книги из ГПНТБ / Виглин, С. И. Генераторы импульсов автоматических устройств учеб. пособие
.pdfРис. 16.11. Форма напряжения ug в схемах с поло жительной и отрицательной сеткой.
с,
- о
Рис. 16.12". Преобразование эквивалентной схемы разряда.
Рис. 16.13. Схема мультивибратора с само возбуждением (на транзисторах).
колебаний (схема с отрицательной базой). Вместе с тем такое включение R6\ и R62 создает цепь для протекания постоянно го базового тока в транзисторах, что определяет их режим.
Если общий коэффициент усиления
KiK2>h
то после включения источника питания Ел схема самовозбужда ется. Вначале по соответствующим цепям заряжаются конденса торы С) и С2 с полярностью, по казанной на рис. 16.13, после че го устанавливается стационар ный процесс колебаний, который, как и в схеме с электронными лампами, состоит из двух тактов Г| и т2 . Временные графики, ил люстрирующие процессы в схеме, построены на рис. 16.14.
Начнем изучение процессов с момента to, когда транзистор Т\ заперт, а транзистор Т2 открыт. Поясним, как обеспечивается в схеме такое состояние. Если тран зистор Г] заперт, то на его кол лекторе устанавливается макси мальное напряжение « К ] M I K C — " - ^ к (если не учитывать напряжение hoRxi на сопротивлении Конденсатор С\ быстро заряжа ется через входное сопротивление
транзистора Т2 и сопротив ление RKl После его заряда в ба зовой цепи транзистора Т2 течет
ПОСТОЯННЫЙ |
|
баЗОВЫЙ |
ТОК |
|
|
|
|
||
создаваемый |
источником |
питания |
|
|
|
||||
|
|
/ б 2 , |
|
|
|
||||
Ек и протекающий через |
сопро |
|
|
|
|||||
тивления Res 2 и Rf,2. |
На |
|
базе |
Рис. 1614 |
Форма напряжений |
||||
транзистора |
Т2 он создает |
отри |
|||||||
в |
схеме |
мультивибратора |
|||||||
цательное |
напряжение |
Ибо 2, и |
|||||||
|
на |
транзисторах. |
|||||||
транзистор |
Т2 |
открыт. |
|
||||||
Максимальное напряжение Ucu i на конденсаторе Си Опреде ляелое как разность потенциалов его обкладок, равно
Ucu\ = — |Нбо г| |
л и ! макс) — |
— \u-6o |
г|. |
(16.35) |
|
|
'Благодаря протек аиию в открытом транзисторе Т2 -и на еопротйвлен'ия RK2 .коллекторного тока / к 2 иа коллекторе имеется минимальное напряжение
мин — |
(^-к |
Лс2 Rns)u |
(16.36) |
1 0 1
Обычно для транзистора выбирается режим насыщения |
(см. ни |
|
же), в котором величина н„ ы н н |
весьма мала. Поэтому |
открытый |
транзистор Т2 можно считать замкнутым ключом, через |
который |
|
правая обкладка конденсатора |
С2 присоединяется к эмиттеру тран |
|
зистора Т\. Следовательно, ранее заряженный конденсатор С2, включенный через транзистор Т2 между базой и эмиттером тран зистора Т], создает на базе последнего положительное напряже ние и запирает его.
Изучение процессов показало, что состояние схемы, когда транзистор Т\ заперт, а транзистор Т2 открыт, возможно и наблю дается в момент to. Естественно, что конденсатор С2 постепенно разряжается через транзистор Т2, источник питания Ек и сопро тивление /?бь По мере разряда напряжение « o i = «сз уменьшается до нуля и в момент t\ транзистор Т{ отпирается. Возникает лави нообразный процесс, протекающий в соответствии с цепочкой
|
|
|
|
Д иб 1 | - > |
|
|
|
|
|
->-Дг6 1 |
f - * - Л / К 1 1 |
t |
- ^ « 6 2 1 |
-^Д4-21 —>Агк2 [ -н>-Дик2 \ - > A « 6 i ' |
•!• I- |
||||
Отрицательное напряжение |
Д«61 создает положительные токи |
||||||||
Д i6l |
и ДгЛ 1 , |
что в свою очередь дает положительный |
скачок |
на |
|||||
пряжения Дик , |
(ибо само напряжение « К 1 , |
будучи отрицательным, |
|||||||
уменьшается |
по |
абсолютной величине). Скачок Дик , |
через кон |
||||||
денсатор С\ передается на базу |
транзистора Т2 с тем же |
знаком. |
|||||||
Положительный |
скачок |
Д«62 |
приводит |
к уменьшению |
токов |
/52 |
|||
и гк.>, |
что вызывает отрицательный скачок |
напряжения |
Д ик2 |
(оно |
|||||
по абсолютной величине возрастает). Последний, как сигнал обрат ной связи, передается на базу транзистора Т\, поддерживая и уси ливая лавинообразный процесс. В результате транзистор Т\ отпи рается полностью и насыщается, а транзистор Т2 запирается. Схе ма переходит в состояние, соответствующее такту х\.
Запирание транзистора Т2 обеспечивается тем, что заряженный конденсатор Ci через открытый транзистор Ti присоединяется между базой и эмиттером транзистора Т2, создавая на базе послед него положительное напряжение. Разряд конденсатора С\ происхо
дит |
через транзистор |
Т\, источник питания |
Ек |
и |
сопротивление |
||||||
Т?62 |
с постоянной времени |
тр 1 |
= / ? б 2 С,, |
имеющей |
сравнительно |
||||||
большое значение. Поэтому транзистор Т2 остается |
запертым |
в |
|||||||||
течение всего |
такта |
T I , т. е. до |
тех пор, |
пока вследствие разряда |
|||||||
конденсатора |
С\ напряжение |
«62 |
снизится |
до |
нуля |
(момент t2 |
на |
||||
рис. |
16.14). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Если транзистор Т2 заперт, то транзистор |
Т\ остается откры |
||||||||||
тым |
в течение |
всего |
такта |
%\. В начале |
такта |
отрицательное |
на- |
||||
102
пряжение и6] |
|
создается |
на |
входном сопротивлении |
R,3 |
\ током |
|||||||||||
заряда |
|
1з2 |
конденсатора |
С2 |
|
и |
постоянным |
базовым током |
/&и |
||||||||
протекающим также через сопротивление Л^ь |
Направление |
этих |
|||||||||||||||
таков, |
а также |
тока разряда |
(р 1 |
показано на рис. 16.13. По |
мере |
||||||||||||
заряда конденсатора С2 с постоянной времени' |
|
|
|
|
|
||||||||||||
ток |
i32 уменьшается до нуля |
и |
напряжение |
«ei |
также |
спадает |
|||||||||||
до значения Ибо 1, определяемого |
только |
постоянным |
базовым то |
||||||||||||||
ком |
/ |
B |
I . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
После запирания транзистора |
Т2 |
напряжение и к 2 |
равно |
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
ик2 = |
— |
|
(/fK |
— |
i3 2 / ? к 2 ) - |
|
|
|
|
|
|
|
Оно |
постепенно |
приближается |
к |
уровню |
Ек |
по |
мере |
спадания |
|||||||||
тока |
заряда |
1з2. |
Напряжение |
|
ик1 |
остается |
постоянным и равным |
||||||||||
|
|
|
|
|
И И «пи = |
- |
|
( ^ к |
Лс1 ^?Kl)» |
|
|
|
|
(16.37) |
|||
так |
как транзистор Т\ насыщен и не управляется |
базовой цепью. |
|||||||||||||||
Заряд конденсатора С2 оканчивается сравнительно |
быстро, |
по |
|||||||||||||||
скольку |
Т з 2 < £ т р | . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
В момент 12 отпирается транзистор Т2, и снова возникает ла винообразный процесс. В результате действия положительной об
ратной связи |
транзистор Т2 отпирается полностью и |
насыщается, |
|
а транзистор |
Т\ запирается. Схема переходит |
в состояние, соот |
|
ветствующее |
такту то. Теперь конденсатор С] |
быстро |
заряжается |
по указанной выше цепи, а конденсатор С2 разряжается, надежно
запирая транзистор 7Y |
В |
момент |
/ 3 ) когда напряжение |
«ai спа |
||||
дает до нуля, цикл |
работы |
повторяется. |
|
|
||||
Таким |
образом, |
мультивибратор |
на транзисторах |
генерирует |
||||
импульсы |
с периодом |
колебаний |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
T=xt + |
^,. |
|
|
Длительность такта |
п |
определяется |
разрядом емкости |
С,, |
а такта |
|||
Тг — разрядом емкости |
С2. |
|
|
|
|
|||
§ 16.5. Р А С Ч Е Т О С Н О В Н Ы Х П А Р А М Е Т Р О В И М П У Л Ь С О В
ВМ У Л Ь Т И В И Б Р А Т О Р Е Н А Т Р А Н З И С Т О Р А Х
Определение положения рабочей точки и амплитуд импульсов
Как и в схеме с электронными лампами, амплитуда UK им пульсов на коллекторе определяется перепадом напряжения (рис. 16.14). Поэтому
=| " к ! мин| 1
У$2 = = ^ к |
1Мк2 мин|- |
103
Подставляя значения |
« к д ш „ |
из соотношений |
(16.36) и |
(16.37), |
|||
найдем |
|
UK\ — /к-1 RK\\ |
|
|
|
||
|
|
|
|
(16.38) |
|||
|
|
UK2 = |
А;2 |
RKI- |
|
|
|
Скачки напряжения |
uKi |
передаются |
через |
конденсатор |
С\ на |
||
базу транзистора Т$, а напряжения |
иК2 |
— на базу транзистора |
|||||
Т\. Следовательно, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
с/бм2 = |
Лп RK\'< |
|
|
(16.39) |
|
|
|
Uoul — 7ic2 |
RK2- |
|
|
||
|
|
|
|
|
|||
Для определения токов |
1К\ |
и /к г найдем |
на статических ха |
||||
рактеристиках транзисторов Т1 и Г2 рабочую точку, соответствую щую их открытому состоянию.
Определим |
положение |
|
рабочей |
точки транзистора |
Т\. |
Если |
||
' з 2 ^ ^ 1 , |
что |
обычно выполняется, то после полного заряда кон |
||||||
денсатора Со в течение основной части такта х\ ток базы |
Ли— Ли |
|||||||
имеет постоянную величину и течет только через резистор |
Rei |
|||||||
(рис. 16.13). |
Составив уравнение Кирхгофа для базовой |
цепи |
||||||
транзистора 7\, получим |
|
|
|
I^Col! |
|
|
||
|
|
|
г |
Ек |
|
|
|
|
Так |
как |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
j«6oi| € |
Ек, |
|
|
|
то при |
расчете |
можно пренебречь малой величиной «ooi |
н |
пола |
||||
гать |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/61~ф-. |
|
|
(16.40) |
|
Ввиду того, |
что /б1 = |
const, |
рабочая точка находится на ста |
|||||
тической характеристике ODaF |
(рис. 16.15). |
|
|
|||||
При |
изучении транзисторного |
ключа * установлено, что |
режим |
|||||
транзистора при заданном такс базы зависит от выбора сопро
тивления RK. Если выполнено |
неравенство |
|
Як1 |
<й4ц |
(16-41) |
Pi ЛИ |
|
то транзистор работает в ненасыщенном режиме. Линия нагрузки занимает положение ADi (рис. 16.15), причем рабочая точка Di лежит в линейной области характеристик.
* См. главу 13 учебного пособия «Преобразование и формирование импульсов в автоматических устройствах».
10-1
|
При таком выборе рабочей точки обеспечивается |
высокая |
ста |
|||||||||
бильность |
длительностей |
тактов, так как в ненасыщенном |
режи |
|||||||||
ме отсутствует явление рассасывания неосновных носителей. |
Но |
|||||||||||
при |
изменении |
базового |
тока |
h\ |
(например, из-за |
нестабильнос |
||||||
ти |
напряжения |
питания |
Ек) |
наблюдается |
нестабильность |
ампли |
||||||
туды |
2 Д с / к |
(рис. |
16.15), так как |
рабочая точка |
может |
переме |
||||||
щаться |
на |
участке |
|
D". |
|
|
|
|
|
|
||
|
При достаточно |
большом |
RK, если выполнено |
неравенство |
||||||||
|
|
|
|
|
|
/ ? к 1 > - р - х - . |
|
|
(16.42) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
Pi y |
6 i |
|
|
|
|
линия |
нагрузки занимает положение AD2- |
В рабочей точке |
D2 |
по |
||||||||
лучим насыщенный режим транзистора, в котором, несмотря на
возможные измен амия! '-базового тока), 'амплитуда |
UK .импульсов |
не |
изменна, '.вследствие того что 'база не упрашляет |
«оллектормьим |
то |
ком. Но зато из-за рассасывания неосновных носителей, длитель
ность которого t9 зависит от температуры, наблюдается |
значи |
тельная нестабильность длительности тактов. |
|
Рис. 16.15. К определению рабочей |
|
Рис. 16.16. Влияние рассасывания |
||||||||
точки |
транзистор?. |
|
|
на |
длительность |
такта. |
||||
Влияние времени рассасывания на длительность такта поясняется на |
||||||||||
рис. 16 . 16 . В момент |
t2 |
отпирания |
транзистора |
7"э |
на |
базу транзистора |
||||
7\ передается |
положительный |
скачок |
напряжения |
и |
уменьшается ба |
|||||
зовый ток г'б1- |
Если |
транзистор |
Г, |
насыщен, то |
это |
не |
вызывает немед |
|||
ленного изменения тока |
коллектора |
iK1, |
который продолжает |
сохранять |
||||||
прежнее максимальное значение благодаря рассасыванию неосновных но
сителей. Из-за |
сохранения |
напряжения на |
коллекторе |
ик1 = |
" K I МИН |
|
положительная |
обратная связь не действует. |
Только через |
промежуток |
|||
tai в момент t2' |
(рис. 16.16) ток коллектора |
4 i |
начинает |
уменьшаться. |
||
Отрицательный |
скачок Д и к 1 |
передается на |
базу |
транзистора |
7"2, |
и цепь |
положительной обратной связи замыкается. |
Именно в момент t2' |
схема |
переходит в новое состояние. Следовательно, |
длительность такта |
|
vi = T i + |
|
|
.105
определяется не только |
длительностью |
разряда |
конденсатора |
Си |
||||
но и временем рассасывания |
tpt. |
То |
же |
происходит |
и в |
момент |
tv |
|
отпирания транзистора Тх. |
Из-за |
рассасывания неосновных |
носителей |
в |
||||
транзисторе Т3 длительность |
такта |
*ра- |
|
|
|
|
||
|
|
т а ' |
— т 2 + |
|
|
|
|
|
Чтобы обеспечить приемлемую стабильность импульсов как по амплитуде, так и по длительности, выбирают рабочую точку на
границе насыщения (точка |
£>3 |
на |
рис. |
|
в |
которой |
ток |
1К |
||
слабо зависит от тока 1 |
б |
и весьма |
|
в,ремя |
рассасывания |
/ р . |
||||
|
мало1 6 . 1 5 ) , |
|
|
|
|
|||||
Для этого необходимо выбрать сопротивление |
|
R к1 соответствую |
||||||||
щим граничному значению между неравенствами |
(16.41) и |
(16.42): |
||||||||
|
|
|
|
P i |
'й> |
( 1 6 . 4 0 ) , |
|
|
|
|
Подставляя величину |
|
/ б 1 |
из формулы |
получим |
( 1 6 . 4 4 ) |
|||||
|
|
/ ? к ! = |
- ^ - . |
|
|
|
||||
|
|
|
|
P i . |
|
|
|
|
|
|
Точно так же для транзистора Т2 оптимальный режим имеет место при
Если |
подставить |
значение / б |
в |
неравенства ( 1 6 . 4 1 ) и |
( 1 6 . 4 2 ) , |
то |
найдем, что при |
RK < |
. |
имеет место ненасыщенный режим, |
|||
а при |
/ ? к > — - J T |
насыщенный режим. Индекс «1» |
опущен, |
так |
||
как эти неравенства справедливы для обоих транзисторов.
Таким образом, режим транзисторов в мультивибраторе опре деляется соотношением между сопротивлениями Re и RK. Ампли туду импульсов UK на коллекторе можно определить графически, проектируя, рабочую точку на ось абсцисс (рис. 16.15)
В рабочей точке D3 величина
мин| ЕК.
Поэтому приближенно 'амплитуды импульсов
UK\ = ЕК;
UK2 ~ ЕК.
Длительность тактов г, и т2
Если рабочая точка £>3 выбрана, как указано выше, то дли тельности тактов Т( или T2 определяются только разрядом кондец-
105
саторов Ci или С2 без поправки на время рассасывания tp. Эквивалентная схема разряда емкости С\ приведена на рис. 16.17.
Здесь |
транзистор |
7\ заменен |
замкну |
|
|
||||||
тым ключом, |
так |
как приближенно |
|
|
|||||||
мин |
= |
0. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Влияние |
запертого |
транзистора |
Т2 |
|
|
||||||
учитывается |
генератором тока / к 0 , под |
|
|
||||||||
ключенным к сопротивлению /?б2На |
|
|
|||||||||
самом |
деле |
последовательно |
с участ |
|
|
||||||
ком база — коллектор транзистора |
Т2 |
|
|
||||||||
в принципиальной |
схеме |
(рис. 16.13) |
|
|
|||||||
включен |
резистор |
RK2, |
но |
поскольку |
|
|
|||||
согласно |
соотношению |
(16.44) |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
RK |
<t RU> |
|
|
|
Рис. 16.17. Эквивалентная |
||
можно |
пренебречь |
малым |
|
напряже |
|||||||
в |
|
схема разряда конден |
|||||||||
нием |
I K 0 R K |
2 , |
из-за |
чего |
схеме |
(рис. |
сатора |
||||
16.17) |
сопротивление |
R K 2 |
закорочено. |
|
|
||||||
|
Эта |
схема ничем |
не отличается от схемы разряда конденсато |
|||||||||
ра в блокинг-генераторе |
(рис. 15.38). В мультивибраторе |
конден |
||||||||||
сатор |
С] |
(или |
С2) |
стремится |
перезарядиться, |
причем напряже |
||||||
ние |
Й С ] |
(или |
иС2) |
определяется соотношением |
(15.109). Подстав |
|||||||
ляя |
сюда |
t=%\ |
при «ci = |
0, найдем аналогично |
формуле |
(15.110) |
||||||
длительность такта |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
*! = |
V |
I n - |
|
^ C M I -4- / к 0 |
R62 |
|
(16.45) |
|
|
|
|
|
|
'к "4" ^КО /?б2 |
|
|
|||||
где постоянная времени |
разряда |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
||||||||
Точно так |
же |
|
|
|
|
|
|
Ru\ |
|
|
||
|
|
|
|
v 2 = |
*р 2 |
In •Ек |
+ |
^ С м 2 + |
/ко |
|
(16.46) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/кО |
/ ? б ! |
|
|
|
где |
|
|
|
|
|
|
— R-61 ^ 2 ' |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
т р 2 |
|
|
|
|
||
|
Стабильность длительности |
тактов t i И т2 определяется |
тем же |
|||||||||
выражением (15.112), которое получено для блокинг-генератора.
Учитывая |
неравенство |
(15.114), в формулах (16.45) и (16.46) мож |
||||
но пренебречь малой |
величиной |
Ко Re- |
Кроме |
того, так как ве |
||
личина иб0 |
мала, согласно соотношению |
(16.35) |
|
|||
Тогда формулы (16.45) |
и (16.46) |
преобразуются |
так: |
|||
|
|
^ 1 |
== -=pi In 2 = 0,69 т р 1 ; |
(16.47) |
||
|
|
|
|
|
|
|
• t 1П 2:=0,69 X,
p 2 Р2-
Длительности тактов х\ и х2 практически зависят только от посто янных времени разряда тр 1 или тр 2 .
107
|
Процесс перехода и длительность фронта |
|
|
|
|
||||||||
Изучим с учетом инерционности |
транзисторов |
процесс; |
перехода |
||||||||||
схемы из такта т2 |
в такт ть который |
на рис. 16.14 показан |
упрощен |
||||||||||
|
|
|
но |
в 'виде скачков |
IB |
момент |
t\. |
||||||
|
|
|
Bpсметные графики для этого про |
||||||||||
|
|
|
цесса |
построены на рис. |
16.18 |
и |
|||||||
|
|
|
поясняются |
подробно |
ниже. Из- |
||||||||
|
|
|
за инерционности токи в отпира |
||||||||||
|
|
|
ющемся транзисторе |
Т\ нараста |
|||||||||
|
|
|
ют |
постепенно до |
установивших |
||||||||
|
|
|
ся |
|
значений, |
а |
в |
запирающемся |
|||||
|
|
|
транзисторе |
Т2 |
спадают |
до нуля. |
|||||||
|
|
|
В соответствии с изменением то |
||||||||||
|
|
|
ков меняются напряжения на ба |
||||||||||
|
|
|
зах |
и |
коллекторах |
обоих |
тран |
||||||
|
|
|
зисторов. |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
Если рабочая |
точка |
открытого |
|||||||
|
|
|
транзистора |
выбрана |
на |
границе |
|||||||
|
|
|
насыщения, |
то |
во |
время |
процес |
||||||
|
|
|
са перехода оба транзистора ра |
||||||||||
|
|
|
ботают в линейном режиме. В со |
||||||||||
|
|
|
ответствии с |
изученными |
явлени |
||||||||
|
|
|
ями в транзисторном ключе мож |
||||||||||
|
|
|
но разделить процесс перехода на |
||||||||||
|
|
|
гри этапа. На первом |
этапе (про |
|||||||||
|
|
|
межуток t\—t\) |
коллекторные то |
|||||||||
|
|
|
ки ск1 |
и £к 2 |
управляются |
входны |
|||||||
|
|
|
ми цепями транзисторов, и муль |
||||||||||
|
|
|
тивибратор |
представляет |
собою |
||||||||
|
|
|
двухкаскадный |
усилитель |
с поло |
||||||||
|
|
|
жительной обратной связью. Бла |
||||||||||
|
|
|
годаря последней |
происходит |
ла |
||||||||
|
|
|
винообразный процесс. В |
течение |
|||||||||
|
|
|
его |
длительности |
tn l |
(рис. 16.18) |
|||||||
|
|
|
напряжение |
иб, |
на базе транзис |
||||||||
|
|
|
тора |
Т2 становится |
положитель |
||||||||
Рис. 16.18. Форма напряжений |
ным, что вызывает постепенно на |
||||||||||||
растающий |
обратный |
|
базовый |
||||||||||
во |
время процесса перехода |
|
|||||||||||
|
из такта т2 |
в такт т,. |
ток 1б2 р. |
|
|
|
|
|
|
|
|||
В |
момент |
коллекторный |
ток |
4а |
снижается |
до |
граничного |
||||||
значения |
'к2 гр |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(16.48) |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
когда влияние входной цепи на изменение тока |
iK2 |
прекращается. |
|||||||||||
Наступает второй этап процесса |
перехода, |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
108
На этом этапе (промежуток t\—спадание токов в транзи сторе Т2 управляется только внутренним процессом рассеивания
избыточного |
заряда |
qc- Меняющийся ток 1к2 является |
входным |
||
воздействием |
для мультивибратора, работающего |
как |
двухкас- |
||
кадный усилитель, но без обратной связи, так как |
напряжение |
иб2 |
|||
не влияет на |
ток iK2. |
После спадания коллекторного тока iK2 |
до |
||
нуля транзистор Т2 запирается, но процесс перехода не заканчи
вается. Вследствие инерционности ток |
iKl |
еще |
не достигает уста |
||||
новившегося |
максимального значения. |
На |
третьем этапе (проме |
||||
жуток t"—t |
"') происходит нарастание |
тока |
в транзисторе Т\. |
|
|||
Рассмотрим, как изменяются токи и напряжения в мультиви |
|||||||
браторе на каждом из этапов в отдельности. |
|
|
|
|
|||
Лавинообразный процесс. Как указано |
выше, |
начиная с |
момента |
tK |
|||
отпирания транзистора Ги поскольку транзистор |
Т3 |
тоже |
открыт (но |
не |
|||
насыщен), мультивибратор представляет двухкаскадный линейный усили тель. Для его исследования удобно воспользоваться эквивалентной схемой для переменных составляющих (рис. 16.19). В этой схеме конденсаторы
Рис. 16.19. Эквивалентная схема для лавинообразного процесса.
Су и |
С э |
закорочены, так как во время |
быстрого |
процесса |
перехода |
|||
напряжения иа них практически не |
меняются |
(переменная составляющая |
||||||
ис = 0). |
Кроме того, для упрощения исследования |
из схемы |
исключены |
|||||
выходные |
сопротивления |
транзисторов # К Э 1 |
и # к э 2 , |
поскольку они велики. |
||||
Действительные значения токов |
/К 1 и |
/ к а |
определяются |
в соответ |
||||
ствии |
с |
соотношением |
(3.122) *: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
' K I — Aim |
'кь |
|
|
|
( 1 6 . 4 9 ) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
'к2 |
= |
^ИМ |
г |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К2> |
|
|
|
|
|
||
где |
/К н1 |
и |
/ к н 2 — |
начальные |
значения токов. Напомним, |
что |
в |
фор |
||||
мулах (16.49) действительный ток |
iK определяется разностью |
(а |
не |
сум |
||||||||
мой) |
начального |
тока / к н |
и переменной |
составляющей |
iK |
в соответствии |
||||||
с принятым |
направлением токов. Действительный ток |
iK |
считается |
поло |
||||||||
жительным, если он вытекает из коллектора, а его переменная составля ющая положительна, если ток / к втекает в транзистор со стороны кол лектора (рис. 16.19).
* См. учебное пособие «Методы анализа усилительных и импульсных схем».
109