Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Виглин, С. И. Генераторы импульсов автоматических устройств учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
20
Добавлен:
21.10.2023
Размер:
9.02 Mб
Скачать

В некоторых схемах лампы Л\ и Л2 меняются местами. Тогда облегчается запуск схемы, но пентод Лх не имеет заземленной точ­ ки. В такой схеме пилообразное напряжение снимается с анода лампы Л2.

Выведем уравнение динамической

характеристики

А'

В'

процесса

разряда. Основное уравнение лампы

Л1

в

линейной

области

статических

характеристик

имеет

вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'ai

Лю +

$i ugl

+

у^.

 

 

 

 

 

 

 

(19.18)

где / а 0 — условная величина

тока

/ а 1

при

agl

= О и иа 1

= 0 .

Она

определяет­

ся графически, как показано на рис. 19.9.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Подставляя в формулу (19.18) выражение

для

и„,

из

соотношения

(19.13),

получаем следующее уравнение:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

•»»

 

|

 

 

^а_1

 

 

 

 

 

 

(19.19)

 

 

 

 

 

1 +S,RK

 

 

(1

 

 

+SlRK)Rh

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Соответствующее

динамической характеристике

 

А'

В',

 

 

 

 

 

 

Так как в исходном состоянии лампа

Л-2

является анодной нагрузкой

для лампы

Л,,

 

то положение точки

А'

иа характеристиках лампы

мож­

 

 

 

 

 

 

 

 

но

найти,

 

если

построить

линию

на-

а)

 

 

 

 

8)

 

 

грузки

из

 

точки « a i =

£а

под углом

'I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C tg а — #|а + Я К

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и

определить

напряжение

usi

соглас­

 

t

- r

p

 

 

 

 

но

(19.13).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Способ

определения

рабочей

точ­

 

4V

-JOK"

 

 

 

 

ки каскада с отрицательной обратной

 

 

 

 

 

связью

по

току

излагается в

гл.

16.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Динамическая

характеристика

 

 

 

 

 

 

 

 

А' В'

имеет

наклон,

определяемый

Рис. 19.10.

Эквивалентные

 

углом

{J,

 

который

согласно

уравне­

 

нию

(19.19)

можно

 

найти

так:

 

 

 

схемы:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а—пентода; 6*-разряда емкости С.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Уравнению (19.19) соответствует эквивалентная схема пентода, пока­

занная

на

рис.

19.10,я. Тогда

эквивалентная

 

схема разряда

емкости

С

принимает

вид,

показанный

на

рис.

19.10,6.

Постоянная

времени

разря­

да, очевидно,

равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*р =

С (Rsi

+ Л.) = С \Ru +

(и, +

1) Як!

 

 

 

(19.20)

и коэффициент

 

нелинейности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

» v = V - .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( 1 9 . 2 1 )

Выбирая лампу с большим внутренним сопротивлением R-n и коэф­ фициентом усиления (х„ можно получить сравнительно малый коэффици­ ент нелинейности при большой амплитуде пилообразного напряжения, ко­ торая согласно формуле (10,10) равна

С/лм =

/ с о

к-

(19.22)

 

Чтобы на работу схемы не оказывали влияния токи в паразитных ем­ костях, сеточные токи лампы, утечки в конденсаторе С, необходимо обес­ печить режим работы со сравнительно большим током / а м > 1 ма.

210

 

Для

увеличения

UMt

желательно

увеличивать

^ам

и уменьшать

С.

Однако

уменьшение

С приведет к возрастанию коэффициента нелиней­

ности. Поэтому большую

величину

или

обеспечивают в основном за счет

увеличения тока 1т.

Для этой цели

иногда в цепь лампы Лг

включают

дополнительный источник

положительного смещения

Еа. Так

как

в

этом

случае

 

 

ll.gL =

Eg

— /,ц /?,;,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

то

точка

А.' перемещается вверх

по

характеристикам

лампы,

что

приво­

дит

к возрастанию

тока

/а м-

 

 

 

 

 

 

 

§ 19 . 5 . Г Е Н Е Р А Т О Р Л И Н Е Й Н О И З М Е Н Я Ю Щ Е Г О С Я Н А П Р Я Ж Е Н И Я С Т О К О С Т А Б И Л И З И Р У Ю Щ И М Т Р А Н З И С Т О Р О М

В транзисторе ток коллектора i K слабо зависит от напряжения ик на коллекторе в широком диапазоне его изменения. Это свой­ ство позволяет использовать транзистор, как и пентод, в качестве токостабилнзирующего двухполюсника. При включении транзисто­

ра

по схеме

ОБ его выходная

проводимость YKe

резко уменьша­

ется по сравнению с выходной

проводимостью

YK9

транзистора,

включенного

по схеме ОЭ.

Иначе говоря, при питании транзисто­

ра

от источника тока / э

=

const

обеспечивается

лучшая стаби­

лизация тока

коллектора

iK,

чем

при питании от

источника

тока

/б =

const.

Поэтому на практике выгоднее применять схему

ОБ.

 

Принципиальная схема

генератора линейно изменяющегося

на­

пряжения показана на рис. 19.11, а временные графики, поясняю­

щие

ее работу,

на

рис. 19.12. Транзистор

Ту служит для раз-

 

 

 

 

 

4}

 

 

 

о - 8 Ь

 

 

Г,

 

 

£

 

 

 

\

1'

t

 

 

 

_

 

 

Уэ'

7,

 

 

 

 

 

Ух/

 

 

 

 

 

"за?

 

 

 

 

 

 

Рис. 19.11. Схема генератора линей­

 

 

 

но изменяющегося

напряжения

Рис. 19.12. Форма напряжений

 

с токостабилизирующим

в схеме генератора с токоста­

 

транзистором.

 

билизирующим транзистором.

ряда

конденсатора

С практически постоянным током, а транзистор

Т2 выполняет роль

ключа. Сопротивление

У?э

служит для стаби­

лизации тока эмиттера

h i , а сопротивление

R& определяет ре­

жим транзистора Т2. Пилообразный импульс снимается непосред­ ственно с конденсатора С.

211

Ввиду того что у транзистора Т\ заземляется

база,

для пита­

ния приходится использовать

два

источника

Ек

и Еч.

Первый

из них создает необходимые напряжения

« б э о

и

« к э 2

для транзи­

стора Г? . а также напряжение

иКб i

для

транзистгра

7",. заряжая

конденсатор С. Второй служит только

для

питания

цепи

эмиттер — база

транзистора 7*1.

 

 

 

 

 

Для

пояснения

 

работы

схемы на

рис.

19.13 приведено

семейство стати­

ческих

характеристик

 

транзистора

Ти включенного по схеме ОБ. Выход­

ное

сопротивление

A*™ (при

гэ = const)

определяется

обычным

способом:

D

Д П к 6 I

Мгг

 

 

 

 

 

 

 

 

 

u ts

ji3-=-const

 

 

 

Рис. 19.13. Перемещение

 

насыщения

для схемы

 

рабочей

точки

транзистора

Линия

ОБ при

 

в процессе

разряда.

 

не слишком больших токах /,

распола­

В

исходном

состоянии

гается

в

области

напряжений

йКб < 0.

открыты оба транзистора Т\ н

Г2 ,

при­

чем

они

включены

последовательно.

Основные

(коллекторные)

токи

транзисторов

протекают от

«плюсового» зажима

источника

Еэ

сначала через

участок

эмиттер—коллектор

транзистора

Т\, а

затем Г2 на «минусовый» зажим источника Ек.

Часть

тока ответ­

вляется

на базу транзистора

Т\ или Т2. Из схемы соединения

тран­

зисторов

(рис.

19.11) следует

очевидное соотношение

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

/к1 =

2 .

 

 

 

 

 

 

 

 

/ , 1 - / б 1 = « / к 2

+

 

 

 

 

(19.23)

 

 

 

 

/62.

 

 

 

Через открытый транзистор Г* конденсатор С заряжается

до

максимального

напряжения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ис*

=

Еккэо,

 

 

 

 

(19.24)

которое

меньше, чем

Ек.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Токи

транзисторов

Т\ и Г2 определяются

следующими

соотно­

шениями. Напряжение

Еь

распределяется между резистором

R3

и входным сопротивлением

 

/?В .\ОБ

транзистора

Т\. Если

 

 

/?э ^> R«x оь>

то малым напряжением иэ о i на входе транзистора Т\ можно пре­ небречь. Тогда

U = ^ ~ " 3 6 1

(19.25)

212

При

сравнительно

большом сопротивлении

R3 ток / э , не

зави­

сит от

режима транзистора

Т\. Ток

эмиттера

транзистора

Т2

 

/ а 3

= / « 1

 

Я!

 

(19.26)

а ток

коллектора

 

 

 

 

 

 

 

/к? =

a j / э а =

р а / 6 3 .

 

(19.27)

Ток базы /бг найдем из уравнения Кирхгофа для базовой цепи:

 

 

 

 

 

Ек =-- £/С м + " б е 2 + Ли /?в.

 

 

(19.28)

Пренебрегая малым

напряжением й б Э

2 .

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- Ек — d/см

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/б2 —

# 6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величины

б'с.м и / Э 1

определяют

положение' исходной

'рабочей

точки Л транзистора

 

(рис.

19.13).

 

 

 

 

 

 

Для формирования пилообразного импульса на базу транзи­

стора

Т% подается

положительный запускающий

импульс,

который

запирает

его

на

время

/„

(в те-

 

 

:

 

 

 

чение

промежутка t\12

на

рис.

 

 

 

 

 

 

19.12). Конденсатор С разряжается

 

 

 

 

 

 

через

транзистор

Т\

по

цепи, по-

+ 0

С

 

 

 

казанной на рис. 19.14. По мере раз­

 

 

 

 

 

 

ряда

конденсатора

С

уменьшается

 

 

 

 

 

 

напряжение

 

икб i

и

рабочая

точка

 

 

 

 

 

 

транзистора

Т\ движется

по

стати­

 

 

 

 

 

 

ческой

 

характеристике 73 1 =C.onst.

 

Рис. J9.14. Цепь

разряда

При этом

ток

разряда,

равный кол-

 

 

конденсатора

С.

 

лекторному току 1К\, остается прак­

 

 

 

 

 

 

тически постоянным. В

момент t2 снова

отпирается транзистор Т2

и происходит быстрое восстановление исходного

состояния. Кон­

денсатор

С

заряжается

через транзистор

Т2.

 

 

 

Амплитуда пилообразного

импульса

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^ л м = 4 - | * с л

= = 4 Н в

-

 

 

( 1 9 - 2 9 )

О

В момент t2 окончания разряда режим транзистора Т\ харак­ теризуется точкой В (рис. 19.13), соответствующей минимально­ му напряжению на конденсаторе:

 

 

исмин= Оси- ияи.

 

(19.30)

Ввиду

того что в схеме

ОБ линия

насыщения располагается

при «к б <

0, конденсатор С может разряжаться почти постоянным

током

до

напряжения Ис > и и = 0.

 

 

Из-за

конечной величины

выходного

сопротивления

# К б тран­

зистора

Г] ток коллектора

i K i уменьшается в течение

разряда

213

конденсатора С. Это приводит к слабой нелинейности

кривой « с -

Так как

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

due

 

lc

 

ixi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dt

~

С

 

~~С'

 

 

 

 

 

то на основании

соотношения ( 1 9 . 2 )

найдем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

' K I (^i)—Ла^г)

_

/ к 1 — 4 i (^2)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4-i(/,)

 

 

/ к .

 

 

 

 

Учитывая,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и воспользовавшись

соотношением

( 1 9 . 2 9 ) ,

получим

 

 

 

 

Для получения малого коэффициента нелинейности

Sv

необ­

ходимо

выполнить

условие

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Яке с

»/„.

 

 

 

 

 

 

Изучение процессов в схеме (рис.

1 9 . 1 1 ) показывает,

что

ам­

плитуда

илы

<

Ек.

Найдем коэффициент использования

\

напря­

жения

питания.

Воспользовавшись

соотношениями

 

( 1 9 . 2 8 )

и

( 1 9 . 3 0 ) ,

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Una

Ек

/б2 R6

U-C мин =

Ек

/к1 П э ^ — И С

мин-.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

$2

 

 

 

 

Подставляя

значение

/ K

i из

формулы

( 1 9 . 2 9 )

и

учитывая

( 1 9 . 3 1 ) ,

имеем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£=•

 

р

U

 

=

 

 

~Q

.

 

 

( 1 9 . 3 2 )

 

 

 

 

С «

UQ мнн

 

j _|

 

J~\6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К Рг # к б

 

 

 

 

Отсюда видно, что коэффициент £ тем больше, чем меньше от­

ношение

R&!RK6-

Однако

сопротивление

Rt

не

может быть

слишком

малым. В начале восстановления схемы

(момент t%) кон­

денсатор

С разряжен, и ток коллектора iK2

имеет

максимальное

значение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г

Ек

Uc мнн

о

 

 

 

 

 

I к2 м = '

-щ-

Р21

 

 

 

которое

должно

быть меньше

допустимого

/ к 2 д о п .

Отсюда

 

 

Пь>

£ к Г

" С м и н

р , .

 

 

( 1 9 . 3 3 )

214

Найдем длительность восстановления ta. Во время заряда кон­ денсатора ток базы /б2 изменяется так:

 

 

 

 

 

Ек — ис

 

 

 

Дифференцируя

это выражение,

получим

 

 

 

 

 

di62

,

1

 

due •-=0.

 

 

 

 

 

dt

1

R6

dt

 

 

 

 

Так как основным током

заряда

является коллекторный

ток

'•к2, ТО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

duC

_

1

:

_ .

1 о ;

 

 

 

 

 

 

С~

~С~

 

 

 

Следовательно,

дифференциальное

уравнение

для

тока

/б2

имеет вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

din

 

 

р2

 

 

 

 

 

 

 

dt

'

 

R6C i 6 2

= 0.

 

(19.34)

Отсюда видно,

что

ток базы

 

'62. а значит, ток

коллектора

iK2

и напряжение

« с

изменяются

в

процессе заряда

по

экспоненци­

альному закону

с

постоянной

времени

 

 

 

 

 

 

 

 

 

р 2

 

 

 

 

Длительность

восстановления

 

 

 

 

 

 

 

 

h

=

Зт3 .

 

 

 

 

Определим амплитуду U3 импульса запуска. При его воздей­ ствии напряжение йог на базе транзистора То относительно земли (рис. 19.11)

 

 

 

« 0 2 = £ Л

+

с/сР )

 

(19.36)

где

£ / ср

— напряжение на

разделительном

конденсаторе

Ср .

Величину

С/ср найдем по исходному состоянию, так как оно

поч­

ти не меняется

с течением времени. При иа=0

и И б э 2

= 0 получим

Значит,

 

и с ?

=

- и С ы .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

" б 2 =

с / 3

- с / С м .

 

(19.36')

Напряжение на базе транзистора Т2 относительно эмиттера

(рис.

19.11)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

И б э2 = « 6 2 — Чс =

 

U3— Uс» +

с|.

(19.37)

Для

запирания

транзистора

7"2

должно выполняться

условие

 

 

 

« б э 2 >

О ,

 

 

 

215

или

- UCu +

И ) > 0.

(19.38)

{U3

Так как с течением

времени

напряжение «с

уменьшается, то

для запирания транзистора Т2 в течение всего промежутка t\—t2

амплитуду

U3

следует

выбирать

из

условия

(19.38)

при

|«с| = Не мни,

что имеет

место

в

момент

t2

окончания

разряда.

Итак,

 

U3 >

[UCu

— ис

 

 

ил

 

 

(19.39)

 

 

ми.,) =

 

 

Отсюда видно, что амплитуда запуска

U3

сравнительно

велика и

превышает амплитуду £ / л м пилообразного

импульса. Это — основ­

ной недостаток

данного

устройства.

 

 

 

 

 

 

В схеме

(рис. 19.11)

транзисторы

Т\ и

Т2 работают в ненасы­

щенном режиме. Для уменьшения

времени

восстановления

( 0

и стабилизации

амплитуды

С/яи

применяют

насыщенный режим

 

Рис. 19.16. Функциональная схема

Рис. 1У.15. Включение резис­

генератора линейно изменяюще­

тора RK2 Д л я насыщения

гося напряжения с положитель­

транзистора 7"2.

ной обратнойсвязью.

транзистора Т2, для чего включают сопротивление RK2 (рис. 19.15). Очевидно, в этом случае должно выполняться известное условие насыщения

 

Н&2 Рг Rw

Однако из-за

влияния инерционности насыщенного транзистора

Т2 возникает

нестабильность длительности t„ и искажается на­

чальный участок пилообразного импульса. Выбор того или иного режима определяется поставленными требованиями.

§ 19 . 6 . Г Е Н Е Р

А Т О Р ЛИНЕЙНО И З М Е Н Я Ю Щ Е Г О С Я Н А П Р Я Ж Е Н И Я

С

П О Л О Ж И Т Е Л Ь Н О Й О Б Р А Т Н О Й С В Я З Ь Ю

Упрощенная схема генератора приведена на рис. 19.16. В ка­ честве устройства, обеспечивающего создание положительной об­ ратной связи для цепи RC, используется усилитель постоянного тока, выход которого соединен последовательно с источником пи­ тания Е, причем полярность сигналов на входе и выходе усили-

216

теля одинаковы (К^>0). Суммарное напряжение в точке А (рис. 19.16)

 

 

и А =

Я +

иВ Ы х =

£ +

Я"ас

 

(19.40)

является эквивалентной

э.д.с. источника,

питающего

цепь

RC.

Ключ К управляет работой схемы.

 

 

 

 

 

В исходном состоянии ключ К замкнут. Конденсатор С разря­

жен. При размыкании ключа

К происходит заряд

конденсатора

С от эквивалентного источника « А И формируется

пилообразный

импульс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Поясним, как в этой схеме стабилизируется ток заряда:

 

 

 

C==~R

=—R—'

 

 

 

( 1 9 , 4 1 )

где U R = « А — «в — напряжение на

сопротивлении

/?;

 

 

«в = " с — напряжение в точке

В.

 

 

 

 

По

мере

заряда конденсатора С растет напряжение

«с,

пода­

ваемое

на

вход усилителя, и

пропорционально ему

напряжение

Иных А UQ.

Через источник питания Е последнее воздействует на потенци­ ал в точке А, который возрастает вместе с « с . Именно это обсто­ ятельство создает для цепи RC положительную обратную связь.

Если коэффициент усиления /С=1, то напряжение « А в точке А возрастает ровно настолько, насколько увеличивается напряже­

ние

«в = « с

в точке В. Поэтому

напряжение uRi

определяемое

разностью потенциалов в точках А

и В,

а вместе с

ним ток

ic

сохраняют

постоянную

величину.

 

 

 

 

 

 

Подставляя

в формулу

(19.41)

выражение

(19.40), получим

 

 

 

 

Е-(\-К)ис

 

 

(19.41')

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отсюда

видно, что

лишь в

случае

/С=1

 

 

 

 

ток

ic=

const.

При

К<1 ток ic

и ско­

 

 

 

 

рость заряда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

due

_

ic

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dt

~

R

 

 

 

 

 

 

убывают с течением времени, а при К>\,

р с

1917 ф

 

наоборот, -

возрастают. Следовательно,

жения ^ nW р а ^ н ы ? Л.

 

регулируя коэффициент усиления К, мож­

 

 

 

 

но получить различный характер изменения ис

(рис. 19.17). Обычно

в схеме применяют усилитель с катодным или эмиттерным выхо­ дом, имеющий коэффициент усиления, почти равный единице.

217

 

Рассчитаем

основные

параметры

пилообразного импульса £ / л ы

и

ov .

Будем полагать,

что

ключ

К

 

разомкнут

в

промежутке

0 <

t <

ta.

Так

как

при

t = 0

напряжение

uc — 0,

то

 

 

 

 

 

 

 

 

i c ( 0 ) = / c = - | -

 

 

 

При 1 — 1л,

напряжение

« с =

£ / 1 М ) значит

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Е-(1-К)ияи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1Л)

=

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

нелинейности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5 V =

i

c

i 0

) ^

( i a

)

=

^

f - (

\ - K ) .

 

(19.42)

Поскольку

при

A s d

ток

lc

практически

постоянен,

для расчета

амплитуды

UnK полагаем

 

 

 

 

 

 

 

 

Тогда

 

 

 

 

 

 

— lc — const.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

Um

 

-

Г •

 

—-

 

 

 

 

 

 

 

 

с

,

lc^ dl-

с

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

иян

=

Е-^-.

 

 

 

 

(19.43)

Из соотношения (19.43) видно, Что большой коэффициент'исполь­ зования напряжения питания

можно получить, когда длительность (л

пилообразного

импульса

сравнима с постоянной времени RC заряда. Из-за нелинейных ис­

кажений в усилителе нельзя получить амплитуду

 

Поэтому

всегда выбирают /л < R С.

 

 

 

 

Соотношение (19.42) показывает, что даже

при большом коэф­

фициенте использования \ = 1 коэффициент

нелинейности Sv

весьма мал при К, близком к единице.

 

 

 

 

Принципиальная схема с положительной обратной связью вы­

полняется, как показано на рис. 19.18. Здесь

RK

С

основная

зарядная цепь. Роль ключа К выполняет транзистор

Т\. В качест­

ве усилителя с коэффициентом усиления

A s s l

используется эмит-

терный повторитель, собранный на транзисторе Т2. Основным ис­

точником для заряда емкости

С служит конденсатор

СБ большой

емкости. Диод Д служит для

отключения

источника

питания Ек

на время заряда конденсатора

С, а также

для быстрого заряда

конденсатора СБ во время восстановления схемы. Временные гра­ фики, поясняющие процессы в схеме, приведены на рис. 19-19.

218

Рис. 19.18. Принципиальная схема генератора линейно изменяющегося напряжения с положительной обратной связью.

Рис. «9.19. Форма напряжений в схеме генератора с положительной обратной связью.

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ