Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Виглин, С. И. Генераторы импульсов автоматических устройств учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
20
Добавлен:
21.10.2023
Размер:
9.02 Mб
Скачать

Для напряжений действительные

значения

и переменные составляю­

щие отсчитываются одинаково по отношению к эмиттеру, поэтому

" 6i

= ^ 6 H 1 + « 6 I ;

(

« 6 2

= £/бнз + " 6 2 ;

 

 

 

 

(16.50)

UKI

— UKin

-\- иК1;

 

 

 

 

 

 

акЯ — ^Л'112 +

" к 2 -

 

 

 

 

Ввиду того что до момента

*(

транзистор

7\

заперт, а транзистор

Т.2

полностью

открыт,

начальные

значения

токов

и напряжений равны:

 

 

4-Hi

 

~ °; t/6 „,

= 0;

UKKl

=

— Ек;

 

 

 

^КН2 ~

^К2э

^бн2

=

« 0 0 2 »

^КН2

 

мин-

 

 

Из схемы (рис. 16.19) найдем

операционное

изображение

б ^ ' (р)

напряжения иб1'

на выходе

двухкаскадиого

усилителя, которое

является

сигналом положительной

 

обратной

связи:

 

 

 

 

 

 

 

Ъй1'

(Р) =

АС, (Р) Л", (р) йв,

(р).

 

(16.51)

где

коэффициенты передачи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кх (Р) = —

 

~—~РГ~

 

R»I>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(16.52)

 

 

V ,

ч

Ш

(р)

h0>) р

 

 

 

 

(Р)

=

 

= —

р.

 

/?|,2.

 

 

<^б2 (Я)

причем сопротивления нагрузки

Rin — RKI i| # 6 2 II Лбэг.

Я т ^ Я м Н Я б . Н'Ябэ!-

Учитывая известное соотношение (3.172) для ?(/?) и вводя коэффи­

циенты усиления каскадов

K - - & - R •

(16.53)

h

К.2 D. Ян2>

Я б Э 2

получим

К\ Ко

T0i) (! -г -452

110

вует еще начальный

входной

сигнал

с,,

создаваемыйco^LlST^llразрядом* конден-

Помимо

сигнала

обратной

связи

а6/,

на базе

тванзйстппя

Т1

сатора С2 :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

иб1

= иб1 = и С г +

H f t / .

 

( 1 6 5 5 )

п р о в е с ™

"

В

б л о

к и н г

- г

е н е р а т о р е ,

что во

время лавинообразного

 

 

 

 

 

 

" С 2 =

- М .

 

 

(16 . 56)

и учитывая выражение (16.54), найдем

 

 

 

 

и* (р) = -1

 

f 1 ^ 2

 

(16.57)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к о н д В е ° ' с Т о р а ° В с Г И С Ь

 

С 0 0

Т Н 0

Ш

е н и е м

U 5 - W 9 ) . найдем скорость

разряда

 

«3

=

d

а,с2

 

 

 

(16.58)

 

 

 

 

 

 

u C 2 = 0

 

L p 2

 

В дальнейшем проведем исследование для случая, когда транзисторы

одинаковы, т. е. будем

считать

 

 

 

 

Pi Рэ = Pol

 

^ ? б э 1 = ^ ? б э 2 — /?бэ!

Кроме того, будем полагать

 

 

из-за чего одинаковы коэффициенты усиления

Тогда после простого преобразования получим

где

 

Р

 

 

F(P)

 

1

Р3

у - т - г ^ т . - ^ — ! ) '

 

Операционное изображение

коллекторного тока будет

или

/ К , ( Р ) = Я 8

5

т

1 ± £ ! £

-~F{P).

 

т

 

 

(16.59)

(16.60)

(16.61)

111

Для транзистора fs

получим

такие операционные

изображения:

 

Щ2 (р) = Мб02 +

КАР) U6i (р)

= "60S -I- я2 /<0 1 +

Р^

(16.62)

 

Р" (р)

~

f1 (р)

(16.63)

Лга (Р) = 'к2— г^й э г

 

U62(j})=IKiа2Л"05х—-—.

 

 

'Операционному

изображению

F(p)

соответствует оригинал

 

 

t

 

 

(16.64)

Воспользовавшись

этой функцией, можно найти точные выражения для

всех напряжений и токов. Они оказываются достаточно сложными. Поэто­ му для наглядности ограничимся лишь изучением приближенных зависи­ мостей. В большинстве случаев наименьшими в схеме (рис. 16.19) явля­

ются

сопротивления /?бэ1 и Л б э а -

Тогда

 

 

^ ? H I

 

=

Rosi\

 

 

Rno

=

Ru*4

и коэффициенты усиления

(при

Rc31

—-

 

 

/fo =

 

 

P o » « -

В этом случае

1

Ко

 

Кп

 

 

 

что

позволяет пренебречь

вторым

 

членом в выражении (16.64). Кроме

того,

как известно,

 

 

 

 

 

Так как т а < тр,

то функция

 

 

 

ch

^ = ch

 

Т р

tр . Это

Т а

изменяется гораздо быстрее, чем е

позволяет считать, что во вре­

мя лавинообразного

процесса

 

 

_ . L

еЧ s 1.

Учитывая указанные упрощения, получим приближенно

1 /

'

11.

(16.65)

 

 

112

Воспользовавшись этим выражением, на идем

t

 

 

 

" б ]

— — а.,

J / ( 0

dt +

2^f(t)

 

+

-^-f

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

sh

^

-

/

) +

2

x

3

(

c h ^

-

l

)

+ в31т ,

sh

(16.66)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[ sh — — fj - f т3 [ ch

— 1

 

 

 

« б :

=

"бог

+

ff»

/А)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(16.67)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и б 0 2

lo"

 

• sh — —

<l +

t p | c h — —

 

I

 

 

(16.68)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

я

5

4

 

 

 

 

 

 

 

^3 Та

/

 

 

 

 

 

(16.69)

 

in

= 4-= ~ — 1 Г 1 1 ^ W

Л

=

 

/ r

 

/?6э

 

\

Та

 

 

Та

 

 

 

 

 

. 0

u

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Учитывая

 

неравенство

 

т а <

т^

 

сохраним

в

формулах

( 1 6 . 6 6 ) ^

(16.68) только

 

наибольшие члены. Тогда

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

(16.70)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11^ = — «2 т « sh

т—;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Лaб2 Tа a

 

ch —

-

1 ;

 

 

 

 

 

 

(16.71)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

.

•Си

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£

t

 

 

 

 

 

 

 

 

(16.72)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

—1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

«дч

=

" б о 2

+

«2 *« (ch —

 

 

 

 

 

 

По формулам (16.69) —

 

(16.72)

 

построены

соответствующие

графики

на рис. 16.18 для промежутка

 

 

Определим

длительность лавино­

образного

процесса

 

(Л 1

 

из

 

условия

(16.48). Обратный

базовый

ток /а»р

находим

из формулы

(16.72)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

б о 2 |

 

 

а3

 

ch

 

 

 

1

- / & . ,

(16.73)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Л б э

 

 

 

 

где /бг — базовый

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

.

 

 

 

ток в рабочей точке транзистора

 

Т

 

 

 

Подставляя в соотношения (16.69) и (16.73)

 

£ = ^ i

и

учитывая

(16.48), находим следующее

уравнение:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

-

/

 

 

 

« .

i

 

- J

-

, .

. .

 

 

 

, ,

hi

 

 

1va"

i?69

 

\

T

a

 

T

a

/

 

2 /?бэ \

 

Ta

 

 

 

 

 

 

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Л| \

 

.

^Л1 .

1

 

,

 

1

 

*л1

 

 

,

 

(16,74)

 

 

 

-—-

= s h —

 

4- - о - ch — —

 

=

 

<43,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

 

 

Т«

/

 

 

Та

 

 

/

 

 

Та

2

 

Т«

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А , :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(16.75)

8 С. И» Вмглин,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

113

Втиповых схемах А-2 > 1. Действительно, воспользовавшись выраже­

нием (16.58), найдем

 

 

 

 

 

 

 

А.

=

 

( ' к ?

 

+

~о~ \ 1?Сэ

- 1 E L

 

 

 

 

 

 

Так как

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

/

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

также

 

 

 

 

 

4 г

 

>

£ к

=

 

£ к > Л < о Л б ,

 

 

 

 

 

 

то

 

Приближенно

 

 

 

 

 

 

AiS

^ К 2 >

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Входное

сопротивление

транзисторов

 

Явв

 

меньше

RK

обычно

не

бо­

лее

чем

в 10

раз. Поскольку

л

 

т

р

 

 

а

 

то

в типовых схемах,

как

правило,

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

оказывается в

несколько

раз

больше,

чем

Лх

> 1 -

При

этом

условии

/

 

,

 

>

т .

 

 

 

приближенно.

Полагая

 

а,

 

что

позволяет

решить

уравнение (16.74)

 

 

 

 

 

 

 

 

s h - ^ - s c h ^ - s - i - e ' ' "

 

 

 

 

(16.76)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Та

 

 

 

Та

 

 

Z

 

 

 

 

 

 

 

 

и пренебрегая

меньшими

членами

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tM =

 

xaln

4

 

 

 

 

 

 

 

 

(16.77)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Длительность лавинообразного

процесса

/ л ]

зависит

не

только

от

по­

стоянной

времени

~*,

но

и от

скорости

а2

разряда конденсатора,

а

так­

же

параметров

режима.

Эта

зависимость

незначительная,

 

так

как

при

Л , =

10 — 10U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tM

 

=

 

(2,6

-:- 4,9) та.

 

 

 

 

 

 

(16.77')

 

 

Подставляя

t =

/ Л 1

в

соотношения

(16.70)

и (16.72),

найдем

напряже­

ния

«б*

и Иб2 в конце лавинообразного

процесса:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

" 6 i Ум) = —a2t*

 

sh

— - ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ы 0 2 ( < Л 1 ) =

 

 

« 0 0 2 + « 2 ^ f ch - ^ j - — 1

 

 

 

 

 

 

Если считать,

что

А2

> 1

и

 

 

воспользоваться

приближенными

формулами

(16.76) и (16.77), то

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 2

Та

 

4

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

«б! Cni) = — — —

• —

А2

— — - у /к з /?в э ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

" 6 2

(4l)

=

 

«б03 +

"

J

- 7к 2

ДбЭ1

 

 

 

 

 

 

114

Коллекторный ток /K J изменяется следующим образом согласно со­ отношению (16.71)

 

 

 

(*л\) =

2

 

 

 

 

 

'KI

~ j f

 

 

 

Ввиду

того что

 

 

 

 

 

 

1!..

 

изменение

напряжений

и «бг

составляет

примерно

0,1 £ к ,

а ток

г'ш не достигает максимального значения

(так как / K i = /К г)-

 

 

Согласно эквивалентной схеме (рис. 16.19) переменные напряжения на

коллекторах и базах равны:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

" к 2

=

" 6 1 -

 

 

 

Следовательно, напряжения

икг

 

и

изменяются в

соответствии с

соотношениями (16.70) и (16.72).

Благодаря

шунтирующему

действию

малых входных сопротивлений транзисторов за время

лавинообразного

процесса они изменяются незначительно, примерно на 0,1 £ к .

 

Второй

и третий этапы

процесса

перехода.

Начиная

с момента

источником переходного процесса является быстрое рассеивание избыточ­ ного заряда <7б2. которое происходит с постоянной времени

Та' = (0,3 -4- 0,5) Та.

Токи /к з и /бг изменяются по экспоненциальному закону:

 

 

 

 

 

 

_ j

_

 

 

 

 

 

 

' и =

'кз №ч) е

а

;

а t _,

 

(16.78)

 

 

'б« = 'бар (*л0 е_

х_

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* = — 2 ; к 2

(tnl) е

 

 

где

время t отсчитывается от момента

t{.

 

 

 

 

 

Мультивибратор работает как двухкаскадный усилитель (без обратной

связи),

входом которого

является

генератор

переменного

тока

а вы­

ходом

— нагрузка транзистора

TV

Эквивалентная

схема

для

переменных

составляющих приведена

на рис.

 

16.20. Влияние меняющегося тока базы

' 6 2

учтено включением генератора

тока

/бз (р) вместо сопротивления Ябэз

и" генератора напряжения

«бз

 

из следующих соображений.

 

Переменный базовый ток /бз создает на сопротивлениях RKi и /?бз напряжение вместо существовавшего ранее напряжения на базе (при от­ крытом транзисторе 7"2):

" 6 2 fall)

= ( ' 6 2 р +

hi) Res-

 

Поэтому переменная составляющая и^',

создаваемая током

/б?, равна

«бз' = -

' 6 2 RHI " 6 2 (<Л1>.

(16.79)

8*

 

 

115

где

 

RKI

Л к | .

 

Ям -гЛ б а

 

Лба

 

Уравнению (16.79) соответствует

включение

указанных двух источников

в эквивалентной схеме.

 

 

1тМ

Sr,(p)U»(p)

 

 

 

 

 

 

 

 

I

1

/ $

 

 

 

 

Рис. 16.20. Эквивалентная

схема для второго и третьего

 

 

 

 

 

 

этапов

перехода.

 

 

 

 

Общее

переменное

напряжение

мбз

за

счет

действия

обоих перемен­

ных

токов

равно

«бз =

— Urn + «бз) Rm' — ubi ( п о ­

 

 

 

 

 

 

 

(16.80)

 

 

 

 

 

 

 

переменную

 

составляющую

'«•> найдем

по формуле

(16.49)

 

 

 

 

' ка =

'кз ! ' . ч ! ~

<ка ~ 'кз С л О

\1 —

е

 

(16.81)

 

Переменная

составляющая

/бз

равна

\ 1

е

 

 

 

 

 

'ба

=

'лз С л О -

'бз т= — 2 'кг

 

 

 

(16.82)

 

В соответствии со схемой

(рис. 16.20) имеем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U61 (Р)

•= —

(Р) /?НЗ-

 

 

 

Так

как операционные

изображения

/к з (р)

 

и

(/?)

отличаются лишь

действительным

 

множителем,

то

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

" б ! = — 'ы /?и2 =

— 'кз Сл1> Дна ( l — е

)•

(16.83)

Этому оригиналу

соответствует операционное изображение

 

 

 

 

 

 

 

(р)

«

'КЗ

(^11)

^ Н 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 -+- р •

 

 

 

Далее находим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ к

1

о») =

 

г / и ( Р ) = -

( 1 + р , . ' ) ( 1 + р * р )

Определив оригинал

этого

операционного изображения,

получим

' к ! — —

Л"о 'кз ( * Л 1 ) ' Т?

 

 

1

 

 

 

t

\

/

 

t

— ха

 

 

 

 

ч»

-

1 - е

(16.84)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

116

Так

как

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

то приближенно

вторым

 

членом

можно

пренебречь. Тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А Г 0 / к

2

(tnl)\\

.е 4 )

 

 

 

 

 

(16.84')

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Действительный

коллекторный

ток

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

' к 1 = ' к 1 С л О -

' ' к ! = 4 i (tnl)

- f К, / к , (*л 1 ) Vl — е

' ?

 

 

 

( 1 6 . 8 ) )

Подставляя выражения (16.82)

и

 

(16.84') в

соотношение

(16.80),

полу-

" 6 =

=

 

«кз (*л|)

# т '

 

 

о

н /

 

 

 

 

 

 

 

" 6 2

( 4 i )

/ба / ?( 1 6 . 8 6 )

 

л

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H i ' ' -

Так

 

как

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

" K I

=

"б:!

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

"кг

=

" 6 i .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

то напряжения

 

ик2

и

и к 1

изменяются

согласно соотношениям

(16.83) и

(16.86). По полученным формулам

 

(16.81) — (16.86)

построены

времен­

ные графики иа рис. 16 . 18 (промежуток

V

V ' ) -

Токи

/ к 2

и /б2

быстро

спадают

до

нуля

(промежуток

tx' —

t"'),

и транзистор 7", запирается. Дли­

тельность

этого

процесса

внутреннего

рассеивания

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tB2 =

(2,3

3) t«'

 

=

(0,7 ч- 1,5) та.

 

 

 

 

 

( 1 6 . 8 7 )

За это же время изменяются до конечных значений напряжения

ик2 и щг.

Запирание

транзистора

7*2

приводит

к резкому

возрастанию

его

входного сопротивления. Вследствие этого переменный

ток / м

замыкает­

ся не через входную проводимость

транзистора

7*2,

а через

сопротивление

RK1

(рис.

16.20). Так как

RKl

>

/?бэз.

 

то

за время

tm

 

резко

возрастают

напряжения

«вз

 

и

ик1

 

в

соответствии

с

вторым

членом

в

формуле

(16.86).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Начиная

с

момента

 

t"

запирания

транзистора

Т2,

 

происходит

даль­

нейшее

 

нарастание

коллекторного

 

тока

 

i K ,

с постоянной

времени

до тех пор,

пока

в момент

V

наступит

насыщение

транзистора

7"].

Соот­

ветствующим образом изменяются

напряжения

ик1

и иц2.

С

этого

же мо- .

мента t"

форма

напряжений

и к 2

и' « 6 i

определяется

зарядом

конденса­

тора

С э

 

(ср. рис. 16.18

 

и

16.14).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Подставляя

в

формулу

(16.85)

 

t =

tm

и

/ к 1 =

/ к 1 ,

найдем

 

длитель­

ность

дополнительного нарастания

коллекторного тока в транзисторе 1\;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ко 'кэ (tju)

 

 

 

 

 

 

( 1 6 . 8 S)

Пренебрегая малой величиной гК 1 (^Л 1 ) и учитывая, что

Но 'кз (£и) > 7К 1 ,

117

получим

t„, = to In

 

Т Р Я 0 / М ( < Л 1 ) '

•Ло 'К2 (£fll)

или

 

 

'ill "

т «

'in('fll)"

Так как

 

/ к ,

 

1

'ка С л О

 

= з ^к2

то

А .

(16.89)

Ля

 

Как видно из рис. 1 6 . 1 8 , полная длительность фронта нарастания на­ пряжения иК 2 равна

' ф п з ' л ! + 'из-

(16.90)

 

1Полная длительность спада напряжения

цК 1 равна

'сп 1 — 'л1 + i-e.4 + 'HI -

(16.91)

тДлительность спада всегда больше дли­

 

 

 

 

 

тельности

фронта

в

транзисторной

 

 

 

 

 

схеме.

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 16.21.

К

определению

 

Поскольку

полная

длительность

ла­

винообразного

 

процесса

'tni

вклю-

активной

длительности фронта,

чает

замедленный

начальный

участок,

 

 

 

 

 

то

при

практических

расчетах

ак­

тивную длительность

фронта

 

целесообразнее рассчитывать

по спада­

нию тока

 

между

уровнями 0,9 / К 2

и 0 , 1 / к з

(рис.

16.21). Не учитывая

изменения

хода процесса при t > t/, воспользуемся для расчета

формулой

«кг

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(16.69).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если пренебречь малым вторым членом и учесть

соотношение

(16.76),

то приближенно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2#бэ

 

 

 

 

 

 

 

Для данного

экспоненциального

закона

длительность

фронта

 

 

 

 

 

 

* ф

=

2,2 т..

 

 

 

 

 

(16.92)

Длительность

спада

 

'сп =

' ф ~г 'н-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(16.93)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

§ 16.6. СПУСКОВОЕ У С Т Р О Й С Т В О С К А Т О Д Н О Й С В Я З Ь Ю

•Спусковое устройство — это мультивибратор с одним устой­ чивым состоянием. Такие схемы используются для увеличения длительности импульсов. На практике весьма широко применяют спусковую схему с катодной связью и положительной сеткой (рис.

118

16.22). Схема с отрицательной сеткой отличается лишь тем, что сопротивление R G 2 присоединяется между сеткой и катодом вто­ рой лампы, что показано на рис. 16.22 пунктиром. Эта схема име-

Рис. 16.22. Схема спускового устройства с катодной связью.

ет более низкую стабильность длительности импульса по сравне­ нию с первой. Запуск обеих схем может производиться как отри­ цательным импульсом, подаваемым на анод лампы Л\, так и по­ ложительным импульсом, поступающим на сетку лампы Л\.

Основным достоинством схемы с катодной связью является то

обстоятельство, что

анод лампы Л2 не

соединен с другими

точка­

ми схемы, поэтому

на форму импульса

на аноде лампы Л2

влияют

только паразитные емкости, из-за чего она весьма близка к пря­ моугольной.

Связь между анодной цепью первой лампы и сеточной цепью второй осуществляется через конденсатор С\. Положительная об­ ратная связь между анодной цепью второй лампы и сеточной це­ пью лампы Л\ обеспечивается благодаря включению в схему об­ щего катодного резистора /?„, по которому могут протекать токи обеих ламп.

Напряжение ик

на этом

сопротивлении, очевидно, равно

 

 

"к =

 

 

+ 4 2 ) RK

(16.94)

и может иметь только положительное значение. Напряжение

« g i ,

измеренное относительно катода,

определяется

напряжением

ик,

взятым с обратным

знаком.

Поскольку при

tfgi<0 сеточный ток

отсутствует, то -напряжение на сопротивлении

R%i равно нулю, и

сетка лампы Л\ имеет нулевой

потенциал. Поэтому

 

 

«g i

=

— ик .

(16.95)

Схема (рис. 16.22) это двухкаскадный усилитель, выход ко­ торого (катодная цепь обеих ламп) соединен со входом (сеточная цепь лампы Л\).

U9

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ