Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кривоносов, А. И. Полупроводниковые датчики температуры

.pdf
Скачиваний:
29
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
6 Mб
Скачать

U„urjf F ft), AT0- c o n s t , Ab = c o n s t} A R fl — c o n s t

Рнс. 2-5. Структурная схема полупроводникового при­ бора относительно входного воздействия АЯст-

температуры на основе полупроводниковых приборов. Согласно рис. 2-3 имеем:

Wттро -_

\ 1 +

+ W'WJP^W, — W<W4W,

(2-6)

 

Это выражение, несмотря на громоздкость, является несложным, так как из выражений (2-5) следует, что

 

ЛТР

 

Wif

■вн

 

AI

ѣ

 

 

 

w3

Wo

 

U

AU -----

ARa

Wn

 

 

Ьл,

 

 

WR

 

А f f f i t ) , AUn u m = c o n s t j

AT0 = c o n s t, A b - co nst

 

Рис. 2-6. Структурная схема полупроводникового прибо­ ра относительно входного воздействия A R n-

61

все звенья структурной схемы, кроме №4, являются уси­

лительными звеньями, а Wt-— апериодическим инерци­ онным звеном.

Передаточная функция такой схемы также является апериодическим звеном, параметры которого находим подстановкой значения в выражение (2-6):

W:Тр '

wtw4wt

 

 

Ьр(*оР+ 1) 1+№8Г

 

1)

&о(хоЛ+1)

 

bo {zoP +

W\(1 + 1W

 

 

 

bo (zoP + ! ) ( ! +

W tw t ) +

W , W MW t -

П76И7,

________^.(1 + ^

, ) ______ ;__

bo (1 + W nW t ) + IF,\F3\F 8 -

W tW ,

bp(1

WtWt)

 

 

(2-7)

 

 

 

60 (1 + W t W t ) + W 1 ( W tW t - W t ) ■\ p + 1

Окончательно можно записать:

,fen

(2-8)

W:TP

zt \P +

*

Величина передаточного коэффициента характеризу­ ет чувствительность изменения температуры рабочего тела полупроводникового прибора по отношению к изме­ нению температуры среды, а тп — инерционность этого изменения. Найдем зависимость этих величин от началь­

ных условий работы:

W, м 4_ w.w \

к Т1 =

bt ( \ + W tW , ) + W ^ 3W t - W , )

=

 

bp [Лн0 +

ЛСІ0 + F ' I

V o . T p o )

/о ]

__ 1*

b p [Лн0 + Лст0 + F

' I (Ли

FpJ /oj -f- F ' f p (/0

T'po)

(^eio /?>

 

 

 

 

1

 

 

 

(2-9)

 

 

F ' TP ( / >

T p0) / g (Лою

 

Ruo)

 

 

 

 

 

^

bp [Лно +

Лею +

F ' I

У •

T Po)]

 

Учитывая, что Wi —b^, получаем:

 

 

 

 

 

ТП

Хо^П’

ѣ.

 

 

(2- 10)

 

 

bp

 

 

 

Выражение (2-9) также можно упростить, есл'и вве-

сти обозначение:

 

 

 

 

 

 

 

А =

 

F'rp Uоі Т’ро) П (Fore

^яо)

( 2- 11)

bp [Лно +

Лою' Л ~ Р ' I (7

T Vp ) f 0]

 

62

Тогда можно записать:

ѵг г

 

 

2 12

1 + Л ,

( - )

 

 

л

1 + Л,

(2-13)

 

Величины kn и Tn зависят

от знака коэффициента

А1, который в свою очередь определяется знаком произ­ водной F 't v {Io, Тро), представляющей собой температур­

ный коэффициент сопротивления Rcт. При отрицатель­ ном температурном коэффициенте сопротивления соот­ ветственно получаем:

 

 

 

 

^л > ѵ

 

 

 

(2-14)

 

 

 

 

 

 

 

 

При положительном

температурном

коэффициенте

сопротивления имеем:

kj j

 

1,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2-15)

 

 

 

 

 

< ѵ

 

 

 

 

 

 

 

л

 

 

 

 

Передаточная функция Wj

запишется в следующем

виде:

 

 

 

W7WtW7 - 1 +

 

 

 

 

д/

 

 

H7.U7,

 

 

 

 

 

 

,

,

- п

------

 

 

W

г я

1

'

WW7 (-W,

(w 3-

Ге

 

 

 

 

1

 

 

 

 

V.

 

 

 

 

w3wi\v7w3

 

 

 

(2-16)

 

1 +

+ wAwtw7w, -

WJT7W%

 

 

Подставляя в (2-16) значение Wt, находим передаточ­

ную функцию W*« в виде

апериодического звена:

 

 

 

 

 

 

W

 

 

 

 

W!°=

~ b 0(.,/4- 1) (1+w*wl)+w3w7w3- w 3w7 =

 

 

________ w 3w 7w t_______

 

 

ьз (1 -f- W

 

7) -}-W3W 7Wа — ß7e

 

 

_________ К (1 + ^s^s)_________

. ,

 

 

b0 { l + W 3W s) + W 7 ( W 3W 3 - W g)

' ° Р + 1

 

6 3

Величины постоянных времени тл и тті совпадают,

тл=тті. (2-18)

Между коэффициентами kn и kTi существует следу­ ющая связь:

k,

1 + W~Wa

kTi

 

(2-19)

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'V p (/«. T’p»)

R „ 0 +

R so

k T\

 

 

 

1 +F', (/„,

Tp0)

ACTO

■ о -

 

 

 

 

 

 

 

 

^ho

 

 

 

 

УO’

T'po)

 

 

b

(

2

- )

'Л с,о +

Лн0 + ^

( / . .

 

T'po) /о

/vT,.

 

20

 

Л

 

 

 

Знак коэффициента Ал (или знак приращения тока) также зависит от знака температурной зависимости со­ противления полупроводникового прибора. Учитывая ранее принятое обозначение (2-1 1 ), получаем:

 

А

 

 

(2-21)

 

1 ~Ь А

/о (^OTO Лио)

 

 

 

71

 

Тл

 

(2-22)

 

I

+ А

 

 

 

 

При

отрицательном

температурном

коэффициенте

имеем:

 

 

 

 

 

 

 

Ал > 0 ;

)

(2-23)

 

 

тл > Ѵ

J

 

 

 

При

положительном

температурном

коэффициенте

имеем:

 

Ап < 0 ;

4

 

 

 

(2-24)

 

 

т/і<Ѵ

J

 

 

 

Рассмотрим далее передаточную функцию WTOu, ко­ торая согласно рис. 2-3 имеет следующий вид:

Ц7Г° — _ш WT°=z__________ WiWJPJP'__________

nc\

U

w bw ,

1 +,W SW, + W3WtW,Wa — WtWJX'j л

>

6 4

т. е. в этом случае

или

_

и\

/еш

^71^но>

1

(2-26)

х о і =

Х / І = Х Л

/

 

А х

 

^о^но

»

 

1 + А

1

/ о (^сто

^но) *

(2-27)

_

■'о

“и I

1 - м ,

Знак коэффициента km соответствует знаку темпера­ турного коэффициента сопротивления.

Передаточная функция

 

будет иметь

следующий

вид:

 

 

 

_ WWJF,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г,то

 

 

 

1+ WtWt

 

 

 

 

WR ot

м щ у

1+

1178Ц79

Z l A

 

 

1+

 

 

 

— w, J

 

 

W'.W'JT,

 

 

 

 

 

кRTI

(2-28)

I + \ѵъ\ѵа+

 

 

— U74U7,U/9

 

ч?г, P +

 

 

 

1

Связь между коэффициентами -кцт\ и kn имеет сле­

дующий вид:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

km — 1_р wsW,

"ті

 

(2-29)

или

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f'r p № .)

 

 

 

 

' + ^ ' / У о .

Т 'в о ) “ d

 

I ° p

 

 

 

 

 

 

^НО

 

Ac*

 

 

^Гр У«> 7*р.) №яо +

 

 

krty. .

(2-30)

~~

R w +

R ^ +

 

F' Vo. 7 p 0)

/ o

 

 

 

" Т Г

 

Учитывая принятое обозначение, получаем:

 

__

j4j

 

 

bQ RizoИ- Ro­

 

 

llИГ I

I + A ,

 

/ , R eta R uo

(2-31)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лгг

 

 

 

 

 

 

і + л ,

 

 

Рассмотрим передаточные функции полупроводнико­ вого прибора относительно изменения коэффициента рассеивания Ь. Их нетрудно получить из сравнения

5 — 25

65

рис. 2-3 и 2-4, откуда вытекает следующее простое соот­ ношение:

 

WT° = -

КТ2

(2-32)

 

Т‘2р +

 

 

 

1

Согласно этому выражению получаем:

и

______ j____ГР0

 

Т О0 _

 

Т2

1+ А ,

Ь0

 

 

1+Д ,

 

 

 

Отсюда

 

 

 

 

 

^ а ш /ГО ___Г ро

 

7-О0 .и.ГО

(2-33)

W° = -&-W

 

 

и

Wj

 

 

 

Для остальных передаточных функций структурной схемы, показанной на рис. 2-4, получаем:

W1:

] Ра____Д>° __

 

'■'/2

(2-34)

1>о

" 1

*г2Р+ 1

 

 

Выражения для коэффициентов имеют вид:

 

А ,

 

Т'ро

~1о о

 

.

\

 

^/2

А 1

Т 00

 

I

 

1 +

I о (Ra

- « В

. )

(2-35)

 

 

 

 

 

 

Т2

I + А ,

 

 

 

 

і

 

Передаточная функция Wbu запишется в виде

 

 

/ft

feH2

(2-36)

 

 

Г и

хт Р + 1

 

 

 

 

Выражения

для

коэффициентов этой передаточной

функции имеют вид:

 

 

h

 

-^i

R n o ( R p a

Діо) . '

m ~ i

+ л ,

/ 0 (Ясіо —

Я ш ,),’

_

_

т0

 

(2-37)

 

Д/2— 1+Д!

 

Для передаточной функции WbRcт имеем:

^ft __

ЙЛГ2

(2-38)

Лет

"'■ЦТіР "Ь 1

 

66

Для данной передаточной функции выражения для коэффициентов следующие:

и

__

Т'ро— та0

/?„„ + Ян, .

1+ А 1

/„

Лото — Лио ’

 

 

 

(2-39)

 

Ѵ з —

1 + A t

Полученные передаточные функции необходимы при применении полупроводниковых приборов в качестве датчиков неэлектрических величин, так как величина коэффициента b зависит от многих теплофизических факторов: давления, влажности, скорости потока и т. д.

Перейдем к рассмотрению передаточных функций полупроводниковых приборов по отношению к измене­

нию напряжения питания.

 

 

Согласно

структурной

схемы, приведенной на рис. 2-5,

получаем:

 

 

 

 

 

 

\ Ѵ / и

 

WWP, о

 

 

ППТ5

'tWtW<W7Wt

 

 

 

 

]

wtwsw4

 

 

 

 

Wtw twtt

 

(2-40)

 

+ W3WiW,W3+ WBW9

 

 

Учитывая,- что №4

определяет единственное

апери­

одическое звено в этом выражении, получаем:

 

П/^пит

____

W ^

ioKjH-1)

 

 

( 1 +

^ t W t ) ba +

 

 

 

 

 

 

 

S P + I

_____

 

 

 

( 1 + W JW 9) b0

 

 

( 1 + W J P t ) b0 + W t W xW t - W ' W , - W ' W t W J P , ■чр +1

 

Введем обозначения:

 

 

(2-41)

 

 

 

A. =

- (1 +

 

w 5w aw 10b0

(2-42)

W tW t ) b0 +

W t W , W , -

W , W 4 (I + W tW t )

 

 

л

_

l+ W tW,

(2-43)

 

 

3__

WtWtWx,

6*

 

 

 

 

 

 

 

6 7

- Тогда выражение

(2-41)

 

запишется в следующем

виде:

 

 

 

 

 

 

(2-44)

WU™ = — Ая

 

, У +

1

и

2

 

АгАгі'Ір +

 

Окончательно получаем:

 

 

 

 

 

ШѴиит__'U

 

 

W

+

1

(2-45)

W U

— R U 3

w

+

1

 

Выражения для коэффициентов этой передаточной

функции определятся из следующей системы:

 

 

^из----

 

^г>

1

(2-46)

 

*изі =

А.А.ъ-

I

 

“Ü5 =

V

 

 

 

 

Определим зависимость

 

коэффициентов А*

и А3 от

начальных условий работы полупроводникового при­ бора:

А, = -

 

PuO

Ä* Т- Ра

-X

 

 

 

 

F 'і(Іо>

7 р .)Л ,

 

 

 

2 Rcto— ^но

 

Ьо

 

 

 

 

1+ ÄUo + *СтО j + ^/гр(/ -

Гро)

RqtO“Ь Ruo

 

 

 

 

 

Х"7

 

 

 

 

 

 

/0

 

p ^ 0'

rP°)

 

 

 

’ Ясто+Яно ^

 

 

 

 

 

 

^O^HO

 

 

 

 

Ö0 [S Ho +

Ясхо +

o>

T'po) ^o] +

(^O» ^Po)

t0

^ ho)

 

~ / 02 F ' t {l0l

TV0) F ' , ( f o,

Tf0)

:

(2-47)

 

 

 

^oF'I (/o>

7p0)

 

 

 

 

A =

-

1+

Дето + «HO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ÄH

 

 

 

 

 

 

 

 

Ä jjo +

Ä o io

+

(^ o >

7 „ ) / „

 

/ _

 

= ----------------ö--------------------------------- (^’4Ö)

 

 

 

 

Дно

 

 

 

 

Как видно из последних выражений, независимо от знака коэффициента температурной чувствительности со­

блюдаются неравенства:

 

. / 2> І; }

(2-49)

Л > 1 . I

'

68

т. е. в этом случае выполняются следующие, условия:

0<йот<1. (2-50)

Отношения постоянных времени к величине то зави­ сят от соотношения коэффициентов А% и А3. Для этих параметров можно записать:

zu3z=zu5==’to'j

А3

~ÄT'

(2-51)

т с / з > Ѵ

тѵъ

Л > -

(2-52)

а также

 

 

 

 

'сс/з<С ' со!

'cl's

■^3<C

»

(2-53)

T. e. в этом случае можно так подобрать начальные

условия, что инерционность полупроводникового прибо­ ра будет минимальной.

Полученная передаточная функция представляет со­ бой передаточную функцию инерционного звена с диф­ ференцированием, т. е. переходные процессы в полупро­ водниковом приборе при изменении электрических пара­ метров протекают быстрее, чем при изменении теплофи­ зических величин.

Рассмотрим далее передаточную

функцию

. Со­

гласно рис. 2-5 имеем:

 

 

 

 

 

и

w3wtw7

\

waw1

 

т

^ 8 + 1_

W,WtWJ

w7

(2-54)

 

 

r aH74ir,

w Гр

 

 

 

 

1 + wtwt

 

 

 

Подставляя в это выражение И?4, получаем:

 

 

 

U пнт

. ^ , 0

X

 

 

 

 

WТр

W 7

 

 

Wt - wawaw7wt ^ w twaw7

X 1 _ W t W 6W 7 + W 3W aW 7W 3 + W t W 3 (1 — W aW 3W 7)

 

_ _ w t w la

b 0W 3 (z0p + \ ) - W

6W 7W 3 + W 3W 7

 

W7

1 _

+ W3Wt W7W7+ WSW, w t w sw 7w tw,

 

 

 

W 3W 7 - W

3W 7W t

(2-55)

r 7

{ l + W tWt) b t + \PtW7Wt -

Wjr, - wtw7wtwt

 

____

W3W7WeW7W- \ p + 1.

_____________ ( i+ в у V,)b

(1+ w ,w 3) b, + w ,w 7w t _ w tw 7 - w tw 7w tw t + 1

69

Учитывая выражения (2-42), (2-43), а также обозначая

 

b0W8

 

(2-56)

4 = IP, (W'-W'WJ'

получаем:

 

 

 

w U n m ,

W

+ 1 .

(2-57)

Тр

Г3 z T3p

-J- 1

 

выражении коэффициенты определяются из следующих соотношении:

^Tö •<^4хо>

%ТЗ =

(2-58)

,W a А 3 F ' i V о. Т’ро) / ! ,

кп = К А 7 =

я„, 47

Рассмотрим зависимость этих коэффициентов от на­ чальных условий

А =

__________ baF ' , ( / г Р0)_______________ .

4

Р'тѴ0. Гр.) [2/оЯо» -

(2-59)

(Л. Т’р.)] ’

,

b0F ' , ( I 0<

ГР0)

/ггз—

/ 0/?В0 [2^СІ0 — /»F^, ( /0,

(2-60)

Ур.)] F rp(/0- r Po)

Величина tts зависит от соотношения знаков темпе­ ратурной и токовой чувствительностей статического со­ противления.

Перейдем к передаточной функции W^mr\

,Ѵ /П ПНТ

 

^ 9 ^ 1 0

'

~

1 + ^ 8 ^ 9 W J P s W , - W . W . W . W . W , + W 3W i W 1W a ■

 

 

(2-61)

Учитывая обозначения (2-42) и (2-43), получаем:

\v"™ = h

Х° Р + \ ;

. (2-62)

1

13

%1 3 Р + 1

 

и

— _L л _ Л 2 .

(2-63)

К;з — Ws

*— Rs •

Хіз= xm—АчЛзХо-

(2-64)

7 0