коорди-

наты точек: 000,

1 2

1

к. ч. =

12 (MgMgi2);

Z =

2.

Кратчай­

у -д -у ;

шее расстояние между центрами атомов равно длине ребра осно­ вания элементарной ячейки а.

83

Структурный тип Mg является примером плотнейшей гекса­ гональной упаковки. Над первым горизонтальным слоем в том же

положении находятся шары третьего слоя (см. рис.

4.6, е). В этой

структуре существует

только

одно направление,

совпадающее

с кристаллографической

осью

Z, перпендикулярно

которому рас­

положены слои с наибольшей ретикулярной плотностью. В струк­ туре типа Си существует четыре системы плоскостей с наибольшей

 

 

 

 

 

 

 

ретикулярной

плотностью,

 

 

 

 

 

 

 

Которые совпадают с телес­

 

 

 

 

 

 

 

ными

диагоналями

 

куба

 

 

 

 

 

 

 

(см. рис. 4.4, б).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Плотной

упаковке шаров

 

 

 

 

 

 

 

в структуре типа Mg отве­

 

 

 

 

 

 

 

чает отношение высоты эле­

 

 

 

 

 

 

 

ментарной ячейки к ве­

 

 

 

 

 

 

 

личине

 

ребра

основания:

В

 

 

 

 

 

 

c/a = Y 8 /3 =

1,633.

Только

 

 

 

 

 

 

при этой величине все 12

 

 

 

 

 

 

 

ближайших

 

атомов

 

нахо­

 

 

 

 

 

 

 

дятся на одинаковом рас­

 

 

 

 

 

 

 

стоянии

от

центрального

 

 

 

 

 

 

 

атома.

реальных

металлах

 

 

 

 

 

 

 

В ’

 

 

 

 

 

 

 

величина с/а несколько от­

 

 

 

 

 

 

 

личается

от

 

V 8/3,

в

связи

 

 

 

 

 

 

 

с чем 12 ближайших атомов

Рис. 4.7. Сопоставление координационных

можно

 

разделить

на

две

полиэдров в структурах типа меди и магния;

сферы:

6 +

6.

В ближайшей

а —правильный

кубооктаэдр;

б—центросимме­

координационной

сфере на­

тричное

расположение треугольных оснований

ходятся

шесть атомов

гори­

в структуре типа Си;

в —координационный поли­

эдр в структуре

типа

Мg; г — плоскосимметрич­

зонтального слоя, а по три

ное расположение треугольных оснований в коор­

динационном

многограннике

структуры типа Mg

атома

сверху

и

снизу

рас­

(оба

треугольника —зеркальное

отображение

положены

на

несколько

в плоскости,

проходяшей

через

центральный

 

 

 

атом).

 

 

ином

расстоянии,

которое

можно рассчитать по формуле:

 

 

 

 

В

структурах

типа

Mg

при с/а =

1,633

степень

заполнения

пространства

ша­

рами такая же, как и в структуре типа Си, —74,05%. Координа­ ционный многогранник, иногда называемый «гексагональным кубооктаэдром», фактически является комбинацией двух тригональных дипирамид с пинакоидом (рис. 4.7, б). Этот координационный полиэдр можно получить из правильного кубооктаэдра (рис. 4.7, а) поворотом на 60° его верхней половины вокруг тройной оси. В этом типе структур две параллельные грани пинакоида — равносторон­ ние треугольники. Если тройную ось расположить вертикально, то вершины обоих треугольников будут находиться на перпендику­ лярах (параллельная ориентация, рис. 4.7,г). В правильном же кубооктаэдре параллельные треугольники находятся в центросим­ метричном положении по отношению друг к другу (прямая, прохо­

84

дящая через вершину одного треугольника и центр симметрии кубооктаэдра, проходит через вершину другого треугольника,

рис. 4.7,6).

Подобно структурам типа Си, и здесь на п шаров, образую­ щих структуру Mg, приходится п октаэдрических пустот и 2п тет­ раэдрических (рис. 4.8).

Рис. 4.8. Расположение пустот в гексагональной плотнейшей упаковке:

а —тетраэдрические пустоты; б—октаэдрические пустоты.

Структурой типа магния обладают многие металлы (табл. 4.1). Этот тип структуры характерен для гелия.

Таблица 4.1

 

 

 

'

 

 

 

Параметры структуры (в Â) элементов типа магния

 

 

 

Элемент

a

c

cja

Элемент

a

c

c\a

Be

2,286

3,584

1,568

ct-Ni

2,665

4,29

im

ß-Ca

3,99

6,54

1,64

Cs

2,735

4,316

1,578

Cd

2,9791

5,6153

1,8859

a-Pr

3,67

5,95

1,62

ct-Ce

3,6

5,83

1,62

a-Ru

2,704

4,280

1,583

a-Co

2,519

4,114

1,633

a-Ti

2,96

4,74

1,60

ß-Cr

2,725

4,420

1.62

a-Tl

3,46

5,54

1,60

La

3,76

6,05

1,61

Y

3,67

5,80

1,58

Mg

3,2093

5,21161

1,6239

Zn

2,6649

4,9469

1,8563

Nd

3,66

5,89

1,61

a-Zr

3,23

5,14

1,59

Тип алмаза, [Л4], Fd3m. Структура кубическая

(рис.

4.9). Ко­

ординаты

атомов

углерода:

000, у О у С . Т Т Т ’ Т Т Т ^ ’

Атомы углерода занимают вершины и центры граней элементар­ ной ячейки, а также половину тетраэдрических пустот (рис.4.9,б).

85

К-ч. = 4(СС4).

Координационный полиэдр — правильный

тетра­

эдр. Z — 8. Эта

решетка образуется взаимным смещением двух

решеток типа меди (кубическая

гранецентрированная) по телес­

ной диагонали на 1/4 ее длины.

Минимальное расстояние

между

а

 

б

 

Рис. 4.9. Структура алмаза:

а —элементарная ячейка; б —проекция на (001); в —расположение тетраэдров*

бплоские сетки в структуре алмаза, параллельные граням тетраэдра (П1)!

центрами двух атомов =0,4330а. Степень заполнения пространства — 34,01 %.

Параметры элементарных ячеек для элементов этого струк­ турного типа следующие:

 

а. а

 

а, к

С .............................

3,559

G e ...............................

5,65

.............................

5,419

a-Sn (серое олово)

6,46

Спайность алмаза по плоскостям, параллельным граням окта­ эдра, находит выражение в его внутренней структуре (рис. 4.9,г),

86

Граням октаэдра соответствуют спаренные плоскости решетки, образующие двойные слои.

Тип белого олова ß-Sn,

[А5], H/amd. Структура тетрагональная

(рис. 4.10): а — 5,83 А, с =

3,17 Â,

с/а — 0,5456. Координаты ато­

мов: 000, 0 - j T ’ Т ^ Т ’ Т Т Т ‘

Структура ß-Sn является дефор­

мированной структурой алмаза. Каждый атом олова окружен

четырьмя

соседними

атомами

на расстоянии 3,03 Â и двумя

ато­

мами на

несколько

большем

расстоянии — 3,18А (к.ч. = 4 +

2).

Рис. 4.10. Структура белого олова:

с —элементарная ячейка: б —проекция на (001): s —координа­ ционный полиэдр.

Z = 4. Белое олово устойчиво при температуре выше 18 °С, при более низкой температуре превращается в серое олово со струк­ турой типа алмаза.

Тип индия, [Л6], 14/ттт. Структура тетрагональная, псевдоку­ бическая. Атомы In расположены в вершине и центрах граней

искаженного куба. Координаты атомов: 000, у - ^ - 0( + Кристал­

лическую структуру In можно рассматривать как несколько де­ формированную структуру типа Си [Л2] (см. рис. 4.3). У индия с/а = 1,077, у меди с/а = 1; Z — 4. Плотность упаковки 68,7%. Элементы, относящиеся к структурному типу индия, приведены в табл. 4.2.

87

Таблица 4.2

Параметры структуры (в Â) элементов типа индия

Элемент

а

С

с/а

Элемент

а

С

da

Іп

4,592

4,946

1,077

Au,

Cu

3,99

3,71

0,93

у-Мп

3,78

3,52

0,93

Ni,

ß-Zn

2,745

3,19

1,16

Тип мышьяка, [Л7], R3m. Структура ромбоэдрическая (рис. 4Л1). К. ч. = 3 (AsAs3). Координационный многогранник — равносторон-

Рис. 4.11. Структуры мышьяка и висмута:

а—элементарная ячейка в форме ромбоэдра: б— гексаго­ нальная элементарная ячейка слоистая решетка).

ний треугольник; центральный атом находится над центром тре­ угольника или под ним; Z = 2. Решетка слоистая, характерна для

As, Ві и Sb (табл. 4.3).

Тип селена, [А8], Р3]2 и РЗг2. Тригональная сингония (рис.4.12).

1

2

и — 0,217;а = 4,35А,

Координаты атомов: «00, ü«-g,

0 « у , где

Таблица 4.3

Параметры структуры элементов типа мышьяка

Элемент

а, к

а

As

4,14

54° 7'

Bi

4,736

57° 14' 13"

Sb

4,4976

57° 6' 27"

Тип

графита,

[А9], Рбз/ т т с .

с — 4,95 Â;

к. ч. =

2; Z =

= 3. Структурный

мотив —

спиральные

цепи

атомов

Se—Se—Se ... , проходящие вдоль тройной оси симмет­ рии кристалла, причем каж­ дый атом в своем ближай­ шем окружении имеет два атома на расстоянии 2,36 А. Структуру типа селена име­ ет также теллур.

Гексагональная сингония

(рис. 4.13). Координаты атомов: 000, 00-^-, - |у м , у - |- у + ы.

Параметр и весьма мал (меньше 1/60с). К.ч. = 3 (СС3). Коорди-

6

Рис. 4.12. Структура селена:

я —расположение цепей в кристаллической ре­ шетке; б —расположение атомов в цепи; в —проек­ ция на (001).

б

6

Рис. 4.13. Структура графита:

а —плоская сетка

с плотнейшей упаков­

кой атомов (слой):

6 —расположение пло­

ских сеток в гексагональном графите (ABAB); в—структура ромбоэдрического графита (повторяется каждый четвертый слой АВСАВС).

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ