Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Монокристаллы молибдена и вольфрама

..pdf
Скачиваний:
24
Добавлен:
20.10.2023
Размер:
8.46 Mб
Скачать

тивным способом исследования структуры металлов и сплавов, а также ее изменений в процессе различных воздействий, особенно после термоциклирования.

Информация, которую несет метод избирательного травления, весьма разнообразна. По ямкам травления (поскольку они выяв­ ляют места выходов дислокаций) можно измерять плотность дислокаций и ее изменение после различных обработок, определять кристаллографические индексы плоскости, на которой они образо­ ваны; в некоторых случаях определять тип дислокаций, наклон линий дислокаций к поверхности шлифа и визуально изучать их движение и расщепление [97]. Наконец, метод дислокационного травления является самым удобным и надежным способом выявле­ ния полигонизации [129].

В молибдене и вольфраме для выявления выходов дислокаций удобно травить плоскости {100}, для которых есть несколько хими­ ческих и электролитических травителей [55, 210, 292]. Для выявления дислокационных изменений в термоішклированных монокристаллах молибдена мы использовали следующие травители:

I. 5 мл концентрированной серной кислоты в 100 мл метилового спирта. Продолжительность электролитического травления — 45—60 сек. [55].

II. 80 мл концентрированной серной кислоты + 20 мл метило­ вого спирта. Продолжительность электролитического травления—

несколько секунд [Ш0]-

III. 30 г красно-кровяной соли и 10 г едкого натра на 100 мл дистиллированной воды. Продолжительность химического травле­ ния — 2—3 сек.

Шлифы (100) монокристаллов вольфрама соответственно тра­ вились в 2%-ном водном растворе едкого натра [210] или в травителе III, а также в реактиве Вольфа [292], состоящем из двух частей 25%-ного водного раствора CuS04 и одной части концент­ рированного нашатырного спирта. После травления шлифы термоциклированных монокристаллов исследовались под оптическим микроскопом при различных увеличениях или под электронным микроскопом.

В методе травления основную трудность представляет доказа­ тельство соответствия ямок травления дислокациям. Мы проводи­ ли для этого такие операции.

1. Образцы термоциклированных монокристаллов молибдена и вольфрама с исследуемой плоскостью многократно переполировывались и травились. Картина, наблюдаемая после каждой операции последовательного и послойного травления, не менялась, за исклю­ чением небольшого отклонения, обусловленого разветвлением дис­ локаций и появлением новых дислокационных петель.

2. Монокристаллы хрупко раскалывались, и протравливались две симметричные половинки одного и того же образца. Просмотр таких половинок в оптическом микроскопе показал зеркальное от­

100

ражение в распределении ямок травления . Таким образом была проверена надежность метода избирательного травления.

Четкость фигур травления на плоскостях {100} молибдена и вольфрама различна. Хорошо ограненные ямки травления с осно­ ванием в виде квадратов получаются при травлении вольфрама. На молибдене четкие ямки травления получаются только травителем Демкина, да и то при выявлении дислокаций роста. Для плос­ костей (100) молибдена характерны конусообразные ямки травле­ ния, которые при электронномикроскопическом исследовании пред­ ставляются сглаженными по углам пирамидками.

Рентгенографический анализ. Были использованы: метод обрат­ ной съемки по Лауэ и модифицированный метод рассмотрения топограмм лауэвских рефлексов [3].

Метод обратной съемки по Лауэ является самым простым и в то же время надежным методом рентгеноанализа, используемым для определения разориентировок, изучения фрагментации и изме­ нения состояния кристаллической решетки [41, 178]. Об изменении субструктуры монокристаллов тугоплавких металлов на различных этапах термоциклирования судили по размерам и внутренней структуре отдельных рефлексов лауэграмм [106].

Монокристаллы молибдена и вольфрама в виде сколов и шли­ фов после определенного числа термоциклов и соответствующих переполировок исследовались на приборе УРС-55а в молибденовом излучении (трубка БСВ-2, V=25 кв, I = 20 ма). Минимальный диаметр пучка равен 0,6 мм, а расстояние пленки от исследуемого образца составляло 100 мм, что позволяло разрешать углы 4—5'.

Микротвердость. Метод измерения микротвердости — один из самых быстрых и чувствительных видов испытания физико-меха­ нических свойств [43, 120, 131, 282]. Микротвердость определяли прибором ПМТ-3. Часто с одного и того же места шлифа снимали последовательно картины травления, лауэграммы, а затем измеря­

ли микротвердость. Среднее значение микротвердости

вычисля­

ли по данным 20—25 измерений.

 

 

Для выбора оптимальной нагрузки на индентор строили градуи­

ровочные кривые зависимости микротвердости

от нагрузки. По

кривым определено, что оптимальной нагрузкой

является

навеска

в 100 г. Время нагружения во всех измерениях составляло 13 сек. Когда форма отпечатков искажалась вследствие анизотропии твердости, в формулу для расчета микротвердости вводились соот­ ветствующие поправки [44]. Искажение формы отпечатков микро­ твердости на гранях (100) монокристаллов молибдена и вольфрама наблюдается довольно часто [199], особенно после термоциклиро­ вания, и зависит от ориентации диагоналей алмазной пирамидки по отношению к направлениям [100] и [ПО].

Макро- и микрофрактографические исследования. Макрофрактографические исследования термоциклированных монокристаллов производились на оптическом микроскопе МИМ-7 при 70- и 120-

101

кратном увеличении. Поскольку изучение поверхности сколов при помощи оптического микроскопа часто затруднено из-за малой глубины резкости и сильно развитой поверхности, мы использовали и электронный микроскоп. Получаемое на электронном микроскопе увеличение порядка десятков тысяч в сочетании с большой глуби­ ной резкости и высоким разрешением позволило обнаружить дета­ ли строения, не выявляемые оптической микроскопией.

При электронномикроскопических исследованиях сколов моно­ кристаллов использовался отработанный нами для многих случаев метод одноступенчатых углеродных реплик [85], позволяющий без каких-либо искажений исследовать сложный рельеф сколов. На исследуемые образцы под колпаком вакуумной установки напы­ ляли спектрально чистый углерод путем его термического распы­ ления в вакууме МО-5 тор.

Толщина напыленного слоя контролировалась по потемнению кусочка плексигласа, помещаемого рядом с образцами. Напыление углерода прекращалось при появлении на плексигласе пленки золотисто-коричневого цвета.

Реплика отделялась механически при помощи желатина, кото­ рый позволял снимать тонкий напыленный углеродный слой даже с очень развитых рельефов.

Вместе со слоем высохшего желатина реплика опускалась на поверхность теплой дистиллированной воды (желатином вниз). Желатин растворялся, и оставалась только плавающая реплика, которая после нескольких промываний насекалась на мелкие ку­ сочки и помещалась на медные сеточки. Освобожденная от воды и хорошо высушенная реплика просматривалась в электронном микроскопе.

Для контрастирования изображений микроструктуры сколы и шлифы исследуемых образцов часто оттенялись тяжелыми метал­ лами: золотом, платиной. В случае развитой субструктуры самооттененные углеродные реплики давали такие же контрастные картины.

Для исследования в электронном микроскопе полированных сколов термоциклированных монокристаллов была разработана оригинальная методика отделения одноступенчатой реплики сразу же после напыления [84] путем погружения образца в холодную дистиллированную воду. Отпадала необходимость в желатине и

подтравливающих веществах. Время препарирования сокращалось до 1—2 мин.

Экспериментальные данные по субструктуре исходных моно­ кристаллов. Монокристаллы выращивались электроннолучевой зонной плавкой с осью роста [100]. Субструктура изучалась на по­ перечных и продольных шлифах, приготовленных через каждые 5—8 мм вдоль направления роста монокристаллов. Шлифы наре­ зались на электроискровом станке, а грани (100) на них выводи­ лись с точностью до 1—2°, после чего полировались механически и многократно электролитически [100].

102

Реальная структура монокристаллов молибдена и вольфрама, полученных зонной перекристаллизацией, представляется обычно как мозаичная субструктура, состоящая из агрегата блоков разной величины и разориентировки [3, 156].

Травление показывает, что монокристаллы молибдена и воль­ фрама имеют мозаичное строение вдоль всего направления роста (фото 12), за исключением участков, близко расположенных к верхним концам, куда зоной оттесняются всевозможные примеси.

Границы блоков монокристаллов в зависимости от взаимной разориентации выявляются в виде ряда точек или сплошных ли­ ний (в случае значительных разориентаций порядка 50—60' из-за слияния близко расположенных ямок травления).

Впоперечном сечении монокристаллы состоят из совокупности нескольких десятков больших субзерен, так называемых блоков первого порядка, что хорошо видно на топограмме лауэвских реф­ лексов (фото 13) монокристаллов молибдена в широком рентге­ новском пучке, а также на картинах травления поперечных шли­ фов (фото 12). Макроблоки монокристаллов в свою очередь делятся на более мелкие субзерна — блоки мозаики второго поряд­ ка. Под оптическим микроскопом субграницы таких блоков после протравливания видны как ряды ямок травления, линейная плот­ ность которых зависит от разориентировки граничащих блоков. )

Вмонокристаллах вольфрама блоки первого порядка имеют размер 0,15—0,6 мм, а второго — 0,07—0,1 мм. Для монокристал­ лов молибдена размер блоков несколько меньше: 0,1—0,5 мм и 0,04—0,8 мм соответственно.

Разориентировка блоков монокристаллов, определенная нами

по схеме рентгеновского двойного кристаллоспектрометра колеб­ лется от 5—15' до 1°. Наибольшую разориентировку имеют блоки первого порядка.

При использовании больших увеличений авторы работ [151, 156] обнаружили, что блоки второго порядка часто состоят из еще более мелких фрагментов — блоков третьего порядка, достигающих в поперечном сечении размеров 0,2—10 мкм и имеющих разориенти­ ровку в несколько секунд.

Микроскопические исследования поперечных и продольных шлифов монокристаллов [96] показывают, что блоки мозаики силь­ но вытянуты в направлении роста кристаллов (фото 12 в) и могут достигать нескольких сантиметров. Часто наблюдается винтооб­ разное закручивание макроблоков вдоль направления роста [65]. Анизотропия субструктуры относительно оси роста наиболее вы­ ражена у субзерен первого и второго порядка величины. Многие субграницы блоков лежат, и это характерно, в плоскостях сколь­ жения монокристаллов, однако чаще всего в плоскостях (ПО), что объясняется, по-видимому, большой подвижностью дислокаций в данных плоскостях во время формирования субструктуры.

Для полной характеристики блочной структуры монокристал­ лов, получаемых электроннолучевой зонной плавкой, следует до-

ІОЗ

бавить, что во внешних слоях субструктура кристаллов часто заметно измельчена; последнее объясняется, видимо, особенностя­ ми граничных условий теплообмена и кристаллизации.

Плотность дислокаций в зонно выращенных монокристаллах молибдена и вольфрама различна. Средняя плотность дислокаций для молибдена составляет около 10® см~2, а для вольфрама она обычно на порядок выше, что свидетельствует о менее совершен­ ной структуре и чистоте по сравнению с молибденом.

Кроме равномерно распределенных дислокаций, в монокри­ сталлах наблюдаются длинные дислокации роста, стабильно за­ крепленные примесными выделениями, ряды призматических дис­ локационных петель, испускаемые из включений второй фазы в матрицу [151, 260].

Данные масс-спектрометрического, радиоактивационного ана­ лиза, а также метода изотопного разбавления по содержанию примесей и газов в монокристаллах молибдена, выращенных мето­ дом электроннолучевой зонной плавки за два прохода, показывают

[115], что в

последних

содержится:

3-10-5% А1;

3-10~4%

Si;

Ы0-б% Р;

ЫО-6% S;

5-10-®% С1;

3-10"7%

Са;

3-10~'%

V;

5- 10-®% Сг;

Ы0-®% Мп; Ы 0-4%

Fe;

2-10-®% Ni; 3 - 10-7% Со;

3-10-®% Си;

Ы0-®% Zn;

2-10-®%

Ва; Ы0-®%

Sn; 0,4%

W;

3-1о-7% РЬ;

Ы 0-4% Ш; 5-10-4%

Nb;

^

10-4%

Re;

1,5-10-3% С;

6- 10-4% N;

1,2-ІО- 4% Н2; Ы 0-4%

0 2; 3-10-7% Та.

 

 

Наиболее

вредными примесями внедрения в

монокристаллах

молибдена и вольфрама [156] являются углерод и кислород. При электронномикроскопических исследованиях в молибдене и воль­ фраме [151, 260] обнаружено большое количество включений кар­ бидов. Карбиды имеют гексагональную огранку и в вольфраме достигают размеров в поперечнике 0,5—2,5 мкм. Размер включений в направлении роста в 1,5—2 раза больше поперечного [157].

Нами также обнаружены примесные выделения (фото 14 а) на поверхности сколов монокристаллов молибдена при исследовании их углеродных реплик. Выделения (очевидно, карбиды) имели вид плоских дендритных образований с глобулярной поверхностной структурой. Подобные глобулярные образования наблюдались и на межкристаллитных прослойках молибдена [95], однако реже, чем на сколах. На межкристаллитных поверхностях преобладали вы­ деления окислов (расшифрованные с помощью электронной мик­ родифракции), что подтверждает малую растворимость кислоро­ да в молибдене.

При металлографических и электронномикроскопических иссле­ дованиях свежих транскристаллитных сколов и межкристаллит­ ных изломов чистого и легированного цирконием молибдена элект­ роннолучевой зонной плавки нами обнаружены макродефекты — поры (отрицательные кристаллы) различной величины и своеоб­ разного строения [86, 98].

На сколах, совпадающих с плоскостями [001} и {ПО}, наблю­ дались поры как с четкой огранкой (фото 14 6), так и неправилъ-

104

ной формы (фото 14 б). Особенностью первых является тонкое строение полюсов в виде концентрически расположенных ступенек вокруг выхода направления [001]. Ребра ступенек направлены под углом 45° к [010] и [100]. Очевидно, ступени огранены плоскостями,, близкими к (ПО) и (001).

Для пор промежуточной формы (фото 14 б и фото 15 а), обна­ руженных как на транскристаллитных, так и на межкристаллитных поверхностях, характерна зеркально-симметричная структура, поверхности, состоящая из набора полюсов, каждый из которых окаймлен системой концентрических многоугольных ступенек. Каждый полюс соответствует выходам основных кристаллографи­ ческих направлений, пересекающихся с поверхностью поры. Размер полюсов наибольший для [001]. Ступени, окаймляющие полюс, иногда состоят из пачек более мелких ступенек.

Образование на поверхности пор своеобразного рельефа из систем концентрических ступенек вызвано равновесной формой поверхности, шероховатость которой была теоретически предсказа­ на Л. Д. Ландау [103]. Подобные поры нами обнаружены также и в монокристаллах вольфрама (фото 15 б).

Как будет показано ниже, наличие таких пор в монокристал­ лах тугоплавких металлов быстрее изменяет локальную дислокаци­ онную структуру при циклических тепловых воздействиях по сравнению с остальным объемом матрицы.

§ 20. Действие циклических теплосмен на монокристаллы вольфрама в интервале 15— 400°С

Исследование термоциклирования вольфрама в области низких температур (от 15 до 400°С) позволяет изучить изменения суб­ структуры монокристалла при термической усталости в случае отсутствия интенсивной диффузии [94]. Существует мнение, что за образование усталостной трещины ответственны только вакансии, которые диффундируют к местам стока и коагулируют там.

Изменения дислокационной структуры. Данные наших наблю­ дений за термоциклированными в интервале 15—400° образцами монокристаллического вольфрама показывают, что даже при таких низких температурах циклирования (максимальная температура цикла составляла ~ 0,1 температуры плавления W) в них проис­ ходят существенные структурные изменения [94], носящие дислока­ ционный характер.

Изменения дислокационной структуры монокристаллов воль­ фрама при данном режиме термических воздействий прослежены вплоть до 50 000 термоциклов.

Наиболее наглядно изменения субструктуры выявляются сравнением дислокационных структур контрольных образцов и об­ разцов, прошедших определенное количество циклов обработки.

Исходные образцы монокристаллов вольфрама, выращенные электроннолучевой зонной плавкой, протравленные на дислокации,.

имели типичную мозаичную структуру (фото 12 6), т. е. состояли из конгломерата областей совершенного строения, разделенных субграницами в виде рядов или сеток дислокаций роста. Блоки мо­ заики имели поперечное сечение от 0,1 до 2 мм2.

Субграницы блоков в процессе травления выявлялись в виде цепочек из ямок травления или сплошных черных линий, также образованных из ямок травления, очень близко расположенных друг к другу. Внутри блоков распределение дислокаций случайное, с плотностью •— ІО7 см~2.

После первых двух тысяч термоциклов в образцах монокристал­ лов не выявлялось заметных изменений в дислокационной струк­ туре. Средняя плотность дислокаций оставалась постоянной. Лишь к 3000 циклов в вольфраме стали возникать контрастные «остров­ ки»— области с очень высокой плотностью дислокаций (порядка 109 см~2) размером от 1 до 15 мкм. Вне клубков плотность дисло­ каций увеличилась до 4-107 см~2 (фото 16 а).

При дальнейшем нарастании числа циклов теплосмен (вплоть до 12 000) плотность дислокаций в монокристаллах вне клубковых

образований медленно увеличивалась

(до 108 см~2) вследствие их

размножения.

Возникавшие дислокации и проявляли

тенденцию

группироваться

в характерные гнезда

(фото 16 6)

или в короткие

прямые линии,

окружности и дуги

(помечены

стрелками на

фото 17 а). Из

геометрических соображений вытекает,

что первые

обусловлены концентраторами напряжений, например, включения­ ми карбидов вольфрама [157] или порами [86], а вторые — дейст­ вующими в процессе термоциклирования источниками Франка— Рида [242]. Гнездообразные скопления дислокаций образуются в результате многократной релаксации термических напряжений, возникающих при циклических процессах охлаждения образцов из-за разницы в коэффициентах термического расширения матри­ цы и включений.

Субграницы блоков при термоциклировании служат местом наиболее .интенсивного размножения дислокаций, в результате чего после нескольких тысяч низкотемпературных циклов такие субграницы размываются, превращаясь в широкие полосы из ямок травления (фото 17 6). На субграницах действуют сразу оба меха­ низма размножения дислокаций.

Наиболее интересны качественные изменения дислокационной субструктуры термоциклируемых монокристаллов после 18 000 циклов теплосмен (фото 17в). Как результат размножения и пере­ стройки дислокаций в локальных объемах монокристаллов проис­ ходит полигонизация. Дислокации в этих объемах образуют почти правильную сетку. Анализ углов между направлениями [010] и '[100] шлифов и полигональными рядами дислокаций показал, что последние лежат в плоскостях скольжения | 110} вольфрама. Ряды дислокаций отстоят друг от друга на 12 или 22 мкм.

Выстраивание размножающихся в процессе термоциклирования дислокаций преимущественно в одних плоскостях кристаллической

106

решетки вольфрама объясняется легкостью скольжения дислока­ ций по плоскостям (ПО), наблюдаемым даже при комнатных тем­ пературах [97]. Некоторые исследователи считают, что скольжение в ОЦК-металлах происходит только по одной системе плоскостей (ПО). Скольжение же по плоскостям {112} и. {123} они считают просто кажущимся [225].

К 30 000 и 50 000 (фото 18) циклам теплосмен процесс полигонизации охватывал значительный объем монокристалла и приобре­ тал более четкий характер. Разбиение монокристаллов рядами дислокаций (отстоящих уже только на 12 мкм) становилось более однородным.

В результате полигонизации кристаллы разбиваются на боль­ шое число мелких блоков, повернутых относительно друг друга на малый угол и вытянутых в одном направлении. Размеры вновь образованных блоков почти на два порядка меньше исходных. Интересно, что четкая полигонизованная структура монокристаллов вольфрама получена без привлечения обычных способов (малой механической деформации и последующего высокотемпературного отжига). Из многих ОЦК-металлов четкие полигональные струк­ туры металлографически обнаружены только на хроме, молибдене, сплавах молибдена с рением и кремнистом железе [76]. Полиго­ нальная структура вольфрама металлографически выявлена нами впервые.

Изменение макро- и микромозаики крупных кристаллов воль­ фрама при таких низких температурах [94] свидетельствует также о малых значениях напряжений, необходимых для зарождения но­ вых дислокаций в процессе циклических термонагружений. Это подтверждается и работой [39], авторы которой наблюдали много­ кратное понижение критических напряжений движения и размно­ жения дислокаций при многократном изгибе кристаллов LiF и NaCl. Вполне вероятно, что и в нашем случае резким понижением критических напряжений движения и размножения дислокаций объясняется начальный инкубационный период в размножении дислокаций в вольфраме вплоть до 3000 теплосмен.

Рентгенографическое исследование изменений субструктуры. Об изменении микроструктуры монокристаллов вольфрама судили по внутреннему строению одних и тех же рефлексов эпиграмм от образцов, термоциклировавшихся в порядке возрастания количе­ ства теплосмен.

Дифракционные пятна рентгенограмм с исходных образцов обычно получались в виде сплошных почти правильной формы рефлексов, слегка размытых по краям и не имеющих тонкой внут­ ренней структуры (фото 19 а). Это свидетельствует о малой разориентации блоков и их совершенном строении. С первых циклов термических воздействий на монокристаллы вольфрама и вплоть до двух тысяч циклов заметных изменений в строении и размерах дифракционных пятен не наблюдалось. Рефлексы рентгенограмм стали уширяться лишь к 3000 циклов (фото 19 6). Уширение ре­

107

флексов без их расщепления продолжалось вплоть до 18 000 цик­ лов теплосмен, что обусловлено заметным увеличением средней плотности дефектов кристаллического строения.

После 18 000 циклов теплосмен рефлексы рентгенограмм посте­ пенно приобретали собственную внутреннюю структуру (фото 19б). Внутри рефлексов возникали участки повышенной интенсивности, что свидетельствовало о перераспределении отражающей способ­ ности и соответственно об изменении первоначальной структуры металла. Размытие рефлексов рентгенограмм и появление дискрет­ ности в распределении интенсивности внутри них указывает со всей очевидностью на процесс фрагментации, дробления кристалличе­ ской решетки.

После 30 000 и 50 000 циклов низкотемпературного воздействия на монокристаллы вольфрама рефлексы эпиграмм выглядели по­ лосчатыми (фото 19г). Подобное строение свидетельствует, как известно, о происшедшей полигонизации материала, в результате которой монокристалл дробится на субблоки, разориентированные относительно друг друга на малые углы и значительно отличаю­ щиеся по размерам от исходных. Взаимная разориентировка поли­ гонов, определенная по расщеплению рефлексов, составляет 20 — 30'.

Таким образом, данные анализа рефлексов рентгенограмм под­ тверждают, что при длительном низкотемпературном циклировании монокристаллы вольфрама в результате своеобразного размноже­ ния и перестройки дислокаций полигонизуются.

Изменение микротвердости. Результаты измерений микротвер­ дости (рис. 28 а) показывают, что в процессе низкотемпературного циклирования монокристаллы вольфрама сначала упрочняются, а затем разупрочняются. Упрочнение обусловливается, как показано выше, процессами размножения и накопления дефектов кристалли­ ческой решетки, главным образом дислокаций.

Постепенное повышение микротвердости,

коррелирующее с

плотностью дислокаций, наблюдалось вплоть

до 18 000 циклов

теплосмен, после чего микротвердость снижалась. Максимальный прирост микротвердости составил 23,5%.

Наиболее резкое падение микротвердости (на 48 кг/мм2) по сравнению с максимальным значением происходит около 30 000 циклов теплосмен. С дальнейшим увеличением числа циклов тепло­ смен (до 50 000) микротвердость продолжает падать, оставаясь все-таки на 5—6% выше исходной.

Примечательно (и это очень важно), что разупрочнение моно­ кристаллов после 18 000 циклов происходит в результате перерас­ пределения накопленных при термоциклировании дефектов кри­ сталлической решетки. Дислокации одного знака выстраиваются в ряды вдоль определенных плоскостей, образуя полигонизованную структуру монокристаллов.

Заслуживает внимания и общий ход кривой на рис. 28 а, при котором постепенное повышение микротвердости до некоторого

108

максимального значения сменяется последующим спадом. Анало­ гичная последовательность процессов упрочнения и разупрочнения наблюдалась и при механической усталости отожженных метал­ лов. Соответствующие экспериментальные данные многочисленных исследований по этому вопросу рассмотрены в книге [75]. Однако

Рис. 28. Изменение микротвердости при термоциклировании монокристаллов

л —вольфрама по режиму 15^~»400°С: 5—молибдена по режиму 17-^—>700°: е—вольфрама по ре­ жиму 17^—>700°: а—молибдена (/) и вольфрама (//) по режиму 100^~»1900°: д—изменение плот­

ности дислокаций в монокристаллах молибдена (/) и вольфрама (//) вне мест локальной полигонизации при высокотемпературном термоциклировании.

изменение микротвердости в этих работах экспериментально не прослежено одновременно с изменением субструктуры металла. Возможно, что и при обычной (механической) усталости металлов процесс разупрочнения связан с такой же перестройкой дефектов кристаллического строения, какая происходит при полигонизации вольфрама.

109

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ