Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Зарипов, М. Ф. Индуктивные датчики с улучшенными метрологическими характеристиками [учеб. пособие]

.pdf
Скачиваний:
30
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
4.31 Mб
Скачать

Г Л А В А

Ш

ПОГРЕШНОСТИ ИДСЭ

§.з_1. Классификация погрешностей. Источники основной и дополнительной погрешности Датчиков

Погрешность как основная характернотика ИДСЭ определяет метрологические возможности датчиков, класс точности и выявляет область их применения.

Для облегчения анализа и систематизации источников погреш­ ностей разработана их классификационная таблица рис.3-1, позво­ ляющая осуществлять тщательный анализ погрешностей ИДСЭ на раз­ личных этапах проектирования, изготовления и регулировки с уче­ том эксплуатационных требований и режимов работы {23J

Как показал опыт проектирования различных электромагнитных датчиков целесообразно источники основной погрешности делить на методические, технологические и эксплуатационные, а источники дополнительной погрешности - на внешние и.режимные.

Методические источники основной погрешности ИДСЭ возникают из-за неполноты учета всех закономерностей при расчете его ста­ тической характеристики.Не учитывая при расчете ИДСЭ, например,

потери и нелинейность характеристик магнитного сопротивления сердечников, мы упрощаем методику расчета, но заранее предпола­ гаем возможность погрешностей.

Степень нелинейности статической характеристики, вносящая погрешность в ИДСЭ и определяемая в режиме холостого хода из выражения (2-37), при условии (2-39) может быть сведена к мини­ муму и тем самым уменьшена методическая погрешность.

Технологические источники основной погрешности ИДСЭ опреде-

Ист очники погрешностей ИДСЭ

НЕЛИНЕЙНОСТЬ СТАТИЧЕС­ КОЙ характеристики

Рис. 3-1. Классификация источников погрешностей Ц Д С Э

- 72 -

ляются качеством изготовления ферромагнитных сердечников, а

также качеством сборки и наладки датчиков.

При использовании стандартных ферритовых броневых сердеч­ ников качество изготовления определяется составом смеси, спо­ собом ее приготовления и температурой спекания.

Неточность сборки деталей конструкций ИДСЭ и наличие до­ пусков при изготовлении сердечников приводит к непараллель­ ности в расположении поверхностей сердечников, что вызывает непостоянство распределенных по длине сердечников удельной магнитной проводимости.

Для уменьшения технологических погрешностей необходимо подбирать сердечники с идентичными характеристиками и минималь­ ными допусками, тщательно осуществлять сборку датчиков.

Технологические погрешности также, как и методические погрешности, можно существенно понизить за счет настройки ИДСЭ и,в первую очередь,за счет регулирования тока в экранирующих обмотках.

Эксплуатационные источники основшх погрешностей ИДСЭ обус­ ловливаются наличием магнитного гистерезиса, поперечного люфта,

старением и износом со временем отдельных деталей и узлов дат­ чиков.

Для уменьшения эксплуатационных погрешностей необходимо выбирать сердечники с минимальной шириной гистерезисной петли,

увеличивать начальный зазор датчиков, предостерегать сердечни­ ки от ударов и от воздействия других случайных внешних разру­ шающих факторов.

Проведена оценка основной погрешности ИДСЭ [3 1 J

(3 -1)

- 73 -

где fi'g - результирующая систематическая методическая погреш­

ность, которая находится как алгебраическая су ша

отдельных составляющих погрешности;

 

(Г - результирупцее значение

среднеквадратичной погреш­

ности, причем дисперсия

О

находится, как сред­

няя величина квадратов отклонений & L

отдельных

ошибок от их среднеарифметического значения

£ )= б~г=

— >

 

(з-г)

отклонения Л L могут быть определены исходя из производственного

поля допуска на исследуемые параметры.

В большинстве случаев случайные величины погрешностей имеют нормальное распределение вероятностей. При этом вероятность то­ го, что максимальное отклонение случайной величины превысит ве­

личину З Т )

* составляет 0 ,2 7 % .

Для ИДСЭ

' max = (0,5 * 1,5)$.

Источники пополнительной рптдпшпсти ИДСЭ определяются не­

стабильностью окружающей температуры, наличием внешних магнитных полей или ферромагнитных масс, непостоянством характеристик ис­ точников питания - нестабильностью амплитуды, частоты питающего напряжения и т.д.

Режимные погрешности вызываются скоростью перемещения или частотой колебания подвижной части датчика и вносят так называ-

е ш е динамические погрешности. Источником режимных погрешностей является также непостоянство величины нагрузки на выходе датчика.

Систематические погрешности часто удается скомпенсировать в результате поверочных испытаний, а дополнительные погрешности,

определяемые многими возмущающими факторами, в случае невозмож­ ности компенсации должны быть количественно учтены, для чего не­ обходимо иметь законы их изменения.

-74 -

§3-2. Погрешность ИДСЭ из-за нестабильности температуры окружающей среды

При изменении температуры окружающей среды Л б появляется

дополнительная погрешность,- обусловленная изменением как элек­

трических, так и магнитных параметров датчика [2] .

а) Температурная погрешность ИДСЭ, обусловленная измене­ нием активного сопротивления R измерительной обмот­ ки и экрана £ э .

Зависимости активных сопротивлений от температуры могут

быть выражены следующими приближенными формулами:

 

 

 

& /V + oi# л 9 )

(3-3)

 

$ 0, 8^ -

Я э = Яэ0 ('/ + Ы'я й ®

) ,

(3-4)

где

начальные значения сопротивлений;

 

 

-

температурный коэффициент.

 

 

Для определения погрешностей разложим в ряд зависимость

(2-3D г / ^ =

/ ( х )

, откуда относительная амплитудная погреш­

ность для ИДСЭ с учетом (2-29) и

(2-30) при £ = R9запишется в

виде

У1 _

/

Э U g j/x d fta

. q

(3-5)

 

° * ~ и ш

Э в *

 

Из выражения (2-43)

найдем

 

 

 

 

 

 

я к

xy + i g * ( / - x s) 6

 

 

 

 

 

 

 

 

" [ u j ( Y - x y + f ^ V + x ¥ + 4 < * - x ‘J aF

’ (3_6)

Из уравнения

(3-4) получим

 

 

 

 

 

э !

ё - * * * * ■

 

 

(3-7)

 

 

 

 

 

Подставляя значение (2-43), (3-6) и (3-7) в (3-5), получим

* 4-К $(1+ Х г) 3+ 2К §ГМ г)(3+Х ‘)(1-Х г) ‘+015 К £ « -х е) 6+ 2 (/-Х г)+

(3-8)

75

Изменения активных сопротивлений ИДСЭ от температуры окружающей среда приводит к изменению угла сдвига фаз между током и напряжением на выходе датчика согласно выражению:

дР9 - э е

(3-9)

 

Из. выражения (2-44) находится

 

2 К з { 1- х гЙ г ф + х % ( г - х ] - % ( г - х г) 1

 

Ъ<р Йэ+#НЗ'

УJ ff1

 

дRs Шэ(1+Хг) 1+4-K-t(f-xaJ*(3+Х*)+0,5#в(f~X*)b+2(f-XУ* (3_10)

Подставляя в уравнение (3-9) значения (3-10) и (3-7),

получим

r* *U+(t+x*)*+2^-x*№ +)(V +Q £^-xy6+fr-xy (з-и)

Для сравнения температурная относительная амплитудная погрешность для ИДС из выражения (2-32) с учетом (2-29) запи­

шется

r

/

dUstnc 3 #

л ы

 

 

W _

. £ ,

(3-12)

 

° * ~ Т 2 £

э й

д &

'

Из выражения

(2-45) найдем

 

 

 

d U S ttx __ / . i /и

 

)

(3-13)

 

Э й

(= - 4 К х

 

 

 

 

'й[к§(1-хУ+4-]г

 

Из уравнения

(3-3) получим

 

 

 

 

Э А в

- ' ~

* '

 

(3_14)

Подставляя значения (2-45),

(3-13) и (3-14) в (3-12),

получим

y*'_v

2

£

3

 

( f - x )

, a

 

 

°R ~

* ' a£

( / - x ‘) * + 4

(3-15)

Изменени я угла сдвига фаз на выходе ИДС от температур

ного изменения активного сопротивления запишется

 

 

 

=

 

 

а б>.

(3-16)

 

 

 

э й

э &

 

 

 

 

 

-

76 -

 

Из выражения (2-46) находится

 

д¥>'

2И »(1-Х *)

(3-17)

, d fi ч

R£KlH-X*)*+J]

(3-14), подучим

Подставляя в (3-16)

значения (3-17) ж

л ч > ' =

- «

2 * * « - х г>

(3-18)

Для уменьшения амплитудных и фаговых погрешностей датчи­

ков от изменения активных сопротивлений необходимо, чтобы ин­

дуктивные сопротивления обмоток u )L и ш /,э

были бы

значительно больше активных сопротивлений f t

и f t s

б) Температурная погрешность И1ЮЭ. обтсдовденная изменением магнитного сопротивления сердечников З С .

Точное определение величины температурной погрешности от изменения магнитного сопротивления сердечников датчика весьма сложно. Изменение активной и реактивной составляющих магнитного сопротивления происходит с разными знаками в области температур от - 100 до + 100°С. При атом активная составляющая сопротивле­ ния уменьшается с ростом температуры, а реактивная - увеличива­ ется.

Пренебрегая нелинейностью изменения составляющих магнитного сопротивления, можно комплексную величину магнитного сопротивле­ ния записать

 

(3_1 Я

где

- температурные коэффициенты соответственно

 

активной и реактивной составляющих магнит­

 

ного сопротивления сердечников;

^ ч . , Х /ие

- соответственно активная и реактивная состав­

 

ляющие комплексного сопротивления ctju. при

 

нормальной температуре.

 

 

 

 

-

77 -

 

 

 

Решая систему уравнений

 

 

 

 

 

= °%/и0 ("? +

А & ) }

 

(3-20)

 

 

 

 

 

 

 

 

(3-21)

 

 

 

 

 

 

 

 

(3-22)

находим температурной коэффициент

магнитного сопротивле­

ния с учетом активной и реактивной составляющих

 

 

/

К

*

/

 

/

 

(3-23)

 

> “ а £

 

«“" а й

 

 

 

 

 

 

Перепишем равенства

(2-29) и (2-ЭОУ в виде

 

 

£ = # (% м г + а 6ш )

Я

. .

(3-24)

 

*

 

л

 

/

W V

^ ’

 

 

 

 

 

^ _ ____ со W»

_

й/U^(r #-

(3-25)

 

^

(& /!Я + Ц л

 

 

 

 

 

Теперь относительная амплитудная погрешность для ИДСЭ из

(2-31) с учетом (3-24)

и (3-25) запишется

 

 

X

/

Эй»**

доС/*. л Д

 

(3-26)

 

°х,Г vb» c

dXju.

э е

 

 

 

 

 

Из уравнения (3-20) получаем

 

 

 

 

do(ju _

«У

 

(3-27)

 

 

- g j g

-

 

 

 

 

Подставляя выражение

(2-43), его производную по магнитному

сопротивлению,

а такие

(3-27)

в (3-26), получим

 

t

V

£ 4 A ! & x f y - x &) + n t f - f - x Y 3-4 g

 

V

+ f y 4 t £ ( /+ x * № X f ( # ) W 3 + x 'X f - * * ) l+ Q 2 S 2 л $0 - х гА 2 Р - д *

Изменение магнитного сопротивления ИДОЭ от температуры ок-

руханцей среда приводит также к изменению угла сдвига фаз меж­ ду током и напряжением на выходе датчика согласно выражению

Л1й — дФ 9 «Си а

(3-29)

% - щ Г ы ле-

п р о в о д и м о с т и

- 78 -

Подставляя в уравнение (3-29) значение*(3-27), а также

производную от выражения (2-44), получим

86< f Н * « - х г) г[ 2 & Ш * ) - Н - х 1) 1] - 0 , 5 К а Н - х ¥ } Ь 9

^ s + ^ W £ ( f + x if+ 2 Z $ (t - x ift3 + x + )+ Q 2 5 k $ (f-x V t+ tt-x Ij ‘f сз-зо;

Для сравнения температурная относительная амплитудная пог-

репшость для ИДС из выражения (2-45) с учетом (3-24) и (3-27)

запишется

Л _

/ У U 8Ш 9 % jc . >Q *

Sfy*. 2 №а ( 4 х ) л о.

%

и Ь х

& ' - * * ) * + +

(3-31)

Изменение угла сдвига фаз на выходе ИДС от температурного изменения магнитного сопротивления сердечников о учетом выра­ жений (2-46) и (3-27) получим в виде

\

д&

K£ff-x*)U

(3-32)

 

Для уменьшения амплитудных и фазовых погрешностей от изме­ нения магнитного сопротивления сердечников необходимо увели­ чивать воздушный зазор & и магнитную индукцию в магнитопро­ воде.

в) Температурная погрешность ИДСЭ. обусловленная

изменением магнитной (j воздуш­

ного зазора.

Для определения погрешности от изменения магнитной прово­

димости воздушного зазора датчика необходимо проанализировать влияние температуры на

G = y §

^ 33>

При изменении температуры Д Q

происходит изменение пло­

щади

 

5 = S o / W e ^ S j 2

(3-34)

- 79 -

 

и длины зазора

 

В - S0(-/-fo£&aQ)t

(3- 35)

где S 0 )$0 - начальные значения площади и зазора;

-температурный коэффициент линейного расширения материала магнитонровода.

Магнитная проводимость воздушного зазора из (3-33) связа­ на с изменением температуры зависимостью

G —G0 ( f + & ) ’

(з-зб)

Относительная амплитудная погрешность для ВДСЭ из (2-31)

с учетом (3-24) и (3-25) запишется

Ъ’ткг&Чг**-

 

Из уравнения (3-36) получаем

 

 

Ж . = ГтП/

(3-38)

 

 

Эд в

 

 

Подставляя выражение (2-43) его производную по магнитной

 

проводимости, а также (3-38)

в (3-37), получим

 

4 .я ? Г /+ х У г /- х У 3+ л & Г / - х * Г

,п

 

x s)i-2K§V+xs)(3+x*X'-xV<Q5ZlV-xT+2fs->(3)

 

 

 

(3-39)

 

Изменение магнитной проводимости ВДСЭ от температуры окру­

жающей среды приводит к изменению сдвига фаз между током и напряжением на выходе датчика согласно выражению

Подставляя в уравнение (3-40) значение (3-38), а также

производную от выражения (2-44), получим

,

.,*■

 

А и >

.

ъ с г - х Ж г к Ы + х Ъ - н - х 1) 1] - a s

K s f i - x

* } ___ л &

 

 

 

 

 

 

(3-41)

Температурная относительная амплитудная погрешность для

ВДС из выражения (2-45) с учетом (3-24) и

(3-38)

запишется

+

'

/

д&вих. д(т . л . . /

 

 

 

4 "

и ь *

к ! Г 1 - х 2) 2 + 4

- *

(3_42)

э < ? ~ " д ё 'А * - * * * ! " - .

 

 

 

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ