книги из ГПНТБ / Моряков, О. С. Вакуумно-термические и термические процессы в полупроводниковом производстве учеб. пособие
.pdfчас. После остывания кассеты разбирают, баллоны извлекают и укладывают в специальную тару.
Для улучшения электрических параметров приборов, герметизи рованных в металлокерамических корпусах, поверхности керамиче ских деталей иногда глазуруют, что еще и улучшает их внешний вид. Глазурь, нанесенная на керамический изолятор баллона, мо жет служить своеобразным припоем: она заполняет зазоры между деталями и скрепляет их между собой. Глазурь используют для ва куумноплотного соединения металлических и керамических деталей.
|
1000 |
2000 |
3000 |
0000 |
5000 Расстояние по |
|
|
|
а) |
|
оси печи, мм |
|
/ |
|
|
и |
|
650. |
1920 |
|
270 |
1500 |
1200 |
BJ
Рис. 77. Распределение температуры по длине печи при пайке баллонов:
а — кривая режима пайки, б —план печи
Температура размягчения глазурей лежит в пределах 500—800° С, а растекания— 1000—1350° С. В состав глазурей входят кремнезем, глинозем и окислы некоторых металлов (ВаО, СаО и др.).
Технологический процесс получения металлокерамического сое динения^ помощью глазури заключается в сборке деталей в спе циальной кассете. Глазурную пасту наносят различными способа ми: кисточкой, шпателем, опрыскиванием. Лучше всего использо вать глазурь в виде таблеток, полученных прессованием порошка, замешанного на парафине с бензином. Готовые таблетки обжигают на воздухе при темепратуре 900—1000° С.
Л у ж е н и е состоит из следующих операций:
очистки выводов (обезжиривания, промывки и сушки);
покрытия их флюсом (одноили двукратного) окунанием в 25,%-ный раствор хлористого цинка;
130
лужения в расплавленном припое ПОС61 при температуре 270—
300° С;
очистки облуженных кондов (промывки в ультразвуковой ван
не);
сушки.
При лужении очень важно не допустить попадания флюса и припоя на фланец ножки, что может привести к закорачиванию вы водов и усиленной коррозии. Поэтому при лужении используют специальные кассеты. Лишний припой удаляют стряхиванием (ког да он находится в жидком состоянии).
§ 45. Оборудование для пайки и лужения корпусов
Конвейерная газовая печь ЖК 40.10 для пайки и отжига метал лических деталей показана на рис. 78.
Основанием печи служит сварной металлический каркас 1, сек ции которого соединены болтовыми стяжками. Снаружи каркас закрыт съемными панелями, а внутри него смонтированы привод конвейерной ленты 5, натяжная станция и силовые трансформато ры питания нагревателей.
Рис. 78. Конвейерная газовая печь ЖК 40.10:
/ — каркас, 2 — нагревательная камера, 3 —рабочий канал, 4 — газовая |
насадка, 5 — кон |
||
вейерная лента, |
6 — нагреватель, 7 — игольчатый |
вентиль, 5 —термопара, |
9 — холодильник, |
10 — манометр, |
// — электродвигатель, 12 —муфта, |
13 — вариатор, 14 — червячный редуктор, |
|
|
15— приводной барабан |
|
|
На каркасе расположена двухсекционная нагревательная каме |
|||
ра 2 и холодильник 9, соединенные |
через асбестовые прокладки. |
Каждая нагревательная камера представляет собой сварную кон струкцию, футерованную огнеупорным кирпичом с металлической крышкой. Сверху (через крышку) в камеру введены термопары 8. Водоохлаждаемые токовводы для питания нагревателей 6 располо жены по бокам; здесь же установлены ротаметры для измерения расхода газов.
Рабочий канал 3 печи проходит через нагревательную камеру и холодильник 9 и выложен кирпичом-ультралегковесом. Вдоль рабо чего канала, по его боковым сторонам укреплены нагреватели 6 в виде зигзагообразных спиралей. Токовводы, соединенные с нагре
вателями, уплотнены асбестовым шнуром. По дну рабочего канала
проложены направляющие с конвейерной лентой 5, Холодильник предназначен для охлаждения изделий перед вы
ходом из рабочей камеры и представляет собой обычную водяную
рубашку.
Вдоль дна нагревательных камер проложены трубы для продув ки азотом. Газ подводится через насадки, вмонтированные в дно и боковые стенки корпуса, между нагревательными камерами, что обеспечивает создание газовой завесы, препятствующей проникно
вению газа из одной секции в другую.
В крышках корпуса имеются два игольчатых вентиля 7 для взя тия проб газа. Кроме того, в крышке первой секции закреплены пять, а во второй —три термопары 8. На входе и выходе рабочей камеры установлены газовые насадки 4. В верхней стенке корпуса насадки имеется отверстие, закрытое набором металлических се ток, и спиральный электронагреватель, обеспечивающий сгорание отходящих газов.
Конвейерная лента приводится в действие электродвигателем 11, который через специальную муфту вращает бесступенчатый вариатор 13, позволяющий регулировать скорость в пределах от 70 до 250 об/мин. От вариатора движение передается на двухступен чатый червячный редуктор 14 с передаточным числом, равным 1200. Выходной вал редуктора через цепную передачу вращает привод ной барабан 15, сообщающий движение конвейерной ленте.
Транспортировка изделий в рабочей камере осуществляется пле теной лентой из нихромовой проволоки, натянутой между ведущим и ведомым барабанами. Нижнюю ветвь ленты поддерживают че тыре ролика, а пятый ролик (для увеличения угла охвата) установ лен непосредственно у приводного барабана.
Подача газов в печь производится от двух магистральных труб, проложенных внутри каркаса вдоль нагревательных камер. Через одну трубу подают азот, а через другую — водород. На входе труб установлены контрольные манометры и редукторы давления.
Энергия к нагревательным камерам подводится от индивидуаль ных трансформаторов, напряжение которых регулируется в пре делах от 0 до 30 В, а ток измеряется амперметрами, установлен ными на лицевой панели пульта управления.
Для регулировки и поддержания на заданном уровне темпера туры конвейерная печь оборудована автоматической системой. Автоматический регулятор обеспечивает контроль и запись темпе ратуры в восьми, а регулирование — в трех точках. Датчиками температуры служат термопары, сигналы которых подаются на вход самопищущих потенциометров.
Техническая характеристика конвейерной |
газовой печи ЖК |
|
40. 10 приведена ниже. |
|
|
Максимальная рабочая температура, °С . . . |
1150 |
|
Точность регулирования температуры, °С . . . |
±15 |
|
Скорость |
движения конвейера, м / ч ................. |
3—12 |
Сечение |
рабочего канала, мм . ......................... |
100X100 |
132
Минимальный |
расход газов |
(азот, водород), |
2 |
м3/ ч ......................................................................... |
мощность, кВт |
|
|
Потребляемая |
нагревателей............................., В |
13—15 |
|
Максимальное |
напряжение |
30 |
|
Напряжение питающей сети, |
В ........................ |
380/220 |
|
Габариты, мм |
........................................................ |
|
6050X 850X1600 |
Для лужения выводов приборов применяют различное оборудо вание: от простейших приспособлений до полуавтоматов.
В простейшем случае используют две ванночки с припоем и флюсом. Припой плавят на электрической плитке; температуру контролируют контактным термометром. При лужении выводы приборов окунают в расплавленный припой, вынимают и резким движением стряхивают излишки припоя с выводов. На воздухе
зеркало расплава быстро |
покры |
|
|
||||
вается окислом и шлаками, кото |
|
|
|||||
рые периодически удаляют скреб |
|
|
|||||
ком. Так обычно облуживают вы |
|
|
|||||
воды одного или нескольких при |
|
|
|||||
боров, |
используя |
специальную |
|
|
|||
кассету. |
|
|
|
более |
|
|
|
На рис. 79 показана |
|
|
|||||
сложная |
установка для лужения |
|
|
||||
выводов, которую можно исполь |
|
|
|||||
зовать также для пайки плат пе |
|
|
|||||
чатного монтажа. Установка име |
|
|
|||||
ет автоматическую систему регу |
|
|
|||||
лирования |
температуры |
припоя. |
Рис. 79. Установка для лужения вы |
||||
Над прямоугольной ванной 4 с |
|||||||
водов полупроводниковых приборов: |
|||||||
припоем расположен подвижный |
1 — кронштейн, 2 — вертикальная |
стойка, |
|||||
кронштейн |
1, который |
можно |
3 — ручка, 4 — ванна с припоем, |
5 —щеле |
|||
вой питатель |
|
||||||
поднимать или опускать |
поворо |
|
|
||||
том ручки |
3. |
Направляющей |
|
|
кронштейна служит вертикальная стойка 2, Сверху кронштейн име ет прямоугольное окно для установки кассеты с полупроводнико выми приборами, снизу к нему привернут щелевой питатель 5.
После разогрева припоя кассету с приборами опускают вниз так, чтобы выводы погрузились в припой на определенную глубину. В это время припой поступает в питатель из ванны через продоль ную щель. При подъеме кронштейна припой перетекает обратно в ванну. Зеркало припоя обычно покрыто окислом, но при опускании питатель своей нижней частью раздвигает окисную пленку, так что внутрь него попадает лишь чистый припой. Излишки припоя стряхиваются с выводов при ударе вертикальной стойки об ограни читель.
В массовом производстве полупроводниковых приборов приме няют полуавтоматы для лужения, например карусельный шести позиционный полуавтомат, кинематическая схема которого показа на на рис. 80. Полуавтомат предназначен для группового лужения с использованием кассет, которые загружаются заранее. После за-
133
хвата / кассета перемещается на позицию II нанесения флюса, за тем на позицию III облуживания, повторного нанесения IV флю са и повторного облуживания V. Далее кассета автоматически снимается с держателя и разгружается VI. Приборы по лотку по падают в вибробункеры для промывки VII и сушки VIII, а далее — в технологическую тару.
Для лужения используют припой ПОС61, а в качестве флю са— раствор хлористого цинка. Лужение выполняют при непрерыв ном движении расплавленного припоя (волна) для освобождения его от окислов. Процесс ведут при постоянных температуре и уров-
Рис. 80. Кинематическая схема полуавтомата для лужения выво дов полупроводниковых приборов:
/ —захват кассет с приборами, II — нанесение флюса, |
111 — облуживание |
||
выводов, IV — повторное нанесение флюса, |
У —повторное облуживание, |
||
VI — автоматическая выгрузка кассеты |
из |
держателя, |
VII — промывка |
приборов в вибробункере, |
VIII — сушка приборов |
не припоя в ванне. Недостатками метода является длительность разогрева и необходимость больших загрузок припоя. Облуженные приборы промывают в потоке горячей (60—70° С) воды.
Полуавтомат выполнен в виде стола со скафандром. На столе расположены карусель, ванны, вибробункеры и другие механизмы. Скафандр имеет бортовые отсосы, соединяемые с вытяжкой венти ляцией.
Следует учитывать, что пары хлористого цинка, свинца и его соединений вредно действуют на организм человека, поэтому при работе с этими материалами необходимо строго соблюдать правила техники безопасности.
Хорошие результаты дает лужение деталей в ультразвуковой ванне, так как процесс интенсифицируется. Источник ультразвуко вых колебаний — магнитострикционный излучатель расположен под ванной с припоем. Ультразвуковые колебания вызывают ка витацию, способствующую удалению пленки окисла с погружен
134
ных в ванну деталей и очищающую их поверхность. Оптимальная частота ультразвука, при которой получают наиболее качественное лужение, составляет 20—30 кГд.
§ 46. Оборудование для пайки кристаллов к ножкам
Установка ЭМ—415 (рис. 81), предназначенная для пайки германиевых и кремниевых кристаллов к позолоченным ножкам приборов, состоит из стола, механизмов перемещения, нагружения и привода инструмента Ю, микроскопа 1 с держателем 2, нагрева теля 9, газовой и вакуумной систем и электрооборудования.
Рис. 81. Установка ЭМ-415 для пайки кристаллов к позоло ченным ножкам приборов:
1 — микроскоп, |
2 — держатель, |
3 — вибратор, 4 — линейка, |
5 —ку |
лачок, 6 — тяга, |
7 — рукоятка, |
8 —стойка, 9 — нагреватель, |
10 — ра |
|
бочий инструмент |
|
Шарнирный механизм перемещения предназначен для пооче редной подачи под рабочий инструмент 10 и в поле зрения микрос копа 1 нагревателя 9 с ножкой (или держателем диодов) или стойки 8 с кристаллами и золотыми прокладками. Одно звено этого механизма вместе с закрепленным на нем нагревателем 9 поворачивают относительно неподвижной оси, а на втором распо лагается стойка 8 для кристаллов.
Чтобы присоединить кристалл к ножке в необходимом положе нии, верхнюю часть нагревателя, который состоит из четырех смен ных элементов, можно поворачивать на угол 130°. Датчиком температуры является керамический термометр сопротивления.
135
Заданное усилие прижима рабочего инструмента с кристаллом
к золоченной поверхности ножки, а также вибрация инструмента
вплоскости, перпендикулярной его вертикальной оси, обеспечи ваются специальным приспособлением. Величина усилия зависит от положения груза на линейке 4, Амплитуду колебаний регули руют переключателем напряжения. Рабочий инструмент изготов
лен из стали.
Кристалл, имеющий квадратную форму, размещается в гнездена торцевой части рабочего инструмента, заходя в него примерно на одну треть толщины, и удерживается там вакуумным присосом.
Рукояткой 7 через систему рычагов и тягу 6 можно поворачи вать кулачок 5 толкателя, который, в свою очередь, перемещает инструмент вместе с механизмом нагружения. Изменением длины толкателя регулируют высоту подъема инструмента, а длины тя ги— его ход по вертикали. На рукоятке управления механизмом привода расположена кнопка включения и выключения вакуума.
Пайку кристаллов к ножкам выполняют под бинокулярным микроскопом 1 (МБС-1), закрепленном на держателе 2, который позволяет устанавливать микроскоп в нужном положении. В полезрения микроскопа попадает инструмент, а также поочередно стой ка с кристаллами и ножка, расположенная на нагревателе, вокруг которой создается защитная газовая среда. Охлаждаются ножки с кристаллами обдувом через отверстие в инструменте.
Действием газовой и вакуумной систем управляют с помощью электромагнитных клапанов.
Электрооборудование установки служит для подачи энергии к нагревателю освещения, работы вибратора 3, а также для автома тической выдержки режима пайки и сигнализации.
Техническая характеристика установки ЭМ-415 приведена ниже.
Производительность, ш т / ч ........................................ |
|
|
900 |
|
||
Температура в рабочей зоне, °С |
................................ |
°С |
200—450 |
|||
Точность поддержания |
температуры, |
±5 |
|
|||
Время установления теплового режима, мин . . . |
18 |
|
||||
Время пайки, |
с ............................................................ |
|
|
|
4—10 |
|
Размеры кристалла, м м ............................................ |
|
|
От 0,5X0,5 |
|||
Усилие на инструменте |
(в месте контакта), гс . . |
до 2X2 |
||||
10—140 |
||||||
Амплитуда колебаний |
торца инструмента, мм . . |
0,2—0,8 |
||||
Ход инструмента по вертикали, |
м м ................................ |
|
|
8 |
||
Напряжение |
питания, |
В ............................................... |
|
|
|
220 |
Давление газа, а т ............................................................. |
|
|
|
|
1,5 |
|
Расход газа, |
м3/ ч ............................................................. |
|
|
|
|
0,2 |
Технологический вакуум, мм рт. ст.............................. |
|
|
450 |
|||
Габариты, м м ................................................................ |
|
|
’. |
960X660X1185 |
||
Масса, к г .............................................................. |
|
|
|
95 |
|
|
Показанная |
на |
рис. |
82 |
автоматическая |
установка |
ЖКМ 1.121.001 для присоединения кристаллов к позолоченным ножкам, состоит из двух частей: механизма присоединения 3 и электрического блока 1. Перед пуском установки в дисковую кас сету 5 предварительно закладывают 90 кристаллов с электронно дырочными переходами и такое же количество ножек — в другую»
136
кассету 2. Нагрев ножек осуществляется туннельным нагревателем в атмосфере защитного газа.
При включении электродвигателя приводится в движение рас пределительный вал, который с помощью кулачков кинематически согласует движения присасывающего устройства 4, перемещения кассеты с ножками на шаг, поворот дисковой кассеты с кристалла ми и работу пьезоэлектрического вибратора. Присасывающее устройство 4 имеет инструмент, при помощи которого происходит захват кристалла, его подъем, поворот и опускание на поверхность фланца ножки.
! 21
Рис. 82. Установка ЖКМ 1.121.001 для |
присоединения кристаллов |
|
к ножкам приборов: |
|
|
1 ” электрический блок, |
2 — кассета с ножками, |
3 — механизм присоединения, |
4 — присасывающее |
устройство, 5 —дисковая кассета с кристаллами |
В момент контакта кристалла с ножкой инструмент вибрирует в горизонтальной плоскости, как бы притирая поверхность кристалла к позолоченной поверхности и облегчая пайку. После этого меха низм вакуумного присоса возвращается в исходное положение и останавливается. Для повторного срабатывания необходимо на жать на педаль. Смена кассет с кристаллами и ножками произво дится вручную.
Техническая характеристика установки ЖКМ 1.121.001 при ведена ниже.
Производительность, |
ш т / ч ........................................ |
525 |
Размер кристаллов, м м ................................................. |
От 0,5x0,5 |
|
|
|
до 2X2 |
Температура нагрева печи, °С ..................................... |
200—450 |
|
Время установления |
режима, м и н ......................... |
20 |
Амплитуда колебаний инструмента, м м ................. |
0,2—0,8 |
|
Частота колебаний, Г ц ................................................. |
50 |
|
Время пайки, с ............................................................ |
|
1—2 |
Напряжение питания, |
В ............................................. |
220 |
Максимальная мощность, В т ..................................... |
400 |
|
Рабочий вакуум (не -менее),мм рт. ст......................... |
300 |
|
Масса, к г ......................................................................... |
|
60 |
137
Контрольные вопросы
1.Каким требованиям отвечают твердые припои?
2.Для чего выполняют металлизацию керамических деталей?
3.Какими методами наносят металлизирующий слой на керамику?
4.Для чего вжигают металлизацию?
5.Как подготовляют детали к пайке?
6.Какова последовательность операций при пайке деталей?
7.Каково устройство термического оборудования для отжига, пайки, вжигания металлизации и присоединения кристаллов к ножкам?
|
|
|
ЛИТЕРАТУРА |
|
Б р у к В. |
А. |
и др. Производство полупроводниковых приборов. |
М., «Выс |
|
шая школа», 1973. |
С. |
Вакуумное нанесение тонких пленок. М., «Энергия», 1967. |
||
Д а н и л и н |
Б. |
|||
К о у т н ы й |
И. и др. Технология серийного производства транзисторов и |
|||
полупроводниковых диодов. М., «Энергия», 1968. |
|
|||
Л е б е д и н с к и й |
М. А. Технология электровакуумного производства. .4. I. |
|||
М. — Л., Госэнергоиздат, 1961. |
«Энергия», |
|||
М а с л о в |
А. |
А. Электронные полупроводниковые приборы. М., |
||
1967. |
О. С. |
Производство корпусов полупроводниковых |
приборов. |
|
М о р я к о в |
||||
М., «Высшая школа», 1973. |
|
|||
М о р я к о в |
О. |
С. |
Устройство и наладка оборудования полупроводникового |
производства. М., «Высшая школа», 1971.
Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под редакцией Р. Бургера и Р. Донована. М., «Мир», 1969.
Оборудование для производства полупроводниковых диодов и триодов. Под
редакцией П. Н. Масленникова. М., «Энергия», 1970. |
Атомиздат, 1969. |
||
П р е с н о в |
В. А. и |
др. Керамика и ее спаи в технике. М., |
|
Т и х о н о в |
Ю. Н. |
Технология изготовления германиевых |
и кремниевых |
диодов и триодов. М., «Энергия», 1964.