книги из ГПНТБ / Федоров, Н. Д. Электронные и квантовые приборы СВЧ учебник
.pdfхарактер. Поэтому такое поглощение энергии электромагнитного поля в парамагнитном веществе называют электронным парамаг нитным резонансом (ЭПР)*.
На основании (11.6) и (11.8) поглощенная мощность в стационар ном состоянии
Аft с ѴРQi /іѴн |
|
(11.9) |
= |
|
|
При малой интенсивности поля (W 31« |
w) |
|
^ПОГЛ ttW 31AnyCThvlv |
(11.10) |
а вероятность вынужденных переходов пропорциональна плотно сти энергии поля щ, поэтому поглощенная мощность растет прямо, пропорционально плотности поля. При дальнейшем увеличении поля необходимо учитывать влияние знаменателя в (11.9), рост поглощаемой мощности замедляется и при достаточно большой плот ности поля Рпогл достигает предела, соответствующего выравнива нию населенности уровней (насыщение перехода). В последнем случае поглощаемая мощность оказывается равной мощности, из лучаемой при вынужденных переходах сверху вниз.
Исходное распределение населенностей подчиняется закону Больцмана, но при небольшом расстоянии между уровнями, соот ветствующем диапазону СВЧ (Д$ 31 < kT), его можно принять линейным. Тогда при насыщении перехода 3—1
Пі = п 3 = (N, + N з)/2.
Затем предположим, что населенность уровня 2 остается неизмен ной, так как внешнее поле накачки непосредственно на населен ность этого уровня не влияет из-за несовпадения частоты поля ѵн с частотой ѵ2і перехода 2—1. Изменением же населенности уровня 2 вследствие релаксационных переходов можно пренебречь. Поэтому после насыщения перехода 3—1 населенность уровня 2 станет больше населенности уровня 1 (A^2> « i), т. е. получается инверсия населенности перехода 2—1.
Когда уровень 2 расположен точно в середине между уровнями 3 и /, населенности всех уровней оказываются равными (пг — N 2 = = п 3) и инверсия населенности отсутствует. Очевидно, если уровень 2 расположен ближе к уровню 3, то при той же частоте поля накачки инверсия населенности будет получена в переходе 3—2, так как
N 2-
Обычно переход, в котором имеется инверсная населенность, называют рабочим или сигнальным, так как усиление возможно только при равенстве частоты сигнала частоте этого перехода. Дру
* В 1944 г. советский ученый Е. К* Завойский впервые эксперименталь но наблюдал ЭПР.
177
гой переход называют холостым. Условие получения инверсии на селенности можно записать в виде
|
ѵн > 2 ѵ с. |
(11.11) |
При V = |
2ѵс инверсии нет, так как уровень 2 находится на середи |
|
не между уровнями 1 и 3. |
что экспонента в законе |
|
При |
рассмотрении предполагали, |
Больцмана может быть при СВЧ заменена прямой линией. Это
справедливо, |
если Д$ ^ hv <С kT. Например, |
при А, = |
3 см |
hv/kfv0,4° К, |
поэтому даже при температуре |
жидкого |
гелия |
|
(4,2° К)hv/kT < 0,1. |
При повышении |
-температуры условие hv <С kT выпол няется еще легче.
Парамагнитные вещества имеют большое число уровней. Поэтому мо жет быть использована не только трех-, но и четырехуровневая система.
ѴИ1 |
На рис. 11.3 показаны два возможных |
|||
варианта получения |
инверсной |
насе- |
||
g—----- — |
ленности |
в такой системе. Накачку |
||
|
можно производить от двух СВЧ-ге- |
|||
Рис. 11.3 |
нераторов |
частотами ѵ.Hl |
и ѵ„ |
|
(см. рис. |
11.3, а). В результате этого |
|||
|
поле с |
частотой |
ѵп1 увеличивает |
населенность уровня^?, а с частотой ѵн2 уменьшает населенность уровня 2. Тем самым увеличивается разность населенностей уровней сигнального перехода 3—2. В частном случае, когда частоты пере ходов 1—3 и 2—4 совпадают (ѵн1 = ѵп2), для накачки можно ис пользовать лишь один генератор. Такой режим накачки называется
симметричным.
Режим накачки, соответствующий рис. 11.3, б, называется параллельным. Населенность уровня 1 сигнального перехода 2—1 уменьшается в результате действия поля накачки с частотой ѵн1.
Населенность уровня 3 должна увеличиваться. Но |
одновременно |
||
имеются переходы с уровня 3 на 4 под действием |
поля |
накачки |
|
с частотой ѵн2 (обеднение уровня 3), |
что способствует |
переходам |
|
с уровня 1 на 3 и получению меньшей |
населенности уровня 1 в ус |
||
тановившемся режиме. |
|
|
|
§ 11.3. Разновидности квантовых парамагнитных усилителей
Резонаторные КПУ. В КПУ этого типа парамагнитный кристалл помещен в объемный резонатор. На рис. 11.4 показаны отражатель ный и проходной резонаторные КПУ.
В отражательном КПУ сигнал с помощью циркулятора направ ляется в резонатор, где находится парамагнитный кристалл. К ре зонатору также подводится энергия от генератора накачки для по лучения инверсной населенности. Мощность сигнала в резона-
178
юре увеличивается в результате вынужденных переходов. Уси ленная волна сигнала с помощью циркулятора направляется в при емник. Приходящую в резонатор волну 1 сигнала можно считать падающей, а выходящую 2 (усиленную) — отраженной от резона тора. Соотношение между амплитудами этих волн должно зависеть от степени инверсии парамагнитного вещества. Неотражающая на грузка в плече циркулятора между приемником и источником сиг-
Неотражающая нагрузка
парамагнет ик |
проходной т |
Отражательный КПУ |
|
Рис. |
11.4 |
нала необходима для поглощения волны сигнала, отраженной от приемника, если на его входе недостаточно хорошее согласование. Попадание сигнала из приемника в место присоединения источника сигнала может привести к самовозбуждению КПУ.
В проходном КПУ отсутствуют циркулятор и неотражающая нагрузка, так как используется проходящая через резонатор волна. Для получения волны одного направления используют вентили.
Особенность |
резонатора КПУ состоит |
магнитная |
|
в том, что он |
должен возбуждаться на |
||
среда |
двух сильно отличающихся частотах — частоте сигнала ус и частоте накачки ѵи.
Наиболее простой расчет резонаторных КПУ основан на том, что выделение в ре зультате вынужденных переходов энергии можно представить как отрицательное за тухание, которое компенсирует собствен ные потери в резонаторе. Таким образом, если известен способ определения отрица
тельного затухания, то задача сводится к расчету электрических
цепей.
В отсутствие парамагнитного вещества объемный резонатор можно представить колебательным контуром с индуктивностью L0 и емкостью С0 и сопротивлением потерь в стенках R0 (рис. 11.5).
179
Пусть объем резонатора частично или полностью заполнен парамаг нитным веществом. Диэлектрические свойства вещества влияют на емкость резонатора, но будем считать, что дополнительная ем кость учтена в величине С0. Магнитные свойства вещества должны влиять на индуктивность, так как последняя характеризует способ ность колебательной системы запасать магнитную энергию. Наличие парамагнитного вещества можно рассматривать как частичное или полное «погружение» индуктивности резонатора L0 в магнитную
среду.
Магнитные свойства вещества принято характеризовать магнит ной восприимчивостью %, которая связывает магнитный момент единицы объема (намагничение) М с напряженностью магнитного поля Я:
М = хН = (ц -1 )Н , |
(11.12) |
где р — магнитная проницаемость. |
населенности, |
Если в парамагнитном веществе нет инверсии |
то в нем из-за вынужденных переходов происходит поглощение электромагнитной энергии внешнего поля сигнала (явление электрон ного парамагнитного резонанса). Увеличение потерь эквивалентно включению в контур резистора с сопротивлением R M> 0. При ин версии населенности вследствие вынужденных переходов происхо дит выделение энергии, и поэтому Ям < 0, что эквивалентно умень шению (компенсации) потерь.
Добротность резонатора без парамагнитного вещества
Qo = |
co0L0/R0, |
(11.13) |
где со0— собственная частота |
резонатора без |
парамагнитного ве |
щества. С учетом парамагнитного вещества и инверсии населен ности в нем можно ввести понятие полной добротности резонатора:
Ф п о л н |
^ L o ' R |
® ( Д о / ( - ^ о |
Я м о ) , |
(11.14) |
где RM0 — сопротивление RM на частоте сигнала, |
равной собствен |
|||
ной частоте резонатора со0. |
Выражение |
(11.14) |
можно записать |
|
в виде |
|
|
|
|
где |
І/Зполн - |
1/Qo — 1 Qm, |
(11.15) |
|
|
|
|
|
|
|
Q m |
- «„Lo/Ямо. |
|
(11.16) |
Величину QMпринято называть магнитной добротностью. Резонатор имеет связь с волноводом, поэтому в резонатор вно
сятся некоторые потери, которые можно характеризовать доброт ностью связи
Qcb « oLq/Pcb. |
(11.17) |
где RCB— пересчитанное к контуру сопротивление,
180
В общем виде с учетом (11.17) формула (11.15) принимает вид
где |
1/(Зполн ~ 1/Qo + 1/QoB УQm = 1/Qh — 1/Qm, |
(11.18) |
|
|
|
|
|
|
VQn r= l/Qo -r 1/QcB, |
(11.19) |
|
T. e. QH |
нагруженная |
добротность, учитывающая потери |
в ре |
зонаторе |
и в волноводе. |
Рассмотренную эквивалентную схему ре |
зонатора с парамагнитным веществом и понятие добротности можно использовать для определения коэффи
циента усиления |
и полосы пропуска- |
__ |
|
ния КПУ. |
|
*~ |
|
Эквивалентная схема отражательного |
1— |
|
|
КПУ приведена на рис. 11.6. Усиливав- |
**— 2 |
|
|
мый 1 и усиленный 2 сигналы в волно- |
__ |
|
|
водной линии распространяются в про- |
б м |
R |
|
тивоположных направлениях, так как |
рис |
|
|
усиленный сигнал |
можно рассматривать |
и ' |
|
как волну, отраженную от резонатора.
Поэтому коэффициент усиления по напряжению равен модулю коэффициента отражения, который при сопротивлении нагрузки линии ZHравен
Р _zH/z„— 1
( 11.20)
2ц/2о +1
где Z0— волновое сопротивление линии. Сопротивление ZH— пересчитанное к элементу связи (точкам а, b на рис. 11.6) сопро тивление резонатора Z с учетом активного парамагнитного ве щества.
Коэффициент усиления по напряжению определяется модулем коэффициента отражения (11.20), а по мощности К р — квадратом модуля
К р |
Г |
Z h /Z q- 1 2 |
(11.21) |
||
2r/Zq-f- 1 |
|||||
|
|
|
|||
Для упрощения будем считать, что частоты сигнала /, перехода |
|||||
ѵ0 и резонатора /0 совпадают, т. е. |
|
|
|
||
|
/ = /о = ѵ„. |
|
(11.22) |
||
Тогда (11.21) после преобразований с |
учетом (11.18) приводится |
||||
к виду |
|
|
|
|
|
|
(1 /Qcb — 1 'Qo Т 1 /Qm)2 |
(11.23) |
|||
|
(1/QcB Т l/Qo— |
1 /Qm)2 |
|||
|
|
Эта формула учитывает влияние на коэффициент усиления по терь в незаполненном резонаторе (Q0), активного вещества (QM) И связи резонатора с волноводом (QC,B). При отсутствии активного
181
вещества QM->- оо и Kp<L 1. При QM=-- Q0 Лр = 1, так как в этом случае мощность вынужденного излучения полностью ком пенсирует потери в стенках резонатора. Если QM> Q0, то мощность вынужденного излучения превышает мощность потерь в резонаторе
и усиление /С я > 1 . |
Усиление Кр |
становится большим, |
когда |
1/Qm^ |
1/<?о + 1/QcB = 1/Qh, . |
(11.24) |
|
где QH— нагруженная |
добротность |
(11.19), учитывающая |
потери |
в самом резонаторе и из-за связи с волноводом. Таким образом, уси ление резко возрастает, когда магнитная добротность немного боль ше нагруженной добротности (QM^ QH). При QM= QH Кр ->■ оо и наступает самовозбуждение КПУ, в этом случае мощность вынуж денного излучения компенсирует все потери в системе, не только в резонаторе, но и в волноводе. Таким образом, в КПУ вследствие использования активной среды наблюдается регенеративный эф фект, при котором с ростом коэффициента усиления должно проис ходить повышение полной добротности и уменьшение полосы про пускания.
Частотная зависимость коэффициента усиления и полоса про пускания КПУ определяются зависимостью от частоты коэффициен
та отражения Г или ZHв формуле (11.20). Обычно |
|
1 ^ . Д / КПу = (50—300) МГц- |
(11.25) |
Полоса пропускания КПУ оказывается сравнительно узкой- |
|
Это, очевидно, связано с тем, что полная добротность |
контура Qn0J]H |
в (11.18) намного больше остальных добротностей, так как магнит ная добротность QMпочти полностью их компенсирует. Чем больше коэффициент усиления КПУ, тем уже полоса пропускания. Это проявление регенеративного эффекта, связанного с наличием активного парамагнитного вещества, компенсирующего потери в системе. Для получения большого коэффициента усиления тре буется^ более точная компенсация потерь, приводящая к увеличению полной добротности, а следовательно, и к уменьшению полосы про пускания КПУ. Поэтому практически произведение полосы про пускания КПУ на коэффициент усиления в центре полосы остается постоянным. Произведение увеличивается, если применить допол нительные резонаторы или корректирующие элементы.
Проходной резонаторный КПУ. Все рассуждения, приведенные для отражательных резонаторных КПУ, применимы и для проходно го резонаторного КПУ. Расчеты показывают, что произведение коэффициента усиления на полосу в этом КПУ в два раза меньше. Физически это связано с тем, что при равных коэффициентах связи резонатора с входной и выходной линиями (симметрия схемы) в каж дую линию уходит половина мощности усиленного сигнала. Таким образом, в нагрузку поступает только половина этой мощности.
КПУ с бегущей волной (КУБВ). КУБВ представляет собой уси литель распределенного типа, в котором взаимодействие электро-
182
магнитного поля с активным веществом происходит в процессе рас пространения волны по волноводной линии, заполненной активным' веществом, или по замедляющей системе, вдоль которой распреде лено активное вещество. Схема КУБВ с замедляющей системой по казана на рис. 11.7. В результате воздействия поля накачки пара магнитное вещество становится активным, и это эквивалентно вве дению в систему отрицательного сопротивления. По мере распрост ранения сигнала по замедляющей системе его амплитуда непрерыв но увеличивается за счет энергии, выделяемой при вынужденных переходах.
|
Замедляющая система |
|
|
|
||
ВХр д-г4-------— |
------------- |
|
^і^Выход |
|||
I І+І Ѵ / / / / / / / / / / / Л / / / / / / / / / / / / / М / / / / / / / / / / / А j| I |
*7 |
|||||
j j |
CI LX CI |
LI |
LI LI |
Li |
IКриостат |
|
Накачкат |
|
|
|
|
V |
•> |
|
|
|
|
|
|
|
I |
ja. |
s |
^ |
|
j |
|
L |
-------- |
J |
|
|||
Парамагнетик |
|
Ферритовый вентиль |
Рис. 11.7
В § 10.3 рассматривалось взаимодействие бегущей волны с ак тивным веществом и было показано, что рост мощности сигнала происходит по экспоненциальному закону (10.42):
Р (г) ■= Р (0) ехр (—к (ѵ) г),
где Р (0) и Р (z) — мощность сигнала на входе и в точке с коорди натой г, а X — коэффициент поглощения (10.43). Коэффициент уси ления при длине активного вещества z = I
К р = Р (Г)ІР (0) = ехр (— х/), |
(11.26) |
а максимальный коэффициент усиления наблюдается на частоте сиг нала, равной центральной частоте перехода ѵ0, при которой коэф фициент X определяется по формуле (10.49):
^•Ропаке) = ехр [ —X (ѵ0) /]. |
(11.27) |
Таким образом, коэффициент усиления зависит от разности на селенности энергетических уровней, длины вещества и групповой скорости волны ѵГ. С уменьшением ѵг усиление растет. Применение периодических замедляющих систем, подобных замедляющим систе мам ЛБВ, снижает групповую скорость. Однако в ЛБВ необходимо замедление фазовой скорости до величины, удовлетворяющей усло вию синхронизма. В КПУ нет условия синхронизма, а требуется получить возможно меньшую групповую скорость, чтобы увеличить время взаимодействия поля и активного вещества при выбранной длине I. Однако трудно получить коэффициент замедления более
100.
183
Полоса пропускания КУБВ должна определяться частотной за висимостью величины ехр (—х/) в (11.26), где х (ѵ)— функция ча стоты. Ширина полосы пропускания в КПУ с бегущей волной также зависит от коэффициента усиления, т. е. с ростом К(Р) макс ПО- лоса уменьшается. Однако зависимость полосы от коэффициента усиления в КУБВ более слабая. При большом одинаковом коэффи циенте усиления в КУБВ полоса может быть во много раз больше, чем в резонаторном КПУ. Замедляющие системы, как правило, имеют более широкую полосу пропускания, поэтому возможна перестройка рабочей частоты КУБВ в пределах этой полосы частот. Преимущество КУБВ в широкополосное™ практически исчезает на более высоких частотах (в миллиметровом диапазоне). Расчеты показывают, что в этом случае полосы пропускания КУБВ и мно горезонаторных КПУ сравнимы. Сделанные выводы справедливы только в режиме бегущей волны. Для этого усилитель должен обладать невзаимным однонаправленным усилением волны, про ходящей от входа к выходу. Отраженная волна от выхода должна быть поглощена, чтобы не произошло самовозбуждения.
§ 11.4. Шумы квантовой системы с инверсной населенностью
Шумы квантовой системы обусловлены спонтанными перехода ми. Если квантовая система находится в термодинамическом рав новесии, т. е. отсутствует инверсная населенность уровней, то си стема является поглощающей. Спектральная плотность спонтан ного излучения в этом случае равна спектральной плотности излу чения абсолютно черного тела, находящегося при температуре Т, и определяется формулой Планка
Л ш (ѵ) |
h v |
(11.28) |
|
exp (h v I k T ) — 1 |
|||
|
|
||
При условии |
|
|
|
hv/kT « 1, |
(11.29) |
что справедливо для низких частот и не очень низких абсолютных температур, выражение (11.28) можно привести к обычной, широко используемой в диапазоне радиочастот формуле
Pcn( v ) ^ k T . |
(11.30) |
Эта формула относится к полосе частот 1 Гц. |
Мощность шума |
в полосе А/, очевидно, равна |
|
P(v) = Pea(v)bf = kTAf. |
(11.31) |
Из формулы (11.31) следует, что шум, создаваемый квантовой системой без инверсии населенности, можно представить как теп ловой шум некоторого резистора с положительным сопротивлением
184
R, находящегося при положительной температуре Т. Поэтому спектральная плотность шума равна квадрату шумового напряжения, определяемого формулой
£$ = Ш >оп( ѵ ) « 4 т ? . |
(11.32) |
Можно предположить, что формула (11.32) справедлива и для активной среды, у которой R отрицательно, а Т равна температуре перехода Тп, определяемой из формулы (10.51). Температура Тп при инверсии населенности отрицательна. Сопротивление R равно по абсолютной величине магнитному сопротивлению активной среды (R = —RM). Формально получается, что при отрицательных R и Т произведение их в (11.32) остается положительным. Считается, что для расчета шумовых характеристик активной квантовой среды можно использовать обычные формулы, но только вместо положи тельной температуры среды необходимо подставлять отрицательную температуру энергетического перехода, а вместо сопротивления R — отрицательное сопротивление активной среды.
В резонаторном КПУ шумы определяются двумя компонентами: спонтанным излучением и тепловым шумом сопротивления потерь в резонаторе. Расчеты показывают, что при условии, аналогичном (11.29) и пренебрежении малыми потерями в резонаторе в связи с использованием низких температур получается равенство шумовой температуры абсолютному значению температуры перехода (10.51):
|
|
Тшъ \ Т п \. |
|
|
(11.33) |
|
При достаточно сильной |
инверсии, |
когда в (10.51) Л/2 значительно |
||||
больше Nx, температура |
перехода меньше температуры |
вещества, |
||||
а следовательно, и шумовая температура Тш |
может быть значи |
|||||
тельно ниже температуры вещества, например |
ниже |
температу |
||||
ры жидкого гелия. |
Но |
формула |
(11.33) справедлива |
при |
усло |
|
вии hv!k\ Ти \ < 1. |
В случае очень низких |
температур, |
когда |
(hv/k \ Тп \) > 1, т. е. почти все частицы находятся на верхнем уров не, дополнительное рассмотрение приводит к формуле
Tm ш hv/k. , (11.34)
Это минимально возможное значение температуры шума в КПУ. Температуру шумов проходного КПУ вычисляют аналогично.
Однако из-за особенности схемы шумовая температура при макси мальном коэффициенте усиления в два раза выше, чем в однорезо наторном КПУ с тем же объемным резонатором. Кроме того, необ ходимо учитывать, что шум, создаваемый в нагрузке, отражается от резонатора обратно в нагрузку. Расчеты показывают, что для нагрузки, находящейся при комнатной температуре, шумовая тем пература усилителя может полностью определяться шумами на грузки. Чтобы уменьшить влияние нагрузки, необходимо включать в выходную линию между резонатором и нагрузкой невзаимный эле мент, охлаждаемый до сверхнизких температур. Этот элемент по глотит шум, проходящий от нагрузки к резонатору. Собственный
185
шум элемента небольшой из-за сверхнизкой температуры. Необхо димость дополнительного охлаждаемого невзаимного элемента усложняет конструкцию КПУ с проходным резонатором по сравне
нию с отражательным КПУ.
В КПУ с бегущей волной кроме спонтанного излучения необ ходимо учитывать шумы, связанные с потерями в замедляющей
системе.
Независимо от типа КПУ температура шумов, связанных со спонтанным излучением, очень мала, порядка рабочей температуры парамагнитного вещества (жидкого гелия и даже меньше). Низкий уровень этих шумов объясняется тем, что вероятность спонтанных переходов, зависящая от куба частоты, в радиодиапазоне по сравне нию с оптическим диапазоном незначительна. В реальных условиях
шумовая температура |
определяется шумами |
источника сигнала |
и элемента волноводного тракта на входе. |
волной составляет |
|
Общая температура |
шума в КПУ с бегущей |
5—10° К при температуре жидкого гелия. В резонаторных КПУ шумовая температура выше: (20—100)° К-
Вследствие очень низкого уровня шумов квантовые парамаг нитные усилители используются в качестве высокочувствительных усилителей сигнала в радиоастрономии. Применение КПУ для уси ления большого сигнала нецелесообразно, так как при этом может наступить насыщение рабочего энергетического перехода, т. е. исчезновение инверсии населенности и усиления. Кроме того, после прекращения действия большого сигнала коэффициент усиления восстанавливается через сравнительно большое время, сравнимое с временем парамагнитной релаксации.
ГЛАВА 12
ОПТИЧЕСКИЕ КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ (ОКГ)
§ 12.1. Оптические резонаторы
Необходимая положительная обратная связь в ОКГ осуществля ется с помощью оптического резонатора — системы обращенных друг к другу отражающих поверхностей (зеркал). Активное вещест во помещают между зеркалами. Поэтому возникающее в нем из-за воздействия спонтанного излучения вынужденное излучение может затем многократно отражаться от зеркал и многократно проходить через активное вещество, каждый раз усиливаясь в нем. Если уси ление поля в активном веществе достаточно для компенсации по терь в резонаторе, то мощность вынужденного излучения нарастает до стационарного значения, определяемого балансом мощностей. Часть излучения необходимо вывести из резонатора для исполь зования («нагрузка»). Для этого одно из зеркал должно иметь опре деленную прозрачность.
1S6