
книги из ГПНТБ / Журавлев, Ю. П. Системное проектирование управляющих ЦВМ
.pdfдится, например, метод определения коэффициентов важности.
В [60] излагается аналитический подход к выбору структуры вычислительной системы и, в частности, струк туры ЗУ. Там же рассматривается вычислительная си стема, состоящая из одного или нескольких процессоров, каждый из которых имеет доступ к одной и той же не посредственно адресуемой основной памяти в мультипро граммном режиме. Система считается сбалансированной, если суммарный запрос dB обрабатываемого комплекса программ В соответствует имеющемуся оборудованию:
=тв) = '£, (Рг, mi) — (аР, bQ).
Здесь dB— средняя величина запроса |
на ресурсы вы |
|
числительной системы со |
стороны комплекса программ |
|
£; рв — запрос комплекса |
программ на |
ресурсы процес |
сора; тв — запрос комплекса программ |
на ресурсы па |
мяти; а, b — параметры организации вычислительной си стемы [0 ^ (a, 6)sgCl]; Р — количество процессоров; Q — объем основной памяти.
Анализируются две вычислительные системы с раз личной структурной организацией памяти. Одна система не имеет страничной структуры, вторая обладает стра ничной структурой памяти. Для осуществления стратегии «баланса» в отношении одного и того же комплекса про грамм определяется отношение R объемов памяти обеих систем:
где Г — среднее время ожидания страницы памяти; А — среднее время обращения к странице; с — вероятность неправильного использования страниц. Лучшей будет си стема со страничной организацией памяти, для которой выполняется отношение Д<1. Анализ проведен при сле дующем допущении: обрабатываемый комплекс про грамм известен и обладает заданными стационарной и предсказуемой суммарными заявками.
В [61] рассматриваются принципы проектирования вычислительных систем с двумя уровнями памяти, а в [62] — особенности использования иерархических ЗУ.
210
В[30] обсуждается в общем виде постановка задачи
онахождении оптимального соотношения между объе мами памяти двухуровневого ЗУ — сверхоперативного и
оперативного. Задача решается для некоторых частных случаев. В частности, находится такое распределение памяти, которое обеспечивает требуемое быстродействие оперативной памяти при фиксированной ее стоимости. Недостатком работы является отсутствие обобщений по полученным в ней частным результатам.
В [31] рассматривается процедура динамического рас пределения памяти, а в [62] — алгоритм распределения только для одноуровневых ЗУ.
В [32] анализируются некоторые стратегии управ ления оперативной памятью при взаимной независимости обращений к последней. Поскольку частые обращения к оперативной памяти могут быть зависимыми, то право мерен подобный анализ для случая зависимых обраще ний.
В [33] рассматриваются вопросы стратегии управления обменом информацией в двухуровневой иерархии памя ти, в которой управление обменом возлагается на один из уровней в предположении, что выбор информацион ных массивов, подлежащих обмену, осуществляется про граммным способом.
В[34] предлагаются простые алгоритмы, с помощью которых решаются задачи оптимального управления па мятью, состоящей из оперативной памяти и внешней па мяти большого объема.
В[35] рассматривается стратегия управления двух уровневой памятью ЦВМ, предназначенной для реализа ции сложных программ, требующих независимого обра щения к множеству стандартных подпрограмм (СП).
Знание различных стратегий управления памятью об легчает задачу выбора оптимального соотношения между объемами памятей различных уровней по методике, из ложенной в § 5.6.
Врассмотренных работах недостаточно внимания уделено вопросам обмена информацией между уровнями иерархии с совмещением встречных обменов во времени. Вместе с тем такое совмещение приводит к улучшению характеристик вычислительных машин, в том числе к по вышению их производительности.
Таким образом, выбор архитектуры системы памяти
ирасчет ее параметров зависят от характера решаемых
14* |
211 |
задач, темпа обмена информацией между вычислитель ными комплексами и внешними объектами, количества выбранных уровней иерархии, эффективности стратегий управления обменом информацией между уровнями, спо собов технической организации обменов между уровнями и от многих других факторов.
Задача выбора оптимальной по некоторым обобщен ным критериям памяти управляющих ЦВМ на осно ве известных требований — задача многоэкстремальная. При ее решении возникает множество вопросов, напри мер, как зависит число ступеней иерархии памяти, опти мизирующее показатель производительности ЦВМ, от технических характеристик каждой ступени и выбранной стратегии управления обменом; как выбрать технические характеристики каждой ступени, если число последних задано; как на основе сведений о характере задач управ ления построить оптимальную стратегию обмена инфор мацией между различными ступенями памяти; как вы брать емкости стэковых и буферных ЗУ по характери стикам алгоритмов задач и объектов управления; какие способы обмена информацией предпочтительнее и т. д.
На большинство поставленных здесь вопросов из-за отсутствия различного рода дополнительных сведений однозначных ответов нет. Однако, если некоторыми не достающими данными задаться и наложить на те или иные параметры разумные ограничения, то с некоторой степенью приближения можно получить достаточно удов летворительные ответы на поставленные вопросы.
В этой главе даются некоторые рекомендации, свя занные с выбором архитектуры и технических характе ристик памяти управляющих ЦВМ.
§5.2. КЛАССИФИКАЦИЯ ЗУ
Виерархию памяти современных ЦВМ входят раз личные типы ЗУ, которые можно классифицировать по следующим независимым характерным признакам:
функциональное назначение, место в вычислительной машине,
—схемно-конструктивное решение,' способ обращения к заданной ячейке,
скорость обращения к заданной ячейке,
— емкость,
212
—способ представления физического кода информа
ции,
—устойчивость сохранения информации в нормаль ных условиях эксплуатации,
—устойчивость сохранения информации при выклю
чении питания,
—устойчивость к внешним условиям,
—способ передачи разрядов кода,
—технологический процесс изготовления,
—физический эффект.
По функциональному назначению различают односто ронние ЗУ, предназначенные только для хранения и вы дачи кодов и допускающие однократную запись (опреде ляемую конструкцией ЗУ) при изготовлении или опера тором на заранее подготовленном носителе; полуодносторонние ЗУ типа ЗУБРИ (запоминающие устройства без разрушения информации при считывании), предна значенные для приема, хранения и выдачи кодов и до пускающие многократную перезапись информации элек трическим и механическим способами; двусторонние ЗУ с разрушением информации при считывании, предназна ченные для приема, хранения и выдачи кодов; много функциональные ЗУ, предназначенные для логической, арифметической и специальной обработки хранимой в них информации и построенные на элементах памяти, каждый из которых может реализовать некоторый набор логических операций. В свою очередь, многофункцио нальные ЗУ подразделяются на логические ЗУ, ассоциа тивные ЗУ, ЗУ для арифметической обработки инфор мации, ЗУ широкого назначения.
По месту в вычислительной машине различают вну тренние, внешние и буферные ЗУ. Первые из них составляют неотъемлемую часть вычислительной машины и находятся под ее непосредственным управлением. В свою очередь, внутренние ЗУ подразделяются на сверх оперативные ЗУ малой емкости и высокого быстродей ствия и оперативные ЗУ большей емкости и меньшего
быстродействия. |
Внешние |
ЗУ |
непосредственной связи |
с процессорами |
не имеют, |
но |
данные в них записаны |
в такой форме, которая делает их доступными для ма шины. Они обладают большой емкостью и относительно низким быстродействием. Буферные ЗУ предназначены для согласования скоростей потока данных или времени возникновения событий при передаче данных между
213
внутренними ЗУ и внешними объектами, к которым мо гут быть отнесены внешние ЗУ, ЗУ других вычислитель
ных машин, а также телефонные, телеграфные и радио релейные линии связи.
По схемно-конструктивному признаку различают ма тричные, вращающиеся, ленточные, динамические, луче вые и карточные ЗУ. В матричных ЗУ запоминающие элементы располагаются в узлах матрицы и нужные ячей ки выбираются возбуждением соответствующих пересе кающихся координатных шин. По количеству координат (измерений), определяющих линии выборки, эти ЗУ, в свою очередь, делятся на трехмерные (ЗД), двухмер ные (2Д) и 2,5-мерные (2,БД). Во вращающихся ЗУ (ба рабаны, диски) к неподвижному устройству записи—счи тывания циклически подаются участки носителя информа ции. В^ ленточных ЗУ информация записывается на лен точный носитель, способный перемещаться в прямом и обратном направлениях. В динамических ЗУ информация в виде последовательности электрических импульсов не прерывно циркулирует по замкнутой электрической цепи. В лучевых 31У выоор запоминающих элементов осущест вляется при помощи электронного или светового луча. В карточных ЗУ информация записывается на карточ
ный носитель, способный перемещаться в одном направ лении. к
По способу обращения к заданной ячейке различают адресные и ассоциативные ЗУ. В первых поиск инфор мации осуществляется по номеру запоминающей ячейки, в которую информация была помещена в режиме записи. Адресные ЗУ, в свою очередь, подразделяются на ЗУ с произвольным доступом (например, матричные), с по следовательным доступом, в которых обращение к за данной ячейке осуществляется в порядке возрастания адресов (например, ленты), и ЗУ с циклическим досту пом, в которых информация, содержащаяся в нужной ячейке, периодически появляется под записывающе-счи- тывающими элементами (например, магнитные барабаbij. bo вторых поиск информации осуществляется по признакам самой хранящейся информации,
оv 0 СК0Р0СТИ обращения к заданной ячейке различают ЗУ с быстрым считыванием и быстрой записью с мед ленным считыванием и быстрой записью, с быстрым считыванием и медленной записью.
По емкости различают ЗУ малой (до 102 бит), сред-
21 4
пей (IО2—107 бит), большой (107—1012 бит) и сверхболь шой (свыше 1012 бит) емкости.
По способу представления физического кода инфор мации различают статические ЗУ, в которых физический код информации неподвижен относительно носителя ин формации в течение всего времени хранения, и динами ческие ЗУ (см. выше).
По устойчивости сохранения информации в нормаль ных условиях эксплуатации различают устойчивые (на пример, запоминающие устройства на ферритовых сер дечниках) и неустойчивые (например, конденсаторные запоминающие устройства).
По устойчивости сохранения информации при нор мальном выключении питания различают энергонезави
симые |
и энергозависимые |
ЗУ. В |
первых информация |
||
сохраняется при нормальном выключении питания, во |
|||||
вторых — теряется при снятии питания |
(например, ЗУ |
||||
на линиях задержки). |
|
|
|
|
|
По способу передачи разрядов кода различают ЗУ |
|||||
параллельного, последовательного и параллельно-после |
|||||
довательного действия. В |
первых число |
записывается |
|||
и считывается одновременно всеми своими разрядами. |
|||||
Во вторых запись и считывание |
информации |
произво |
|||
дятся |
последовательно рязряд за |
разрядом. |
В третьих |
||
используется комбинация принципов ЗУ параллельного |
|||||
и последовательного действия. |
|
|
|
По устойчивости к внешним условиям различают ЗУ теплостойкие, влагостойкие, устойчивые к электромаг нитным излучениям, устойчивые к радиоактивным излу чениям, ударо- и вибростойкие, устойчивые к коррозии, устойчивые к внешнему давлению.
По технологии создания запоминающих элементов различают ЗУ, полученные напылением в вакууме, спе канием ферритов, электроосаждением, электрофорезисом, диффузией, эпитаксией, фотографией, фотолитогра фией, химическим осаждением, выращиванием кристал лов.
По физическому эффекту, положенному в основу создания элементов памяти, различают запоминающие устройства, использующие следующие физические яв ления.
1) Ферромагнетизм [ЗУ на ферритовых сердечниках, на слоистых ферритах, на электрофорезисных ферритах,
на железных прутках (типа «Rod»), на проводах с по
215
крытием, на плоских магнитных пленках, на твисторах, на магнитной поверхности].
2)Магнитострикция — явление изменения формы и размеров тела под влиянием магнитного поля и изме нения магнитного потока в ферромагнитном материале при механических напряжениях (ЗУ на акустических ли ниях задержки).
3)Пьезоэлектричество (ЗУ на акустических линиях
задержки).
4) Сверхпроводимость (криогенные ЗУ).
5) |
Сегнетоэлектричество — явление поляризации — |
||
изменение диэлектрической |
проницаемости материала |
||
под влиянием приложенного |
электростатического поля |
||
(сегнетоэлектрические ЗУ). |
|
эмиссия — сохранение |
|
6) |
Вторичная электронная |
электрического заряда на поверхности диэлектрического экрана (электростатическая запоминающая трубка).
7)Модуляция светового луча (фотографические и го лографические ЗУ).
8)Модуляция светового луча + электронные процессы (оптоэлектронные ЗУ — оптроны).
§ 5.3. КРИТЕРИИ ОЦЕНКИ ЗУ
Эффективность использования ЗУ в конкретной управляющей ЦВМ определяется множеством параме тров.
Для сравнительной оценки эффективности ЗУ могут быть использованы различные частные и обобщенные критерии:
—емкость Q в битах;
—время обращения к ЗУ — то, в мкс;
—критерий приведенной стоимости 5 '[36]:
S — S j+ ^ + Sa+Si,
где Si — стоимость изготовления собственно ЗУ, S2 — стоимость изготовления устройств местного управления, контроля, адресного и числового трактов, S3 — стоимость изготовления устройств, обеспечивающих заданную на дежность функционирования ЗУ, S4 — стоимость изготов ления систем питания и теплоотвода;
— критерий эксплуатационной надежности 0 запо минающих устройств, определяемый средним временем
216
восстановления аппаратуры:
п
uin,
где ti ——время, необходимое на обнаружение и устране ние г-го отказа аппаратуры, я — число элементов в аппа ратуре;
— критерий удельной емкости р, зависящий от числа бит на единицу физического объема V памяти:
|
p = Q/V [бит/см3]; |
|
||
— критерий |
информационной |
мощности |
ЗУ — v: |
|
|
v = Qf [бит/с], |
|
|
|
где / — частота |
обращения |
к ЗУ; |
|
|
— критерий добротности ЗУ — л {37]: |
|
|||
|
n = Qf/VGP. |
|
|
|
где G — масса |
ЗУ, в кг, |
Р — потребляемая |
мощность |
|
в Вт; |
|
|
|
|
— критерий |
качества |
ЗУ — т), |
представляющий со |
бою видоизмененный критерий информационной мощно сти [38]:
Введение такого критерия объясняется относительным неудобством использования в качестве критерия v чисел высокого порядка.
Первые четыре критерия являются частными, а остальные учитывают взаимосвязь влияния двух, трех
иболее параметров на эффективность ЗУ и поэтому являются обобщенными. Однако наряду с простотой, что само по себе и не плохо, приведенные выше критерии обладают тем недостатком, что учитывают взаимосвязь
ивлияние на эффективность ЗУ далеко не всех параме тров. Известны попытки построения таких обобщенных критериев, которые учитывают влияние гораздо больше
го количества фактоРов на эффективность функциони рования ЗУ.
Например, в [39] формулируется критерий оценки качества устройств вычислительных машин, похожий на критерий оценки объектов по совокупности параметров, приведенный в § 1.5. Суть этого критерия заключается
2 1 7
в том, что при сравнительной оценке п ЗУ с учетом т качеств строится матрица К:
|
к„. |
К1г, .. |
, |
Жп |
К = |
Кц, |
Кц,.. |
> |
п |
|
|
|
|
|
|
Ктг, |
к m2 , |
> Ктп |
где Кг} — конкретные значения /-го качества ЗУ с номе ром i. По конкретным значениям Кц матрицы К оты скивается псевдооптималыюе множество, с помощью ко торого матрица К переводится в нормированную матри цу К*:
1 *
A * U . |
а * 12, .. . » |
К* |
i?i |
A |
|||
К*Ц, |
К*22, ■■» |
к* |
2п |
А |
|||
к \ 1, |
К*т2, .. • ’ К*mn |
гДе К*ц ■= {Kj max — K iii/ K j шах.
Оценивая каждый параметр ЗУ весовым коэффици ентом o)j, определяющим степень его влияния на общую эффективность ЗУ, можно построить обобщенный крите рий
т
/=I
т
Если = 1, то, следовательно, 0<с; Kiz <1, откуда
/= 1
явствует, что чем ближе величина K;v к нулю, тем каче
ственнее анализируемый вариант ЗУ.
Как указывается в [39], определение весовых коэф фициентов о j можно производить в предположении, что влияние го параметра на эффективность ЗУ обратно пропорционально величине диапазона его изменения:
... ___ |
_ |
шах |
3 ~~ |
Ж- |
— К- ■ ' |
|
V max |
A /min |
Тогда имеет место равенство
= 1 V К |
K j max |
|
/ шах |
ТГ |
|
|
1mm |
/=>
21 8
Недостаток подобных обобщенных критериев заклю чается в том, что эти критерии предназначены для срав нительной оценки ЗУ по тем параметрам, о которых можно сказать, что они предпочтительнее, когда прини мают большее значение. Если среди оцениваемых пара метров окажутся инверсные, т. е. такие, о которых гово рят, что они лучше, когда принимают меньшее значение, то такие обобщенные критерии не дают ответа на вопрос о предпочтительности того или иного варианта построе ния системы оперативной или внешней памяти. Поэтому в подобных случаях гораздо удобнее пользоваться мето дикой оценки эффективности объектов с учетом значи мости их качеств, изложенной в § 1.5.
Многочисленность взаимозависимых и противоречи вых факторов, влияющих на качество работы ЗУ, пред определяет сложность выбора достаточно объективных обобщенных критериев их оценки. Последние должны выбираться с учетом конкретных условий работы, целе вого назначения и ограничений, налагаемых на параме тры ЗУ.
§ 5.4. СПОСОБЫ ОБМЕНА ИНФОРМАЦИЕЙ МЕЖ ДУ ЗУ
При решении задач на цифровых вычислительных машинах часто возникает необходимость в выполнении групповых передач массивов чисел из оперативного на внешние запоминающие устройства и обратно. В роли внешних запоминающих устройств могут выступать бу ферные запоминающие устройства, предназначенные для сопряжения управляющей ЦВМ с объектами управле ния. Как правило, при работе ЦВМ в этих режимах про цесс вычислений останавливается. Существуют такие задачи, при решении которых общее время работы ЦВМ в этих режимах относительно велико. Для повышения производительности ЦВМ целесообразно всемерно со кращать это время. Такое сокращение, в частности, мо жет быть произведено путем совмещения этих режимов во времени, если они следуют непосредственно друг за другом.
Для определенности первоначальное рассмотрение различных режимов обмена информацией между ОЗУ и ВЗУ проводится для схемы, изображенной на рис. 5.1.
219