Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Применения лазеров

..pdf
Скачиваний:
49
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
15.08 Mб
Скачать

310

Л. А. Вивер

значений 10~5—-ІО-6 с. Даже если только 1 % падающей мощ­ ности поглощается материалом, этого достаточно, чтобы при потоках, равных или больших ІО6 Вт/см2, достигалась температура плавления металлов за время менее 0,1 с.

Лучшее приближение к реальным условиям можно получить, если принять во внимание конечный размер области нагрева на границе полупространства. Для кру­ гового источника радиусом а Карслоу и Эйгер [17] приводят решение для точек на оси г, перпендикулярной к плоскости источника и проходящей через центр окружности,

 

Г (г, t) = ( 2 F 0

V k TК)I {ierfc ( z / 2

V

W)

 

-

ierfc ([г® + ß2]1/2/2 V ki)\

,

(19)

где z — расстояние от

центра источника.

Учитывая, что

ierfc (0) = 1/|/"я,

для роста температуры

в

центре пятна

(z = 0)

можно

получить

 

 

T(Z,

t) г=о == ( 2 F 0 V

WК )/ { 1 / / г с - ierfc (а/2 ] / äF)} .

 

 

 

 

 

(20)

Второй член в этом выражении стремится к нулю при уве­

личении аргумента а / 2 У kиt в пределе выражение (20) совпадает с выражением (18). Оценки показывают, что второй член в формуле (20) дает поправку около 10% для

а

= 0,1 см, k = 1,14 см2/с (медь).

и а =

=

Таким образом, при потоках менее 104 Вт/см2

0,1 см формула (18) дает правильные значения. При боль­

ших плотностях потоков и меньших радиусах пятна (F0>-

 

10е Вт/см2, а <С 0,1 см) следует пользоваться

более

точным решением (20). Простые оценки температуры по формуле (18) могут проводиться при нагреве непрерывным источником с большим диаметром фокального пятна.

5. 4. Стационарный режим лазерного сверления

Образование глубоких отверстий в материале при дей­ ствии непрерывного источника (лазера или электронного луча) было изучено Клеменсом [43]. Если относительная глубина отверстия велика, отвод тепла определяется в основном его глубиной. Для цилиндрического отверстия

Применение лазеров для размерной обработки и сварки

311

длиной D, внутренним диаметром I и внутренней темпера­ турой Тм температура Т0 на внешней поверхности цилин­ дра диаметром L будет связана с мощностью источника WI соотношением

Wj = 2uD/C [{Тм - Г0)/1п (L//)],

(21)

где К — теплопроводность. В стационарном режиме мож­ но воспользоваться допущением D « L/2 и принять [43], что

ln {LU) tu ln (2DU) « 4.

(22)

Это приближение может быть оправдано тем, что в выра­ жении (21) зависимость от I логарифмическая. Из этого следует, что глубина отверстия при больших отношениях глубины к диаметру почти не зависит от диаметра

4 W I

(23)

D

2 к К ( Т м - Т

0)

Расчетная глубина отверстия при воздействии лазерного луча мощностью в 1 кВт на медь {Тм— 1356 К, К =

==4,0 Вт/см-К) равна 0,151 см.

Втабл. 6 приведены расчетные значения глубины от­

верстий для ряда материалов при температуре окружающей среды 300 К. Из таблицы видно, что при мощности 1 кВт

Т абл и ц а 6

ГРасчетная глубина отверстий в некоторых материалах при заданной интенсивности потока (в предположении большого

отношения глубины к диаметру отверстия)

 

Теплопровод­

 

Глубина

D ,

см

Материал

Температура

 

 

 

ность .

 

 

 

 

Вт/см-К

плавления, К

W , = 103 Вт

w

I = і : 4Вт

Алюминий

2,38

933

0,423

4,23

Хром

0,87

2176

0,391

3,91

Медь

4,0

1356

0,151

1,51

Золото

3,11

1336

0,198

1,98

Серебро

4,18

1234

0,124

1,24

Титан

0,20

1941

1,64

16,4

Камень

0,02

-2000

15,9

159,0

312

Л. А. Вивер

можно сверлить отверстия глубиной около 1 мм в мате­ риалах с высокой теплопроводностью (Ag, Cu) и глубиной до 16 см в горных породах. Следовательно, для проплав­ ления металлов на глубину нескольких сантиметров необходимы мощности по меньшей мере ІО4 Вт, в то время как в материалах с низкой теплопроводностью отверстия глубиной около 10 см могут быть получены при Wj

>103 Вт.

Следует отметить, что в приведенном приближенном

расчете учитывались потери только на теплопроводность, однако заметная доля энергии может уноситься при испа­ рении материала из отверстия. Эти потери пропорциональ­ ны квадрату диаметра и незначительны только для узких глубоких отверстий. Если мощность луча меньше мощнос­ ти потерь на испарение, то нельзя просверлить глубокое отверстие. В этом случае луч постепенно углубляется в материал, образуя относительно широкую лунку. Этот процесс будет продолжаться до тех пор, пока D сравнимо с I, и глубина лунки в этом случае будет определяться скоростью.испарения материала.

При движении луча по поверхности материала со ско­ ростью V (см/с) глубина прорезания уменьшается. Это свя­ зано с тем, что затрачивается дополнительная энергия на расплавление материала в направлении движения луча, и меньшая доля энергии при соответственно меньшей глу­ бине D может быть израсходована на теплопередачу. По

результатам работы [43] критическая скорость ѵс,

при

которой глубина прорезания снижается вдвое,

равна

Vс

2тгК

(24)

31

 

 

Для металлов обычно К & 1 см2/с и при I та 0,2 см критичес­ кая скорость ѵсж 10 см/с. Для материалов с низкой тепло­ проводностью (например, бетон) К та 0,05 смѴс и ѵс я#

0,05 см/с,

5. 5. Скорость лазерного сверления

При очень высоких плотностях потока (более ІО7 Вт/ем2) потерями энергии, обусловленными теплопроводностью, можно пренебречь. Падающее на поверхность излучение

Применение лазеров для размерной обработки и сварки

313

поглощается в тонком слое материала и вызывает быстрое испарение вещества. Толщина поглощающего слоя равна

— 100 мкм для электронных пучков и ~1 мкм для лазер­ ного излучения. Если пары удаляются с поверхности дос­ таточно быстро и эффект экранирования пренебрежимо мал, скорость испарения dxldt связана с плотностью потока F простым соотношением

Е =

(25)

где С — удельная энергия испарения, значение

которой

для большинства металлов —3- ІО3 Дж/см!>. Следовательно, для потока 3- ІО7 Вт/см2 скорость перемещения границы поверхности равна —ІО4 см/с. Однако режим беспрепят­ ственного испарения с поверхности не может существо­ вать длительное время. Действительно, время испарения

слоя

толщиной

I имеет порядок

 

 

 

t 0 ~

I

= — .

(26)

 

 

0

dt

F

к ’

При

I порядка

толщины скин-слоя для F =

3- ІО7 Вт/см2

и С = 3- ІО3 Дж/см3 t =

ІО -8

с. Следовательно, пары мате­

риала образуются за очень малое время и поэтому на после­ дующих стадиях процесса нужно учитывать эффект экра­ нирования падающего излучения. После испарения опре­ деленного объема материала требуется конечное время для его удаления из области нагрева. В течение этого пе­ риода его плотность незначительно отличается от плот­ ности исходного материала и он продолжает поглощать энергию. Эго приводит к еще более быстрому нагреву и увеличению объема. Экранирование излучения парами при­ водит к уменьшению количества испаренного материала. Было показано [43], что при малых значениях F формула

(25) верна, однако при больших

плотностях

dx

„1/3

 

dt

~

так как образование факела резко уменьшает скорость испарения.

О Точнее, ІО4 — 10* Дж /см 3. — Прим. ред.

314

Л. А. Вивер

6.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Лазерное излучение оказалось весьма удобным инстру­ ментом для ряда технологических процессов (сварка мик­ росхем, сверление алмазных фильер, скрайбирование полупроводниковых пластин) [31]. Доступность и экономи­ ческая эффективность надежного лазерного технологичес­ кого оборудования явились одним из важнейших факторов для широкого практического применения лазерной тех­ ники в промышленности. Можно утверждать, что в бли­ жайшие годы появятся еще более производительные, мощные и надежные установки. Импульсные лазеры уже на совре­ менном уровне превзошли по импульсной мощности и яр­ кости все другие источники энергии и можно ожидать даль­ нейшего улучшения их характеристик. Однако средняя мощность лазеров пока недостаточна. Большая часть про­ блем, возникающих при увеличении средней мощности, связана с выходом из строя отдельных элементов при боль­ ших тепловых нагрузках или с распылением электродов в лампах накачки, а также с техническими трудностями кон­

струирования

и изготовления больших установок. После

улучшения качества лазерных материалов,

ламп накачки

и зеркал можно рассчитывать на появление

мощных

ус­

тройств.

и аргоновые лазеры найдут широкое

при­

Гранатовые

менение в процессах средней и большой энергоемкости. С02-лазеры, по-видимому, в ближайшее время займут особое положение, как только их мощность превысит 10 кВт. Устройства на мощных С02-лазерах вытеснят тра­ диционное оборудование для резания, раскалывания, свер­ ления, нагрева и сварки в тяжелой индустрии. Электронно­ лучевые сварочные машины будут использоваться для вакуумной сварки металлов и С02-лазеры не будут конку­ рентоспособны в этой области. Можно ожидать появления электронно-лучевого оборудования и технологических ус­ тановок на С02-лазерах, которые позволят производить размерную обработку и сварку практически любых мате­ риалов. Источники концентрированной энергии сейчас находятся в стадии бурного развития и обновления, поэто­ му вполне обоснованно можно утверждать, что в ближай­ шие годы для них будут открыты новые области применения.

 

Применение лазеров для размерной обработки и сварки

315

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

 

 

 

 

 

 

1.

American Institute of Physics Handbook (Gray D. E., ed.), New

2.

York, McGraw-Hill, 1967, p.

6 —120.

 

1968,

v. 9,

p. 1,

Adams

M. J.—

“ Weld.

Inst. Res.

B ull.” ,

3.

Banse

K-,

Boersch

H.,

Herziger G.,

Schaefer

G.,

Seelig

W.—

4.

“ Z. Angew.

Phys.” , 1969, v. .26,

p.

195.

 

v.

16,

p.

504.

Beaulieu

A.

J.— “ Appl. Phys. Lett.” ,

1970,

5.

Bennett

W.

R,

(Jr.).

 

Chemical

Lasers, “ Appl.

Opt.

SuppL” ,

6.

1965, V . 2, p. 3.

 

 

 

 

 

Mercer G.

N., Decht J. L.—

Bennett W. R. (Jr.), Knutson J. W.,

 

“ Appl.

Phys. L ett.” ,

1964, v. 4,

p. 180; русский перевод в сб.

 

«Оптические квантовые генераторы», изд-во «Мир», 1966.

7.

Bennett

 

W.

R.

(Jr.),

Kindlmann

Р. J.,

Mercer

G.

N.,

Sunder­

 

land

J .— “ Appl. Phys. L ett.” , 1964, v. 5,

p.

158.

 

 

 

8.

Bod

D.,

Brasier

R.

E.,

Parkes

J.

“ Laser

Focus” ,

1969,

v. 5,

9.

p. 36.

 

 

Missio

D.,

 

Rogala

T.—

“ Proc. IEEE” ,

1962,

v. 50,

Bowness C.,

 

p. 1704.

10.Bridges W. B.— “ Appl. Phys. L ett.” , 1964, v. 4, p. 128.

11.

Bridges

W.

B.,

Chester A.

N.— “ IEEE J. Quantum Electron” ,

12.

1965, V .

1,

p. 66.

L.

R.,

Cheyer J. P.— “ Bull.

Amer.

Bronfin

B.

R.,

Boedecker

 

Phys. Soc.”

, 1969, V. 14,

p. 857.

 

 

 

13.

Browell

T.

P.,

Hetherington

G.—

“ J.

Brit. Soc. Sei. Glassblo-

14.

wers” , 1964, V . 3, p. 1.

 

 

 

 

 

Carslaw H. S.,

Jaeger J. C., Conduction of Heat in Solids, Ch. 1,

 

London

and

New York, Oxford

Univ.

Press (Clarendon)

1959.

15.Carslaw H. S., Jaeger J. C. Conduction of Heat in Solids, Ch. 2, London and New York, Oxford Univ. Press (Clarendon), 1959.

16.Carslaw H. S., Jaeger J. C. Conduction of Heat in Solids, Appen­ dix II, London and New York, Oxford Univ. Press (Clarendon), 1959.

17.Carslaw H. S., Jaeger J. C. Conduction of Heat in Solids, Ch. 10,

 

London and New York, Oxford Univ. Press (Clarendon), 1959.

18.

Chesler R. B., Geusic J.

E.,

Karr M. A.— “ IEEE J. Quantum

19.

Electron.” , 1969, v. 5, 345.

 

1968,

v. 169, p. 172.

Chester A.

N.—

“ Phys.

R ev.” ,

20.

Chester A.

N.—

“ Phys. R ev.” ,

1968,

v. 169, p. 184.

21.

Church С.

H., Liberman

I.—

“ Appl.

Opt.” , 1967, v. 6, p. 1966.

22.

Ciftan M.,

Luck

C. F.,

Shafer

C. G.,

Statz H.— “ Proc. IEEE” ,

23.

1961, V . 49, p. 960.

J. P.—• In

“ Electron Beam and Laser

Cohen M.

I.,

Epperson

 

Beam Technology” , (Marton L., El-Kareh A. B., Eds.), Advan.

 

Electron.,

Vol.

4, New

York,

Academic Press, 1968, p. 139—

24.

186.

R. J.,

Kisliuk P.— “J. Appl. Phys.” , 1962, v. 33, p. 2009.

Collins

25.

Cool T.

A.,

Shirley J.

A.—

“ Appl.

Phys. L ett.” , 1969, v. 14,

26.

p. 70.

 

 

 

 

 

Rudko R. I.,— “ Appl. Phys. L ett.”

Deutsch T. F., Horrigan F. A.,

 

1969, V. 15,

p.

88.

 

 

 

 

316

 

 

 

 

 

Л. А. Вивер

 

 

 

 

27.

Ditchburn R.

W. Light,

New York, W iley (Interscience), 1963,

 

p. 553.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

28.

Dowley

M. W .—

“ Appl. Phys. Lett.” ,

1968,

v. 13,

p. 395.

29.

Evtuhov

V.,

Neeland

J.

K- — ‘‘Appl. Phys.

L ett.” ,

1965, v. 6,

30.

p. 75.

E.,

Verdeyen

J. T., Cherrington B.

E.— “ Appl. Phys.

Fein M.

 

L ett.” ,

1969,

V.

14, p.

337. .

 

 

 

 

31.

Gagliano

F. P.,

Lumley

R. M., Watkins

L. S.—

“ Proc. IEEE” ,

32.

1969, V. 57, p. 114.

 

 

p. 27.

 

 

Gerry E. T.—

“ Laser Focus” , 1970, v. 6,

 

 

33.

Gobeli G.— “ Electronic

News” , 1969, v.

14,

p.

72.

 

34.Gordon E. L, Labuda E. F., Bridges W. B.— “ Appl. Phys. L ett.” , 1964, V. 4, p . 178.

35. Hagan W. F.— “ J. Appl. Phys.” , 1969, v. 40, p. 511.

36.Haun R. D. (Jr.), “ IEEE Spectrum” , 1968, v. 5, p. 82.

37.Haun R. D. (Jr.), Osial T. A., Weaver L. A., Steinbruegge K. B.,

 

Vaerewyck E. G.—

“ IEEE Trans. Ind. Gen. A ppl.” , 1968,

v. 4,

 

p. 379.

 

 

 

 

 

 

 

38.

Herziger G.,

Seelig

W.—

“ IEEE J. Quantum

Electron.” ,

1969,

 

V. 5,

p. 364.

 

 

 

 

 

 

 

39.

Hill

А. E.—

“ Appl. Phys. L ett.” , 1968,

v. 12,

p. 324.

 

 

40.

Hill A. E.—

“ Appl. Phys. L ett.” , 1971,

v. 18, p. 194.

Javan A.

41.

Hocker L. 0 .,

Kovacs M. A., Rhodes C. K., Flynn G. W.,

 

— “ Phys. Rev. L ett.” ,

1966, v. 17, p. 233.

 

 

 

42.

Horrigan F. A., Rudko

R. 1., Wilson D.— “ Quantum

Electro­

 

nics, Conf.” , Miami, Florida, Paper lOJ-4, 1968.

 

 

43.

Klemens P. G.— “ Int. Conf. Electron Ion Beam Sei. TechnoL” ,

 

3rd Boston, 1968, p. 291.

 

 

 

 

44.

Koechner W.— “ Optical

Society of America Meeting” , Chicago,

111.Paper TuE12, 1969, p. 11.

45.Koechner W.— “ Laser Focus” , 1969, v. 5, p. 29.

46. Liberman I.— “ I EEEJ . Quantum Electron” , 1969, v. 5, p .345 .

47.Liberman I., Larson D. A., Church С. Н.— “ IEEE J. Quantum Electron.” , 1969, v. 5, p. 238.

48. McClung F. J., Hellwarth R. W.— “ J. Appl. Phys.” , 1962, v. 33,

p. 828.

49.Moavenzadeh F., Williamson R. B., McGarry F, J. M. I. T. Dept,

 

of Civil

Eng.,

Rept. for

the U. S. Dept, of Transport,

Washing­

 

ton, D. C., Contr. C-85-65, 1968.

 

 

 

 

50.

Nelson

D. F„

Boyle W.

S.— “ Appl. Opt.” ,

1962,

v.

1, p. 181.

51.

Nighan W. L.,

Bennett J. H.—

“ Appl. Phys. L ett.” , 1969,

v. 14,

 

p. 240.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

52.

Patel С.

K.

N.— “ Phys.

Rev.

L ett.” , 1964, v. 13,

p. 617.

53.

Patel С. K.

N.— “ Phys. R ev.” ,

1964, v. A 136, p. 1187.

 

54.

Platte W.

N.,

Smith J.

F.—

“ Weid. J .”

(New

York),

1963,

V.42, p. 481.

55.Schumacher B. W.— “ Int. Conf. Electron Ion Beam Sci.Technol.” , 3rd Boston, 1968, p. 447.

56.Schumacher B. W., Taylor C. R.— “ Rec. 10th Annu. Symp.

Electron Ion Laser Beam TechnoL” , Gaithersburg, 1969, p. 271.

 

Применение лазеров для размерной обработки и сварки

317

57.

Shapiro

S. L.,

Duguay М. A. “ Phys. Rev. L ett.” , 1969, v. А 28,

58.

p. 698.

J. F.—

“ Laser Focus” ,

1969,

v. 5, p.

32.

 

 

 

 

Smith

 

Electron.” ,

59.

Smith

R. G.,

Galvin M. F.— “ IEEE J. Quantum

60.

1967, V. 3, p. 406.

 

 

1961, v. 7,

p. 444.

 

 

 

Snitzer

E.— “ Phys. Rev. L ett.” ,

 

 

 

61.

Soffer В. H.—

“ J. Appl. Phys.” , 1964, v. 35,

p. 2551.

 

 

62.

Sullivan

A. B.

J., Houldcroft

P.

T.— “ Brit. Weld. J . ” ,

1967,

63.

v. 14, p. 443.

 

Targ R.,

Foster

J.

D.— “ Appl.

Phys.

L ett.” ,

Tiffany

W. B.,

64.

1969, V. 15, p. 91.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Holobeam, Inc., Paramus, New York, Advertisement in Laser

65.

Focus,

1970, V. 6, p. 2.

 

1967,

v. 3, p.

21.

 

 

 

 

Young

C.G.—

“ Laser Focus” ,

 

 

 

 

66.

Young

C.G.—

“ Proc. IE E E ” ,

1969,

v. 57, p.

1267.

 

 

 

67.

“C 02 Applications” , 932 East

Meadow Drive, Palo

Alto,

Cali­

68.

fornia,

1969.

 

1969, v. 5, p. 20,

 

 

 

 

 

 

“ Laser

Focus” ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ

ЛИТЕРАТУРА

 

 

 

 

1*.

Brown

C.

0 .,

Davis J. W.— “ Appl. Phys.

Lett” ,

1972,

v. 21,

2*.

№ 10,

p.

480.

 

Lacina W. B., Mann M. M.—

“ IEEE Jo urn.

Bhaumic

M. L.,

 

QE-8” , 1971, V. 2, p. 150.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3*. Тычинский В. П.—■«УФН», 1967, т. 91, № 3, стр. 389.

 

№ 3,

4*. Соболев

Н. Н.,

Соковиков

В.

В.— «УФН»,

1967,

т. 91,

 

стр. 425.

 

 

Смирнов Б. М. Газовые лазеры,

Атомиздат, М.,

5*. Елецкий А. В.,

 

1971.

 

Б. Ф.,

Соболев Н. Н., Шелепин

Л.

А. — «ЖЭТФ»,

6*. Гордиец

 

1967, т. 53, стр. 1822.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7*. Конюхов

В. Н.,

Прохоров

А. М.— «ЖЭТФ», 1966,

т. 3, №11,

8*.

стр. 436.

 

 

 

Helle

R. A.— “ IEEE

Journ. QE-8” ,

Locke Е. V., Hoag Е. D.,

 

1972, V. 2, p. 132.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9*. Действие

лазерного излучения,

Сб. под ред. Ю. П.

Райзера,

 

изд-во

«Мир»,

 

1968.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛАЗЕРНАЯ СВЯЗЬ

Монт Росс1)

1. ВВЕДЕНИЕ

Лазерные системы связи по их назначению и условиям работы могут быть подразделены на четыре класса: 1) на­ земные короткие линии связи с прохождением излучения в открытой атмосфере; 2) световодные высокоинформатив­ ные линии для связи между крупнейшими центрами стра­ ны; 3) космические высокоинформативные ретрансляцион­ ные системы ближнего действия; 4) дальние космические линии для связи с другими планетами.

Такая классификация обусловлена различием лазерных систем связи по дальности действия, информативности, требованиям к оптической видимости и подверженности влиянию атмосферы. Очевидно, что в космосе дальность оптической видимости может достигать миллиардов кило­ метров, в то время как на Земле она не превышает 100— 200 км.

При построении наземных лазерных линий связи боль­ шой протяженности затруднения, связанные с ограниче­ нием дальности оптической видимости и влиянием атмос­ феры, могут быть преодолены путем создания ретрансля­ ционных станций, применения техники рассеяния в прямом направлении (forward scatter techniques) и использования закрытых световодов. Однако при создании сравнительно коротких наземных линий во многих случаях можно дос­ тичь удовлетворительных результатов более простыми средствами.

В каждом из названных классов систем имеются свои частные проблемы и способы их разрешения. В данном разделе книги рассматриваются общие принципы лазер­

1) Monte Ross, McDonnell Douglas Astronautics Company, St.

Louis, Missouri.

Лазерная связь

319

ной связи, анализируются типы лазерных линий, описы­ ваются некоторые наиболее интересные конструктивные решения и отмечаются тенденции в развитии этого обшир­ ного раздела прикладной квантовой электроники.

2. ОСНОВНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА ЛАЗЕРНОЙ СВЯЗИ

Преимущество лазерных средств связи перед другими, например СВЧ-линиями, состоит, во-первых, в острой на­ правленности излучения, достигаемой с помощью сравни­ тельно небольших «антенн», и, во-вторых, в широкополос­ ное™, которую можно в них обеспечить и использовать с высокой эффективностью.

Важность фактора направленности излучения нетруд­ но показать, оценив минимальную расходимость электро­ магнитной волны Ѳ, определяемую дифракционными огра­ ничениями: Ѳ = 1,22 n D (К длина волны, D — пере­ дающая апертура). Поскольку в оптическом диапазоне длины волн на три-четыре порядка выше, чем в СВЧ-диа-

пазоне,

то для достижения расходимости лазерного луча

Ѳ «

10

мкрад оказывается достаточным, чтобы D равня­

лось

10

см. Благодаря высокой направленности лазерного

излучения мощность, необходимая для передачи одинаковых объемов информации, в оптическом диапазоне оказывается намного меньшей, чем в СВЧ-диапазоне. Количественно это снижение требуемой мощности за счет уменьшения расхо­ димости луча определяется коэффициентом Къ по формуле

где индексы L и М относятся к излучению оптического и СВЧ-диапазонов соответственно.

В технике СВЧ введено понятие «усиление антенны», характеризуемое величиной (XID)2. Применив это понятие для оптического диапазона, находим, что для лазерного излучения (X » 0,7 мкм) при апертуре передатчика 10 см можно получить усиление антенны 109 дб. В СВЧ-диапа­ зоне (X ж 3 см) для обеспечения такого усиления потребо­ валась бы антенна диаметром около 10 км.