книги из ГПНТБ / Сухвало, С. В. Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов
.pdfверхностью. В этом суть возможных отличий термодинамиче ских параметров пленок от равновесных аналогов.
С определенным приближением необходимые термодина мические (параметры пленок можно находить расчетным пу тем .исходя из их равновесных значений [147—156]. В общем
L Г с
случае A S = - ^ \ - ^ d T , а величины L и ср зависят от темпера
туры по степенному закону: |
|
L = L0 -j- АаТ -j- АЬТ2- г - - - , |
(1.48) |
ср = а-\-ЬТ + сТ* + ... , |
(1.49) |
где ср — теплоемкость; L0, Аа, АЬ, ..., а, Ь, с,... — коэффициен ты степенного разложения, имеющиеся в стандартных спра вочных таблицах [153, 157—159]. Поэтому с приближением до трех членов разложения можно записать
тпр |
|
|
AS = Д50 °к т' j й |
- - dT, |
(1.50) |
о “К |
|
|
где Д5о°к — стандартное справочное значение энтропии при 0 °К; Тпр — температура, при которой ведется кристаллизация.
Наряду с нахождением, величины термодинамического пересыщения AZn иногда полезно расчетным путем, не прибе гая к эксперименту, оценить также абсолютное изменение сво бодной энергии Гиббса (изобарный потенциал) при том или ином превращении. Сразу заметим, что при значительном от клонении кристаллизационных процессов от равновесия по добные расчеты можно осуществить, по-видимому, лишь при ближенно (по причинам, изложенным ранее).
Для таких целей используется общепринятая схема расче
та [153, 157—159]: |
|
|
Тпр |
Тпр |
|
AZ = АН0 - TAS0- Tnp j' |
j' ДcpdT, |
(1.51) |
О°К |
О |
|
где Д #0 — стандартная энтальпия превращения; Acp— f(T) —• изменение теплоемкости при превращении. В приведенном уравнении рассматривается зависимость термодинамических характеристик только от температуры, что в случае кристал лизации пленок в общем-то недостаточно, поскольку должно учитываться влияние других параметров состояния, отличаю щихся от равновесных, например давления и др.
Как известно, термодинамическим расчетам AZ обычно со путствует .нахождение так называемой константы равновесия
50
Кр. Из уравнения AZ0 = Atf0— TAS0 и AZ0 = —RT In Кр следу ет, что
Kv = 0,21858 |
AS0J. |
(1.52) |
||
Полный расчет Кр ведется' аналогично AZ по усложненному |
||||
уравнению следующего вида [159]: |
|
|
||
lg /ср = |
+ А/ (AS) + |
Дс0М0 + Ас1М1 + |
|
|
+ |
Ас2М2-Ь Ас_2М„2 |
(1.53) |
||
Приближенный расчет lg /Ср можно выполнить ■по |
урав- |
|||
нению |
д я 0 |
, AS0 |
|
|
Jg*p = |
(1.54) |
|||
4,5757’ ' |
4,575 |
|||
|
|
|||
В (1.53) коэффициенты Af(AH), Af(AS), с0 и другие находятся по стандартным таблицам [157—159].
Следует сказать, что константе равновесия Кр для процес са кристаллизации пленок (как и для других процессов по добного рода) затруднительно придать четкий физический смысл. Тем не менее, ограничиваясь лишь ее общим феномено логическим смыслом, можно с помощью Кр проводить полез ные во многих отношениях оценки закономерностей различ
ных процессов превращения — кристаллизационных, |
рекри- |
сталлизационных, структурных и других. |
методы |
В связи с тем что описанные выше расчетные |
|
нахождения термодинамических параметров тонких |
пленок |
все же весьма приближенны, важно найти возможность их экс периментального определения. Заметим, что использование классических методик для указанных целей затруднено. Мы считаем, что весьма полезные результаты по термодинамиче ским параметрам кристаллизационных процессов пленок мо гут быть получены в результате применения методов теории абсолютных скоростей реакций [160]. Эта теория применима к определению скорости любого процесса, связанного с пере группировкой атомов в металлах и сплавах, и использование ее выводов в случае процесса кристаллизации пленок позволяет написать уравнение скорости роста в виде
AF |
__ AF |
|
vp — nve kT —vae kT , |
(1.55) |
|
_£q
где n = n0e RT — число активированных атомов; /?„— число всех атомов; Eq— энергия активации; v = kTjh (h — постоянная План
4* |
51 |
ка); AF— свободная энергия активации кристаллизационного про цесса.
В теории абсолютных скоростей реакций [160] впервые четко доказано, что скорость любой 'реакции, в том числе и кристаллизационного процесса, определяется свободной энергией активации, а не просто теплотой активации. Это обстоятельство позволяет применять термодинамические соот ношения при рассмотрении скоростей подобных процессов. Так, в частности, изменение величины свободной энергии ак тивации AF подчиняется следующему термодинамическому соотношению:
AF = АН — TnAS, |
(1.56) |
где АН и AS — изменения энтальпии |
(теплосодержания) и |
энтропии, сопровождающие процесс кристаллизации пленок; Т„ ■— температура подложки (кристаллизации). В таком слу чае по уравнению (1.55) имеется возможность определения ря да термодинамических характеристик кристаллизационного процесса. Для этого прологарифмируем выражение (1.55) и
найдем зависимость In Vy=f(\/Tn). |
Подобная зависимость |
|||
позволяет, как нетрудно видеть, |
определить |
величину AF. |
||
В свою очередь в соответствии с уравнением |
(1.56) .из зависи |
|||
мости AF = f(Tn) |
по тангенсу наклона |
определяется энтропия |
||
кристаллизации |
(плавления) AS, |
а по ординате пересечения с |
||
осью координат — энтальпия кристаллизационного процесса. Знание указанных величин, т. е. AF, АН н AS, позволяет опи сать термодинамическую сторону процесса кристаллизации пленок и определить многие их термодинамические характе ристики. Обратим внимание, что указанные определения мож но сделать независимыми от системы единиц измерения ско рости роста пленок. В самом деле, для двух температур под ложки, достаточно близких, чтобы не изменились кинетические условия роста пленок и коэффициент v0, можно записать:
1 п -^!_ = |
- Д F/kTnl, |
|
V n |
|
|
In |
AF |
|
kTm ’ |
||
откуда |
||
|
||
AF = — l n ^ i |
(1.57) |
|
*>P, |
|
Кинетическую сторону процесса кристаллизации в извест ной мере отражает кинетический коэффициент скорости kn. Согласно (1.44), он может, например, дать представление о
коэффициенте диффузии. Поэтому его оценка представляет определенный интерес. Более полное рассмотрение кинетики процесса кристаллизации пленок в смысле развития его во времени может быть осуществлено на основе уравнения А. Н. Колмогорова, найденного путем статистического решения за дачи [161]:
Л (0 = V (t)IVn = 1 — exp [— J со3 © V„ (/ - £) rfg, (1.58)
о
где цОО — доля превращенного объема ко времени t; VH— ис ходный объем; £ — координата времени; Vi(t) — превратив шийся объем; со3 — скорость зарождения 'новой фазы; Vn( t —
—— объем растущего центра новой фазы.
Уравнение (1.58) при введении необходимой в каждом от дельном случае конкретизации может быть использовано как при изотермическом, так и неизотермическом течении процес са. Заметим, что математический аппарат, соответствующий решению данной задачи, многократно успешно испытан при менительно к самым разнообразным процессам превращения.
Общая теория вопроса на случай различной мерности кри сталлов новой фазы дана Н. Н. Сиротой [91, 93] и Авраами [162]. Согласно принятым в [91, 93] представлениям, ско рость любого изотермического превращения, в рассматривае мом случае скорость кристаллизации, может быть описана соотношением вида
= |
Ш |
= |
О '59) |
|
|
|
где qt — величина, численно равная объему исходной фазы, закристаллизовавшемуся от одного растущего центра. Актив ная поверхность St растущего центра новой фазы может быть
V
выражена через qr. S t= ksq ~ . Здесь ks — коэффициент фор
мы; л' — показатель степени. Фигурирующие в (1.59) величи ны qt и V; подчиняются следующим общим соотношениям:
_i_
<7<= [(1 — v) At |
r]_v] |
1-v, |
(1.60) |
|
1 |
2—v |
|
V t = 1— exp^— co3| ^ — Л 1_v[^(l— v)]1_v + |
. . . + |
||
+ 63*}), |
|
(1.61) |
|
где rg— величина зародыша новой |
фазы; |
А = &/о2; |
со2 — линей |
ная скорость роста центра новой фазы в |
заданном направлении. |
||
53
Для трехмерных зародышеобразованин типа сфалерита v = 2/3
—^яш3юЗ<<
и Vt — 1— е " .Для двумерных плоских образований v = 1/2 и Vt = 1 — e0'S(O^4'/__ Если растут иглы или цепочки, то
v = 0, a Vt = 1— g соответствии с приведенными выражениями для Vt скорость кристаллизации
з |
|
я(о2о)3/‘ |
|
Up = — j - = — ЛСО2 СО3t*v„e з . |
(1 .6 2 ) |
at о
Учитывая изложенное, можно предположить, что изучение скорости роста пленок с учетом термодинамики процесса мо жет дать весьма полезные сведения об особенностях формиро вания их структуры.
Г л а в а II
ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИЧЕСКИХ И ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИХ УСЛОВИЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПЛЕНОК
ЖЕЛЕЗО-НИКЕЛЬ-КОБАЛЬТОВЫХ СПЛАВОВ
Проанализируем технологическую сторону выращивания пленок сплавов железо-никель-кобальтовой системы с учетом некоторых представлений о процессе пленочной кристаллиза ции, л-зложенных в предыдущих главах.
Рассмотрение кристаллизационных процессов железо-нн- кель-кобальтовых пленок широкого состава на термодинами ческой основе связано с определенными трудностями, обуслов ленными отсутствием полных сведений об основных термоди намических параметрах для ряда составов данной системы сплавов. Наиболее полно изучены термодинамические свойст ва чистых железа, никеля и кобальта [147—150, 163—169]. Данные о термодинамических свойствах сплавов краевой сис темы железо—никель содержатся в работах '[i170—172]. Ана логичные сведения для других сплавов системы Fe—Ni—-Со, к сожалению, эпизодичны или'отсутствуют.
Некоторые из интересующих .нас результатов по термоди намическим свойствам железа, никеля и кобальта приведены в табл. 3.
Отсутствие термодинамических данных для ряда сплавов может быть, очевидно, восполнено расчетным их нахождением. Однако всегда необходимо учитывать возможные погрешно сти такого рода расчетов в случае тонких пленок. В связи с этим мы обращаем значительное внимание на экспериментальное изучение отдельных термодинамических характеристик иссле дуемых пленок.
С термодинамической точки зрения основой подхода, при меняемого нами к выяснению роли отдельных технологических факторов, является учет фактического изменения параметров состояния (равновесия) в каждом конкретном случае: темпе ратуры, давления, электромагнитных полей и состава, т. е. фиксирование изменения составляющих свободной энергии при кристаллизации пленок. Важна при этом специфика по-
55
Cl
С7Э
Та б л и ца 3
Термодинамические характеристики железа, никеля и кобальта, выплавленных в равновесных условиях
Вещество |
5298» |
к а л |
|
|
г р а д - м о л ь |
a-Fe |
6,49 |
а-*Р |
— |
Y -►6 |
— |
— |
|
V - N i |
7,12 |
а-Со |
7,18 |
|
— |
P-V
т |
°к |
Д/-/Пр, ккал/моль |
т5. °к |
|||||
|
пр' |
|
4 |
|||||
|
_ |
|
|
|
_ |
0,326 |
1812; 1808 |
|
1180; |
1033 |
1183 |
0,66; |
— |
||||
1179; |
0,22; |
0,21; |
0,215 |
_ |
||||
1674; |
1673 |
|
0,21; |
0,15; |
0,165 |
— |
||
|
— |
|
|
|
— |
|
1728; 1725 |
|
713; |
— |
|
700 |
|
_ |
|
1768 |
|
714; |
0,06; |
0,07 |
_ |
|||||
1393; |
1400 |
|
0,105; |
0,13 |
— |
|||
&Н , ккал/моль |
Литературный |
|
|||||||
|
|
источник |
|
||||||
|
3,7 |
|
149, |
152, |
153, |
||||
|
_ |
|
163, |
166, |
167 |
|
|||
|
_ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
— |
|
|
|
|
|
|
|
|
4,22; |
4,21 |
|
150, |
164, |
166, |
168 |
|||
13,75; |
3,64; |
4,1 |
|
150, |
153, |
|
|||
’ |
_ |
|
|
163, |
166 |
|
|||
—
следствий, обусловленных тем или иным изменением парамет ров состояния, вносящих свой вклад и свои коррективы в ки нетику процессов кристаллизации пленок.
Как было отмечено ранее, можно выделить группу техно логических факторов, оказывающих наиболее прямое влияние на термодинамическое пересыщение. Такими факторами яв ляются температурный режим кристаллизации, пересыщение паровой и конденсированной фаз, а также влияние примесей. Остальное множество технологических условий, как нетрудно показать, представляет собой факторы косвенного действия и может быть сведено к указанным основным параметрам пря мого действия.
§ 1. Температурный режим подложки
Будем исходить из модели нормального роста. Если тех нологические условия кристаллизации изменяются таким об разом, что температура плавления Ts остается неизменной, то скорость роста всегда является уменьшающейся прямоли нейной функцией от температуры подложки. Примером могут служить сверхвысоковакуумные пленки.
Однако когда по каким-либо причинам одновременно с
изменением температуры подложки |
изменяется величина Ts, |
|
то отмеченный выше характер зависимости vp=f(Ta) |
нару |
|
шается. Подобная ситуация, как |
уже отмечалось, |
может |
иметь место, когда кристаллизация происходит в условиях до статочно интенсивного доступа к фронту роста атомов хими чески активных газов, например при .низких плотностях пото ка пара, при недостаточно высоком вакууме, при больших углах наклона пучка пара. В этих случаях при повышении температур подложки усиливается процесс хемосорбции, что обусловливает изменение химического состава пленки, а сле довательно, и величины Ts.
На рис. 3 и 4 показаны примеры зависимостей скорости роста пленок никеля и железа, полученных при различных вакуумах и плотностях потока пара, от температуры подлож ки. Кривые показывают, что только в вакууме 10-5 мм рт. ст. зависимость vp=f(Tu) имеет монотонно изменяющийся ха рактер. Причем чем выше вакуум, тем наклон кривой будет меньше. При сверхвысоком вакууме зависимость vp=f(Tn) с изменением давления не изменяется, а ее наклон определяет ся лишь температурой подложки. В более низком вакууме, как видно из этих рисунков, скорость роста с увеличением Тп может как уменьшаться, так и возрастать. Характерно, что в зависимости от сочетания глубины вакуума и плотности пото ка пара участки снижения и увеличения скорости роста могут соответствовать одному и тому же диапазону температур под
57
ложки. Учитывая связь между vp и Ts, то же самое можно сказать и об .изменении температуры плавления. Поэтому для объяснения характера зависимости vp=f(Ta) рассмотрим особенности изменения температуры плавления пленок (рис. 5, а). Величину Ts найдем в соответствии с уравнением
(1.46).
Сопоставляя кривые рис. 3—5, отметим, что минималь ным значениям ир соответствует наибольшее снижение Т„. При изменении условий кристаллизации пленок ордината минимума изменения температуры плавления непрерывно колеблется.
Изменение Ts существенно меньше для пленок, получен ных в вакууме 10-5 мм рт. ст. В этом случае экстремальная
Рис. 3. Зависимость скорости |
роста пленок никеля, напыленных при плот |
||||
ности |
потока пара 2-1022 см_ |
2-сек-1 в вакууме 10-5 |
(/) и 10~4 (2) |
мм рт. |
|
ст., и |
пленок железа (3), полученных при |
плотности |
потока пара |
1,4-Ю23 |
|
|
см-2 -сек“ 1 в вакууме 10~4 мм рт. ст., |
от температуры подложки |
|||
58
точка (точка перегиба) на зависимости Ts= f(Tn) в рассмат риваемом диапазоне условий не достигается и наблюдается лишь снижение Ts. Эксперимент показывает, что Ts остается постоянной, в том числе и при высоких температурах подлож ки, только в условиях сверхвысокого вакуума. Постоянство Ts может быть достигнуто также при высокой плотности по тока шара и невысоких Тп. Во всех других условиях Т3 изме няется, причем .не только
в зависимости от Тп и ва |
|
|
|
|||||||
куума, но и от плотности |
|
|
|
|||||||
потока пара. |
|
|
экспе |
|
|
|
||||
Анализ |
причин |
|
|
|
||||||
риментально |
обнаружен |
|
|
|
||||||
ного |
изменения |
пленок в |
|
|
|
|||||
зависимости |
от |
условий |
|
|
|
|||||
кристаллизации |
|
будет |
|
|
|
|||||
приведен |
|
далее. |
Сейчас |
|
|
|
||||
обратим |
внимание |
лишь |
|
|
|
|||||
на тот факт, что, судя по |
|
|
|
|||||||
результатам, |
приведен |
|
|
|
||||||
ным на рис. 5, a, Ts пле |
|
|
|
|||||||
нок, |
как |
|
и |
предполага |
|
|
|
|||
лось, может быть сущест |
|
|
|
|||||||
венно ниже |
равновесной |
|
|
|
||||||
температуры |
плавления |
|
|
|
||||||
макрообразцов. Так, в |
|
|
|
|||||||
Рис. |
4. Зависимость скорости |
|
|
|
||||||
роста пленок никеля, напылен |
|
|
|
|||||||
ных в вакууме 10-4 мм рт. ст. |
|
|
|
|||||||
при |
плотностях |
потока |
пара |
|
|
|
||||
2-1023 (/), |
1,5-1022 |
(2) |
и |
L022 |
|
|
|
|||
см_2-сек-1 |
(3), |
от |
температу |
|
|
|
||||
|
ры подложки |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
300 |
Ш |
500 |
ЫЮ ТП,°И |
частности, |
среди |
указанных на рис. 5 температур плавления |
||||||||
пленок никеля можно |
зафиксировать |
значение 7'S=1000°K, |
||||||||
в то время как равновесное значение температуры плавления никеля составляет 1726 °К. Для железных пленок в определен ном диапазоне условий наблюдается необычно большое сни жение Ts (см. табл. 4).
Отметим, что характер изменения температуры плавления в функции Тп весьма значительно зависит от химического со става пленок. Так, например, при одинаковых условиях изме нение скорости роста и температуры плавления пленок желе
59
