
книги из ГПНТБ / Монокристаллы молибдена и вольфрама
..pdf•Фото 31. Дислокационная структура монокристаллов |
молнлдепа |
после |
||||
10 щклон |
(я); монокристаллов вольфрама |
после 40 |
циклов |
(С-); |
моно |
|
кристаллов |
моліпдена |
после -10 циклов (я); |
монокристаллов |
вольфрама |
||
после 80 піклов (г) |
высокотемпературных воздействии (Х285) |
|
Фото 32. |
Размножение петель дислокации |
и миграция суог.анн |
и.аяв- |
ленные |
травлением монокристаллов после И) циклон п..ісокоге,..лера- |
||
|
туриы.ч воздеіістиніі |
(.<800). |
|
Фото 33. Картина травления монокристаллов вольфрама іос.іе 30 циклов высокотемпературных тенлосмен, выявляющая связь суЗграниц и днслокациіі роста с процессом размножения дислокации деформации.
Фото 34. Скопление дислокаций у субграниц (я) н миграция границ блоком мозппкп монокристаллом нольфрама (б) н процессе иысокотемиературпого циклиромамия (хбОО):
/ —начальное положение. // —положение субгранпи песте термоипклпроиаиші.
Фото 35. Локальная иолигопизация монокристаллом нольфрама (260 цик лон теплосмеп; ( ■200).
Фото 36. Локальная полигопизацпн, прошедшая н монокристалле молиб дена вокруг макродефекта структуры после 160 циклом теплосмеп
( X 120).
Фото 37. Полигоннзацня монокристаллом молибдена между прослойками двойников деформации. (К) высокотемператур ных циклов; х210).
Фото 38. Фрагмент локальной |
нолигонпзацпи |
монокристалла молибдена |
с неразмывшеися субграппцеіі |
после 75 (а) п 330 (ff) циклов высокотем |
|
пературных тенлогмеп |
(ХЗОО) |
Фото 39. Лислокациониая структура монокристаллов моли ">.чеиа и вольф рама вне мест локальной олнгошізащш после длителыі 'П> высокотемнературцсго термоциклнровапия (\650)
Фото 40. Зерна рекристаллизации, возникающие на поверхности моно кристаллов молибдена (а) и вольфрама (б) после 360 и 200 циклов вы сокотемпературных воздействий (Х4001
12-247
Фото 41. Структура рефлексов рентгенограмм, полученных от исходных” петермоциклнровапиых монокристаллов молибдена (а); от монокристаллов молиб дена после 40 циклов тенлосмен (б); после 120 циклов высокотемпературных воздействии (в); от исходных нетермоцпклированпых монокристаллов вольфра
ма (г); от монокристаллов |
вольфрама после 80 |
циклов |
тенлосмен |
(д); после |
||||
120 циклов высокотемпературных воздействий (е); |
с мест |
локальной |
полпго- |
|||||
пизацпп монокристаллов молибдена и вольфрама |
после |
80 |
циклов |
тенлосмен |
||||
(ж); после 300 циклов (з); |
расщепление отдельных рефлексов |
рентгенограмм, |
||||||
полученных с |
мест локальной полпгопнзацпи монокристаллов |
молибдена и |
||||||
вольфрама |
после 360 и более высокотемпературных |
термоциклов |
(и). |
Фото 42. Картина дифракции, полученная при по падании рентгепонскпх лучей на край одного из рекрнсталлизоианпых зерен, имеющих ту же (а) н иную (ff) ориентацию, чем исходный монокристалл.
В 1974 г. В ИЗДАТЕЛЬСТВЕ „ФАН УзССР ВЫЙДУТ В СВЕТ КНИГИ:
У. А. А р II ф о в. А. А. А л и е в. Угловые за кономерности взаимодействия атомных частиц
с |
твердым телом, |
15 л,, |
ориентировочная |
цена— |
||||||
1 |
р. |
50 |
к. |
|
|
|
|
|
|
|
|
В монографии излагаются результаты иссле |
|||||||||
дований |
угловых |
закономерностей |
взаимодейст |
|||||||
вия |
ионов |
и электронов |
малых (от |
0,5 |
до |
5 кэв) |
||||
и средних |
(от 5 |
до 50 |
кэв) энергий |
с поли- |
и |
|||||
монокрнсталлическпми |
образцами |
твердых |
тел. |
|||||||
|
Книга рассчитана из специалистов, работаю |
|||||||||
щих |
в |
области физики |
взаимодействия |
частиц |
с твердым телом, в том числе приповерхностных явлений, а также на студентов и аспирантов по курсу физики твердого тела и физической элек троники.
Э. С. П а р и л II с, Н. ІО. Т у р а е в. Теория
рассеяния атомов средних энергий поверхностью твердого тела, 10 л., ориентировочная цена— 1 р.
В книге обсуждаются вопросы, связанные с теоретическими исследованиями рассеяния ато мов поверхностью твердого тела; излагаются в основном результаты, полученные авторами в течение последних 10 лет.
Издание рассчитано на специалистов в об ласти физики твердого тела п атомной физики, инженеров, преподавателей, аспирантов и студен тов старших вузов.
Заявки следует направлять по адресу: Ташкент 700129, ул. Навои, 30, Узбекское объе
динение книжной торговли.