Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кривоносов, А. И. Полупроводниковые датчики температуры

.pdf
Скачиваний:
32
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
6 Mб
Скачать

Т о г д а м о ж н о з а п и с а т ь :

А^А1

/5!R=+Х«/£,см

k[$Iо

( 2 - 1 0 6 )

/7

^схо 4“ ^но

 

'С/5-- ■^7'С0-

 

ьО'

Выразим коэффициенты /16 и А 7 через начальные условия:

 

А к

Ьп

W

°

2

 

Ясхо + Яно

^ ; 0ЙГрО +

 

 

 

+

2/о^тпо^т

 

/о^7-р0^р/о

 

«но

ЯОІО-Я н о

 

ГР° Г0 Лсхо +

(^uo + ßcio)

(Öo +

^о^Гро) Ч~ / Ö^TpO О

4 “ 2/?от(| — / о^Грэ)

 

 

 

^схо +

 

 

Л =

Ьо+ /о*70

(2-107)

(2-108)

Найдем передаточную функцию напряжения по входному сигналу

транзистора. Ее нетрудно получить, зная зависимость W { ѵх\

К вх =

Я п У [ ‘* ± к и ш

 

(2-109)

или

КцчА^А-,

ъц7р -(- 1

 

 

k

 

( 2- 110)

W U X = ± І /г/см

* 0

ту б/ 7 + 1 ±

ЙУсм

 

т. е. передаточная функция напряжения по управляющему сигналу представляет собой параллельное соединение безынерционного звена и апериодического звена е дифференцированием. Коэффициенты этой передаточной функции определяются после следующих преобразо­ ваний:

wx^

- + k

+ k

ЛоЧ6л7

w +

i

xUtP+

1

" и

— ± ßt7 cM ± ß/cM

bo

t u 5 p +

1

иъ W +

1‘

 

 

 

 

 

 

 

(2- 111)

Таким образом,

получаем:

 

 

 

 

 

 

krm—±k

RbQ^6Aj

 

(2-112)

 

 

ѵъ— : r « /см

и

 

 

 

6 — 25

 

 

 

 

 

 

81

 

 

 

1 —

л ,

 

 

А

 

ь„

Яохо "4“ ^ио

 

1— А

 

•^cxo

*но

I**, >11=

4 ,

 

Ьо

 

1

1 - Л ,

 

■^сто

^ио

 

л ,

 

bo

^но

 

1- 4,

 

^сто

^но

 

 

 

1

В ЯІВ Я

 

1-- 4 ,

72

 

 

 

 

 

1 ро

 

 

 

 

хо

 

 

1 - 4

 

1 - 4 ,

 

 

 

 

хо

АА3ъо

 

1 - 4

 

1 - 4 ,

 

I

хо

 

\

 

•^2^З^О

1 - 4

 

1 - 4 ,

 

 

 

хо

 

 

хо

А ЪА Я%0

 

1—4 I

 

1

А \

 

 

 

 

хо

 

хо

 

 

1—4

 

1 - 4 ,

 

 

0

0

4 4т0

 

 

0

0

4 4т0

 

‘ Trill

0

0

т0

 

 

 

 

 

bo

 

0

0

т0

 

 

 

 

 

 

I

T n n — 7*0

 

 

 

 

-

4 ,

Ь,

 

 

 

4 ,

Т’ро —

Т оо R oto +

Rut

 

1-

4 ,

 

 

^сто

^но

 

1-

4 ,

 

Т'р. - - т оо

 

1

 

4,

 

/ .

 

^сто

^во

 

 

4

 

Яно

Гро

Т'оо

 

 

 

1- 4 ,

/„

^сто

^но

 

 

 

1

 

^ДО^Я (

Т т )

 

1-4 1

 

бо^ро

 

 

 

 

 

 

 

Л,А^П

1-Л,

 

 

 

.

,

 

 

ио

 

 

 

 

 

 

1—Д

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2-114)

ЛоЛз'Сп

 

Ап^л

 

 

 

Л

Л

 

1

0

 

 

 

Л ^ З Х0

--Л,

 

 

 

О

О

Ас/°

R ctO+ R -цо)

Ac/»

R cto А AlO

0

0

0

 

0

 

(2-115)

 

 

 

 

 

 

ЧП - '

Ьо

(

^Zc/o

- ) x„;

I

(2-116)

4 6

V

^сто + R НО

 

 

XU5 == A -j'Zq

Полученные значения позволяют построить матрицы коэффициен­ тов передаточных функций транзисторов, выходные р-н-переходы ко­

торых включены в обратном направлении.

в виде

матрицы (2-1 Іо),

Коэффициенты передачи запишутся

а постоянные времени — в виде матриц

(2-114) и

(2-115).

82

 

 

d

' о /,

 

 

 

2/„А

I

+ 4 *

/?я«Al

 

 

 

 

± А/см

ь0

I — VI,

1 Ао д 3

/ 0

/г/о 4 3

,

2/0АтоА'ро

1+^5

""Am АрО 4.,

Ат /ггро4.і

± /см— г:—

i - л.

4 2

 

 

А

я

 

 

• /г

4 847

 

 

 

 

D

4 2

 

 

й 0

 

 

 

 

 

 

 

 

/ С М

 

--4 2

 

А4г

 

 

4 84 7

о

 

 

Асм

б0

tinАо

Дд43

Л> ,

.fy.°

„ 4 3

Х+//- СМ

2бд/оАю 1

/і5

Аяо ^рО

Л4

R n ' O T 2#

ß» A t

7'2Öo

 

 

 

 

 

(2-113)

2. Вольт-амперная характеристика типа прямой ветви вольт-ампер­ ной характеристики р - п перехода

Вольт-амперные характеристики типа прямой

bctdii

имеют

место в

том

случае, когда

выходной р-я-переход

открыт и уп­

равляется

в

зависимости от

того, закрыт или открыт

входной

р - п -переход соответственно входным напряжением или током. При­ мем те же допущения, что и в предыдущем случае. Тогда линейная модель принципиально не отличается от модели, полученной для ха­

рактеристик

типа обратных ветвей. Величины коэффициентов к м и

к т ро в этом

случае определяются принятой аппроксимацией прямой

ветви вольт-амперной характеристики р-л-перехода.

Однако в этом случае имеются отличия от теплофизических мо­ делей диодов в прямом включении. Во-первых, температурный коэф­ фициент .статического сопротивления для некоторых схем включения транзисторов имеют положительный знак, тогда как у прямых ветвей наблюдается только отрицательная величина /гТро. Во-вторых, для схемы включения транзистора с общим эмиттером с использованием входных характеристик при сочетаниях полярностей по схеме 3 табл. 1 - 2 вольт-амперная характеристика этой схемы имеет отрица­ тельный наклон к осп напряжений, т. е. для этого случая А > 0 .

Кроме того, для транзисторов, имеющих характеристики типа прямых ветвей, дифференциальное сопротивление также практически не меняется от внешних условий н брать его величину в качестве выходного параметра не имеет смысла.

Таким образом, линейную модель для этого случая можно запи­

сать в следующем виде:

 

 

2/0ЯотвД/ -f- /о*/?« — (А + рСц) АТр =

(Гр,, — А>о) А6 —

 

 

— MT’cl

 

A / = А то +

Яно A t/n n i ( R o J + R m ) 2

(ДЯ ° т + Д Я к )± А /СМ* И ; ■

 

ДГр =

+ kjроДТ'р ± кІ0А/ ;

&U =

А6/ппт

^лцА/ l 0ä R B

k U m x m .

 

 

 

(2-116а)

6*

 

 

83

Рис. 2-8. Структурная схема транзистора с характеристикой типа прямой ветви вольт-амперпоіі характеристики р -п перехода.

Полученная на основании этой модели структурная схема пока­ зана на рмс. 2 -8 .

Для получения передаточной функции в матричной форме необходимо^ дополнить столбцевую матрицу выходных величин нулевой строкой, так как должно выполняться условие

 

 

 

 

 

 

т ^

п ,

 

 

 

 

 

(2-117)

 

т. е. в этом случае,

так же как и в предыдущем,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/п = л =5,

 

 

 

 

 

(2-118)

 

ио при

этом столбцовая матрица

выходных величин

имеет

вид:

 

 

 

 

 

 

 

 

А Т .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\\ьуг,А\ =

AR,ет

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А/

 

 

 

 

 

(2-119)

 

 

 

 

 

 

 

 

А U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

О

 

 

 

1

T'po-7'o

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 ± А

 

 

 

 

1+

Л,

 

 

 

 

 

 

А ,

 

RqtP"f" RnP

 

 

 

 

 

 

 

Ы

=

 

Al

Ip

Rem-- RjiO

1 i

A \

 

bp

^?CT0

R*

I

~1^1

_____Rnp

 

,

A i

 

T’po —

Top

1

 

 

 

 

 

 

 

^ І

Ai

Ip

Rptp Rno

1 ±

Л ,

 

Ip

/?CX0

Rn

 

 

+

A\

bp_____Run

 

 

 

 

 

^но

Tp* r

O0

 

 

1 + Ді Ip Rpt-

 

 

+ . 1 \

 

 

 

 

О

 

 

to

 

*0

‘ / М з Т0

А лАл%о 1

to

 

1

+

Ai

1

± л ,

+ A\

 

 

to

 

to

A2A jX0

AzA$z0

 

to

 

1 ± Л ,

1 + Л ,

1

+ Л ,

 

 

 

І Ы І -

 

to

 

 

to

 

■ Л 2Л 3т„

A 2A 3i q

 

A 7^0

1

+

1

1

+

л ,

 

 

 

 

 

 

 

 

to

 

 

to

 

Л гЛ 3т0

A 2A э'Еф

 

A 7^0

 

1

+

A ,

1

± A t

 

 

 

 

 

 

 

 

to

 

 

to

 

А 2Л 3то

А ZA

 

to

 

1 ± л ,

1 ± л ,

1 + Л,

 

 

 

 

 

0

0

Л4т0 At%o

 

 

(2- 121)

 

 

 

 

 

 

 

О

О

Л*T0

A ^ o

 

 

 

 

ІІЛ.ІІІ;

 

0

0

T „

x 0

b0

p

 

0

 

 

 

 

 

 

Лр

Rprp 4~

 

 

 

0

0

T0

t 0

bp

k/otp

 

 

 

 

Л я

R ctP + R hp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0

0

 

0

 

0

 

(2- 122)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Передаточные функции для изменений выходных величин по отношению к изменению управляющего сигнала соответствуют полу­ ченным в предыдущем случае, поэтому коэффициенты их запишутся в виде матриц (2 -1 2 0)—(2 -1 2 2).

Для транзисторов, имеющих вольт-амперные характеристики типа прямых ветвей, благодаря наличию iUCm условие 77ПитЗ> U выпол­ няется в редких случаях, и, следовательно, этот случаи нет необходи­ мости рассматривать.

3.Транзисторные характеристики

Вэтом случае необходимо рассмотреть две основные схемы включения транзисторов.

а) С х е м а

с о б щ и м

эмиттером. Выходными параметрами для дан­

ной схемы

включения

будут ток І к и напряжение U K.D, а током

kio

A3

— ~ k

_ Л _

+fej

 

2/pRpxp

1Ң- Ар

^но

At

СМ

 

1

±

Л

R

10

 

Ь 0

1

kI 0 А ш

Ip

kI0

A 3

 

 

27o£j'p0^eio

1

А 5

^но ЙГр0 At

Rxp ^ГрО

At

± /г/см

 

 

bp

 

1

±А ,

A t

 

Ip

 

 

 

 

АрА7

 

; (2- 120)

 

Л а

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

R-ro

 

°1 |c*

 

 

±

й /с м

 

 

 

 

 

Я

 

 

 

 

AßA7

 

 

 

A 2

 

I A ‘2

 

 

 

Ru

 

 

±

 

fe/C M

'

 

 

0

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

84

8 5

управления является ток /с. В этом случае структурная схема будет иметь более сложный вид, так как коэффициент передачи выходного электрического параметра по току управления зависит как от тем­ пературы среды, так и от величины самого тока управления.

Рассмотрим зависимость статического сопротивления транзистора от тока управления, для чего выразим напряжение через ток [Л. 139]

 

 

/к=Т/б=Т/„о-Т(/б +

/к )С э

 

(2-123)

 

 

UK.B

 

ß/цо

 

(2-124)

 

 

СвР (At +

Аз)

 

 

 

 

 

 

 

 

Отсюда получаем:

 

 

 

 

 

 

 

 

R СТ

_ 1

/к — Ѵ б — р/о

 

(2-125)

 

 

/ к

с»Т(/к +

/6)

 

Таким образом, статическое сопротивление транзистора зависит

уже от трех параметров: температуры рабочего

тела Т р, тока

/ и п

тока управления /о-

 

 

в

этом случае будет

иметь

вид:

Исходная

система уравнении

 

 

 

Я, = Яв + Р;

 

 

 

 

 

 

 

 

cLTр .

 

 

 

 

 

 

 

Р =

 

 

 

 

 

 

 

 

d t

 

 

 

 

 

 

 

P * = b ( T i- T lly,

 

 

 

 

 

 

p? = /9-R»;

 

 

 

(2-126)

 

 

 

. _

^UIIT .

 

 

 

 

 

 

 

/к~

Rn + Rc,

 

 

 

 

 

 

/?оі =

А(/к, /б,

'Лр);

 

 

 

 

 

 

^К.Э~^ППТ

t KR u .

 

 

 

Разлагая в ряды нелинейности, получаем следующую линейную

модель транзистора в схеме с общим эмиттером:

 

 

 

2/0Яеі0Д/к +

(b 0 + Р с ѵ)

— (Аро — Т 00) Д& •

 

 

 

 

 

-

Ь Л Т п;

 

 

 

 

 

Д/к ~

Я«о +

Rho At/nnT ~

(RoJ + R ho)2 {AR" +

ARot)’

(2-127)

&RaT =

F'i(fo> Ap0,

/йо)

+ A'j-p (/„, Три, /йо)ДАр4-

 

 

 

 

+ А,д3(/0, Гр,,, /6о)Д/й;

 

 

 

 

&UR.o —

Д^ППІ — R u0A f —

/ 0Д/?Н.

 

 

 

Найдем частные производные, входящие в третье уравнение теплофизнческой модели, продифференцировав по соответствующей

86

величине уравнение:

d f

(/■о. Т к и , )

__ 1 w

 

:/0 -

Ö/K

/2 X

 

7ң Р^б РЛ<о

/.<

РЛі

р/но

X

ДвР (Лі +

X

СэР (/б ~ь /„)

Лі)

СэР (/« + /,) — (/н— р/а — р/,о) с аР

X

 

ф Ң ! к + 16у

I

Г/ . - р / а - р / ,,] __ 2_Х

II

_ СзР(/6+ /„) j

7 К — Р^б —

Р7

но

7б (Р — 1) 4 - 7 кор

(2-128)

СвР (7б +

7К)

 

 

 

С . Т ( 7 в + / к ) 2

 

Учитывая, что обычно р^>1, получаем после некоторых преоб­ разовании

U К — Р7 б — Р ^ко )2 /

I / 7 к 4~ РЛі + ß7ко

(2-129)

 

 

( С ^ Р / „ ) = ( / б + / к) 3

К / к - ? б - Т ^ к о

 

Находим производную по входному току /V

 

kгб —

7 к Р^б

 

Р7 ко

X

 

 

СэГ(Л, + 7к)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- Р ^ С » ( / » + / к ) - ( / н- Р / б - Р /к . ) СэР

 

 

 

 

Сэ2Н /б +

/„)2

 

 

2

/ к

---- Р^б ----- І^КО

К

» ( / к ■

I ко)

(2-130)

2

(/,-Т'в-I/«)

э2! 2(/6

+ /к)

L c J (/K+ /6)

С

 

 

 

 

 

 

(/«-Л»)

 

 

Сз2!/«

 

(7к +

) 2

 

 

Для нахождения производной по температуре следует учесть, что термочувствительными в выражении (2-125) являются две величины

ß { Т р) и 7 ко (Т 'р ) •

Тогда можно записать:

 

 

 

 

7„

 

 

R c

И

 

 

 

 

I К I Д в (7 б + 7к ) У в

т р

С в ( / б 4 - / к )

 

 

1

/ко° , - в«/Гр

(2-131)

 

С» (/б + / к)

8 7

П р о д и ф ф е р е н ц и р у е м э т о в ы р а ж е н и е п о т е м п е р а т у р е

 

 

 

 

 

 

/к — PAs— РЛч

X

 

 

 

 

 

 

 

СэТ(/«+/к)

 

 

 

 

 

X . C .(/e+/,)Y .

1

Асоо«- В*/Гр

 

А,

 

 

 

Г2

c. (/„+ /,)

 

r2

 

 

2

 

/ PAsK —— P / ,o

 

L Y» +

-

B J

Tv

(2-132)

[p/K

[C .r,(/e+ /„)»]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Воспользовавшись этими производными, находим

коэффициенты

k T p , Аіб и fen;

'при соответствующих начальных условиях:

 

*70-----

(А,— Y^poAso— ГоТ’роАіоо6

Вн/Гро)2

 

А +

 

 

(СоУоГр0/ 0) 2 (/бо +

/ о)3

 

 

 

 

/о + УвАроАо + ѴвТ’ро^коо0

К Р0

 

 

 

 

 

+ А

 

 

 

 

- B J T .

 

 

 

 

 

 

/в YdT'poAso

Yo^poW

к'

Po

 

 

 

 

 

 

**/60

 

 

2

•X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(/»’- YbA-oAo- Y.T’p./*»«

ѴГр”) (/о ■ -

W

 

Ѵ ?

р

о )

 

X

 

/бо +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

YoT-po/бо

/*Ро/цоо

 

 

к'

Po

 

 

 

В - /

г ,

X

*ГрО — ’

 

 

 

 

* УоГро/о

 

[Сагро (/бо + / о)2]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X / о Н”

fo /^ K А, W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ye-

 

 

 

 

 

 

 

(2-133)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, структурная схема транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, будет иметь вид, показанный на рис. 2-9.

На этом рисунке имеется также выход по дифференциальному сопротивлению транзистора. Этот выход необходим в том случае, когда транзистор можно представить в виде эквивалентной схемы замещения, полученной в [Л. 60].

Очевидно, передаточная функция в этом случае является отноше­

нием двух следующих столбцевых матриц:

 

17 и_ММ,-

(2-134)

ДГр

 

Д^?оі

 

ЦД</і|| = Д/к

(2-135)

Д^/ц.1

 

Дйя

 

8 3

ьт0

Л6

 

I M = ДД^пит

(2-136)

&Ru

Д/б

Как и в двух предыдущих случаях, передаточные функции по входным воздействиям А70, АД, Л£/Ш,т и ЛРП соответствуют ранее полученным. Передаточные функции для схемы включения транзисто-

 

 

äRa

Jo.__

 

Als

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

1 ftб

~kIo

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

AT

 

&h

и0

yjsr^ CiQ'TO

vS> *

h

 

 

RtW

 

Ab

 

 

 

j AU

1

J

Ъ \o

 

 

 

 

^но

- H x H -

 

 

Io

 

iUnun

Рис, 2-9. Структурная схема транзистора с транзисторными характе­ ристиками.

ра с общим эмиттером при обычном сочетании полярностей по управ­ ляющему току необходимо найти отдельно, так как они отличаются от обоих предыдущих случаев.

Передаточная функция №,бтр согласно структурной схеме, пред­ ставленной на рис. 2-9, будет иметь следующий вид:

ш!5г Д7у

(^о —

а) km

 

 

WT p ~ ii д /б

(1 + WtWt) (1 -

WtWtW4)

-

 

 

( Г , - Г , Г ,) ^ /б0

 

 

■1 + \V t W , + W t W t W ,W „

(2_137)

Эта передаточная функция соответствует апериодическому звену,

коэффициенты которого

находятся, как н

раньше, по выражениям

(2-ІІ20), (2-ІІ2І), і(2-І22)

wa_w,W

 

 

 

 

- WAWtWf

 

До (1 + « W ,+

 

W T p -------- -k im

До ( 1 - + W t W t)

'

 

 

bo ( l + W 'e ^ o ) + w t

 

' ° Р + 1

 

 

 

 

 

(2-138)

89

Н а й д е м

з а в и с и м о с т ь к о э ф ф и ц и е н т а

кта о т н а ч а л ь н ы х у с л о в и й :

 

 

 

/5 (^010 ~Ь ^ло) ■ 2/д/?0І0

 

Тп

/п0 b0 (RCT0 +

R-BO + k la f 0) — ^7-рП^п (^O'

^ио)

 

 

 

 

^cto

^по

 

 

 

/60

^ГрО

 

 

^ло)

(2-139)

 

 

 

 

 

 

 

Ö0 {Rjio+ ^сто+ fy(/0)

 

Учитывая (2-42) и вводя новое обозначение

 

 

 

A , = k /60

'О (^°то '

’ ^но)

(2-140)

 

 

 

 

 

 

получаем:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ь

____Ил---- ■

 

 

 

 

/г/ Рэ -

1— уі,

>

 

(2-141)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т б -

[ —л,

 

 

Найдем далее передаточную функцию статического сопротивле-

ння по току /о, воспользовавшись зависимостью

 

 

 

K . . = W1WГр-

 

 

Тогда получаем:

 

 

кRTG

 

 

 

 

 

it'd6

 

 

 

 

(2-142)

 

 

 

'"Т/бі0 +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

Л8

 

 

 

 

 

*/?го — ~

*ГрО'

 

 

 

 

 

•/1.

(2-143)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 -/1,

 

 

 

Также несложно находится

величина

 

:

 

 

 

w Ra

 

' ^ K

p П7/6

>

(2-144)

 

 

■ „,2

Кд0ИГ

т. е. в этой передаточной функции

 

 

 

 

 

 

kRaQ-

В

 

 

 

 

 

 

т-2 чя° 1 — А , ’

 

 

 

 

1 о

 

 

 

(2-145)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

XR A 5 -

1— Al

 

 

 

9 0

Найдем передаточную функцию, характеризующую и з м е н е н и е то­ ка /к транзистора, при изменении тока управления Je:

 

 

W'° h

 

 

 

W.

 

 

 

 

 

 

w i к.

« / 60 l + w ( w , J W _

 

 

 

 

 

 

 

I +

W, ( ^ s + j _ w ^W rw .

 

 

 

 

 

 

 

W , ( l - W t W t W , )

 

;)

 

 

 

--

t.'.l

 

 

 

 

 

 

 

 

w tW t) (I

- W t W tW 4) +

W J P j r ^ ,

 

 

 

 

760 (1 +

 

 

 

 

 

 

 

W ,-W tWtW4Wt

+1Г3ІР4ІР7ІГ0•

= kr,760 1+ w tw g — W^WgW7

 

Подставляя W t ,

по луч а ем :

 

 

 

 

 

 

 

(2-146)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K

= *,6oX

, _____________

X ( 1 +

 

 

 

wtb,sp + w*b0-

W

W t W g) bo 4 p +

b0 +

baW t W t -

W ' W ,

+ W 7W S 3 -

W t W t )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2-147)

ИЛИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

W16_k

xl*p + l

 

 

 

(2-148)

 

 

 

 

W! K- k,ß

W +1

 

 

 

ß

этом

выражении

 

 

 

 

 

 

 

 

ktc = kr

 

 

 

 

( b o - W

0W 7)

 

 

 

 

 

b,WtW, -

WBW7-

W,W7WgWg+ WtW7Wt

-lö- «/60 bo+

 

 

 

 

 

 

b0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T/ 8 -

bü — WgW7 x»'

 

 

 

 

_____________________ bp ( 1

+

^ в ^ э )__________________

 

 

X‘6 ~

6» +

 

 

 

-

WtW4W,Wt + ^W »7. '

 

(2-149)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Учитывая обозначения

(2-42), (2-43) и (2-108), получаем:

 

 

 

 

Tyg — ТІ7т0;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

‘‘76— AiA3\',

 

 

 

(2-150)

 

 

 

 

b0Ws

A .2A-^3_

 

 

 

 

 

kje

'42j43,

 

 

 

 

/6 - 1+ 1 1 ^ 9

Л,

 

 

 

 

 

где величина коэффициента

А о определяется следующим выраже-

нием:

 

 

 

 

 

' ЬьІ 0

 

 

 

1

 

,

1

b°W °

,

-

 

&/(/о

 

V 0

(2-151)

 

 

 

 

Я.ҢО

A t

 

+ Ѵ

•^но 4- -^ото +

 

т. е. можно’записать:

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b rs

b j

 

 

 

 

(2-152)

 

 

 

 

^HO

-^7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

91

Найдем зависимость tt^ 6K 3 из соотношения

•/б _

р пр/б

_

ь

хиѣР+'

(2-153)

№ .э -

Лно W ,

 

-

ffyg

Т уе/7_|_

,

В этом случае имеем:

 

 

 

 

 

 

 

kriR

---

0„/п

>

 

 

 

Ct/6

"o' о yj

 

 

 

хиа= 4 7х0;

 

 

(2-154)

 

XU6 ~

А ^ зхо-

 

 

 

Полученные передаточные функции позволяют определить матри­ цы коэффициентов передаточных функций транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Коэффициент передачи запишется в виде матрицы, обозначенной (2-155), а величины постоянных времени определяются из выражений (2-456) и (2-157):

 

1

 

1

 

-

л

Л*

60

Лото +

1-

Л

/ 0

^CTO

\ ы

4,

 

 

1 - / 1 ,

/о ^сго

-4, &„ Лио

'ОТО

— Л т2 в Jро

1 - л ■Л

хо_________ хо

1—Л 1—Л

- л , 1 - л ,

Т д Г_И,

” х0

Xq

1 — А , 1 — А ,

0

0

0

0

 

 

 

 

Т Ро — Т’оо

 

 

 

1 - Л

ь,

 

Лв0

 

 

4,

Лро -

лоо Лото + Ry,

^но

 

і ; - л

Лою — Лд,

1

 

 

4,

Лро л оо

1

^ыо

 

1

л ,

ЯСто+*н,

 

 

 

-^i

^НО

^ Ро -- Лоо

J'H0

 

 

1— Л /о

Лето + Л

 

 

 

 

ЛдрЛ 7~рв

Где

 

 

 

1 - Л

6,г,Ро

т Ро

Л Л хо

4 24 3т0

1 - Л

 

 

 

 

 

 

-^2^3X0

Пд^зТд

■л

 

 

 

 

 

 

'^2'^1|Х0

ЛЛ Х0

1 — Д

 

^О^З^О 43Дт0

Л Л Х!

 

^ ^

 

 

 

 

 

 

Л Л х0

""4 я-ЛjXq

Д Д т,

 

4 4Т0

4 4т0

0

 

(2-156)

 

 

 

4 jT0

4 4хо

0

 

 

 

IhYill =

0

0

хо

хо

4тхо

(2-157)

 

0

0

хо

хо

4,то

 

 

0

0

0

0

0

 

б) С х е м а с о б щ е й базо й . В этом случае в качестве выходных па­ раметров следует принимать ток /к, напряжение £/к.б, а током управ­ ления является ток /э, т. е. и в этом случае статическое сопротивле­ ние транзистора является функцией трех параметров: выходного то­ ка, тока управления и температуры. Очевидно, что полученная линей­ ная модель для транзистора в схеме с общим эмиттером справедлива и в этом случае, но с учетом зависимостей коэффициентов, опреде­ ляемых данной схемой включения.

Найдем зависимость статического сопротивления транзистора, для чего выразим величину напряжения U K.о в виде (Л. 60]:

7 . ■^КО

“бЛ>

(2-158)

ук.в=^(1 — “б)

/ вСл

 

 

 

Отсюда получаем:

 

 

 

Лс .= |\ і — <*іб) / н

аб^э

 

(2-159)

 

/ э К Л А

 

А/0 Л

р

 

Л4

Ано

 

1

1

k io

 

4 3

Лдо Ьцто

4.1

 

4 ,

 

 

 

^но

 

 

 

— A z

 

 

P jqR м В

А 3

 

R * J l

~Л"

Лно k70

Д

I о

^/о

4 3

Лно

^грО

4.1

 

R *^2

 

''НО

 

 

4 г/ 0

 

_ - ь

Лд

 

-ЩД- н —:

Л„„

 

а А ,

1 - Л

А ,

hТро 1 _ А ,

Ь3І о

 

4 2

Л],0

 

-4т

b

j 0

4 2

-4т

В

"до ‘

 

' „ 2

— Л

1 О

 

 

Находим частные производные этого выражения

ORn

=

2 (1 — «б)

/ к

<*6^9

^КО 1

(1 аб) -X

 

д/„

 

 

 

/ .

Ѵ7„с6

 

 

 

X

 

 

2

^ко — - А ) CtiK /0^j

 

=

(1

Яб)

/д - 0б79

/; (з/и-з/м +ов/.);

(2-160)

 

 

 

 

п

 

 

 

 

дЛ,ст^

2 Г (1

**б) (7д

я7 ■

/ к0)

1—0Сб

 

д /

 

 

/в К/0Сб

 

/о У/эСб

 

 

 

?

(1 — <хб) 2

к - ° б Ѵ - / к.)-

(2-161)

 

 

Ча . 8

7

9 2

9 3