Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Кривоносов, А. И. Полупроводниковые датчики температуры

.pdf
Скачиваний:
30
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
6 Mб
Скачать

В в е д е м с л е д у ю щ и е о б о з н а ч е н и я п е р е м е н н ы х :

(1-72)

Тогда можно записать выражение для первой производной:

 

dR,

d R cx

<IRT

 

 

(1-73)

 

 

tIT

clRT

cLT

 

 

 

 

 

 

 

Воспользовавшись формулой Лейбница, выражение для п -й про­

изводной величины

R c x { T ) перепишем

в следующем виде:

 

d ”R „

П

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1-74)

d T ’l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выражение для

т ) - й производной

функции R c z ( R t )

было

ранее получено и определяется зависимостью

(1-56).

 

Выражение для

т

производной

величины

R t (T ) получается

в результате применения

формулы Лейбница к

выражению

(1-72),

т. е.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

d hR To

d m ~ b R T]

 

 

 

 

■k

-______ LL

 

(1-75)

 

 

m

d T h

d T m ~ h

 

 

 

 

 

Найдем непосредственным дифференцированием соответствующих функций R t i и R t 2 их высшие производные:

' (1-76)

ntn—k—1 (— l)m-fc

э

+ 1) m - h + l

4 l

Для /г-й производной функции R c x ( T ) справедлива следующая зависимость:

*сЛ Т) =

У_]с“ (-

?(S Р)Р" ~

'- {П

m)l

X

 

U

x

 

(pR'300e«

4 -l)"-m+1

 

 

m=l

 

 

 

 

 

 

X

^ Cm

 

(Y'V/'-t- l)m_h+l

 

X

 

 

ft=l

 

 

 

 

 

 

 

x j ] c ü - i ) ^ 3

eBJT I'13«

 

 

 

T J+ 1

 

 

 

 

/=■

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1-77)

Подставляя это выражение в ряд разложения

(1-71),

вынося по­

стоянные члены за знак суммы,

получаем-

 

 

 

R a ( О = Яс* (Т'ап) + f f . о о Л /Г*п X

/і I

 

< = 1

 

m=l

 

t

 

 

 

(i m)\pi~m ~1

 

X

 

%

 

Y ^ T 'o n 4 "

BJT

 

■С*

X

 

P Y ^ T ~ 4- T ^ W K an+ ' )

 

 

 

_ *)! (__

 

 

^

4

(1-78)

 

 

 

 

 

X

(Y'07'an4-

l ) m " ,t+1 2 j

C * ( _ l ) i ^ 7 4 T -

 

Это выражение можно записать в более простой форме, если

ввести обозначения:

 

 

 

В IT

 

 

Л * = q ( s - p )

(y'o- Y".)

 

(1-79)

 

 

к

 

=

с'пІ- pY-

X

 

 

 

m a l

 

 

 

 

 

X

m

C*

ft=l

 

 

(t — /и)!

i- m+i -X

 

Y , e ^ 'a n

4

- 1

,Bw'ITя

(1-80)

p -vT; t"

,

я',«,* K" an4-

 

 

Y".7-„+I

a эсо

 

 

.(m -A)l(-Y,,B)m-'1-

*

 

 

(Y 'V .,,4 - 1)™-*+'

~S CÜ - ' ) ' ^ P T

 

j=l

4 2

Т о г д а

^ c x (?) Rex (Т ’а п ) 4 "

(1-81)

Число членов ряда разложения -определяется следующей зависи­

мостью:

п

Rex ( Tt) - Ra ( 7 , ) - Л‘'

—1 ~ Tl)t E'i = Л.

1- 82)(

i=i

Функция, линеаризующая зависимость Rcx(T), запишется в сле­ дующем виде:

R c x { T ) = Rcx{ T&n) Л- k n ( Т Т ап) .

( 1-83)

Определим величину £л для данного случая:

 

 

 

 

 

sfy- (7\>) +

1

sßj-( Г ,)

+

1 .

/ ? „

( Г

2)

/ ? с х

( Л )

^

1

^

+

(

Г 1,) +

йл —

Г, — 7\

 

— ?

7\j — 7,

 

 

 

_

 

S -- Р________ R qx 2) -- Rex (7\)______ _

 

=

<7 г л-т ,

[/>/?„ (Г2) + 1ШЯех (Л )+

1] ~

 

s - Р

 

 

 

gfl,/ r ,(if,.7-t + l ) ( T " . 7 ’1+

l ) -

 

 

9 Л _ 7 ’1

903

[^'зсоЛ ^

(т'.Г,+ І)+

 

 

_______ - Д

/Г,(Ѵ'э7,і + 1),(Т,,о7’2-+

1)___________

 

+ (ЧГ' . Те +

1)]

\PR !3ooeB JT ‘ (Ѵ'эЛ + 1) +

W

, T t +

1)]

 

 

Так как обычно -при расчетах величина статического сопротивле­ ния определяется и помимо синтеза цепей, то, несмотря на кажущую­ ся громоздкость, -расчет величины йл нс -предстазляет особых труд­ ностей.

Найдем далее максимальную -погрешность линеаризации согласно условию (1-15), которое в этом случае удобно записать в следующем виде:

\ ~ l k r dRT = \k*dТ + С-

С’85)

Находим интеграл левой части

I9

 

*)2dRT = -

s — p

( 1- 86)

(.PRT+

BJTr»T+ 1

 

 

 

PR's

е -{"*T + 1

 

Тогда

решение

уравнения

(1-85) запишется в следующем

виде:

 

±

5

Р

--КТ+С.

(1-87)

 

Р

V r Y'*Т+ 1

 

1

 

 

PR's ?

t"sT+ 1 +

 

4 3

О п р е д е л я я п о с т о я н н у ю и н т е г р и р о в а н и я п р и Т—Т\ и о б о з н а ч а я

f(T)

±

 

s — p

knт +с, ( 1- 88)

Р

p R '

ітГоТ + 1

 

 

■і"*Т+ 1

 

 

 

 

 

решение интегрального уравнения запишем следующим образом:

/ ( Г ) = ; ( Г , ) + А „ ( Г — Г , ) . -

1-89)

В общем виде это уравнение можно решить графически, а если учесть, что функции {(Т) и Rox(T) отличаются на постоянную вели­ чину, его можно решить аналитически, поэтому получаем:

^ o x j j -----

---- Ь'* = кх-

(N90)

Это выражение имеет порядок на единицу меньше количества членов разложения и в частных случаях решается достаточно просто, так как представляет собой линейное уравнение (і—4 )-го порядка.

Величина R c x ( T an) находится также с помощью разложения функции і?сх(Гап) в ряд из линейного уравнения і-го порядка, полу­ ченного на основе выражения (1 -2 1):

П

(Г"!т Г Гі)* £ ,і =

М ^ ц - 7 ', )

+ Л-

(1-91)

і—1

 

 

 

З а д а ч а 2. С з а д а н н о й точностью

определит ь

у с л о в и е

л и н е а р и ­

з а ц и и т емперат урной характерист ики транзистора.

Величина коэффициента наклона линеаризующей прямой опреде­ ляется согласно уравнению (1-24):

 

 

(s - р ) R !300e BJTa

 

k„ = q

 

 

 

 

X

 

 

 

 

-f'^an+l

 

 

 

 

 

 

( V

 

э

 

‘<"аТ'вп+ 1 + 1

 

X

T1 ■“Ь(ГоТY'.

’а п + П 2

(1-92)

 

 

ап

 

 

 

 

Максимальный диапазон температур согласно уравнению (1-62)

определяется следующим выражением:

 

 

 

 

m

 

 

 

 

А сх

=

~ ІГ Е і ~

+ Д3-

(1-93)

 

 

i=l

 

 

 

 

Порядок этого уравнения соответствует числу членов ряда раз­

ложения, и решение его

не

представляет

значительных

сложностей.

З а д а ч а 3. Н айт и

л и н е й н ы е

парамет ры с х е м ы д л я

п о л у ч е н и я

в з а д а н н о м д и а п а з о н е н е о б х о д и м о й

л и н е й н о й зависимост и.

4 4

Для решения этой задачи необходимо рассмотреть решение си­ стемы (1-33), которая для данного случая имеет следующий вид:

 

߄7r,

f вТ J +

1

+ 1

1

sR,3ooe

 

+ 1

RCX.3 (Rl)<

Q

b i t ,

ч '3 Т , +

\

 

P R 'Sffl«

 

1"b7'..+ 1 +

 

 

 

sR'._

BK/ra foT a+ l

1

 

°ß

 

Г'0Га+ І +

 

oR,

eBJT>Ч'*Т* +

1

: ^СХ.З ( T 2) І

 

PR300

 

-i\Tz+

1 +

1

 

 

 

 

 

 

 

(1-94)

 

<7-

 

 

y"o7'm+ I +

 

 

ß„/r Л'вГм+

1

 

 

^

 

“ Ы- К е т -1 + 1

 

R e x .a (T \) +

кц.а

( Т к — ^i) + А3;

 

А

V

 

ib - D

r 1

Е _ k

 

^сх Ti.

 

jI

 

Е'г — «л.з*

<■=I

Применяя несложные вычислительные машины, можно разрешить

эту систему относительно неизвестных 7 м, q, s,

и р.

 

З а д а ч а

4, Найти

п р я м у ю ,

п р о х о д я щ у ю

ч ер е з д а н н у ю

точку,

с о п р е д е л е н н о й

погреш ност ью .

 

 

к

решению системы уравнений

Решение этой задачи сводится

(1-35), которая в этом случае запишется в следующем виде:

 

sR '

А /г.™ ТГ'»7’і

 

1

 

 

 

1

 

о к 811

----- -L I

1

 

 

5К*°С

-<”втЯП+1

+

 

 

 

 

А - /? ’,,,

Ѵ'о'Лчт +

1

+

 

^ех.э (^an)>

 

PR's

Г'вДш +

1

 

 

 

 

 

(S -

р ) R'30oe

ВJT,

 

 

 

 

 

*

 

 

 

^L_ +

 

 

bjt_ -і\Т„п+ 1

 

, ,

 

 

 

tL

 

 

pR^ e

 

 

 

 

 

+ 1

 

 

 

+ (Y'lKn + V 'f"9

 

 

}

(1-95)

«fli-l

V

г I

- k

 

£ t — «jr.s.

5Я'Э00*Вк/Гад+8м Jf!?l7'«n.+i)j±LI1.

Т"в(7’« + Ѳ )+

ß K • аи + ем т'а (^ап + 8м) + 1

Т^эсо*

fMT’.n -H J + l

= ^сх.з

ап) + ^л.з^м + ^доп*

4 5

Решение этой системы относительно Ѳм, q, s и р также осущест­ вимо с помощью вычислительных машин.

Приведенные рассуждения справедливы и для температурной ха­ рактеристики тока цепи с транзистором, отличие будет только в ко­

эффициентах ряда разложения функции

Ң Т ) ,

которые определяются

из следующих выражений:

 

 

 

р — s

в

іт

 

= ~ - ( Y '.-Y " .) B R ’ e

;

 

m=l

 

(1-96)

 

 

 

X

( t' — m )!

 

d m R T

j !»Zk iL L ™ л < тш

І ~ ТП+ 1 ^'рПІ

s

+ l ««»* ' an +

1 1

 

Кроме того, следует отметить, что величина Я'э» зависит также от тока управления /е. Эта зависимость записывается в следующем виде:

1 — іѴр

■Д'Ѵк.н

 

 

R ct

 

R , R

 

 

(1-97)

(! +

Л') R rR[KM

, ,

n

Р

обозначив

 

U„

6 +

^/K.H +

(1 +ЛО^/к.н

 

 

 

 

=/e

 

(1-98)

 

£/.

76»

 

получим, что величина Яст(/о)

представляет собой простую дробно­

рациональную функцию, уменьшающуюся с ростом

тока /о:

 

1 — /ѵр

Я«Я/к.и

 

(1-99)

 

р~

*/б16+ fyit.ii +

/?«

 

 

Таким образом, и в этом случае при заданных линейных параме­ трах схемы можно получить семейство прямых линеаризации, причем

это семейство

лежит

в широком диапазоне

значений R c x { T aa) и

{ Т ап) •

 

базой . На основании схемы замещения транзи­

б.

С х е м а с

о б щ е й

стора,

включенного по

схеме с общей базой,

можно записать:

 

 

/ н= а 6/ в+ / к.н +

(МОО)

Учитывая зависимость величины R * K, получаем в этом случае следующее выражение для вольт-амперной характеристики транзи­ стора:

= ( “« + 1 7 Ѵ ч * л ГТГ^) А, + /*.в + Яд ( \ — а й ) ■ (М01)

4 6

Применив обозначение N

— V U K,с / А с

 

и поделив обе части урав­

нения на Us ,a,

получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

N

 

I

1

 

 

 

 

R a

“б+ 1 -

“б

Я

Ѵк.н

Яд(1— аб)

( 1- 102)

 

 

 

ѴЭ

 

 

 

Определим из этого уравнения величину статического сопротив­

ления транзистора

 

 

 

“бо

 

 

 

RlaR/коо ^доо

 

 

 

Rot[Ко -ГбГ) (1 - а б0 +

ТбЛ+Л/] X

 

 

X R l K o a

 

+ ъТ) Д /г

 

 

 

(1-103)

 

^доо + ^ д со С1 — “бо +YeH

 

 

Температурную характеристику соп[ротивления

R c t (T)

получим,

учтя температурные зависимости величинІЛІІЧИ

 

R n < .n (T ),

R n ( T )

и ас (Г):

 

 

а д . и(п м п п -

 

 

^сі — К (Г) [ 1 _ а6 (7-)] + N }

 

(Г) /?д (Г) +

 

 

_________ - М П ]

 

 

 

(1-104)

 

+ R a { T ) Дд ( Г ) [1 -

аб (7)J + R , R К.Е •

 

 

Приведем это уравнение к удобной для исследования форме:

b i t

Y'« Т + 1

R a R äoae

(1-105)

 

Y "e(Y V 4- D + l '

В этом выражении

Rk™—

^коо^ч^доо ( '

“бо)

 

 

— “б0) +

A1J #КООЯДОО+

 

600 Ко ( 1

 

+

(1 — “бо) Ядоо#в.+ R * R W

 

 

 

Y б = '

' °0о

 

(1-106)

 

 

RrOO(2®б0 1)

R3

Y" 6 = Я A“ [“бо (1 — “бо) + W] R ^ R n c o +

 

+ (1 — “бо) ЯЛООИ . +

RaR'

 

 

 

да>

 

 

 

У"'б =

 

Rroo

 

 

RKm(2“бо

1)

 

Тогда температурную характеристику всей цепи можно записать в следующем виде:

sR«

- V _____ teT_+l

I

,

V

JJ

I vl I

600

 

y"cT (y"cT + 1) + 1

+

1.

R ot ( П

 

Y ^ + l

 

(1-107)

 

 

+ 1

P R б с с Д Г ' YKT (y"tT+ 1) +

4 7

Рассмотрим решение задачи синтеза для цепи с транзистором,

имеющей статическое

сопротивление, описываемое выражением

(1-107).

 

 

З а д а ч а 1. Найт и

парамет ры

п р я м о й , л и н е а р и з у ю щ е й темпера­

т урную зависимост ь ц е п и в д а н н о м

д и а п а з о н е температур.

Для удобства нахождения параметров линеаризующей прямой рассмотрим разложение в ряд функции (1-107) в некоторой точ­ ке Т ап.

Предварительно необходимо упростить выражение для статиче­ ского сопротивления транзистора, так как разложение в ряд функции в полученном виде является весьма сложным. Для этого найдем кор­ ни следующего квадратного уравнения:

у " ъ Т ( Т \ ' " в + 1 ) + 1 = 0

(1-108)

или

1=0.

\ '" й \" ' ъ Т - + ( у " â + y ' " ь ) Т +

Решение этого уравнения будет иметь следующий вид:

_

- (Y"a + Yw6) + V (Т"б + Тш б)а - 4 у 'Ѵ Т Г

(1-109)

ІХЛ~

2Y"eY'"fl

 

Это уравнение имеет рациональные корни:

1 -(Y "e + Y",«) + (Y"e-Y'"e)

Т =

2т " Л

- й ' ,б + Т", б ) - ( т " б - Т ,"б)_

T t =

2Y"eY'"6

 

Учитывая полученные корни уравнения (1-108), ние для статического сопротивления транзистора

7 Г > I

6 I ( 1- 110)

-1

запишем выраже­

в IT

ч'бТ + 1

(1-111)

к

+ О ( т " ' б Т +

1)’

где

 

(1-112)

Р'бсо = Poa>y"r>Y,//6.

Тогда п функцию R a ( T )

можно представить в более

удобном

виде:

 

 

 

, b j t

Y'fiT + 1

+ i

 

Po, (T)=g ^ б с о ^ (yV + 1 ) ( y''V + 1 )

(1-113)

 

в iT

і 6т+ 1

 

 

p R '^

(і"бТ + і)(Г'бТ+\)

 

Разложение этой функции в ряд с помощью введения дополни­ тельных переменных позволяет найти выражение для общего члена ряда. Введем следующие переменные:

RT

R t \ = '

(-f'V + D ’

(1-114)

' n - ( Y " „ r + l )

 

P

_ pr

 

к тг — P 6ooö

 

Выражение для n-ii производной

функции R 0z [ T ) определяется

формулой Лейбница и

соответствует

выражению (1-94). При этом

48

выражение для (п —ш)-й производной величины R e * (R t ) соответ­ ствует, как для транзисторов в схеме с общим' эмиттером, выраже­ нию (1-55), а выражение для т -й производной определяется полу­

ченным для этой схемы уравнением

(-1-75).

 

При этом возникает необходимость в представлении этой функ­

ции в следующем виде:

/?П =

Ф, (7’)Ф г (Г),

(1-115)

где

 

■і'йТ +

1 .

 

 

 

 

Ф. (П = т"бТ + 1

(1-116)

ф2(Т) =■

 

 

+ 1

 

 

 

 

І \ т

 

 

Применим формулу

Лейбница

для

произведения

этих функций:

d m ~ kR Tl =

 

 

с1*ф '

а 'П~ к~ г ф 2

(1-117)

d T m ~ h

Ъ

m ~ k d T % d T m ~ k ~ ‘

 

B = [

Найдем высшие производные функций Фі(Г) и Ф2 (Г):

 

 

 

•jf ,_ »jfl

 

 

 

 

 

 

 

 

Ф', ( Т ) =

Тб

Y

б

 

 

 

 

 

 

 

 

(Y"e74- I) 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ф"> (Л =f"e

yV—т"б

 

 

 

 

 

 

 

Сі”6Т +

!)* ’

 

 

 

 

(1-118)

 

ф*(т)=

(г-—y"«)y;— 1 (—D-

 

 

 

 

 

('{"бТ +

1) е + 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Аналогично

для функции

/г—е ( Т )

имеем:

 

 

Ф!/п—А—е (Г) =

k — е )!Yg,,n

k

S(— t)т—к—г—\

(1-119)

 

 

 

 

 

(yV

+

тk—8—i

 

 

 

 

 

 

 

О

 

 

 

 

Выражение для /г-іі производной функции

R T2

определяется ра­

нее полученной зависимостцо (1-51).

 

 

 

 

 

 

Окончательно можно записать:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Яс'х(7') =

5 ]

С ( - |)т_П"‘Х

 

 

 

 

 

 

т— 1

 

т

 

/ k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

д {5- р ) ^ - ш - ^ р - з ) \ у

 

J у

 

 

(pRn +

l)n- m+l

 

Ъ

т\ и

1

} х

 

 

 

 

 

 

 

k = l

 

s =

 

 

 

 

 

 

в

i t

m—k

 

 

 

 

 

 

 

'W öoo« К

5

 

c ;_ ftX

 

 

 

 

X '

 

 

 

 

 

 

X s! (m k — e)l

 

 

 

8 —

1

 

 

 

 

 

(Y"e — y" 'b)

(—l)

™ -

" - 1

">m- k

 

Y;"-H(Y^+l)m~ft (

Y"b-b 1

Ѵ-И

'9

(1-120)

4 — 25

49

или

 

 

(т)

= q ( р - s) ( f 0 -

Y"„) ^'б00Л Г X

 

 

 

 

Xj] c " ' { - p ) * -

 

( p —

s)\

 

 

 

 

 

"________ V

 

 

 

(Ptfc

ljn -m + 1

/ \

 

 

 

m=I

 

 

/ *

 

 

 

x

\ V

e -

fe( - i)w—

_j i_ )

 

f V .

 

 

fc=l

 

 

 

' / = 1

 

 

 

 

 

m—k

e \(mI (/?г — kА; — z)\(6

-j"T+ l)e+1

 

 

 

 

\ y \ \

 

 

( 1- 121)

 

 

£—\

fe + 1 ff" Г + 1)8+1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вводя обозначения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в u'ITn

 

(1-122)

 

 

Acx= q(P -s) Ci'a- r ' a)R'6ooe K on;

 

 

 

 

 

П

 

 

 

 

 

 

 

Et = 2 С ™ { - р у - > » - ' ( 1 - т ) 1 Х

 

 

 

 

 

 

m=l

 

 

 

 

 

 

£

Ѵэ

(-1) m - M*1

 

 

 

 

 

 

CA

 

 

 

(_1)i W

X

 

 

ГУ

 

 

 

 

 

m (Ѵ"ЛП+ l)m—

 

 

X

ft= l

 

£

'/=i

 

 

 

 

 

 

 

IT

 

 

 

 

 

 

 

 

p R ' 6o3e

« «“ X

 

 

 

 

 

m—k

«!

( Y " 'r a„ +

1)E+ 1

 

 

 

 

X

 

 

 

 

 

 

y'”8+i (т"Г H- !)e+1

 

 

 

 

i=l

 

Ч'бТ'ап+ 1

 

 

 

 

(1-123)

 

 

X-

 

 

 

І - 7 П + 1

 

 

an + 1) (Ч'"бТвъ + 1) + 1

 

 

получаем функцию R { T ) в виде следующего ряда:

 

 

 

 

 

 

 

 

п

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ѳ1

 

(1-124)

 

 

Я(7’) = Я ( 7 ’аП) + Л с * 5 ] 7 Г Е и

 

і= 1

Из рассмотрения этого выражения можно сделать вывод, что синтез цепей с транзистором в схеме с общей базой аналогичен син­ тезу цепей с транзистором в схеме с общим эмиттером, но коэффи­ циенты ряда разложения определяются зависимостями (1 -1 2 2), (1-123).

5 0