
книги из ГПНТБ / Комов, А. Н. Физические основы микроэлектроники учеб. пособие
.pdfэтого уравнения оказывается больше -Ь 1 и меньше —1, существо вать не могут, а энергии, отвечающие этим значениям аа, для элек трона запрещены. Границы допустимых значений аа соответствуют для k величинам hn/a. На рис. 30 приведена зависимость Е до k. Л£У. Л£0" ••• и т. д.—запрещенные зоны энергии.
Рис. 30. Изменение энергии электрона о г волнового числа /г; энергетический спектр электрона
Если Р мало, то запрещенные области исчезают. Если Р * оо, то разрешенные интервалы значений аа вырождаются в точки
пк (п = ± 1, ±2...). Энергетический спектр становится дискретным, и 722
собственные значения энергии Е = g тд2 будут относиться к элек
трону в потенциальном ящике длиной а. Внутри первой полосы разрешенных энергий cos ka меняется от +1 до —1. Этому соот ветствует изменение ka в пределах от 0 до ± я , или изменение k в
пределах от |
------ до -\------ |
. |
------ — . |
г |
а |
' а |
а ' ^ а |
Последнее выражение определяет область простирания первой энергетической зоны, или, как уже было сказано, зоны Бриллюэна. Внутри второй энергетической зоны cos ka изменяется от —1 до + 1,
ka от —л до —2я и от я до 2л, k от — ^ - д о ---- |
^-и от-^-до-^- ' |
Внутри зоны Бриллюэна энергия квазинепрерывна, на границах зо ны энергия может иметь разрывы. Здесь не случайно говорится о квазинепрерывности, а не о непрерывности энергии в зоне, посколь ку имеется в виду обязательное наличие в задаче граничных усло вий. Таким образом, энергетический спектр электрона в периоди ческом поле в общему случае распадается на разрешенные и запре щенные полосы энергии или зоны.
71
§ 3. Превращение атомных уравней в энергетические зоны при образовании кристалла
Как было выяснено, внутри зоны волновое число k меняется от —^-до--*—^- • Наложение периодических краевых условий ограни
чивает к следующими значениями:
k ^ n ^ - \ п — О, 1; ±2; |
... ± |
(IV- 1 5 ) |
где L—длина атомной цепочки. Из формулы (IV—15) видно, что
число независимых значений k равно— . Так как А—длина цепоч
ки, а—расстояние между атомами, то-^ = N —числу атомов в це- •
почке. Тогда в интервале от — ~ |
до + |
к может принимать N |
различных значений, которым соответствуют N различных энерге |
||
тических уровней. Следовательно, |
каждая |
разрешенная полоса |
энергии должна состоять из N уровней, где N—число атомов в це почке. Ход образования разрешенной и запрещенной энергетических зон полезно ироследйть также и с иной точки зрения. Будем исхо дить из состояния, в котором имеется совокупность удаленных друг от друга нейтральных атомов, каждый из которых обладает соб ственной системой энергетических уровней, и проследим, что будет происходить с энергетическими уровнями по мере сближения ато мов и перекрытия их электронных оболочек в процессе образова ния из этой совокупности атомов упорядоченной структуры метал лического кристалла.
В результате взаимодействия с соседними атомами уровни рас щепляются в энергетическую зону, в пределах которой энергия электронов периодически зависит от k. Подобное расширение явля ется следствием волновых свойств электронов и непосредственно связано с уменьшением степени локализации их в кристалле по сравнению с изолированными атомами. В кристалле все электроны приобретают способность переходить от одного атома к другому. Этот переход осуществляется путем туннельного просачивания сквозь разделяющий потенциальный барьер. Наличие таких переходов уменьшает степень локализаций электронов и приводит к брльшей или меньшей неопределенности в значении их энергий, т. е. к размытию уровней энергии и превращению их в полосы или зоны. Вычисления показываюі, что время пребывания электрона около определенного атома составляет т=10~15 сек, т. е. нет смысла говорить о принадлежности электронов определенным атомам.
В соответствии с принципом |
неопределенностей неопределен |
|
ность в значении энергии таких электронов равна |
4 |
|
АЕ —ІО“ 12 |
эрг,— 1 эв. |
|
Это означает, что энергетический уровень валентных |
электро |
72
нов, имеющий в изолированном атоме ширину «10. 7 эв, превра щается в кристалле в энергетическую зону шириною порядка еди ниц электроновольт. Электроны внутренних оболочек атомов име ют т-= 1020 лет, т. е. энергетические уровни этих электронов в кри сталле такие же узкие, как и в отдельно взятой атоме. По мере пе рехода к более внешним оболочкам высота и ширина потен циального барьера уменьшаются, вероятность туннельного перехода электронов увеличивается, вследствие чего растет ширина энерге тических зон. На рис. 31 показано изменение энергетических уров-
Рис. 31. Изменение ' энергетических уровней |
при |
сближении атомов натрия. |
\ |
I |
ней атомов натрия по мере их сближения. Справа приведены уров ни изолированного атома натрия, слева—образование зон, обуслов ленное расширением уровней при уменьшении расстояний г между атомами, d — межатомное расстояние в кристалле натрия.
Явление перекрытия соседних энергетических зон наблюдается у многих твердых тел и играет большую роль в определении их электрических свойств.
§ 4. Зонная структура металлов, диэлектриков и полупровод
ников
Рассмотрим более подробно верхние энергетические зоны. Зо ны, которые расположены над энергетическими уровнями внутрен них электронов, можно разделить на две группы: на валентные зо ны и зоны проводимости. Зоны проводимости во всех кристалличе ских телах лежат над валентными зонами. В некоторых случаях они могут -взаимно перекрываться. Свободные электроны, т. е. элек троны проводимости, имеют энергетические уровни, лежащие в пределах зоны проводимости. Уровни валентных электронов нахо дятся в пределах валентной зоны. Промежутки, расположенные между валентными зонами и зонами проводимости, называются за прещенными зонами. Зонная теория еще не является строгой теори
73
ей, на базе которой можно вести точные количественные расчеты. Несмотря на это, с помощью зонной теории оказалось возможным выяснить некоторые основные вопросы, в частности, объяснить раз личие между металлами, изоляторами и полупроводниками. Приме нение зонной теории позволяет получить правильную, единую и до статочно общую картину электропроводности твердых тел. С точки зрения этой теории электропроводность определяется степенью за полнения электронами зон разрешенных энергий. Если разрешенная зона заполнена полностью, то электроны, уровни которых лежат в пределах этой зоны, не могут принимать участия в электропровод ности. В самом деле, электроны, участвующие в механизме проводи
мости, отбирают энергию у внешнего поля, в результате чего |
их |
||||
энергия увеличивается. При этом электроны |
должны |
перейти |
на |
||
более высокий энергетический уровень. |
Однако в полностью |
за |
|||
полненной зоне нет свободных |
уровней, |
на |
которые они могли |
||
бы перейти. И если энергия |
внешнего |
поля |
недостаточна |
для поднятия электрона на вышележащую свободную зону, то в этом случае не появляется направленного движения электрона, а, следовательно, нет и электрического тока. Такие тела относятся к изоляторам. В частично заполненных зонах имеется большое число свободных состояний, энергия которых очень мало отличается от энергии занятых уровней этой зоны. Поэтому уже слабое электри ческое поле способно сообщить электронам добавочный импульс, чтобы перевести их на близлежащие свободные уровни. В теле по является преимущественное движение электронов против поля, обуславливающее возникновение электрического тока. Такие тела являются, очевидно, проводниками. Зонную структуру металла и изолятора можно представить рис. 32.
Рис. 32. Энергетическая структура зон дЛя металлов (а), диэлектриков (б), полупроводников (в).
У полупроводников так же, как и у изоляторов, валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной, однако шири на запрещенной зоны различна. Так, для алмаза, являющегося изо лятором, ширина запрещенной зоны равна примерно 7 эв, для гер мания и кремния—соответственно 0,72 и 1,12 эв. Принято считать
74
изоляторами вещества, для которых ДЕ>3 эв, а полупроводника ми — вещества,.для которых ЛЕ = 0,1-:-3 эв. При АЕ<0,1 эв веще ства называют переходными металлами.
§ 5. Эффективная масса электрона
Электрон, находящийся в кристалле, испытывает действие дру гих частиц, и его движение уже нельзя рассматривать как движение свободной частицы.
Учитывая действие периодического потенциала кристалличе ской решетки, можно определить поведение электрона при воздей ствии на него внешнего электрического поля. Для этого предста вим электрон, как волновой пакет, который движется под действием
г, |
|
.. |
|
= |
dw |
„ |
движе |
внешней силы г |
с групповой скоростью |
|
Энергия |
||||
ния электрона будет равна |
те,-р |
ң |
|
р2 |
где |
Е“ им' |
|
= Е ~2—= 8 ^^ ^2,== fm’ |
пульс электрона.
Так как на электрон действуют периодические силы притяжения и отталкивания атомов решетки, то характер его движения не мо жет быть описан теми же соотношениями, что и движение свободной частицы в потенциальном ящике.
В этом случае, кроме внешнего поля, необходимо учесть влияние внутреннего поля, создаваемое всеми атомами решетки. При конеч ном решении задачи следовало бы учесть и изменение внутреннего периодичного потенциала под действием внешнего поля, что приве ло бы к смещению электронов в атомах, т. е. поляризации атомов.
Для определения движения электрона в кристалле |
под действием ’ |
||
внешней силы найдем работу, затраченную |
полем Е на перемеще |
||
ние электрона в течение времени dt. |
связываем |
электрон с |
|
Работа равна dE = eEvrp dt. Но если мы |
|||
группой волн, имеющих частоту w —2яѵ = 2п-у-, где |
Е изменяется |
||
с изменением скорости частицы за счет работы внешней |
силы F. |
действующей на частицу так, что в оредйем за время dt изменение собственного значения энергии электрона Е равно элементарной ра боте внешней силы dE, то дифференцируя по времени энергию вол нового пакета, будем иметь
dE |
еЕѵгр |
-Fv, |
2 л dE |
Отсюда |
ж |
n 2я |
|
dt |
dk |
F i r - |
|||||
|
|
|
|
Из полученного соотношения вытекает очень важный вывод: в кри-
, „ |
h |
dk |
сталле внешняя сила, действующая на электрон, равна |
|
-j-f |
в то время, как в свободном пространстве она равна |
|
Это |
есть уравнение закона Ньютона, где импульс заменен квазиимпуль сом.
75
Продифференцировав |
|
dw |
2л |
dE |
|
|
|
|
|
||||
VrP - ~ d k |
T" h |
dk |
|
п о в р е м е н и , |
|
п о л у ч и м |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
dv rp |
2я |
d*E |
dk |
Замена |
dk |
|
2n |
F |
дает |
dv ГР |
4я2 Д2£ |
||
dt |
h |
dk2 |
dt |
Ж чеРез |
- К |
dt |
|
h2 dk2 F. |
|||||
Сравнив это выражение |
с классическим |
уравнением |
|
Ньютона |
|||||||||
„ |
d v |
|
|
|
|
вывод, |
|
|
" |
|
4я* d*E |
имеет |
|
F = т - j f , можно сделать |
что величина-^— |
|
физический смысл массы. Таким образом, в кристалле электрон ус коряется под действием внешней силы так же, как и классическая
частица в вакууме с массой т* --- d2E , называемой эффектив-
dk2
ной массой электрона.
Приписывая электрону, находящемуся в периодическом поле кристалла, массу ш*, мы можем считать этот электрон свободным и описывать его движение во внешнем поле так, как мы описываем движение обычного электрона. Однако для электрона, находящего ся в периодическом, поле, по мере увеличения его энергии и перемещения от дна зоны к ее вершине эффективная масса ме няется не только по величине, но и по знаку. Это указывает на то, что поведение во внешнем поле электронов, находящихся на раз ных энергетических1уровнях зон, может быть весьма различным и сильно отличаться от поведения свободных электронов. Введение понятия эффективной массы является лишь удобным спо собом описания движения электрона, находящегося в периодиче ском поле кристалла, под действием внешней силы. Сама же эффек тивная масса не есть масса в обычном смысле слова. Ома не определяет ни запаса энергии, пи инерционных, ни гравитационных свойств электрона.
§ 6. Понятие о дырках
Понятие «дырка» является одним из важнейших для объяснения электрических свойств полупроводниковых кристаллов. В идеальном полупроводнике при абсолютном нуле все энергетические состояния
'в зоне проводимости свободны. Под действием термического воз буждения из заполненной валентной зоны электроны способны пе реходить в зону проводимости, оставляя вместо себя незаполнен ный энергетический уровень. Этот уровень может быть заполнен другим оторвавшимся электроном. Число электронов в зоне прово димости и число вакантных уровней одинаково. Состояние незапол ненного уровня в валентной зоне эквивалентно положительному за ряду, равному по величине заряду электрона. Полный заряд объ ема вещества, очевидно, остается равным нулю. Плотность тока, возникающая при наложении электрического поля Е, пропорцио нальна скорости электрона в зоне проводимости и совпадает с ней по направлению /0 = еѵ , для п—свободных электронов jn=envn.
76
\
Однако в валентной зоне вакантный уровень энергии может за полняться электроном, который перемещается против поля. Таким образом, совокупность электронов в валентной зоне также участву ет в образовании проводимости полупроводника. При этом плот ность этого тока зависит от числа вакантных уровней.
Если обозначить число вакантных уровней через N, то
]N -evN N.
Следовательно, в полупроводнике существуют два вида носите лей заряда' — свободные электроны в зоне проводимости и связан ные электроны в валентной зоне. Общая плотность тока будет рав на
j -”jn + jjv е \п ■n + evN ■N.
Перемещение электронов в валентной зоне равноценно переме щению вакантных уровней (или вакантности) по полю, т. е. поло жительного заряда е+. Однако забывать не следует, что движение положительного заряда происходит не ів результате действия на него сил электрического' поля, а в результате перемещения элек трона под действием этого поля.
Вакансия в .кристалле получила название дырки, а механизм проводимости посредством связанных электронов (или дырок) пополучил название дырочной проводимости. Если обозначить число дырок через р, их скорость через пр, то общая плотность тока бу
дет определяться выражением: |
j =еѵГіп-\-е\р-р. |
|
|
|
||||
Дырка обладает той же эффективной массой, что и электрон, |
||||||||
помещенный в это вакантное состояние. |
|
|
|
|
||||
|
|
|
Л И Т Е Р А Т У Р А |
|
|
|
||
1. |
Дж. З а й м а м . |
«Принципы теории твердого тела», |
изд-во |
«Мир», 1966. |
||||
2. |
Ч. |
К и т т е л ь. |
«Введение в физику твердого тела», |
изд-во |
ф.-м. литерату |
|||
ры, 1962. |
|
|
|
изд-во «Мир», 1972. |
|
|
||
3. |
У. X а р р и Qо н. «Теория твердого тела», |
школа», |
1969. |
|||||
4. |
П. |
К и р е е в . «Физика полупроводников», изд-во «Высшая |
||||||
5. |
Г. |
Е п и ф а н о в . «Физические |
основы |
микроэлектроники», изд-во |
«Со |
|||
ветское радио», 1971. |
|
изд-во иностранной |
литературы, 1962. |
|||||
6. |
Р. |
С м и т. «Полупроводники», |
Глава V. СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ 1. Статистика электронов и дырок в собственных полупро водниках
Для определения электропроводности полупроводников необхо димо знать концентрацию и подвижность носителей заряда. Со гласно зонной теории электропроводность полупроводников обус ловлена свободными электронами в зоне проводимости и дырками в
77
валентной зоне. Если валентная зона полностью заполнена, а зона проводимости свободна, то электропроводность такого твердого те ла равна нулю. Однако при тепловом возбуждении полупроводни ка степень заполнения свободной зоны возрастает.
На рис. 33 показана энергетическая схема собственного полу проводника (химически чистый полупроводник называется соб ственным полупроводником, а его электропроводность—собствен ной проводимостью).
Рас. 33. Схема энергетической зоны собственного полупроводника.
Нас будет интересовать число свободных электронов в зон^ про водимости и число дырок в валентной зоне.
Обозначим через ДД0 ширину запрещенной зоны.
Концентрацию электронов в зоне проводимости—через п, а кон центрацию дырок в валентной зоне—через р.
Начало отсчета энергии поместим на дно зоны проводимости. Выделим у дна зоны проводимости узкий интервал энергии dE, за ключенной между Е и E + dE, тогда для электронов с энергиями в
этом интервале можно записать функцию распределения |
Ферми- |
|
Дирака |
з |
|
|
|
|
|
dn= -4”- < y 2 /ф ЕL dE, |
(V - 1) |
где тп* — эффективная масса электрона, |
|
|
ф |
-- функция Ферми-Дирака, |
|
где ц — уровень Ферми,
dn — число электронов, энергия которых заключается в интер вале от Е до E+dE.
78
Функция Ферми-Дирака определяет вероятность заполнения электронами квантовых состояний с энергией Е. Число квантовых состояний в зоне проводимости значительно превышает число элек тронов в этой зоне, поэтому можно считать, что <0, т. е. доля за нятых электронами состояний с энергией очень мала.
&£
Отсюда следует, что е кТ ;) 1 или —jpjr- > 0.
Так как мы выбрали энергетический интервал у дна зоны прово димости, т. е. близко к нулевому уровню, то Е = 0, и тогда
JLkT. » 0 .
А это означает, что само р, есть величина отрицательная. Следо вательно, уровень Ферми в собственных полупроводниках распола гается ниже дна зоны проводимости. Точнее его положение можно
определить из следующих рассуждений. Условие е~£Т у, j приводит
к соотношению г |
g <к-и-> которое отражает факт невырождения |
|
газа. |
|
|
Подставляя /ф в dn, получим |
|
|
dn |
Е Н _1 |
(V—2) |
E~2'dE. |
Проинтегрировав (V—2) по всем энергетическим состояниям от 0 до со , получим общее число электронов в зоне проводимости
|
Е - ѵ - 1 |
п ■= |
kT Е2 dE. |
о
После определения интеграла получим
0 ( 2nmn*kT |
і2 |
kT |
(V—3> |
Аa |
) е |
■ |
Аналогичный расчет для дырок в валентной зоне приводит к ре зультату
2nmp*kT |
L JL' |
|
Р 2 ' Л2 |
I2 ekT |
(V —4) |
Здесь /пр* — эффективная масса дырок, р' — расстояние от уровня Ферми до верхней границы валентной зоны.
В собственном полупроводнике п = р, тогда из V—3 и V—4 полу чим
3_(X |
|
2я т*р kT |
kT |
|
о '2ятп* к Т \ f j r |
л |
(V 5) |
||
Z \ Л* ) е — * |
h2 |
|
Отсюда находим
79