книги из ГПНТБ / Кривоносов, А. И. Полупроводниковые датчики температуры

Т а б л и ц а 1-2

Семейства вольт-амперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, для различных сочетаний полярностей и температур окружающей среды

31

32

Семейства вольт-амперных характеристик транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, для различных сочетаний полярностей управляющих сигналов

35

Это выражение также сводится к следующей форме записи за­ висимости R c * { T ) :

В этом выражении

1 -s(Rx + Rj) .

q - < 1 l + p ( R a + R yy

1

+ / » ( « « + . Лу)'

Таким образом, решение задач синтеза сводится к решению про­ стых квадратных уравнении. При этом температурный коэффициент в зависимости от схемы включения может быть как положительным, так и отрицательным, и знак его 'постоянен для всего реального диа­ пазона температур. Кроме того, в значения коэффициентов входит величина R y , которая зависит от сигнала управления:

синтез температурной характеристики следует проводить при какомто .постоянном токе управления, т. е. в этом случае при одних и тех же линейных параметрах схемы получаем не одну линейную функ­ цию, а семейство прямых. Это семейство имеет различный характер в зависимости от схемы включения, получение же его в общем виде достаточно громоздко.

2. Характеристики типа обратных ветвей вольт-амперных харак­ теристик р-/г-перехода. Эти характеристики имеют транзисторы с за­ пертыми выходными д-п-переходами. Управление осуществляется то­ ком или напряжением в зависимости от того, открыт или закрыт входной р -п -переход. При принятом ранее допущении, что величина смещения по осям тока и напряжения зависит только от сигнала управления, вольт-амперная характеристика транзистора для этого случая может быть записана в следующем виде:

3 7

Разделив обе части этого выражения на напряжение, получим:

Но при этом следует учесть, что в выражение для коэффициента R "оо входят составляющие, зависящие от величины сигнала управ­ ления, т, е.

Таким образом, величина коэффициента Я"«> представляет собой дробно-линейную зависимость от сигнала управления.

Величина статического сопротивления цепи с транзистором будет иметь следующий вид:

sR"meSJT + 1

3 8

Величина R " т определяется согласно формуле (1-61) и является функцией от управляющего сигнала, т. е. синтез ценен с транзисто­ рами и в этом случае возможен для конкретного управляющего тока и для одних и тех же линейных 'параметров схемы с помощью изме­ нения сигнала управления имеется возможность получения семейства линейных температурных характеристик цепей.

3. Транзисторные характеристики. На рис. 1-4,а —г, показаны цепи с транзистором, включенным по схемам с общим эмиттером и

Рис. 1-4. Схемы двухполюсников с транзисторами.

общей базой. Рассмотрим синтез цепей с транзисторами в каждой схеме включения.

а. С х е м а с о б щ и м эмиттером. Согласно схеме замещения транзи­ стора, представленной в (Л. 60], вольт-амперная характеристика тран­ зистора описывается следующим выражением:

3 9

о т с ю д а

Рассмотрим разложение функции (1-70) в ряд в некоторой точке диапазона T t< T an < T 2'.

і = п + 1

Очевидно, что непосредственное дифференцирование вызывает значительные трудности уже при нахождении первой производной, поэтому для нахождения п - го члена ряда разложения воспользуемся методом введения промежуточных переменных.

40