Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Сухвало, С. В. Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов

.pdf
Скачиваний:
16
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
15.03 Mб
Скачать

верхностью. В этом суть возможных отличий термодинамиче­ ских параметров пленок от равновесных аналогов.

С определенным приближением необходимые термодина­ мические (параметры пленок можно находить расчетным пу­ тем .исходя из их равновесных значений [147—156]. В общем

L Г с

случае A S = - ^ \ - ^ d T , а величины L и ср зависят от темпера­

туры по степенному закону:

 

L = L0 -j- АаТ -j- АЬТ2- г - - - ,

(1.48)

ср = а-\-ЬТ + сТ* + ... ,

(1.49)

где ср — теплоемкость; L0, Аа, АЬ, ..., а, Ь, с,... — коэффициен­ ты степенного разложения, имеющиеся в стандартных спра­ вочных таблицах [153, 157—159]. Поэтому с приближением до трех членов разложения можно записать

тпр

 

 

AS = Д50 °к т' j й

- - dT,

(1.50)

о “К

 

 

где Д5о°к — стандартное справочное значение энтропии при 0 °К; Тпр — температура, при которой ведется кристаллизация.

Наряду с нахождением, величины термодинамического пересыщения AZn иногда полезно расчетным путем, не прибе­ гая к эксперименту, оценить также абсолютное изменение сво­ бодной энергии Гиббса (изобарный потенциал) при том или ином превращении. Сразу заметим, что при значительном от­ клонении кристаллизационных процессов от равновесия по­ добные расчеты можно осуществить, по-видимому, лишь при­ ближенно (по причинам, изложенным ранее).

Для таких целей используется общепринятая схема расче­

та [153, 157—159]:

 

 

Тпр

Тпр

 

AZ = АН0 - TAS0- Tnp j'

j' ДcpdT,

(1.51)

О°К

О

 

где Д #0 — стандартная энтальпия превращения; Acp— f(T) —• изменение теплоемкости при превращении. В приведенном уравнении рассматривается зависимость термодинамических характеристик только от температуры, что в случае кристал­ лизации пленок в общем-то недостаточно, поскольку должно учитываться влияние других параметров состояния, отличаю­ щихся от равновесных, например давления и др.

Как известно, термодинамическим расчетам AZ обычно со­ путствует .нахождение так называемой константы равновесия

50

Кр. Из уравнения AZ0 = Atf0— TAS0 и AZ0 = —RT In Кр следу­ ет, что

Kv = 0,21858

AS0J.

(1.52)

Полный расчет Кр ведется' аналогично AZ по усложненному

уравнению следующего вида [159]:

 

 

lg /ср =

+ А/ (AS) +

Дс0М0 + Ас1М1 +

 

+

Ас2М2-Ь Ас_2М„2

(1.53)

Приближенный расчет lg /Ср можно выполнить ■по

урав-

нению

д я 0

, AS0

 

Jg*p =

(1.54)

4,5757’ '

4,575

 

 

В (1.53) коэффициенты Af(AH), Af(AS), с0 и другие находятся по стандартным таблицам [157—159].

Следует сказать, что константе равновесия Кр для процес­ са кристаллизации пленок (как и для других процессов по­ добного рода) затруднительно придать четкий физический смысл. Тем не менее, ограничиваясь лишь ее общим феномено­ логическим смыслом, можно с помощью Кр проводить полез­ ные во многих отношениях оценки закономерностей различ­

ных процессов превращения — кристаллизационных,

рекри-

сталлизационных, структурных и других.

методы

В связи с тем что описанные выше расчетные

нахождения термодинамических параметров тонких

пленок

все же весьма приближенны, важно найти возможность их экс­ периментального определения. Заметим, что использование классических методик для указанных целей затруднено. Мы считаем, что весьма полезные результаты по термодинамиче­ ским параметрам кристаллизационных процессов пленок мо­ гут быть получены в результате применения методов теории абсолютных скоростей реакций [160]. Эта теория применима к определению скорости любого процесса, связанного с пере­ группировкой атомов в металлах и сплавах, и использование ее выводов в случае процесса кристаллизации пленок позволяет написать уравнение скорости роста в виде

AF

__ AF

 

vp — nve kT —vae kT ,

(1.55)

q

где n = n0e RT — число активированных атомов; /?„— число всех атомов; Eq— энергия активации; v = kTjh (h — постоянная План­

4*

51

ка); AF— свободная энергия активации кристаллизационного про­ цесса.

В теории абсолютных скоростей реакций [160] впервые четко доказано, что скорость любой 'реакции, в том числе и кристаллизационного процесса, определяется свободной энергией активации, а не просто теплотой активации. Это обстоятельство позволяет применять термодинамические соот­ ношения при рассмотрении скоростей подобных процессов. Так, в частности, изменение величины свободной энергии ак­ тивации AF подчиняется следующему термодинамическому соотношению:

AF = АН — TnAS,

(1.56)

где АН и AS — изменения энтальпии

(теплосодержания) и

энтропии, сопровождающие процесс кристаллизации пленок; Т„ ■— температура подложки (кристаллизации). В таком слу­ чае по уравнению (1.55) имеется возможность определения ря­ да термодинамических характеристик кристаллизационного процесса. Для этого прологарифмируем выражение (1.55) и

найдем зависимость In Vy=f(\/Tn).

Подобная зависимость

позволяет, как нетрудно видеть,

определить

величину AF.

В свою очередь в соответствии с уравнением

(1.56) .из зависи­

мости AF = f(Tn)

по тангенсу наклона

определяется энтропия

кристаллизации

(плавления) AS,

а по ординате пересечения с

осью координат — энтальпия кристаллизационного процесса. Знание указанных величин, т. е. AF, АН н AS, позволяет опи­ сать термодинамическую сторону процесса кристаллизации пленок и определить многие их термодинамические характе­ ристики. Обратим внимание, что указанные определения мож­ но сделать независимыми от системы единиц измерения ско­ рости роста пленок. В самом деле, для двух температур под­ ложки, достаточно близких, чтобы не изменились кинетические условия роста пленок и коэффициент v0, можно записать:

1 п -^!_ =

- Д F/kTnl,

V n

 

In

AF

kTm

откуда

 

AF = — l n ^ i

(1.57)

*>P,

 

Кинетическую сторону процесса кристаллизации в извест­ ной мере отражает кинетический коэффициент скорости kn. Согласно (1.44), он может, например, дать представление о

коэффициенте диффузии. Поэтому его оценка представляет определенный интерес. Более полное рассмотрение кинетики процесса кристаллизации пленок в смысле развития его во времени может быть осуществлено на основе уравнения А. Н. Колмогорова, найденного путем статистического решения за­ дачи [161]:

Л (0 = V (t)IVn = 1 — exp [— J со3 © V„ (/ - £) rfg, (1.58)

о

где цОО — доля превращенного объема ко времени t; VH— ис­ ходный объем; £ — координата времени; Vi(t) — превратив­ шийся объем; со3 — скорость зарождения 'новой фазы; Vn( t

— объем растущего центра новой фазы.

Уравнение (1.58) при введении необходимой в каждом от­ дельном случае конкретизации может быть использовано как при изотермическом, так и неизотермическом течении процес­ са. Заметим, что математический аппарат, соответствующий решению данной задачи, многократно успешно испытан при­ менительно к самым разнообразным процессам превращения.

Общая теория вопроса на случай различной мерности кри­ сталлов новой фазы дана Н. Н. Сиротой [91, 93] и Авраами [162]. Согласно принятым в [91, 93] представлениям, ско­ рость любого изотермического превращения, в рассматривае­ мом случае скорость кристаллизации, может быть описана соотношением вида

=

Ш

=

О '59)

 

 

 

где qt — величина, численно равная объему исходной фазы, закристаллизовавшемуся от одного растущего центра. Актив­ ная поверхность St растущего центра новой фазы может быть

V

выражена через qr. S t= ksq ~ . Здесь ks — коэффициент фор­

мы; л' — показатель степени. Фигурирующие в (1.59) величи­ ны qt и V; подчиняются следующим общим соотношениям:

_i_

<7<= [(1 — v) At

r]_v]

1-v,

(1.60)

 

1

2—v

 

V t = 1— exp^— co3| ^ — Л 1_v[^(l— v)]1_v +

. . . +

+ 63*}),

 

(1.61)

где rg— величина зародыша новой

фазы;

А = &/о2;

со2 — линей­

ная скорость роста центра новой фазы в

заданном направлении.

53

Для трехмерных зародышеобразованин типа сфалерита v = 2/3

—^яш3юЗ<<

и Vt — 1— е " .Для двумерных плоских образований v = 1/2 и Vt = 1 — e0'S(O^4'/__ Если растут иглы или цепочки, то

v = 0, a Vt = 1— g соответствии с приведенными выражениями для Vt скорость кристаллизации

з

 

я(о2о)3/‘

 

Up = — j - = — ЛСО2 СО3t*v„e з .

(1 .6 2 )

at о

Учитывая изложенное, можно предположить, что изучение скорости роста пленок с учетом термодинамики процесса мо­ жет дать весьма полезные сведения об особенностях формиро­ вания их структуры.

Г л а в а II

ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИЧЕСКИХ И ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ УСЛОВИЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПЛЕНОК

ЖЕЛЕЗО-НИКЕЛЬ-КОБАЛЬТОВЫХ СПЛАВОВ

Проанализируем технологическую сторону выращивания пленок сплавов железо-никель-кобальтовой системы с учетом некоторых представлений о процессе пленочной кристаллиза­ ции, л-зложенных в предыдущих главах.

Рассмотрение кристаллизационных процессов железо-нн- кель-кобальтовых пленок широкого состава на термодинами­ ческой основе связано с определенными трудностями, обуслов­ ленными отсутствием полных сведений об основных термоди­ намических параметрах для ряда составов данной системы сплавов. Наиболее полно изучены термодинамические свойст­ ва чистых железа, никеля и кобальта [147—150, 163—169]. Данные о термодинамических свойствах сплавов краевой сис­ темы железо—никель содержатся в работах '[i170—172]. Ана­ логичные сведения для других сплавов системы Fe—Ni—-Со, к сожалению, эпизодичны или'отсутствуют.

Некоторые из интересующих .нас результатов по термоди­ намическим свойствам железа, никеля и кобальта приведены в табл. 3.

Отсутствие термодинамических данных для ряда сплавов может быть, очевидно, восполнено расчетным их нахождением. Однако всегда необходимо учитывать возможные погрешно­ сти такого рода расчетов в случае тонких пленок. В связи с этим мы обращаем значительное внимание на экспериментальное изучение отдельных термодинамических характеристик иссле­ дуемых пленок.

С термодинамической точки зрения основой подхода, при­ меняемого нами к выяснению роли отдельных технологических факторов, является учет фактического изменения параметров состояния (равновесия) в каждом конкретном случае: темпе­ ратуры, давления, электромагнитных полей и состава, т. е. фиксирование изменения составляющих свободной энергии при кристаллизации пленок. Важна при этом специфика по-

55

Cl

С7Э

Та б л и ца 3

Термодинамические характеристики железа, никеля и кобальта, выплавленных в равновесных условиях

Вещество

5298»

к а л

 

г р а д - м о л ь

a-Fe

6,49

а-*Р

Y -►6

V - N i

7,12

а-Со

7,18

 

P-V

т

°к

Д/-/Пр, ккал/моль

т5. °к

 

пр'

 

4

 

_

 

 

 

_

0,326

1812; 1808

1180;

1033

1183

0,66;

1179;

0,22;

0,21;

0,215

_

1674;

1673

 

0,21;

0,15;

0,165

 

 

 

 

 

1728; 1725

713;

 

700

 

_

 

1768

714;

0,06;

0,07

_

1393;

1400

 

0,105;

0,13

&Н , ккал/моль

Литературный

 

 

 

источник

 

 

3,7

 

149,

152,

153,

 

_

 

163,

166,

167

 

 

_

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4,22;

4,21

 

150,

164,

166,

168

13,75;

3,64;

4,1

 

150,

153,

 

_

 

 

163,

166

 

следствий, обусловленных тем или иным изменением парамет­ ров состояния, вносящих свой вклад и свои коррективы в ки­ нетику процессов кристаллизации пленок.

Как было отмечено ранее, можно выделить группу техно­ логических факторов, оказывающих наиболее прямое влияние на термодинамическое пересыщение. Такими факторами яв­ ляются температурный режим кристаллизации, пересыщение паровой и конденсированной фаз, а также влияние примесей. Остальное множество технологических условий, как нетрудно показать, представляет собой факторы косвенного действия и может быть сведено к указанным основным параметрам пря­ мого действия.

§ 1. Температурный режим подложки

Будем исходить из модели нормального роста. Если тех­ нологические условия кристаллизации изменяются таким об­ разом, что температура плавления Ts остается неизменной, то скорость роста всегда является уменьшающейся прямоли­ нейной функцией от температуры подложки. Примером могут служить сверхвысоковакуумные пленки.

Однако когда по каким-либо причинам одновременно с

изменением температуры подложки

изменяется величина Ts,

то отмеченный выше характер зависимости vp=f(Ta)

нару­

шается. Подобная ситуация, как

уже отмечалось,

может

иметь место, когда кристаллизация происходит в условиях до­ статочно интенсивного доступа к фронту роста атомов хими­ чески активных газов, например при .низких плотностях пото­ ка пара, при недостаточно высоком вакууме, при больших углах наклона пучка пара. В этих случаях при повышении температур подложки усиливается процесс хемосорбции, что обусловливает изменение химического состава пленки, а сле­ довательно, и величины Ts.

На рис. 3 и 4 показаны примеры зависимостей скорости роста пленок никеля и железа, полученных при различных вакуумах и плотностях потока пара, от температуры подлож­ ки. Кривые показывают, что только в вакууме 10-5 мм рт. ст. зависимость vp=f(Tu) имеет монотонно изменяющийся ха­ рактер. Причем чем выше вакуум, тем наклон кривой будет меньше. При сверхвысоком вакууме зависимость vp=f(Tn) с изменением давления не изменяется, а ее наклон определяет­ ся лишь температурой подложки. В более низком вакууме, как видно из этих рисунков, скорость роста с увеличением Тп может как уменьшаться, так и возрастать. Характерно, что в зависимости от сочетания глубины вакуума и плотности пото­ ка пара участки снижения и увеличения скорости роста могут соответствовать одному и тому же диапазону температур под­

57

ложки. Учитывая связь между vp и Ts, то же самое можно сказать и об .изменении температуры плавления. Поэтому для объяснения характера зависимости vp=f(Ta) рассмотрим особенности изменения температуры плавления пленок (рис. 5, а). Величину Ts найдем в соответствии с уравнением

(1.46).

Сопоставляя кривые рис. 3—5, отметим, что минималь­ ным значениям ир соответствует наибольшее снижение Т„. При изменении условий кристаллизации пленок ордината минимума изменения температуры плавления непрерывно колеблется.

Изменение Ts существенно меньше для пленок, получен­ ных в вакууме 10-5 мм рт. ст. В этом случае экстремальная

Рис. 3. Зависимость скорости

роста пленок никеля, напыленных при плот­

ности

потока пара 2-1022 см_

2-сек-1 в вакууме 10-5

(/) и 10~4 (2)

мм рт.

ст., и

пленок железа (3), полученных при

плотности

потока пара

1,4-Ю23

 

см-2 -сек“ 1 в вакууме 10~4 мм рт. ст.,

от температуры подложки

58

точка (точка перегиба) на зависимости Ts= f(Tn) в рассмат­ риваемом диапазоне условий не достигается и наблюдается лишь снижение Ts. Эксперимент показывает, что Ts остается постоянной, в том числе и при высоких температурах подлож­ ки, только в условиях сверхвысокого вакуума. Постоянство Ts может быть достигнуто также при высокой плотности по­ тока шара и невысоких Тп. Во всех других условиях Т3 изме­ няется, причем .не только

в зависимости от Тп и ва­

 

 

 

куума, но и от плотности

 

 

 

потока пара.

 

 

экспе­

 

 

 

Анализ

причин

 

 

 

риментально

обнаружен­

 

 

 

ного

изменения

пленок в

 

 

 

зависимости

от

условий

 

 

 

кристаллизации

 

будет

 

 

 

приведен

 

далее.

Сейчас

 

 

 

обратим

внимание

лишь

 

 

 

на тот факт, что, судя по

 

 

 

результатам,

приведен­

 

 

 

ным на рис. 5, a, Ts пле­

 

 

 

нок,

как

 

и

предполага­

 

 

 

лось, может быть сущест­

 

 

 

венно ниже

равновесной

 

 

 

температуры

плавления

 

 

 

макрообразцов. Так, в

 

 

 

Рис.

4. Зависимость скорости

 

 

 

роста пленок никеля, напылен­

 

 

 

ных в вакууме 10-4 мм рт. ст.

 

 

 

при

плотностях

потока

пара

 

 

 

2-1023 (/),

1,5-1022

(2)

и

L022

 

 

 

см_2-сек-1

(3),

от

температу­

 

 

 

 

ры подложки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

300

Ш

500

ЫЮ ТП,°И

частности,

среди

указанных на рис. 5 температур плавления

пленок никеля можно

зафиксировать

значение 7'S=1000°K,

в то время как равновесное значение температуры плавления никеля составляет 1726 °К. Для железных пленок в определен­ ном диапазоне условий наблюдается необычно большое сни­ жение Ts (см. табл. 4).

Отметим, что характер изменения температуры плавления в функции Тп весьма значительно зависит от химического со­ става пленок. Так, например, при одинаковых условиях изме­ нение скорости роста и температуры плавления пленок желе­

59

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ