Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Зарипов, М. Ф. Индуктивные датчики с улучшенными метрологическими характеристиками [учеб. пособие]

.pdf
Скачиваний:
30
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
4.31 Mб
Скачать

(А* Б)

V

А

 

О

Е

О

 

О О

Н

.

- 2 У С К._____________

( А * 6) С А

(А + Б ) Е Н .—2 .С гЦ - 2 Л гЕ

2 С

В

О

 

2 й

О

Н

(2—II)

 

 

 

(А+Б) С

U

 

2 С

£

О

 

2 А

О

О

________ 21JAE_______

(А + Б ) С Л

( А - * Б ) Е Ч - 2 С гН - 2 Л гЕ

2 С

В

О

. ( 2- 12)

 

2 А

О

к .

 

Перепилен полученные выражения токов с учетом обозначе­ ний (2-6) и вводя новые обозначения:

9i

-

 

 

wl>3f

 

L>

_

 

COL a x

 

 

 

Eg -f- Rh3

 

>

*“42"

Rb

+ Rh9

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n~fH..

-

 

u > M x

- •

 

! /

 

luMj

(2-13)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rg

+

R n a

)

 

^

Rj + R m 9

>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и 2 R

C

f

~ u

>

( E Sf

 

(L r-th jf) + 2

 

+ M g f i} ) |

п = 2 /? С /-х 3,е аг) -f-E o jC lf +

 

 

 

 

м ‘+/,л ^ / (2_I4)

Следовательно, искомые токи равны

 

 

 

j =

V

i

~ *■*'

+ J - ( E *

+

Н эг)

 

 

(2-15)

 

 

 

 

 

M + J n

 

 

 

 

 

 

m

(2-Ib)

- 41 -

 

1

-гй*. т +j.n

 

(2-17)

 

 

 

 

 

 

Напряжение на выход* моста, согласно схеме соединения

обмоток И

ИХ

М Я М М Д дуимии,

ТТЯИТТЯТОЯ ИЗ

Выражения

 

 

= 2 У [ ^ и ) ( ^ -

L j )

( У з^ М 1 - УВ£

M g '),

(2-18)

После подстановки токов из (2-15) + (2-17) и вводя новые

обозначения

 

 

 

 

 

9

=u)[2(k3,■ iH32)(LI-Lg) -ЗМХН, +2Мх кг]

[***

получим

 

 

Р + М

 

 

 

 

 

 

(2- 20)

 

 

J&nx V

r n +J- п

 

 

 

 

 

На практике при малом числе витков обмоток ^ э ,

и

можно пренебречь индуктивностями этих обмоток и тогда Из, * * О

и П э г -

0

. Выражения (2-14)

и

(2-19) упростятся и перепи­

шутся в виде

 

 

 

 

 

t n

=

2 R +

2 u J ( M I fii

i-

M j ^ ) }

(2-21)

п

=

2 и) ( L i + Lg) ‘

 

j

 

P = 2 ш ( Ь Т - L f ) J

 

|

 

$

= 2 “ (

- М 1 * < ) . J

(2-22)

Напряжение выхода (2-20) теперь после ряда обозначений,

подстановок и преобразований перепишется в виде

Л

о V ; , / fiulfc

 

V^ U ------------

[ R + « W W r + * ( i i * k f

(2-23)

При перемещении подвижной части Датчика индуктивности об­

- 42 -

моток, если пренеоречь магнитным сопротивлением сердечников,

изменяются согласно выражениям:

~ 4 ) = СО

2 S ~ ~г ;

(2-24)

(2-26)

(2-27)

H W j t f S *

( у - к 1) 1

(2-28)

где 2 - максимальный зазор между подвижной и неподвижной

частями магнитопровода;

ш- круговая частота питающей сети;

^

-

число

витков

измерительны! обмоток L tj l Sj L 3> L t f ;

^

-

число

витков

экранных обмоток 4? , } L b? ;

£- площадь воздушного зазора между сердечниками на пути рабочего магнитного потока;

R* - активное сопротивление экранных обмоток ( экрана )

X = - ^ --- относительное перемещение подвижной части. Ьо

Вводя новые обозначения

и

* -& -

R S 0 10 W jUz o S

Ш iR g /J o S 5„ ( R i + Rhs)

R .

w L

'

\

nj Vl| 3

R b -h R hb

(2-29)

(2-30)

- 43 -

получим окончательное выражение статической характеристики

вдсэ-

t

 

[ H g

(■ f-x 1) 1+ 2 n i а + х г) ] г + 4 С1 - х г) г

(2-31)

Из выражения (2-31) можно получите Статическую характе­

ристику индуктивного датчика с подвижным сердечником ИКС без

экранов, если положить 4 ^ = 0 .

(2-32)

Для того, чтобы получить статическую характеристику дат­ чика с учетом магнитного сопротивления сердечников и магнит­

ной проводимости рассеяния, необходимо в выражения

(2-31)

и (2-32) подставлять значения & е и

И э из (2-29)

и (2-30)

с учетом выражения

(1-60) в виде:

 

 

_

________J b ( t h 2 fc + Ira^-J3)_______ .

 

8 w W f e f i d f i - p A 2f + ( - L » k 2j i - j , o k j > ) l i %

 

£

=

fr'Ms £

-jb ib £*>+

-ja c A fi) К ! ,

 

 

 

У *( й э + й н э )

f > ( * h 2j > ■+

 

 

Анализ выражений (2-31) и (2-32) показывают, что стати­

ческая характеристика ИДСЭ и ИДС в режиме холостого хода в

общем

случае нелинейна,

зависит от координаты X подвижной

части

и коэффициентов

и

, характеризующих добротности

соответственно измерительной и экранной обмоток.

На рис.2-3 представлены статические характеристики ИДСЭ

и характеристика ИДС при Ч ^ = О

, рассчитанные по выражениям

(2-31)

и (2-32).

 

Из

кривых видно, что при заданных ампервитках возбуждающей

обмотки ( неизменном Hg ) относительное выходное напряжение

измерительной мостовой схеьы

датчика изменяется

-45 -

взависимости от координата подвижной части, причем нелиней­

ность характеристик определяется добротностью экранной обмот­

ки ^ * 9 «

§2-2. Степень нелинейности статической характеристики

идиапазон перемещения ИДСЭ

Степенью нелинейности рассматриваемого участка статичес­

кой характеристики датчика будем называть отношение максималь­ ного отклонения по ординатам характеристики от аппроксимирую­

щей на этом участке ее прямой ко всему диапазону изменения

ординаты на этом хе участке.

Для определения степени нелинейности статической харак­

теристики ИДСЭ, найдем модуль выходного напряжения из (2-31)

в относительных единицах для случая К-в= i и-

= 0 ,5 :

Ук *+[з +#-**)*]2

.

(2-35)

О V г + 1-3 + « -х*№

U

Аналогично для сравнения найдем модуль выходного напря­

жения ЦЦС из (2-32) для случая i и Иэ = 0 :

 

 

2 х

u

 

(2-36)

\ J ( * - x z) B+ 4

Из графиков 2/*. = { ( X)

и

= - f ( x ) на рис.2-3

видно, что наибольшая нелинейность для ИДСЭ наблюдается при

X = 6} 8 , а для ИДС - при X = 0 , 2 . Поэтому выражения сте­

пени нелинейности датчиков можно записать в виде [l3j .

£ % ~ [У *(х= о ,1) ~ Q &]уоо~

\ZrO,36Hs-2Кэ)2+ С 2 И , +Sttif+2)*\ / , J 2~ 3 7 )

=[<,6-

(0,36fdBi-9,f fi9)2+4-

'J

 

- 46 -

£ % -[U # (x=osf

0 2 jlD 0 = [ - =

£ £ = = =

; - Q s I yOO.

(2-38)

'

J

*• V O '? tt$ + q 4 -

J

 

Анализируя выражение

(2-37)

можно отметить, что

степень

нелинейности ВДСЭ можно значительно уменьшить, если выполнить

УСЛ0ВИв

\/(01 36>£8 - Ш

* - * ( 2 У в Х 9 + 5 1 И § + 2 ) ^

с 5

 

( 0

, 3 6 + 9,1 Ив) г1-4-

' ' (2-39)

Полученное выражение показывает, что для каждого значения

К-в существует такое значение ^ , при котором степень нели­

нейности ИДСЭ может быть сведена практически к нулю. Измене­

ние соотношений между коэффициентами и осуществляется

изменением числа витков обмоток и сопротивлением нагрузки эк­ ранной обмотки. При использовании экрана в виде короткозамкну­ того витка условие (2-39) может быть выполнено также и за счет увеличения частоты питания, что приводит к изменению активных и реактивных составляющих контуров.

Полагая в выражении (2-39) ч я ш О ^ б И ^ - В ^ э - О , получим:

Иэ = 0,/?Л£в ,

(2-40)

т.е., например, при K g - * и

£ % = 0 .

Следовательно, можно использовать всю статическую характерис­ тику, а диапазон перемещений будет определяться возможным пере­

мещением подвижной части датчика.

-!

Для ИДС с % * 0 ,т.к. коэффициент Ц 8 , являющийся величи­ ной обратной добротности измерительных обмоток, обычно меньше единицы и не выполняется условие из выражения (2-38)

i 0'7к *+<)4’= 2. .

На

рис.2-4 показаны зависимости степени нелинейности стати­

ческих

характеристик £ % от коэффициента

. Из графиков

- 47 -

следует, что при изменении

 

И& от 0 до 1,0 для ИДС £% = №-^43%,

в то же время для ИДСЭ при

Иэ ФО <Г^ОГ£.Так,для Чд - 0,2,

f t =0,034, <£% = 0 и £ ° 4

= 0,5?.

§ 2-3. Чувствительность к перемещению

Чувствительность к перемещению подвижной части датчика определяется как первая производная от выходного напряжения.

Для ИДСЭ из (2-31)

r^ di/Stjy . 3K6x'-24,x'°+ftX+4ftX6-ftx ‘f-2nsxsLi2(,

 

о/Х ~

(тв к t-4*!Bxft2i:PX<,-4-ftX.ll+ ft) 2 ' (2 ~4 I )

где Ч ,

= ЧВ ( 7 - 5 И § ) ; k>z = f S n l + S Z f t + 3 S l £ £ + H i Z § + № ' ,

f t

= 2Чэ+ £Чэ~5 f t - S ;

f t 4 6 ft-4 -O Jd *-5*:£ -8 ;

Hs = 20t*-+tg-*i-t6;

Ч& = Zvf-t-t&e£+i

ft =3/г£+2/г1+2 ■

ft = Чв +2Ч^-2-

f t

=

 

 

 

Для ИДС из (2-32)

 

 

 

 

c/Z J t m

V

 

 

c/X

(2-42)

 

 

So'

Из анализа выражения

(2-41) следует, что 2 — f ( X > f t , Чэ).

Можно отметить, что средние чувствительности датчиков при х=/

одинаковы

с

-

С'

— •

 

6

~

* "

&

В этом случае максимального значения чувствительность дос­

тигает с уменьшением начального зазора Х> и увеличением напря­ жения питания ZZ .

На рис.2-5 показана зависимость относительной чувствитель­ ности ИДСЭ к перемещению. Из кривой видно, что с увеличением координаты X t чувствительность S увеличивается.

На рис.2-6 показано влияние коэффициентов f t и f t на чувст-

- 43 -

Рис. 2-6 Забисипост чубстбитетности or mtyr-

рициентоё н$ и К,

- 49 -

.витальность ИДСЭ. Из графиков видно,

что с уменьшением

,

т.е. с увеличением числа витков U /

возбуждающей обмотки,

 

чувствительность датчика увеличивается. Увеличения чувстви­ тельности можно добиться такие за счет снижения добротности

экрана К э : уменьшения числа витков Wa экранной обмотки, или

применения короткозамкнутого витка, что уменьшает индуктив­

ность

экрана

при заданной частоте. Существенно умень­

шить

можно,

например, увеличивая сопротивление нагрузки

экранной обмотки Однако не следует забывать, что при этом, как это следует

из рис.2-7, повышается степень нелинейности датчика. .

Следовательно при проектировании следует исходить из учета конкретных требований к устройству.

Порог чувствительности датчика вблизи среднего положения подвижной части ИДСЭ практически совпадает с порогом чувст­ вительности ИДС. Величину сигнала выхода от ассиметржи сер­ дечников и обмоток удалось снизить, подбирая соответствующим образом сопротивления нагрузки Р н э в цепи экрана.

§ 2-4. Амплитудно-тазовая характеристика датчика

Амплитудно-фазовая характеристика получается из статичес­ кой характеристики и представляет собой зависимость амплиту­ ды и фазы выходного сигнала от координаты подвижной части [13] .

Модуль и фаза ВДСЭ из (2-31) запишутся в виде________

О ,

----

 

в ш - W x y { [ К в (у . х * ) % 2 Ы М * ) ] * + М - х * ) * } г

(2^43)

4 * = C L r -c tg

2 К3Us(/-у 3) г+W l'H +x*) ■+2(/-х£) г-

 

/'в ( * - х г) 3- 2 Х э( / - х У

(2-44)

 

7-4104

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ