
книги из ГПНТБ / Сухвало, С. В. Структура и свойства магнитных пленок железо-никель-кобальтовых сплавов
.pdfнепосредственно возле него, то центры зарождаются путем перемещения этих дислокаций или путем их взаимного унич тожения.
При доминирующей роли блоков с малой энергией наблю дается возврат с ростом зерен и последующим его непосредст венным переходом ко вторичной рекристаллизации либо даль нейшему росту зерен. При этом основным механизмом роста зерен является, по-видимому, коалесцекция во многом «гео метрического» типа. Если все субзерна-блоки в пленке сильно
деформированы, то развивает ся типичный для массивных де формированных материалов характер рекристаллизации,
Рис. 45. Зависимость числа рекристаллнзованных зерен от температу
ры |
изохронного отжига |
в |
течение |
||
1 |
час для |
пленок 8,8% |
Fe—83,5% |
||
Ni—7,7% |
Со, полученных |
при 7 П= |
|||
=470 °К |
в |
вакууме 7-10—6 |
(/) и |
||
|
4-10-5 мм рт. ст. (2) |
|
включающий стадию возникновения и роста количества зерен в процессе первичной рекристаллизации и уменьшение коли чества рекристаллизованных зерен при увеличении их разме ров на стадии вторичной рекристаллизации (рис. 44, 45). В случае, когда количество сильно и слабо деформированных блоков приблизительно одинаково, вначале происходит рост недеформированных зерен на стадии высокотемпературного возврата. Затем начинает развиваться и доминировать рекри сталлизация по механизму возникновения рекристаллизоваиных зерен из наиболее деформированных блоков (первичная рекристаллизация) и их дальнейшего разрастания (вторичная рекристаллизация). Очевидно при этом, что температурные диапазоны реализации обоих механизмов изменения величи ны и количества рекристаллизованных зерен в некотором ин тервале перекрываются. В результате наблюдается необычное трехэтапное изменение количества рекристаллизованных зе рен (см. рис. 43, кривая /).
§ 4. Кинетика рекристаллизации пленок
Закономерности протекания рекристаллизации представ ляют существенный интерес при изучении процессов форми рования структуры тонких пленок при кристаллизации, по
170
скольку релаксационные процессы в качестве вторичных эффектов играют при этом важную роль и являются неотъемле мым элементом роста пленок. Степень развития и завершенно сти этих процессов при росте пленок в большой мере определяется температурой и длительностью . процесса кри сталлизации. К сожалению, кинетическую сторону рекристаллизационных процессов во время роста пленок эксперимен тально изучить практически невозможно. В связи с этим для прогнозирования такого рода процессов существенное значе ние приобретает теоретическое рассмотрение кинетики рекри сталлизации.
Ряд важных кинетических характеристик рекристаллизационного процесса можно получить из общей теории фазовых превращений. Исходя из идей А. Н. Колмогорова [161], сле дует принять, что для доли рекристаллизованного объема реа лизуется следующая зависимость:
Л(0 = ш |
1 — ехр |
f j(l )V 0( t - l ) d l , (4.1) |
у. |
|
b |
|
|
где Ко—исходный объем; V(t)—объем, претерпевший превра щение; /( £ ) — скорость зарождения новой фазы; V0{t—g) — объем растущего центра новой фазы.
Будем полагать, что скорость зарождения центров рекри-
сталлизованной |
фазы |
стационарна, т. е. / (т) = /, а скорость |
роста зерна ия |
также |
постоянна для данной температуры и |
и материала. При рекристаллизации в тонкой пленке рост зе
рен происходит лишь в двух направлениях. |
При этом , если |
зерна представить в виде цилиндров постоянной высоты I, то |
|
объем V — кгЧ, откуда |
|
г) — 1 = ехр ^---- -- l v l f \ . |
(4.2) |
Для времени рекристаллизации доли объема т] в тонкой пленке получаем
Г 3 In (1 — г|)
(4.3)
nllvl
Скорость образования центров в 1 см3/сек при стационарном их зарождении можно выразить как
|
RT |
\ ехр |
|
и ехр |
(4.4) |
|
h |
) |
Пт |
|
|
где |
— a5KP; SKp |
4яркР, |
ркр |
2а |
а — поверхностное |
|
171
натяжение на границе раздела фаз; AF0— изменение |
свободной |
||||
энергии при образовании единицы объема |
новой фазы; |
р,.р — ра |
|||
диус критического зародыша; h — постоянная Планка; |
R — газо |
||||
вая постоянная; и — энергия активации |
рекристаллизации. |
||||
Для зародыша недеформированнон |
|
решетки, |
который |
||
можно в первом приближении рассматривать |
сферическим, |
||||
получим |
|
|
|
|
|
№ = 4 " лР«РА/7о — 4лРкр<* = |
3 |
л |
а |
. |
(4.5) |
3 |
|
(Af0) |
|
|
Здесь о — поверхностное натяжение между деформированной и недеформированной частями решетки; АР0— изменение сво бодной энергии решетки при образовании единицы рекристаллизоваиного объема.
Определение скорости роста при рекристаллизации тре бует рассмотрения механизма процесса. Рост зерен, как уже отмечалось, не сопровождается диффузией атомов на боль шие расстояния. При этом зерна, находящиеся непосредствен но у поверхности раздела рекристаллизованных объемов и на пряженной матрицы, преодолевают определенные энергетиче ские барьеры. При рассмотрении роста зерен целесообразно воспользоваться теорией абсолютных скоростей реакции, ко торую мы уже применили к процессам кристаллизации пле
нок. Тогда для |
скорости роста рекристаллизованного |
центра |
||||
(увеличения числа атомов в нем за единицу времени) |
полу |
|||||
чаем выражение, справедливое |
для |
зародыша |
любой |
|||
формы [229]: |
|
|
N d\Fn |
|
||
du |
— h* —— exp |
и |
(4.6) |
|||
dt |
kT |
j |
dn ’ |
|||
kT |
|
где h* и v — число атомов и частота их колебаний у границы зерна, которые предполагаются одинаковыми для внутренней
dAFn
и внешнеп сторон поверхности зерна;----- - — изменение сво- dn
бодной энергии при увеличении зерна на один атом; u = UjN — усредненная величина энергетического барьера элементарно
го акта перехода атома в |
рекристаллизующееся зерно; |
|
N — число Авогадро. |
КТк |
|
Частота колебаний атомов |
||
v не превышает vmax; = —-— » |
где Тх — характеристическая температура. Вычислим среднюю
частоту колебаний атомов по функции распределения частот КОЛебаНИЙ, МеНЯЮЩИХСЯ ОТ О ДО Vmax-'
, |
12nv2dv |
; |
3 |
3 |
kTx |
(4.7) |
dz — |
------ ;------ |
v - 4 vmax - |
4 |
4/t |
172
Соотношение (4.7) позволяет определить скорость роста зерна. Для рекристаллизации в тонкой пленке при двухмерном росте цилиндрических зерен получаем
/I ““~ |
яр2ф _ 3 |
р2ф |
* _ 2яр/у |
2р/у _ |
|||||
о ' • |
о j |
11- |
~ ~ |
е |
у |
су |
у |
||
|
4/ЗлЛа |
4 |
Га |
|
|
|
71Га |
Га |
|
|
AF„ = |
лр2/Д.Р0— 2яр/ст; |
|
- ^ |
- |
= - М - р , |
(4.8) |
||
|
|
|
|
|
dp |
|
2гё |
|
где Р и у — коэффициенты заполнения атомами объема и по верхности кристаллов; гя — радиус атома.
Учитывая (4.7) н (4.8), находим уравнение роста рекрнсталлпзованного центра:
dp |
ЗпT / aAF0y |
/ |
1 — ркР |
1 р |
(4.9) |
dt " |
ЗТТф2 |
1 |
|
kT |
Так как ркР<Ср, то в выражении (4.9) можно пренебречь отношением р,;р/р по сравнению с единицей. Подставив в (4.3) выражения (4.1) и (4.9) и перейдя в них к величине энергии активации рекристаллизации, пересчитанной на грамм-атом (U = Nu), получим для времени частичной рекристаллизации следующее соотношение [295, 296]:
Щ |
4 In (1 — т|) v0AF0r J $ i/з |
|
U Ч W_ |
|
exp |
3 |
|||
4nAF0rl |
IRTla-f |
RT |
||
|
(4.10)
Выражение (4.10) позволяет отметить, что влияние темпера туры рекристаллизации на кинетику роста зерна проявляется в изменении экспоненциальных членов, поскольку коэффици енты при них в зависимости от температуры изменяются мало. Для двухмерного роста эти изменения пропорциональны Г12. В первом приближении коэффициенты можно принять за по стоянные величины и записать выражение (4.10) в виде
t = А2ехр |
(4.11) |
|
RT |
Приведенные соотношения показывают, что повышение степени свободной энергии AF0 ускоряет рекристаллизацию во всех случаях роста зерен как за счет величины W, так и за счет предэкспоненциального множителя. Изменение свобод ной энергии AF0 при этом определяется степенью отклонения условий кристаллизации от равновесных, если имеется в виду рекристаллизация во время роста пленок, и степенью термо
173
динамического пересыщения и завершенностью релаксацион ных процессов при кристаллизации, если речь идет о рекрис таллизации пленок во время послекристаллпзационного отжи га в изотермическом режиме.
Заметим, что проведенное А. Л. Роптбурдом [230] рас смотрение особенностей роста кристаллов в конденсированных системах с учетом корреляции между переходами атомов из одной фазы в другую показало, что при больших отклонениях от равновесия переход атомов через границу раздела фаз может не лимитироваться частотой тепловых активаций и ие всегда связан с преодолением энергетических барьеров. Это обстоятельство, по-видимому, лежит в основе столь значитель ного изменения энергии активации рекристаллизационного процесса в пленках, наблюдаемого экспериментально, по сравнению с деформированными сплавами.
Очевидно, что при рекристаллизации в тонких пленках
двухмерный рост зерен будет происходить лишь в том случае, |
|
если они прорастут на толщу пленки. Время такого прораста |
|
ния можно оценить как ti = d/2v3, где d — толщина |
пленки. |
Если /-СА, то время рекристаллизации доли объема г| будет |
|
описываться соотношением (4.10). При t<Ct\ кинетика |
рекри |
сталлизации должна описываться уравнением (4.1). В общем случае с учетом стадии трехмерного, а затем двухмерного роста зерен кинетики рекристаллизации описывается уравне нием следующего вида:
nd |
(4.12) |
|
3 |
||
|
Только в очень тонких пленках трехмерной стадии роста зерен заведомо нет. Однако вследствие того, что линейные размеры зерен в таких пленках соизмеримы с толщиной слоя, использование модели двухмерного роста ограничено [231]. Отметим, что, помимо трудностей выбора модели, в этом слу чае появляются также другие весьма существенные факторы, важные для протекания кинетики рекристаллизации. Один из них — закрепление межзерениых границ на свободной поверх ности, их стабилизация и снижение подвижности. Вторым фак тором, тормозящим скорость рекристаллизации, является сток вакансий вдоль границ зерен к свободной поверхности. Суще ствуют косвенные доказательства того, что поглощение грани цами вакансий резко увеличивает их (границ) подвижность [297]. Вследствие этого в пленках, толщина которых ниже не
174
которой критической, в связи с обеднением границ вакансия ми скорость их миграции снижается, и процессы рекристалли зации затухают. Подобный эффект наблюдался, например, в в тонких фольгах [298].
Существенным тормозящим рекристаллизацию фактором, относящимся в общем к пленкам любых толщин, оказывается иногда кристаллографическая текстура. Значительные изме нения в кинетику рекристаллизации должны вносить процес сы коалесценции. Можно полагать, что учет названных и дру гих факторов, изменяющих кинетические характеристики рекристаллизации в пленках, приведут к желаемому прибли жению теоретических результатов к экспериментальным данным. •
Г л а в а V
ФАЗОВЫЕ И ПОЛИМОРФНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ
ВТОНКИХ ЖЕЛЕЗО-НИКЕЛЬ-КОБАЛЬТОВЫХ ПЛЕНКАХ
Впленках сплавов системы Fe—Ni—Со важное значение
вформировании структуры и особенностей ее характеристик могут иметь фазовые и полиморфные превращения. Основны ми из возможных фазовых переходов в пленках указанных сплавов являются а ^ у - и у—е-превращения, процессы атом ного упорядочения, а также полиморфные превращения в плен ках железа (а—>-у->-е), кобальта (е=*а) и некоторых двухком понентных и трехкомпонентных сплавов рассматриваемой системы. Наряду с этим необходимо учитывать существование полиморфных и фазовых переходов различного рода метастабильных фаз и полиморфных модификаций, интенсивно
развивающихся в пленках в связи с высокой степенью откло нения условий их роста от равновесных. Тип, интенсивность протекания п полнота развития всех возможных фазовых и полиморфных превращений, включая метастабнльиые, в зна чительной мере определяют реальную структуру пленок и их физические свойства.
§ 1. Фазовые превращения в пленках
Процессы фазообразования и условия существования го могенных растворов н гетерогенных смесей удобно рассмат ривать с помощью термодинамических функций состояния. При этом исходят из того факта, что фаза устойчива только в том случае, если она обладает наименьшей свободной энер гией. Решение подобных вопросов на основе рассмотрения электронной структуры отдельных компонентов системы за труднено недостаточным развитием необходимых теоретиче ских представлений.
Уменьшение свободной энергии при изотермическом изме нении состояния системы в соответствии с соотношением AF = AU— TAS определяется изменением внутренней энергии
176
д U и энтропии AS. Повышение или понижение внутренней энергии при образовании смешанных кристаллов зависит от величины энергии взаимодействия атомов в системе. Исполь
зуя для нахождения |
энергии и энтропии |
смешения (AUCm и |
|
ASсм) молярную концентрацию х компонентов А и В, измене |
|||
ние свободной энергии смешения AF можно записать, как из |
|||
вестно, в следующем виде: |
|
|
|
AF = CNx( 1 — х) + NkT [(х In х + (1 — х) In (1 — *)], (5.1) |
|||
|
|
ВВ |
|
где N — общее число атомов; С = z АВ ' |
Uда 4- U, |
z— ко |
|
|
|||
ординационное число; |
UАв, UAA, Ubb — энергия взаимодействия |
||
между атомами сортов А и В. |
|
|
|
Если, например, величины свободных энергий компонентов |
|||
А и В равны, то при низких температурах |
(т. е. малых значе |
ниях kT/C) энергетически предпочтительным является гете рогенное выпадение компонентов А и В, так как свободная энергия смешения положительна во всем диапазоне концентра
ций. При высоких температурах (kT/C = 3/4) |
единственно ста |
бильное состояние системы — гомогенный |
твердый раствор, |
поскольку оно отвечает наибольшим отрицательным измене ниям свободной энергии. Промежуточные температуры допу скают существование концентрационных диапазонов твердых растворов А в В и В в А, а также диапазона с гетерогенной смесью.
На рис. 46, а схематично изображено изменение свободной энергии фаз у и а в функции концентрации для сплавов систе мы Fe—Ni. Точка пересечения Fy и Fa, обозначающая равную вероятность возникновения и стабильности обеих фаз, отме чает границу а=±у-превращения. Исходя из условия общно
сти касательной к кривым свободной энергии |
сосуществую |
щих фаз |
|
Fа |
(5.2) |
можно найти концентрационный интервал их сосуществова ния. Указанные интервалы схематично показаны на рис. 46, б. В диапазоне концентраций Х\—х2 имеет место гетерогенное сосуществование фаз а и у, при этом в промежутке от Х\ до Хау —ведущая a -фаза, от .vav до х2— ведущая у-фаза. х\ и х2— точки, отмеченные общей касательной к кривым свободной энергии. Положение точек Х\ и х2, которые обозначают пре дельную растворимость в твердом состоянии или границы од нофазного состояния, можно найти, приравняв нулю первую производную по концентрации от изменения свободной энер гии, т. е. первую производную выражения (5.1):
12. С. В. Сухвало |
177 |
|
Э(АF) |
NO (1 — 2х) -|- NkT [In л' — In (1 — л-)] = |
0. |
(5.3) |
||||||
|
|
дх |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Отсюда получаем |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
_ х ____ g—С(1—2 х ) / к Т |
|
|
|
|
(5.4) |
||
|
|
|
1 — х |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При высоких переохлаждениях и пересыщениях, часто со |
||||||||||
путствующих процессам кристаллизации пленок, |
концентраци |
|||||||||
|
|
|
|
онный |
диапазон |
гетеро- |
||||
ДF |
|
|
|
генной смеси |
фаз |
может |
||||
|
а |
|
|
быть весьма |
большим |
по |
||||
|
|
|
|
сравнению со случаем за |
||||||
|
|
|
|
твердевания |
сплавов |
в |
||||
|
|
|
|
равновесных |
условиях. |
|||||
|
|
|
|
Вместе с тем в зависимо |
||||||
|
|
|
|
сти |
от |
условий |
роста |
он |
||
|
1 |
|
|
может весьма существен- |
||||||
|
1 |
1 |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
: |
I |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
. |
1 |
|
m Рпс. |
|
|
|
|
|
|
Fe |
X/ |
*-1 |
Ч |
46. |
Связь |
между |
свобод |
|||
|
5 |
|
|
ной |
энергией |
AF |
различных |
|||
d |
а* 7 |
|
фаз при различных концентра |
|||||||
1 |
циях |
(о) |
и их |
устойчивостью |
||||||
|
|
|
|
(б) |
в бинарной |
системе |
Fe—Ni |
но изменяться. Для пленок железо-никель-кобальтовых спла вов подобный факт подтвержден экспериментально результа тами рентгенографического анализа [299—302] и др.
Отметим, что концентрационные области гетерогенных смесей и границы фазовых превращений, например а —у или у—е, в пленках легко определяются экспериментально с по
мощью анализа |
диаграмм, |
подобных изображенной |
на |
||
рис. 46, а, |
если для их построения использовать |
свободную |
|||
энтальпию |
кристаллизации пленок, найденную по |
скорости |
|||
роста (см. |
главу И). В первом приближении для построения |
||||
диаграмм |
можно |
пользоваться |
просто скоростью |
роста |
пле |
нок. Эксперимент показывает, что найденные таким образом диапазоны сосуществования фаз и границы фазовых пере ходов полностью согласуются с результатами электроногра фического анализа. Установлено, например, что в пленках сплавов бинарной системы Fe—Ni граница проникновения a -фазы в область у-фазы в зависимости от условий кристал лизации может достигать от 45 до 85 ат.% Ni. Область суще ствования гомогенного а-раствора никеля в железе при стан дартных условиях кристаллизации пленок, как правило,
178
невелика (до 5—7 ат. % Ni). Выше указанной концентрации наряду с a -фазой появляется у-фаза. В пленках бинарной си стемы никель-кобальтовых сплавов граница сосуществования е- и у-фаз достигает 60—75 ат.% Ni при низких температурах подложки и вакууме 10~7 мм рт. ст. и снижается к 40— 35 ат. % Ni при возрастании Тп до 570 °К. Фаза с гранецентри рованной кубической решеткой в никель-кобальтовых плен ках при низких температурах подложки (близких к комнат ной) образуется уже при концентрации никеля 8—10 ат.%, а при более высоких ее возникновение распространяется вплоть до чистого кобальта. В пленках бинарной системы железо-ко бальтовых сплавов при определенных условиях кристаллиза
ции в концентрационном диапазоне между |
границами ач^у- |
и у^е-превращений часто обнаруживается |
сосуществование |
трех фаз: а, у и е. Пределы распространения у-фазы в обла сти а- и е-фаз при определенных сочетаниях кристаллизаци онных условий могут быть весьма широкими.
Значительным колебаниям подвержены также границы (концентрационные ординаты) а=^у- и уч=ье-переходов в пленках железо-нпкель-кобальтовых сплавов.
Граница а^у-превращення в тонких пленках по отноше нию к равновесному ее положению в сплавах сдвинута боль шей частью в область у-фазы [300]. Смещение границ ач=ьу- и у5=±е-переходов в сторону увеличения а- и е-фаз имеет место, например, при возрастании температуры подложки в случае высоких плотностей потока пара. Однако увеличение темпе
ратуры подложки при низких плотностях потока |
пара при |
водит к противоположному эффекту — сдвигу |
границы |
ач=ьу- и уч=гге-превращений в сторону уменьшения количества а- и е-фаз. При низких температурах подложки граница ука занных переходов всегда сдвинута в область у-фазы. На рис. 47 показан один из примеров изменения концентрацион ных диапазонов гетерогенного сосуществования у- и е-фаз и смещения границы еч^у-перехода в зависимости от темпе ратуры подложки для никель-кобальтовых пленок.
Очевидно, что вариации в изменении ширины концентра ционных диапазонов фазовой гетерогенности и местоположе ния границ ач=ьу- и уч^е-переходов в пленках в зависимости от условий кристаллизации могут быть бесконечными, особен но в случае значительного влияния газовых примесей. Законо мерности таких вариаций заложены в особенностях изменения свободной энергии ДF каждой из фаз.
В ходе ДГ-кривых, изображенных на рис. 46,а, при изме нении различных кристаллизационных параметров отражают ся две противоположные тенденции, а именно упорядочения и разупорядочения. В. рассматриваемых нами случаях первая тенденция выражается в разделении обоих компонентов
12* |
179 |